H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1771008

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Валюженич, Горохов, Гридин, Потапчук, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...элемента выполнено соосно два гнезда разного диаметра для размещения в них узла управления. Обечайка корпуса и крышка по меньшей мере с одной стороны выполнены с горизонтально плоскими частями, расположенными между собой на разных уровнях и снабженными пазами с внутренней стороны в местах выхода шин; крышка корпуса дополнительно снабжена ребрами жесткости в виде прямоугольной сетки с переменным шагом, Переменный шаг ребер жесткости удовлетворяет соотношениям (1). а ширина ребра жесткости относится к его высоте по соотношению (2),На фиг, 1 изображен предлагаемый модуль, вид спереди (разрез); на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 3; на фиг, 3 - матрица, вид сверху; на фиг, 4 - крышка модуля, вид спереди (разрез): на фиг, 5 - то же, вид...

Номер патента: 1772845

Опубликовано: 30.10.1992

Автор: Хомин

МПК: H01L 21/607

Метки: выводов, присоединения, проволочных

...с замкнутым упором 3, жестко связанный с корпусом 4, Внутри корпуса 4 размещен механизм подъема 5 (с воэможностью возвратно-поступательного вертикального перемещения относительно корпуса 4); с осью б которого жесткосвязано основание 7 (центральнаячасть). На оси б размещается и рычаг 8 (периферийная часть) с возможностью возвратно-поступательного перемещения относительно основания 7 при помощи гайки 9 и пружины 10.Устройство работает следующим образом (см, фиг. 1).В зависимости от высоты кристалла 11, расположения на нем (по периметру) контактных площадок (их удаленности от края кристалла), а также механических свойств выводной рамки 12 (жесткости, материала и свойств планировки), физико-механических свойств микропроволоки подбирается...

Номер патента: 1774396

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аранович, Беляев, Дирочка, Киселева, Мейман, Поповян, Трошкин, Экивина

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приклеивания

...способствоватьтуннелированию электронов из обогащенной зоны проводимости, которые участвуютв переносе заряда и также способствуютцепной реакции полимеризации как на поверхности полупроводника, так и в объемеклея.П р и м е р, Для осуществления способабыли использованы пластины из полупроводниковьх материалов пЯЬ (толщиной 0,6мм), ОаАз (толщиной 0,7 мм), Я толщиной0,4 мм), ОбхН 91-хТе (толщиной 0,8 мм), склеиваемые с подложками из высокоомногогермания толщиной 0,5 мм. Для получениясравнительных данных указанные пластины из полупроводниковых материалов склеивали с подлокками из сапфира по способу,принятому за прототип.В качестве источника Уф-излученияприменяли ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРТ,В качестве...

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Номер патента: 1774399

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Мальцев

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...изобретения является повышение эффективности охлаждения полупроводникового прибора.Цель достигается введением пьезоэлемента, размещенного в центре окружности сечения стакана, двух параллельно жестких электровводов, размещенных в основании зеркально симметрично относительно оси корпуса стакана, двух упругих стержней, первые концы которых соединены с электровводами, а вторые - с саответствующими электродами пьезоэлемента, собственная .резонансная частота которого выбрана кратной резонансной частоте стержней, управляемого генератора колебаний, подключенного к электровводам амплитудного детектора, вход которого соединен с выходом генератора, а выход - с управляющим входом генератора, Управляемый генератор вырабатывает импульсы...

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов

МПК: H01L 21/363, H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...

Номер патента: 1775752

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Банный, Петкевич

МПК: H01L 21/00

Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу

...полупроводниковую подложку на полный оборот, осуществлять преобразование профиля подложки в электрический сигнал, анализировать в нем количество импульсов, находить из них наибольший,Использование вместо датчиков угла поворота и базового положения кругового потенциометра с линейным сигналом, зависящим только от угла поворота столика, позволяет находить середину наибольшего бокового среза путем нахождения полусуммы величин сигнала от этого же потенциометра в моменты открытия и перекрытия оптронной пары регистратора базового среза, Уравнивание сигнала потенциометра с вычисленной полусуммой приводит к подводу середины базового среза подложки к базовой точке, т,е, к ориенггцгги подложки в базовом положении. На основании вышеизлокеннпго,...

Номер патента: 1775753

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бумай, Вилькоцкий, Доманевский, Нечаев, Шлопак

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, полупроводниковых, профиля, слоях

...проводимости такой системы от напряжения смещения, При измерениях постоянноенапряжение на ртутные электроды подается таким образом, чтобы центральный барь. ер был смещен в обратном направлении. Врезультате этого под ним увеличиваетсятолщина обедненного слоя, а следовательно уменьшается емкость барьера Шоттки ислоевая проводимость области полупроводника подбарьером. Импеданс цепи, образованной кольцевым барьером, смещенным впрямом направлении и областью полупроводника, находящейся между барьерами,практически не зависит от величины подаваемого напряжения. Таким образом, видзависимостей емкости и активной составляющей проводимости от напряжения смещения будет определяться профилямираспределения концентрации и подвижности носителей заряда в...

Номер патента: 1775754

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Валюженич, Горохов, Гридин, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...из диодов Д 2 ДзКорпус модуля представляет собой обечайку,:выполненную из пластмассы, двестенки которой. представляют собой вертикальные плоскости. Боковые же стенки повысоте имеют;. помимо вертикальных наклонные и горизонтальные плоскости. Так, с одной сторайц боковая стенка выполнена сначала с вертикальной, затем с наклонной плоскостью, соединенной с крышкой. На наклонной плоскости расположены выерды узлов управления 28 От:полупроводниковых элементов. Высота вертикальной плоско.- сти определяется высотой управляющей схемы 29. С другой стороны боковая стенка представляет собой двух уровневую конструкцию, где помимо вертикальной плоско- сти есть горизонтальная плоскость в виде уступа, так.же соединенная с крышкой, но другой...

Номер патента: 1777189

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Андрияшик, Титов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенном, канале, мдп, примеси, профиля, транзистора

..."рез" кой границы области обеднения", по" ложенного в основу вольт-емкостного метода), что позволяет измерять профиль примеси вплоть до границы раз" дела полупроводник - диэлектрик.Исходным пунктом при выводе предлагаемых формул является решение уравнений Лапласа и Пуассона с соответствующими граничными условиями для состояния полного обеднения канала транзистора. Тогда, если Х " текущая координата, изменяющаяся от О на границе раздела диэлектрик " полупроводник до своего значения вглубь структуры, а Ч) - текущее зна" чение потенциала, можно записать:а Б Ев ЙЫвв 9 (Х + Ц)гсе " ЕОугде Х, - расстояние от границы разде"лаокисел - кремний в глубину канала,(" в -) " производная от потенциа"ЪвИфм )м" Ола подложки по канальномупотенциалу в...

Номер патента: 1777255

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Большаков, Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/46, H05K 7/20

Метки: диэлектриком, жидким, испарительным, охлаждением, радиоэлектронное

...паров жидкого диэлектрика, передаваемая из кожуха с помощью сильфона, оказываются приложеньг с одной дом, что приводит к снижению давления 10 мкнутый контакт, который при перемещении сильфоном штока в крайнее верхнее положение, соответствующее превышению величины предельно допустимого давления паров в герметичном кожухе, вызванного сокращением расхода воды на охлаждение 20 теплообменника или полным прекращением 25 30 лектриком 2, Ниже уровня жидкого диэлектрика в кожухе расположены охлаж 35 40 ступающей на охлаждение теплообменника.Клапан установлен таким образом, что поток воды из трубопровода водоснабжения подведен с той же стороны тарелки 7, плотно прижимаемой сверху к посадочному гнезду клапана пружиной 8, которой прикреплен...

Номер патента: 1545864

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дорогутин, Ильинский, Славинский, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: интегральных, микросхем, многокристальных, сборки, свч-транзисторов

...ПТШ и СВЧмощных кремниевых транзисторов в плоские металлокерамические корпусы на модернизированном полуавтомате УВП. П,-ЗОО. Отличительная особенность сборки - распределение кристаллов и плат в соответствии со схемой, совмещение схемы с инструментом (вакуумной матрицей) и последующее перенесение схемы к подложке,Сборку СВЧ многокристальных транзисторов производят по схемам прямого и обратного монтажа. В первом случае производят сборку кремниевого транзистора, имеющего 24 кристалла толщиной 30 мкм. Перед разделением пластины на кристаллы на ее контактной поверхности создают гетерокомпозицию из слоев золота и германия, Затем пластину режут алмазной пилой и кассетируют отбракованные кристаллы. Кассету с кристаллами устанавливают в сборочный...

Номер патента: 1778819

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Карпов, Карпова

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, объемного, полупроводниках, примесных

...подключения испытуемого об разца (фиг. 2) показаны: диафрагма 1, игольчатые электроды 2, испытуемый образец 3,область рекомбинации 4, инжектирующее излучение 5,.линии электрического тока 6;Реализуется способ следующим образом. В зависимости от требуемого уровня инжекции задаются количеством свободных носителей заряда примеси в зоне проводимости полупроводника и пользуются вь 1 раже нием где и - количество свободных зарядов примеси в зоне проводимости полупроводника, А - константа, численно равная количеству связанных носителей заряда с энергией активизации Еи, К - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, определяют требуемую температуру образца,Присоединяют испытуемый образец 3 к источнику тока при помощи игольчатых электродов...

Номер патента: 1778820

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бухараев, Губайдуллин, Назаров

МПК: H01L 21/66

Метки: исследования, микроскопом, поверхности, твердого, тела, туннельным

...иглы, реальный профиль которой зеркально отражен в плоскости, перпендикулярной направлению сканиро-.вания.Если при сканировании с помощью иглы обеспечивается туннельный контакт со всеми точками исследуемой поверхности, то предлагаемый способ обеспечивает полную реконструкцию реальной поверхности при произвольной форме, иглы, в частности:а) в случае, когда кончик иглы имеетсферическую форму;б) в случае несферической иглы, но имеющей симметричную форму;в) в случае несферической иглы, имеющей к тому же несимметричную форму.На фиг. 1 представлена блок-схема устройства, реализующего способ. Выход сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) 1 связан с входом инвертора 2, который через аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 3 соединен со...

Номер патента: 1778821

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Иванов, Федорцов

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, времени, жизни, неравновесных, носителей, полупроводниках

...волны зонда измерение времени жизни либо вообще перестает быть возможным в силу непрозрачности образца, либо существенно снизить чувствительность способа, Это исключает возможность применения описанного выше способа прототипа для измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках.Целью предлагаемого изобретения является расширение области применения за счет получения возможности измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках и повышение чувствительности,Поставленная цель достигается тем, чтов предложенном способе зондирующее и инжектирующее излучения выбирают из области максимальной прозрачности исследуемого образца (сохраняя при этом условие,...

Номер патента: 1778822

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/38

Метки: бескорпусная, интегральная, микросхема

...на активных элементах и выводится вновь на внешние выводы 4. Надежность обработки обеспечивается нали- а чием герметично присоединенного к кристаллу 1 второго элемента защиты 5,Выполнение вакуумноплотной защиты поверхности кристалла с активными прибо рами с помощью крышки, припаянной к кристаллу, дает бескорпусной интегральной микросхеме рад преимуществ, а именно;- отпадает необходимость применения корпуса; о и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР(57) Использование:во сверхминиатюриэ Изобретениенике и может бы1 зданиисверхминиатюрисхемЦелью изобретения является повышение надежности,Бескорпусная интегральная схема представлена на чертеже, Она содержит полупроводниковый кристалл 1 с. активными элементами,...

Номер патента: 1778823

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Арутюнов, Богатыренко, Грибов, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: кодированных, сигналов, формирователь

...ва(К х)-1. Представленное устройство функционирует следующим образом.Световое изображение, проецируемое на линейку фоточувствительных элементов 1, генерирует в ее фотодиодах 2 электроннодырочные пары, которые разделяются на р-и-переходе. Неосновные. заряды через потенциальную яму под барьерным электродом 3 перетекают в более глубокие потенциальные ямы под электродами накопления 4. Дальнейшему их перетеканию препятствует потенциальный барьер, индуцированный поданным на затворный электрод 5 напряжением. Пусть для примера формирование сигнала Оф) происходит на ряду электродов 8, те. в первом каскаде блока кодирования. К моменту времени накопление зарядов завершается. Транзисторы сброса Тс, стоки которых присоединены к шине 6,...

Номер патента: 1575856

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Котелянский, Лузанов, Магомедов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: оксидных, пленок, сверхпроводящих

...соотношений плотностей потоков этих компонент.П р и м е р 1. Пленку оксидного материала с высокотемпературной сверхпроводимостью У 1 Ва 2 СизОт-х с температурой Тф структурного фазового перехода в кристал лическую фазу, обладающую высокотемпературной сверхпроводимостью Тф= 1023 К, наносят на подложку из фианита. Для этого откачивают рабочий обаем вакуумной установки электронно-лучевого распыления до 45 предельного вакуума 2 10 Па, нагреваютподложку до температуры 1020 К Тф, включают источник потока ионов кислорода и устанавливают режим его работы, обеспечивающий получение плотности потока 1015 50 ионов см 2 с и энергией 50-150 эВ, направленного в зону осаждения, Включают электронно-лучевые источники распыления, с помощью которых получают...

Номер патента: 1598780

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Булдовский, Дубоносов, Клембек, Пузиков, Семенов, Черепков

МПК: H01L 29/88

Метки: переходом, туннельным

...мощности на переходе,Устройство изготавливается с использованием известного способа получения ал1598780 30 повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллическай алмазной пленки,Формула изабретени: Устройство с туннельным переходам, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, а т л и ч а ю щ е е с я тем, :,та, с целгло Составитель Н.ГусельникавРедактор Т,Куркова Техред М,Маргентал Корректор О.Густи Заказ 559 Тираж Псдписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...

Номер патента: 1780133

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Данилов, Костин, Смирнов, Тоньшин

МПК: H01L 21/68

Метки: групповой, загрузки, плоских

...трафарета 3 заключается в том, чтобы загрузить плоские детали 9, преимущественно выполненных в виде прямоугольного параллелепипеда, в трафарет 3 с установкой на среднюю по площади грань, так как зажатие плоской детали 9 по наименьшему габаритному размеру. необходимо для производства ряда последующих технологических операций, связанных, например, с металлизацией легкоплавким припоем торцев деталей 9,Для этого размеры гнезда 8 трафарета 3 выбираются из учета длины и ширины плоской детали 9;0=1+ й:1=+ Ьгде 1 и Ь 1 - длина и ширина гнезда 8, мм;и Ь - длина и ширина детали, установленной на среднюю по площади грань, мм;5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Ь 1 и Ла - величина зазора, предпочтительно равная 0,20,4 мм.В гнезде 8 трафарета 3...

Номер патента: 1484191

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гуляев, Котелянский, Лузанов, Тараканова

МПК: H01L 21/203

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...ЗО.адсорбиронанного атома.Энергияизлучения выбирается такой, чтобы хеиисорбнронанные атомы,находящиеся вне дна потенциальногорельефа поверхности, поглотив квант 35света с выбранной длиной волны, ииели воэможность эа счет поверхностнойдиффузии занять положения, соответствующие минимуиу потенциальной энергии, т.е. занять положения, соответ.стнующие наилучшему кристаллическомусовершенству структуры. Плотностьмощности излучения 1 г оценивается изЬс ц -йусловия ЧМ --- где Ю=О сма 45,по порядку величины составляет У в"-е -4 йл, 10 -10 ,Пж/см . Длина волны излу чения определяется для каждого компонента н отдельности. 50П р и и е р 1. Осаждение монокристаллической пленки СИТе .проводятна подложки СИТе ориентации (10)...

Номер патента: 1095863

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Евдокимова, Козинцев, Новокшонов, Хлыбов

МПК: H01L 39/24

Метки: основе, сверхпроводящего

...за его сверхпроводящие свойства Р -Фаза состава КЬз(А, М) сосуществует с а -Фазой - твердым раствором на основе ниобия, о-фазой - соединением ВЬЮГА, М) и соединением МЬ(А, М)з.Использование давлений меньших ЗО кбар приводит к понижению температуры сверхпроводящего перехода материала; верхний предел давления обусловлен возможностями аппаратуры высокого давления, Синтез при температурах меньших 1600 С дает материал с низкими сверхпроводящими характеристиками; синтез при температурах, превышающих 1750 С, приводит к охрупчиванию материала, Экспериментально показано, что выбранные пределы зернистости исходных компонентов обеспечивают однородность смесей по всему обьему,Временные пределы синтеза обусловлены тем, что использование...

Номер патента: 698450

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Адольф, Вербицкий, Комар, Рыжиков

МПК: H01L 21/283

Метки: контакта, омического

...А 1(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А - В и-типа путемЧнанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кисло. родсодержащей среде, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необхо- О димые условия, при которых индий, СО находясь в жидкой фазе, активно диффунди- ф рует в...

Номер патента: 1781731

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Полков, Юсупова

МПК: H01L 21/50

Метки: имплазионного, полупроводникового, прибора

...нецелесообразно по экономическимсоображениям, так как это приведет к снижению производительности оборудования,Процесс изготовления диода по предлагаемому способу включает в себя следующие этапы.Известными способами изготавливаютимплазионные диоды в стеклокапиллярномпрозрачном корпусе. Затем диоды помещают на кварцевые или графитовые подставки,Загружают в водородную печь и отжигают впотоке водорода с расходом (90 10) л/часпри температуре (530+10) С в течение(1015) мин с последующим охлаждением соскоростью не более 5 С/мин, После отжигаповерхность стеклянного корпуса приобретает черный цвет и полностью теряет прозрачность. В "результате. отпадаетнеобходимость в окрашивании диодов лакокрасочными материалами,На фиг.1 показан общий вид...

Номер патента: 1781732

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Барановский, Лискин, Розинов, Фишель

МПК: H01L 21/58

Метки: корпусу, крепления, кристалла, полупроводникового

...с выступающими из фольги острыми вершинами алмазных зерен, При приложении к кристаллу давления вершины алмазных зерен ввиду своей высокой твердости внедряются в слой естественного окисла на обратной поверхности кристалла,и прикалывают ее с образованием трещин в слое, При колебательном движении кристалла пленка окисла разрушается на мелкие кусочки. В результате этого поверхность кристалла полностью очищается от окисла,э между посадочной площадкой корпуса и обратной поверхностью кристалла образуется равномерный по толщине и не имеющий разрывов и пустот слой эвтектики золото/кремний, Равномерность толщины эвтектичного слоя обеспечивается за счет кэлибрующего эффекта э 41 эзных зерен, В результате применение заявляемого способа...

Номер патента: 1781733

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Жора, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, сборки, схем

...няют свои геометрические размеры, т.е. титана и никеля с.толщинамйсоответственимеетместоусад полимера. Этоприводит . но 100 - 300 А и 0,3 - 0,6 мкм с последующим к появлению внутренних напряжений в пол горячим облуживанйем, Это обеспечиваетимериыхэлементах, кихдеформациии, как ся тем, что, как показывают эксперименследствие, к смещению выводов гибких но- тальные данные, прочность паяных сителей. Смещение вызывает изменение га- микросоединений (30 - 65 г) оказывается баритно-присоединительных размеров изначительно большей прочности соединеухудшаетсовмещаемость выводов носителя 30 ний этих же выводов, полученных методом с контактными площадками при сборке и ультразвуковойсварки(5 - 25 г), Важнаотме. монтаже. В результате существенно...

Номер патента: 1781734

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Волков, Коледов, Марков, Мельников, Симонов

МПК: H01L 23/26

Метки: микроэлектронное

...или ситалловую под-д ложку наносится слой клея (не имеющий в своем составе органических растворителей), а сверху на него высыпается отожженый влагопоглотитель. Затем подложка с 4 приклеенным влагопоглотителем помещается в вакуумную печь; где клей окончатель. но отверждается. Поглощение влаги а влагопоглотителем в процессе отверждения клея учитывается коэффициентом запаса, равным 2 - 3,П р им е р. Герметичный блок с внутренним объемом его корпуса, равным 1500 смз содержал полимерсодержащие конструктивы объемом равным 244 смз.1781734 2 3 0 Редактор Т.Иванова Корректор, ;С.К)ско Составитель Е.ПановТехред М.Моргентал Заказ 4277 ВНИИПИ Государс Тиражнного комитета по изобре3035, Москва, 2 К, Рауш Подписноеениям и открытиям при ГКНТ ССС ая...

Номер патента: 1781735

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Буянов, Жуков, Киселев, Митрофанова, Суслова

МПК: H01L 23/427, H01L 25/00

Метки: испарительного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

....связанная с тем, что трубки с промежуточ- тора 4 изогнуты в виде рамок и образуют внымтеплоносителемудаленыотконтактной области испарителя 1 каналы 3 для жидкопоеерхности полупроводникового прибора сти, причем каждая трубка установлена в: - расположены внутри тела испарителя, а области испарителя 1 не менее чем двумятакже недостаточная надежность работы, 35 своими частямии имеет в этих местах плосвязанная с большим числом мест гермети- скую поверхйость 5, сопрйкасающуюся незации трубок в области испарителя и кон- посредственно сохлаждаемым прибором 2,денсатора. . Рамки конденсатора 4 выполнены или в одЦелью изобретения является повыше- ной плоскости, или в йескольких параллельниеэффективностиохлаждения и надежно ных плоскостях, или же...

Номер патента: 1414251

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дубицкий, Нарожный, Семенова, Степанов, Яковлев

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

...1200-1900 С выбирают н связи с тем, что ниже 10 кБар и Т сс 1200 С не получают образцы материала достаточной прочности, давление ньнпе 85 кБар и Т ) 1900 С использовать нецелесообразно, так как не наблюдаетсл значительного улучшения свойств образцов, а материальные затраты на аппараты высокого давления возрастаютСпособ осущестгшяют в течение 1-3 мин, Могут быть использованы известные камеры высокого давления, на которых создают требуемые давления и температуры, например типа цилиндр- поршень, тороид.Калибровку камер по давлению производят известным методом, используя реперные металлы. Вг 1-11 - 25 нБарф Ва - .55 кБар, Вг Ч-ЧИ. - 77 кБар; Бп - 100 кБар, Градуиронку камер по температуре проводят по известной методике с использованием...