H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 464243

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-перехода, кремнии

Способ изготовления p-n-перехода в кремнии p-типа путем внедрения в кристалл кремния ускоренных ионов щелочных металлов, например Na, при дозе 10-200 мкК/см2, отжига, например, при 480-550oС и нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя перехода, после нанесения электродов со стороны p-n-перехода дополнительно внедряют ионы щелочных металлов при дозе 0,1-0,5 мкК/см2.

Номер патента: 1094523

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/425

Метки: полупроводниковой, структуры, четырехслойной

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионной имплантации при дозе 200-2000 мкКл/см2, а последующий отжиг проводят при температуре 675-725oС в течение 23-35 мин.

Номер патента: 1281100

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Денисенков, Дорошенко, Крымов, Стоян

МПК: H01L 31/0288

Метки: приемник, свч-излучения

Приемник СВЧ-излучения, выполненный на основе компенсированного n-InSb, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в InSb вводят висмут, мольное содержание которого не превышает 8 10-4, причем при минимально достижимой концентрации фоновой примеси в InSb должно выполняться соотношениеN 7,25 1021X2,где N - концентрация фоновой примеси, см-3;X - мольное содержание Bi.

Номер патента: 774466

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Закс, Король

МПК: H01L 21/265

Метки: базах, дрейфового, поля, создания, фотопреобразователей

1. Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей, включающий введение донорной примеси в базу с тыльной стороны исходной кремниевой пластины n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью сохранения времени жизни неосновных носителей в базе и сокращения длительности процесса, в качестве донорной примеси используют натрий, который вводят в базе методом ионной имплантации с последующей диффузионной разгонки при температуре 600-700oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доза ионов натрия составляет 100-200 мкКл/см2.

Номер патента: 1228744

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Охрименко

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор на основе антимонида индия, отличающийся тем, что, с целью снижения анизотропии, увеличения чувствительности и линейности, он выполнен из твердого раствора InSb1-xBix, где 0,04 < x < 0,7 ат.%, и содержит от 4,0 1012 до 2,5 1013 см-3 нескомпенсированных доноров.

Номер патента: 1245162

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Король, Крыштоп

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходов, глубоких, кремнии, п-типа

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.

Номер патента: 1485938

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Китаев, Костюков, Кузнецов, Марков

МПК: H01L 21/66

Метки: спектральной, схемы, твердотельной, фоточувствительной, характеристики, чувствительности

Способ определения спектральной характеристики чувствительности твердотельной фоточувствительной схемы, включающий измерение отклика схемы на облучение ее фоточувствительной области излучением с различными длинами волн, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения спектральной характеристики чувствительности схемы как в процессе изготовления, так и после него, в качестве отклика используют спектр отражения фоточувствительной области исследуемой схемы или тестовой полупроводниковой пластины, созданной в едином технологическом процессе с исследуемой схемой при формировании ее фоточувствительной области, дополнительно измеряют спектр отражения фоточувствительной области и...

Номер патента: 1326142

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Вето, Ермаков, Китаев

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, матричная, связью, схема, фоточувствительная

Фоточувствительная матричная схема с зарядовой связью, содержащая фоточувствительные области, разделенные стоп-каналами, две группы поликремниевых электродов переноса, первая из которых расположена между стоп-каналами, а вторая - перпендикулярно им, образуя окна, свободные от поликремния, отличающаяся тем, что, с целью получения цветного изображения с повышенным качеством цветопередачи путем формирования цветовых каналов и выравнивания их чувствительности, над фоточувствительными областями между стоп-каналами расположены органические цветокодирующие фильтры красного, зеленого и синего цветов, под каждым электродом переноса первой группы дополнительно выполнены два стоп-канала, делящие его...

Номер патента: 1391386

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Вето, Голованов, Китаев, Костюков

МПК: H01L 27/146

Метки: изображения, приемник, твердотельный, телевизионного, формирования, цветного

Твердотельный приемник для формирования цветного телевизионного изображения, содержащий фоточувствительную матрицу, расположенную в корпусе, и цветокодирующий фильтр на прозрачной подложке, расположенный над матрицей с зазором, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, зазор между фоточувствительной матрицей и цветокодирующим фильтром заполнен неполимеризующейся иммерсионной жидкостью, а прозрачная подложка с фильтром выступает за пределы матрицы и соединена с корпусом в местах выступов.

Номер патента: 1582924

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Егорова, Китаев, Любивый

МПК: H01L 27/146

Метки: камера, телевизионная, цветная

Цветная телевизионная камера, содержащая твердотельный линейный приемник изображения с цветокодирующим фильтром, элементы которого размещены над фоточувствительными элементами приемника, а выход приемника подключен к входу блока разделения цветовых каналов, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества изображения за счет повышения цветового разрешения и чувствительности и упрощения обработки сигнала, цветокодирующий фильтр выполнен из повторяющихся элементов голубого, белого, желтого и белого цветов, при этом интегральные чувствительности ячеек приемника под белыми, голубыми и желтыми элементами удовлетворяют условиюW = 0,25Cy + 0,41Je,где W -...

Номер патента: 1466596

Опубликовано: 27.01.2003

Автор: Китаев

МПК: H01L 27/14

Метки: приемник, твердотельный, фоточувствительный

Твердотельный фоточувствительный приемник, включающий светоэкранирующее покрытие, расположенное на полупроводниковой подложке, содержащей фоточувствительные области и токоведущие дорожки, отличающийся тем, что, с целью устранения закороток токоведущих областей с покрытием и уменьшения паразитных емкостей, светоэкранирующее покрытие состоит по крайней мере из двух слоев полиимида с полимерорастворимыми красителями, содержащими металлокомплекс, причем толщина слоев удовлетворяет условию0,001 exp[-( 1d1+

Номер патента: 1542348

Опубликовано: 27.01.2003

Автор: Китаев

МПК: H01L 31/02

Метки: приемник, твердотельный, фоточувствительный

Твердотельный фоточувствительный приемник, включающий светоэкранирующую маску с металлическим слоем, расположенным на диэлектрических слоях фоточувствительных областей и контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоэлектрических параметров, устранения фоновых засветок и электрических закороток, диэлектрические слои выполнены из разноокрашенного полиимида, причем спектральная область поглощения одних слоев совпадает со спектральной областью пропускания других слоев.

Номер патента: 1614717

Опубликовано: 27.03.2003

Авторы: Аношин, Виноградов, Иванов, Каган, Карпухин, Кузнецов, Латышев, Лепковский, Матвеев, Петросян

МПК: H01L 31/18

Метки: батарей, гибких, модулей, солнечных

Способ изготовления гибких модулей солнечных батарей, включающий формование петли-компенсатора в шинах последовательной электрической коммутации смежных солнечных элементов, присоединение шин к солнечным элементам и последовательную электрическую коммутацию смежных солнечных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности модуля солнечной батареи за счет увеличения ремонтоспособности, длину шин увеличивают до размеров, необходимых для формирования петли-компенсатора по одну сторону от плоскости расположения смежных солнечных элементов, формование петли-компенсатора производят после присоединения шин к смежным солнечным элементам путем обеспечения их встречного смещения...

Номер патента: 688054

Опубликовано: 27.03.2003

Авторы: Баимов, Гибадулин, Грибелюк, Дельцов, Колтун, Кузнецов, Петросян, Черкасский

МПК: H01L 31/18

Метки: батареи, солнечной

Способ изготовления солнечной батареи, основанный на закреплении солнечных элементов на несущей поверхности каркаса, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и качества изделия, перед закреплением на несущей поверхности каркаса солнечные элементы собирают на технологическую подложку из диэлектрического материала.

Номер патента: 316380

Опубликовано: 27.03.2003

Авторы: Долгов, Колтун, Кузнецов, Матвеев

МПК: H01L 31/042

Метки: батарея, солнечная

Солнечная батарея, содержащая фотопреобразователи с радиационно-защитным стеклом, закрепленным прозрачным клеем, и несущую сеточную панель, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее надежности и коэффициента полезного действия, сеточная панель расположена между фотопреобразователями и защитным стеклом.

Номер патента: 1776167

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Боровинская, Гордополов, Мержанов, Нерсесян, Пересада, Федоров

МПК: H01L 39/12

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала, включающий приготовление шихты из смеси соединений, содержащих редкоземельный металл из ряда: скандий, иттрий и лантаноиды, металлы I и II групп, а также восстановитель, в качестве которого используют редкоземельный металл, или металл I или II групп, или гидриды этих металлов, или их смесь, а также последующую термообработку приготовленной шихты в режиме горения, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических и физико-механических характеристик сверхпроводящего материала, после окончания режима горения производят взрывную обработку материала при давлениях 20-600 кбар.

Номер патента: 1572350

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Зайцева, Четайкин, Янбиков

МПК: H01L 23/12

Метки: блок, полупроводниковый, силовой

Силовой полупроводниковый блок, содержащий изолирующую несущую панель с прикрепленным к ней полупроводниковым прибором таблеточного типа и охладитель, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности крепления блока и улучшения условий охлаждения за счет уменьшения утечек воздуха, панель выполнена неразборной П-образной формы с уплотняющими выступами-ограничителями.

Номер патента: 1790318

Опубликовано: 20.09.2003

Авторы: Боровинская, Каримов, Мелитаури, Мержанов, Нерсесян, Пересада, Тавадзе

МПК: H01L 39/12

Метки: оксидного, сверхпроводящего

1. Способ получения сверхпроводящего оксидного материала, включающий приготовление смеси оксида редкоземельного металла с барий- и медьсодержащими компонентами с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности и чистоты продукта, увеличения производительности процесса, термообработку проводят в режиме горения в среде кислорода, при этом в качестве медьсодержащего компонента берут порошок меди дисперсностью 1-60 мкм, а в качестве барийсодержащего компонента - его пероксид при следующем соотношении компонентов, мас.%:Порошок меди - 26,3-31,9Пероксид бария - 46,6-56,6Оксид редкоземельного металла - Остальное2. Способ по п.1,...

Номер патента: 1079105

Опубликовано: 27.12.2003

Авторы: Анохин, Мишенев, Певцов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02

Метки: альфа-частиц, восстановления, детекторов, погружных, полупроводниковых

1. Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц, включающий отмывку чувствительной поверхности детектора раствором азотной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления радиоактивных нуклидов, перед отмывкой чувствительной поверхности детектора в раствор азотной кислоты добавляют восстановитель.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют аскорбиновую кислоту в концентрации 0,1-0,2 моль/л.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют сульфаминат двухвалентного железа в концентрации 0,1-0,2 моль/л.

Номер патента: 1366006

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Зильберглейт, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: быстродействующий, мощный, тиристор

Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхности прямоугольную сетку, причем высота h выступа, диаметр b структуры с выступами и и толщина h0 структуры без выступов связаны следующим соотношением:при ширине выступа d

Номер патента: 1246818

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина, Мешковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитного, кремния, поверхности, покрытия, состав

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении компонентов (мас.%):Тетраэтоксисилан (Si(OC2H5)4) - 57-59Пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония (Zr(NO3)4) - 21-23Концентрированная соляная кислота (HCl) - 1,2-1,4Соль металла из группы лантанидов - 3-5Вода -...

Номер патента: 673088

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Далецкий, Евдокимов, Заявлин, Леонихин, Летин, Рыбин, Холева

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок базовой области, площадь которого составляет 5-10% от площади фотопреобразователя, выполнен свободным от p-n перехода и содержит, по крайней мере, два омических контакта, расположенных на одной из его сторон.

Номер патента: 683405

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Далецкий, Долгов, Зайцева, Крейнин, Летин, Миронов, Назаров, Новокрещенов, Рыбин, Самсонов

МПК: H01L 31/02

Метки: батарея, гибкая, фотоэлектрическая

Гибкая фотоэлектрическая батарея на основе полупроводниковых фотопреобразователей, соединенных последовательно с помощью гибких коммутирующих шин так, что между областями соединения шин с фотопреобразователями имеется свободный участок, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности, последовательно соединенные фотопреобразователи расположены внахлест и область соединения каждой шины по крайней мере с одним из соединенных внахлест фотопреобразователей расположена за пределами зоны нахлеста.

Номер патента: 743506

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Балтянский, Бордина, Далецкий, Дорохина, Заявлин, Каган, Летин, Любашевская, Рябиков, Чернов

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь с двухсторонней чувствительностью на основе материала с низкой диффузионной длиной неосновных носителей, содержащий базовую область с расположенными под рабочими поверхностями слоями с противоположным базовой области типом проводимости и контакты, нанесенные на базовую область и слои с противоположным типом проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения его эффективности, слои с противоположным типом проводимости расположены друг от друга на расстоянии, превышающем диффузионную длину не менее чем на порядок, при этом на одну из рабочих поверхностей выведены участки базовой области, примыкающие к торцам фотопреобразователя, на...

Номер патента: 574066

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Бабко, Гибадулин, Чехович

МПК: H01L 31/02

Метки: батареи, панель, солнечной

Панель солнечной батареи, содержащая натянутую на каркас гибкую диэлектрическую подложку с фотопреобразователями и демпфирующее устройство, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения амплитуды колебаний подложки при воздействии на нее динамических нагрузок при одновременном обеспечении оптимизации теплового режима фотопреобразователей, демпфирующее устройство выполнено в виде, по крайней мере, одной ленты, натянутой на каркас в плоскости, перпендикулярной поверхности подложки.

Номер патента: 816344

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Балтянский, Бас-Дубов, Гавриленков, Летин

МПК: H01L 31/02

Метки: батарея, солнечная

Солнечная батарея, содержащая фотопреобразователи, соединенные последовательно и параллельно коммутирующими элементами и расположенные на несущей подложке, образованной отдельными струнами, закрепленными на каркасе параллельно друг другу, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции, коммутирующие элементы, осуществляющие последовательное соединение фотопреобразователей, имеют участки, которыми они соединены со струнами, выполненными из токопроводящего материала и осуществляющими параллельное соединение фотопреобразователей.

Номер патента: 820556

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Горячева, Гроссман, Зайцев, Каган, Летин, Надоров, Тюркин

МПК: H01L 31/02

Метки: батарея, солнечная

Солнечная батарея, содержащая модули фотопреобразователей, имеющих с тыльной стороны проволочные шины с ответвлениями в виде петель-скобок, проходящих через сетчатую подложку и загнутых с ее обратной стороны, отличающаяся тем, что, с целью снижения стоимости батареи на основе GaAs, к тыльной стороне фотопреобразователей присоединена периферийными участками профильная шина с отверстиями, с расположенной внутри нее проволочной шиной, ответвления которой пропущены через указанные отверстия.

Номер патента: 585773

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Григорьева, Далецкий, Долгов, Жидкова, Зайцева, Крейнин, Летин, Моисеев, Ушакова

МПК: H01L 27/14

Метки: кремниевых, фотопреобразователей

1. Способ изготовления кремниевых фотопреобразователей с диффузионно-легированным слоем на фронтальной поверхности и изоотипным барьером на тыльной поверхности, состоящий в резке, механико-химической обработке кремниевых пластин, формировании n+ и p+-слоев и нанесении контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД фотопреобразователей, тыльную поверхность пластин бомбардируют ионами примеси, обеспечивающей проводимость того же типа, что и в исходном состоянии, например бора, с энергией ионов 20-60 кэв дозой от 800 до 2000 мккул/см2 и проводят отжиг легированного ионами слоя на тыльной поверхности при температуре 830-1030oC в потоке газа,...

Номер патента: 592292

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор с шунтировкой эмиттерного перехода, выполненной в виде каналов, проходящих от базового слоя сквозь эмиттерный слой к токоподводящему электроду, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выключения и уменьшения времени выключения, контакт к шунтирующим элементам выполнен в виде барьера Шоттки.

Номер патента: 713441

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Киреев, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий тиристорную и диодную структуры с общей слаболегированной базой, причем слаболегированная база тиристорной структуры имеет слой с повышенной концентрацией легирующей примеси, прилегающей к эмиттеру, отличающийся тем, что, с целью защиты от ложного срабатывания, слаболегированная база диодной структуры имеет толщину меньшую, чем база тиристорной структуры, по крайней мере на 1/4.