H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1632278

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин

МПК: H01L 21/263

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.

Номер патента: 1634065

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Гольдберг, Дурдымурадова, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/06

Метки: фотоприемник

ФОТОПРИЕМНИК, состоящий из варизонной полупроводниковой пластины, расположенной между омическим и барьерным контактами, при этом ширина запрещенной зоны в пластине уменьшается в направлении от барьерного контакта к омическому, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности в ультрафиолетовой области спектра, между полупроводниковой пластиной и выпрямляющим контактом расположен слой диэлектрика толщиной 3 - 5 нм с шириной запрещенной зоны не менее 5 эВ.

Номер патента: 1347825

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Диковский

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, свч-транзистор

1. МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с общим электродом, включающий распределение вдоль ряда транзисторных структур элементы частичного внутреннего согласования выхода с индуктивными элементами первого звена соглосования, включенными последовательно с блокировочным конденсатором между внутренним коллекторным и общим электродами, с индуктивными элементами второго звена согласования, подключенными к внутреннему коллекторному электроду и расположенными параллельно плоскости внутреннего коллекторного электрода, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь выходной мощности и увеличения КПД путем повышения равномерности согласования выхода, индуктивные элементы первого звена согласования расположены перепендикулярно плоскости внутреннего коллекторного...

Номер патента: 1371462

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Мелихов, Федотов, Холявин

МПК: H01L 21/48

Метки: герметизации, корпусах, плоских, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ, содержащее систему откачки, вакуумируемую камеру с эластичной прокладкой и вакуумным краном, соединяющим камеру с системой откачки, блок нагревателей, систему управления нагревателями, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и снижения его металлоемкости, вакуумируемая камера образована двумя металлическими плитами и герметизирующей упругой прокладкой, образующей боковую стенку камеры, вакуумный кран расположен на одной из плит, а эластичная прокладка расположена на другой плите.

Номер патента: 1499652

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Роенков, Семенов, Федоренко

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, включающий подложку SiC n-типа проводимости, слой SiC p-типа проводимости политипа 4H, легированный aL, слой SiC n-типа проводимости политипа 4H с люминесцентно-активными дефектами, расположенный между ними, и контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности излучения в голубой области спектра и быстродействия, источник света дополнительно содержит слой SiC n-типа проводимости политипа 4H толщиной от 5 до 20 мкм с концентрацией азота от 05 1019 до 1,0 1019 см-3, расположенный между подложкой и слоем SiC n-типа проводимости с...

Номер патента: 1517657

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Ломакина, Мохов, Семенов

МПК: H01L 21/26

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий эпитаксиальное наращивание на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости и формирование p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет увеличения концентрации центров дефектной люминесценции, формирование p-n-перехода проводят путем наращивания слоя p-типа проводимости на слой n- типа проводимости, после создания p-n-перехода проводят облучение нейтронами с дозой 1018 - 1019 см-2 и отжиг.

Номер патента: 1524738

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: H01L 21/265

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий имплантацию ионов Al в эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости и отжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра, эпитаксиальный слой наращивают путем сублимации при 1700 -1900oС, парциальном давлении Si 5 - 20 Па в вакууме не ниже 10-3 Па, отжиг проводят при 1450 - 1550oС, а имплантацию - в процессе отжига.

Номер патента: 1409076

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.

Номер патента: 1694018

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Корнилович, Студеникин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий охлаждение образца до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем B и одновременно переменным магнитным полем с амплитудой h << B, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и локальности неразрушающего контроля, воздействуют на образец монохроматическим когерентным излучением, энергия кванта которого меньше ширины запрещенной зоны полупроводника, и поляризованного так, что вектор напряженности электрического поля перпендикулярен вектору индукции постоянного магнитного поля B, регистрируют интенсивность 1 прошедшего через образец или отраженного от него излучения, по соседним максимумам зависимости...

Номер патента: 1120880

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Кухновец, Сидоренко

МПК: H01L 21/306

Метки: мдм-структур, н-образной, характеристикой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДМ-СТРУКТУР С N-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, включающий формирование на алюминиевой пластине пористого диэлектрического слоя, электролитическое осаждение металла в поры, напыление контактного электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДМ-структур за счет исключения возможности образования мостов проводимости, перед осаждением металла в поры дополнительно образуют барьерный слой в нерастворяющем электролите, причем потенциал анодирования в нем должен превышать амплитуду переменного напряжения осаждения металла на величину 0 < U 4B.

Номер патента: 1598781

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Герасименко, Петлин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, солнечная

1. СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая основание, токоотводящие шины, двусторонние солнечные элементы, установленные на основании рядами и подключенные к токоотводящим шинам, отражатели солнечного излучения, отличающаяся тем, что, с целью повышения удельной электрической мощности и упрощения технологии изготовления, прямоугольные солнечные элементы выполнены плоскими и ориентированы фоточувствительными слоями перпендикулярно основанию, отражатели солнечного излучения выполнены в виде отдельных плоских прямоугольных пластин или цельной гофрированной ленты и расположены между рядами солнечных элементов, причем грани отражателя образуют угол 45 - 15o к солнечным элементам, а расстояние между рядами солнечных элементов в 1 - 2 раза больше...

Номер патента: 1080686

Опубликовано: 15.11.1994

Автор: Фетисов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, матричный, прибор, связью

МАТРИЧНЫЙ ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий горизонтальный и вертикальные регистры сдвига, электроды переноса которых соединены шинами тактового питания, отличающийся тем, что, с целью его упрощения за счет уменьшения числа шин, электроды тактов, по крайней мере, кроме одного, вертикальных регистров имеют общие шины с соответствующими электродами горизонтального регистра.

Номер патента: 1766207

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Карасев, Пугачев, Скрылев, Фрост, Шилин

МПК: H01L 21/265

Метки: зарядовой, приборов, связью

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, включающий создание стоп-каналов, скрытого канала и области виртуальной фазы ионным легированием, нанесение подзатворного диэлектрика, проводящего слоя, формирование тактовых электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при одновременном упрощении процесса изготовления, после нанесения проводящего слоя в нем одновременно с формированием тактовых электродов вскрывают окна над областью виртуальной фазы, затен наносят фоторезист, проводят операцию фотолитографии, вскрывая в нем окна над областью виртуальной фазы с максимальным уровнем легирования, а последующее ионное легирование в окна проводят с энергией создания скрытого канала с соотношением доз, обратно...

Номер патента: 1766220

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Безрядина, Булгаков, Колесникова, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/73

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковую подложку с коллекторными и базовыми областями, в пределах каждой из базовых областей размещены расположенные в ряд эмиттерные области, сформированные в виде непрерывных или имеющих посередине разрывы полосок, включающие области контактов с металлизацией, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности тепловыделения, области контактов с металлизацией каждой эмиттерной полости расположены на противоположных по длине полоски краях, а поверхностное сопротивление Rs полосок удовлетворяет условию

Номер патента: 1598778

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Жуковец, Комкова, Рогов

МПК: H01L 21/78

Метки: держателе, кольцевом, крепления, пластины, полупроводниковой, преимущественно

СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ НА КОЛЬЦЕВОМ ДЕРЖАТЕЛЕ, включающий фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением, нанесение теплостойкого клея по периферии пластины, размещение кольцевого держателя на пластине на слое клея, прижим кольцевого держателя к пластине, выдержку пластины с кольцевым держателем на столике при температуре затвердевания клея и отделение пластины с держателем от столика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности крепления путем уменьшения деформации пластины, фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением осуществляют посредством нанесенного на поверхность столика теплостойкого расплавленного клея, прижим кольцевого держателя к пластине осуществляют...

Номер патента: 1498324

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Калинин, Катин, Стадник

МПК: H01L 23/28, H01L 23/48

Метки: герметизации, микросхем, пресс-композицией

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МИКРОСХЕМ ПРЕСС-КОМПОЗИЦИЕЙ, заключающийся в укладке в гнездо нижней части пресс-формы для герметизации теплорастекателя, установке выводной рамки с кристаллодержателем, к дну которого, расположенного ниже плоскости выводной рамки, присоединен полупроводниковый кристалл с проволочными выводами, смыкании верхней и нижней частей пресс-формы и заполнении ее внутреннего объема пресс-композицией, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения вероятности замыкания проволочных выводов на край полупроводникового кристалла и повышения надежности микросхем за счет снижения теплового сопротивления кристалл - корпус микросхемы путем исключения попадания пресс - композиции между кристаллом и...

Номер патента: 1448986

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Адоньев, Невский

МПК: H01L 41/08, H03H 9/00

Метки: пьезоэлектрический

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий низкоомную базу, выполненную в виде трехгранной призмы с тупым углом при вершине тыльных граней, и размещенный на ее основании с акустическим контактом с ним слой пьезополупроводника с диффузионной высокоомной областью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажений амплитудно-частотной характеристики, угол при вершине тыльных граней выбран в пределах 115 - 130o.

Номер патента: 1644706

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Барабанов, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, больших, интегральных, мдп, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке активных и полевых областей, формирование подзатворного оксида кремния, буферных поликремниевых областей над каналами активных МДП-транзисторов, вскрытие контактных окон, формирование алюминиевой разводки с образованием МДП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, одновременно с формированием буферных поликремниевых областей формируют поликремниевые области над каналами высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, после чего осаждают слой пиролитического оксида кремния, проводят его термообработку и...

Номер патента: 1649955

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Катин, Стадник, Челноков

МПК: H01L 21/00

Метки: корпусе, микросхемы, сборки

1. СПОСОБ СБОРКИ МИКРОСХЕМЫ В КОРПУСЕ, включающий изготовление керамической платы, формирование на ней токоведущих дорожек, вырубку окна, обжиг платы, сборку основания корпуса, размещение кристалла на основании, разварку проволочных проводников, изготовление и установку крышки на основание и герметизацию корпуса, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности микросхемы, обжиг платы проводят перед сборкой основания, при сборке предварительно осуществляют соединение металлической пластины с металлическим термокомпенсатором, площадь которого выбирают меньше площади сечения окна а в плате, и шлифовку поверхности термокомпенсатора, формирование токоведущих дорожек осуществляют после сборки основания путем напыления...

Номер патента: 1075874

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Вершигора, Лазарева, Михайлов, Соколов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

РАДИАТОР ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, выполненный в виде дискообразного основания с симметрично расположенными в его центре на торцовых частях плоскими контактными площадками, образующие которого симметрично наклонены от его геометрического центра к периферии навстречу друг другу, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности охлаждения, образующие выполнены профилированными в форме затухающих волн, причем кромки контактных площадок сопряжены с кромками одних из впадин образующих.

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1708115

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Майстренко

МПК: H01L 31/18

Метки: алюминиевыми, контактами, сплавными, фотопреобразователя

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО СПЛАВНЫМИ АЛЮМИНИЕВЫМИ КОНТАКТАМИ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки слоя фосфоро-и(или) боросиликатного стекла с содержанием бора 10 - 50% и фосфора 5 - 45%, проведение одновременной диффузии бора и фосфора при 1223 - 1253 К в течение 1,8 103 с, формирование контактной сетки путем вскрытия контактных окон в стеклах, нанесение жидкого алюминия или его сплава, насыщенного акцепторным элементом в количестве 10 - 50% по массе при 927 - 1123 К в течение 0,3 - 1,5 с и охлаждение при скорости охлаждения, не превышающей 10 К/мин, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователя...

Номер патента: 1759185

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Нагорный, Плащинский, Санков, Сидоренко

МПК: H01L 21/336

Метки: кмоп-структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП-СТРУКТУР, включающий формирование на пластине монокристаллического кремния I-го типа проводимости пленки защитного диэлектрика, формирование карманов II-го типа проводимости, удаление пленки защитного диэлектрика, формирование пленки подзатворного диэлектрика, формирование областей истока и стока транзисторов с II-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси II-го типа, ее активации и разгонки, формирование областей истока и стока транзисторов с I-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси I-го типа, ее активации и разгонки, формирование электродов затворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения его производительности,...

Номер патента: 1556432

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Бачурин, Садковская, Сопов, Федорова

МПК: H01L 21/18

Метки: высоковольтных, кремниевых, приборов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке p-n-перехода с элементами краевой защиты от пробоя, формирование защитной пленки окисла кремния, алюминиевых электродов с контактными площадками, удаление защитной пленки окисла кремния с поверхности элементов краевой защиты, нанесение пассивирующей пленки поликремния, содержащей кислород, термообработку и присоединение к контактным площадкам внешних выводов, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов и повышения выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности соединения внешних выводов с контактными площадками и увеличения плотности...

Номер патента: 1716925

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Афонов, Скулкин

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральной, корпуса, металлокерамического, микросхемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОРПУСА ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, включающий изготовление основания корпуса с металлизированными площадками и выводной рамки из железо-никелевого сплава, нанесение на выводную рамку слоя никеля, совмещение выводов выводной рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения коррозионной стойкости корпуса, нанесение слоя никеля осуществляют холодным плакированием со стороны, обращенной к металлизированным площадкам, а толщину слоя никеля устанавливают равной 5 - 15% от толщины выводов выводной рамки.

Номер патента: 1559983

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Маковийчук

МПК: H01L 21/66

Метки: ионно-легированных, операционного, слоев

СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.

Номер патента: 697016

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: G01K 7/22, H01L 45/00

Метки: критических, материал, переключающих, полупроводниковый, терморезисторов, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диоксид ванадия - 1 - 60Связующее - Остальное

Номер патента: 1648224

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Майстренко

МПК: H01L 31/18

Метки: фотопреобразователя

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки слоя фосфоро-и(или) боросиликатного стекла с содержанием бора 10 - 50% и фосфора 5 - 45%, формирование контактной сетки путем вскрытия контактных окон в стеклах, нанесение жидкого металла-растворителя и термообработку с последующим охлаждением при скорости охлаждения, не превышающей 10 К/мин, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователя при упрощении технологии, перед формированием контактной сетки в местах выхода сетки на тыльную сторону фотопреобразователя подложку разделяют на части с зазором 10-5 - 10-4 м, а термообработку проводят при температуре 1123 - 1373 К в...

Номер патента: 1433324

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...

Номер патента: 1556433

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Майстренко, Свиридов

МПК: H01L 21/208

Метки: зон, локальных, металлических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗОН, включающий формирование маскирующего слоя двуокиси кремния на поверхности кремниевой подложки, вскрытие окон в маскирующем слое, приведение поверхности подложки в контакт с жидким металлом-растворителем при температуре 923 - 1423 К и контактирование в течение 0,01 - 10 с, удаление металла-растворителя с маскированной поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения качества зон, вскрытие окон в маскирующем слое осуществляют во время контактирования путем скрайбирования с усилием 0,5 - 2,0 Н, при этом зону металла-растворителя перемещают вдоль поверхности подложки со скоростью скрайбирования, которую выбирают в диапазоне...