H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1649965

Опубликовано: 20.07.1996

Автор: Романов

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, кремниевых, свч-транзисторов

Способ изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрической пленки, вскрытие окон под области базы и введение в них легирующей базовой примеси, вскрытие окна под область эмиттера и введение в нее легирующей эмиттерной примеси, нанесение диэлектрической кремнийсодержащей пленки, термообработку в окисляющей атмосфере, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией, диэлектрическую кремнийсодержащую пленку наносят перед вскрытием окна под область эмиттера, термообработку в окисляющей атмосфере проводят до образования на...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Родин, Сасновский, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, изготовлении, плазмообразующая, плазмохимической, разводки, сбис, смесь, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Вискуп, Кабаков, Козлов, Красницкий, Петрович, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...

Номер патента: 1679922

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Асессоров, Булгаков, Инкерманлы, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: вчи, мощный, свч-транзистор

Мощный ВЧ- и СВЧ-транзистор, содержащий диэлектрическое основание с расположенными на нем металлическими выводами, полупроводниковый кристалл со сформированными на нем транзисторными ячейками, напаянный нижним основанием на коллекторную площадку, соединенную одним из своих краев с металлическими выводом, причем между каждой транзисторной ячейкой и соответствующей ей эмиттерной металлизацией расположен балластный резистор, сужающийся от центра транзисторного кристалла к периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла, выделяемого при протекании тока через транзистор, каждая транзисторная ячейка имеет трапециевидную форму,...

Номер патента: 1574110

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гузаева, Москалев, Нечаев

МПК: H01L 21/265

Метки: барьером, полевых, транзисторов, шоттки

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий формирование n-слоя в подложке полуизолирующего арсенида галлия путем имплантации ионов донорной примеси, внедрения кислорода по крайней мере в области канала и термический отжиг, изоляцию активных областей транзистора и формирование металлических электродов к транзисторной структуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов, создания резкого градиента распределения концентрации донорной примеси на границе раздела n-слой подложка и уменьшения влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой, имплантацию ионов кислорода проводят перед имплантацией ионов донорной примеси с энергией и дозой ионов кислорода, обеспечивающими...

Номер патента: 1828340

Опубликовано: 27.07.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...1 1 3 1 Ззи отс 2В настоящем решении выполняются основные требования, предъявляемые к ПТУП - входным транзистором электрометрического усилителя: обеспечение на выходной ВАХ линейного участка при изменении в широком диапазоне напряжения сток-исток: минимизация токов утечки затвора.1.В настоящем решении 11,о, связано с (.1 зо, соотношением (2) У = 4 +у - (Б +р )р ) (2) зиотс 1 зиотс 2 к зиотс 1 к оВ настоящем решении 1)зо, = (2,2 2,5) 1)так как 11,и о, определяет только одна область затвора, а Б,определяет как область второго затвора, так и подложка. При любом изменении значения 11 1),всегда в (2,2 - 2,5) раз будет больше, т.е. ПТУП 1- основной транзистор всегда будет работать на линейном участке выход1828340 б ной ВАХ, И реализуется...

Номер патента: 1428108

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Селезнев, Смолкин, Ткал

МПК: H01L 21/331

Метки: германиевых, планарных, транзисторов

Способ изготовления германиевых планарных транзисторов, включающий создание на поверхности пластин германия диэлектрических покрытий, формирование активных областей с использованием высокотемпературных и низкотемпературных операций, создание оксида германия путем термообработки в кислороде, формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров транзисторов и повышения выхода годных, окисел германия толщиной от 60 до создают после завершения всех высокотемпературных операций и непосредственно после создания окисла германия облучают поверхность пластин импульсами лазерного излучения миллисекудной длительности с длиной волны 1,06 мкм и...

Номер патента: 1428131

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Васильев, Вихров

МПК: H01L 21/68

Метки: кристаллов, присоединения

Устройство для присоединения кристаллов, содержащее инструмент захвата кристаллов, механизм перемещения инструмента с позиции снятия на позицию присоединения, выполненный в виде подпружиненных к кулачкам рычагов горизонтального и вертикального перемещения, привод механизма перемещения и механизм притирки кристаллов к корпусу, содержащий электровибратор с сердечником, отличающееся тем, что, с целью повышения точности присоединения и надежности работы устройства, механизм перемещения инструмента снабжен упорами со сферическими опорными поверхностями, причем упоры установлены с возможностью отсоединения рычагов от соответствующих кулачков на участках с наименьшим радиусом профиля, а механизм притирки кристаллов к корпусу содержит вилку,...

Номер патента: 1086997

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский

МПК: H01L 21/306

Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления

1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...

Номер патента: 1809707

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 29/772

Метки: мдп-транзистор

...областей,Расстояние в плане между областью с меньшей концентрацией и областью с большей концентрацией составило 0,8 мкм, При расстоянии между областями с меньшей и большей концентрациями, равном 0,8 мкм оценку эффективности предлагаемой конст. рукции провели при условии, что диффузионный профиль дополнительного слоя совпадает с границей профиля областью большей концентрации, лежит посередине между профилями областей и на расстоянии 0 1 мкм.Оценку эффективности предлагаемой конструкции провели посредством замера параметра надежности (тока подложки), параметра быстродействия (задержка на каскад) и параметра короткоканальности (коэффициент короткого канала), Ток подложки 1 замерялся при напряжениях на стоке, затворе и подложке 5 в, 2 в,...

Номер патента: 1814468

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Кравцов, Лесникова, Макаревич, Сарычев, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

...трудоемкость из-за необходимости изменения температуры при доращивании. При отжиге подслоя при температуре выше 650 С, давлении более 13,3 Па, времени более 1 мин при соотношении %Р -инертный газ более 1:20 происходит полное потребление 81 из зародьппа на восстановление %Р что впоследствии затрудняет процесс формирования рельефного микрорисунка в нихележащих слоях без масочным травлением и появляются отклонения от куполообразной формы зерен при доращивании, Кроме того, увеличивается трудоемкость процесса из-за необходимости изменения температуры при доращивании,П р и м е р. Осахдение пленок поликристаллического кремния осуществляли5 1814468 на установке Изотрон 4-150 с горизонтальным трубчатым реактором с горячими стенками,...

Номер патента: 1335062

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Анисимова, Лазарев, Филипченко, Якорев

МПК: H01L 21/445

Метки: aiiibv, палладирования, поверхности, полупроводниковых, соединений, типа

Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа AIIIBV, включающий очистку поверхности, осаждение палладия из водного раствора двуххлористого палладия, отмывку и сушку поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения качества метал- лизации и снижения расхода палладия, осаждение пленки палладия ведут из раствора с концентрацией двуххлористого палладия от 0,005 до 0,01 мас. содержащего 1-1000 кг/м3 соляной кислоты, при температуре 293-298 К.

Номер патента: 1026610

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Иоспа, Кузьмин, Ханстин, Юрченко

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в области шунтов на том же расстоянии под n-эмиттером выполняются дополнительные участки с концентрацией акцепторной примеси, составляющей не менее 5 1016 см-3.

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...

Номер патента: 1031379

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Дмитриев, Дубровская, Нечаев, Павлов, Смолкин, Филатов

МПК: H01L 29/772

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству:где D ширина соединительной металлизации в области канала;Wк ширина канала;n количество контактных площадок.

Номер патента: 755107

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Иванова

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симистор, управлением

Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями n-типа проводимости и контактами, выполненными в виде полуколец и расположенными между управляющим электродом и контактом основного токосъема на одной поверхности структуры и внешним слоем n-типа проводимости и проекцией области управления, свободной от металла, на другой поверхности структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны фронтов...

Номер патента: 822705

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Федосов

МПК: H01L 21/70

Метки: параметров, полупроводников, реализации, электрофизических

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем,...

Номер патента: 1829751

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Винке, Мокроусов, Палашов, Чистяков

МПК: H01L 21/02

Метки: газового, полупроводникового, сенсора, чувствительного, элемента

...пластину разделяют на чипы размеров 2 х 3 мм, монтируют в металлостеклянные Способ изготовления чувствительногоэлемента полупроводникового газового сенкорпуса 5 и методом ультразвуковой сварки подсоединяют внешние выводы 6 из алюминиевой проволоки диаметром 40 мкм,Апробацию чувствительных элементов к адсорбции паров воды осуществляют на вакуумной установке, в измерительную ячейку которой вмонтируют образец. После откачки системы до давления остаточных-4газов до 10 Торр осуществляют напуск паров воды до давления 1 Торр и измерение относительного изменения сопротивления. Относительное изменение сопротивления на постоянном токе при 20 С составляет 210 У 0.Оценку чувствительности элемента к парам аммиака осуществляют на гостированном...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Номер патента: 1814399

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, импульсного, ионизирующего

...заряда электронов на полосках путем экстракции положительного заряда из внешней цепи. Тем самым происходит накопление заряда на полосках. Сохранение заряда на полосках обеспечивается следующими условиями. Высота барьера между металлом полоски и полупроводником должна быть максимальной, чтобы обеспечить стеканию заряда за счет процессов переноса различного типа. Наиболее удачным материалом для полосоки ч применительно к соединениям А В , в которых высота барьера сильно зависит от электроотрицательности заряда металла, является медь, которая, являясь пластичным материалом, что является определяющим фактором для процесса прессовки детектора, и имея высокую температуру плавления (1063 С), позволяет проводить термический отжиг по...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Номер патента: 1725704

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Башевская, Белов, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

Способ полирования полупроводниковых пластин, включающий наклейку на каждый спутник трех пластин, размещение спутников в гнездах кассеты на полировальнике, воздействие на пластины вращающегося полировальника и абразивного состава при нагружении пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки, обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра кассеты, от 1,4 до 2,4 м/с и давлении от 5 до 7 кПа, причем используют абразивный состав динамической вязкостью 4 8 сП.

Номер патента: 1217105

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Петров, Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучений, импульсных, ионизирующих

Детектор импульсных ионизирующих излучений, содержащий выполненный из теллурида кадмия чувствительный элемент, с одной стороны которого расположен изолирующий слой, на котором расположен первый металлический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения временного разрешения при обеспечении высокой чувствительности детектора, чувствительный элемент выполнен из пассивного слоя нелегированного прессованного полуизолирующего теллурида кадмия толщиной d1 и прилегающих к нему активных слоев поликристаллического рекристаллизованного теллурида кадмия толщиной d2, меньшей длины дрейфа носителя заряда, причемгде m

Номер патента: 1644637

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/09

Метки: детектор, излучения, рентгеновского

Детектор рентгеновского излучения, содержащий чувствительный элемент коаксиальной формы, выполненный из слоев теллурида кадмия и содержащий центральный и внешний электроды, отличающийся тем, что, с целью снижения чувствительности детектора к смешанному излучению и повышения избирательности к жесткому рентгеновскому излучению, между слоями прессованного теллурида кадмия расположены слои окисла MgO, причем фронтальный и тыльный слои чувствительного элемента выполнены из теллурида кадмия, слои CdTe и MgO осесимметричны и расположены перпендикулярно центральному электроду.

Номер патента: 1795837

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Втюрин, Шлемин

МПК: H01L 29/94

Метки: мдп-конденсатор

...второго типа проводимости, сформированные в подложке и расположенные по 95837 4длине с обеих сторон обкладок без перекрытия с ними, введен источник напряжениясмещения, один полюс которого подключенк подложке, а второй полюс соединен свысоколегированными областями второго типа проводимости и его полярность противоположна знаку заряда основных носителейвысоколегированных областей.На фиг.1 представлен МОП-конденсатор,общий вид; на фиг,2 - то же, поперечныйразрез,В представленном на чертеже примереконкретного выполнения МОП-конденсаторав качестве полупроводника первого типапроводимости принят полупроводник, легированный примесью р-типа; второго типапроводимости, легированный примесью и-типа,МОП-конденсатор выполнен на подложке1 р-типа,...

Номер патента: 1814434

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бычок, Макарова, Нижникова, Становский, Терехов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

...контактных окон. Использование в качестве плазмообразующего газа СНРз или СР 4 + Н 2 порождает трудности, связанные с низкой скоростью травления диэлектрика и наличием полимерной пленки на дне контактного окна, Нижняя граница времени травления выбрана с учетом необходимости вытравливания максимальной толщины межуровневого диэлектрика. Верхняя граница выбрана с целью предотвращения образования полимерной пленки на дне контактного окна. Экспериментально установлено, что при перетраве диэлектрика, находящегося на поверхности пленки на основе алюминия, в1814434 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ течение времени более 75;4 от времени травления пленки происходит образование полимера на дне контактных окон, для удаления которого требуются спецобработки. Выбор...

Номер патента: 1823709

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Астахова, Бондарь, Стрельцов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических

...контактов к кремнию методом РСД.П р и м е р 1, Берут кремниевую пластину, например, типа КЭФ,5 с открытыми окнами в двуокиси кремния под омический контакт с мел козалегаюшему диффузионному слою и+, помещают ее на катоде устройства плазмы тлеющего разряда и при плотности тока разряда плазмы 0,082мА/см в течение 2 мин проводят очистку поверхности кремния в открытых окнах, затем наносят пленку алюминия толщиной 0,3 - 0,5 мкм методом магнетронного распыления либо термическим испарением в вакууме. После осуществления фотолитографии по алюминию, снова располагают подложку кремния на катоде газоразрядного устройства и осуществляют РСД алюминия в кремний в плазме тлеющего разряда в течение 2 мин при плотности тока разряда плазмы 0.08 мЛ/см ....

Номер патента: 1799203

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Буляк, Довнар, Кастрицкий, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем

...перекрыло покрытие из ФСС на 0,1-6,0 мкм.Приборы собирали в пластмассовые корпуса и проводили ускоренные испытания попарно 8 групп по 15 приборов на безотказность (при температуре 120 С, влажности 950 ). На специальных тестовых структурах методом поляризационного сопротивления системы электрод - раствор определялась скорость коррозии межэлементных соединений,Испытательной средой служил раствор ортофосфорной кислоты. Дополнительно провели сравнительные испытания пластин со сформированным защитным покрытием (16 групп пластин по 5 шт.) путем обработки в автоклаве под давлением 1,2 атм при повышенной температуре и влажности, Контроль на наличие следов коррозии проводили при помощи микроскопа 1 епа(ееЬ.Рассчитывалось отношение скорости...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...