H01L 39/12 — характеризуемые материалом

Номер патента: 197969

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Барон, Савицкий, Фролов

МПК: C22C 27/00, H01L 39/12

Метки: сверхпроводящий, сплав

...В, В. Баро. А. Фроло Инстит Академии наук СССР еталлургии им. А. А. Байко витель РХПРОВОДЯ 1 ИИЙ СПЛ 2 длинение - 3,8%. методом дуговой ки, обрабатываетокаткой и волочерхпро копий дящи мею сплавы довольноисте- ысоспла кони ава,в %;5 имичес ь О, бий оста ди способству сплава. При эт чностные свой именяется, напроленоидов. Пре изобретения иобия, м, что, химисплав на сй, отлича я сплава основе нисиссся тон имеет критическую хпроводящее имеет светемпе состо 20,05 -остал Известные с мы ниобий - ц кую стоимость Предложен цир мед цио Введение ме удешевлению водящие и проСплав рехода в 11,1 К.При содерж сплав имеет п ле 26,6 э - 5,4 ого сос 20 - 35 05 - 40, льное. т знач ом его тва не ительному сверхпро- снижаютатуру пение 93 -нии меди 0,5% и...

Номер патента: 205301

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Барон, Мызенкова, Савицкий, Фролов

МПК: C22C 27/00, H01L 39/12

Метки: ниобия, основе, сверхпроводящий, сплав

...аюитийа основе ния, отли ния физ свойств, чи церия сплав н % цирко о повыше гических антана и Сверхпроводящи 1 содержащий 25 - 50 ся тем, что, с целы нических и тсхноло рован 0,03 - 0,5% л ко-меха он леп ечи с рас- лектродом ОПИСАНИ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 10 Х 1.1965 (ЛЪ 1014348/22-2) с присоединением заявкиПри зритет Опубликовано 13.Х.1967. Бюллетень Ъ Дата опубликования описания 22.1,196 ститут металлургии им. А. А. Байко СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СПЛАВ НА ОСНО Изобретение относится к области водящих сплавов. Получение сильных магнитных п мощью сверхпроводящих соленоид лит резко снизить энергетические за Известны сверхпроводящие спла с цирконием, разработана технол товления из них сверхпроводящей...

Номер патента: 297215

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Луис, Соединениые, Соединенные

МПК: H01B 1/02, H01B 12/00, H01L 39/12 ...

Метки: ленточный, сверхпроводник

...модулем упругости и относительно малым электрическим сопротивлением при температуре ниже 20 К, Толщины обоих слоев обратно пропорциональны значениям модулей упругости металлов, из которых они выполнены.Ниобий или один из материнских металлов контактирует с одним из взаимодействующих металлов, таким как олово в случае ниобия, а затем подвергается воздействию тепла в атмосфере кислорода. Полученную ленту затем соединяют с двумя лентами металла, который имеет больший коэффициент теплового расширения, чем сверхпроводниковый материал (последний способен выдерживать напряжение, возникающее при свивании его в катушку или другую конфигурацию). Целостное соединение между наружными слоями и внутренней сверхпроводниковой прослойкой может быть...

Номер патента: 344546

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лукь, Трегубов, Энман

МПК: H01L 39/12

Метки: гибких, сверхпроводников

...момент приводит к прскращецио роста соединения КЬЯп.Цель изобретения разработка способа получения гибких сверхпроводников с ицтерметалличсским соединением ХЬ;,Яп, улучшение критических параметров сверхпроводника.Это достигается проведением в высокомвакууме (10 -- 5 10 -мм рт, ст.) следующих технологических процессов. Ниобиевую подложку протаскивают через печь предварительной термообработки, в которой при температуре 900 в 11 С в течение 3 - 20 мин происходит отжиг подложки и удаление с ее поверхности загрязнений и адсорбированных газов. Затем подложку протаскивают через расплав олова при температуре 600 в 9 С в течение 3 - 30 мин, В зависимости от температуры расплава на подложке образуется какой-либо из интерметаллидов ХЬаЯпг,...

Номер патента: 454624

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Алексеев, Веденов, Мельникова

МПК: H01F 6/00, H01L 39/12

Метки: коммутирующее, сверхпроводящее

...для размыкателя использованы керметы на основе сверхпроводящего металла и высокоогнеупорного диэлектрика, например на основе МЬ и А 1,0 з, Как показали проведенные исследования, такие керметы обладают сверхпроводящими свойствами и большим удельным сопротивлением перед сверхпроводящим переходом. Это позволяет значительно снизить расход дорогостоящей металлической проволоки из сверхпроводящего металла при изготовлении сверхпроводящего размыкателя, а также значительно упростить переход размыкателя из сверхпроводящего состояния в нормальное вследствие уменьшения размеров размыкателя. Сверхпроводящие свойства керметов на основе сверхпроводящего металла и высокоогнеупорного диэлектрика, например на основе Ю и АгОз приведены в таблице.454624...

Номер патента: 1064816

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Кайданов, Немов, Парфеньев, Шамшур

МПК: H01L 39/12

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...дополнительно вводимой в РЬТ 1 Теакцепторной примеси А был использован,натрий, содержание примесейталлия х и натрия у варьировалось45 в пределах 0,01 к х0,02,0,00075 4 у 6 0,025. Конкретныепримеры составов изготовленныхобразцов приведены в таблице. Образцы были изготовлены авторами методом горячего прессования. Синтез вещества, отвечающего приведенной выше химической формуле при различных содержаниях примесей таллия и натрия, осуществлялся сплавлением 5 исходных компонентов (РЪ, Т 1, Иа,Те), взятых в соответствующих пропорциях в эвакуированных до 10 торркварцевых ампулах при температуре106486 Т = 930 оС. Слитки дробились до размера гранул менее 300 мкм из котоорых при температуре 420 С прессовались образцы под давлением Р =184 10...

Номер патента: 1295468

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Антоненко, Ионов, Колясников

МПК: H01L 39/12

Метки: пленки, сверхпроводящей, структурой

...С жительности испарения состав сдвига-, ется к стехиометрическому в соответствии с формулой А В, и слой кристаллизуется с образованием структуры А 15. Причем кристаллизация происходчт по всему объему пленки беэ определенной направленности, поэтому не наблюдается преимущественной ориентации зерен, а размер зерна оказывается меньшим в сравнении со случаем прямой кристаллизации иэ параВ результате саморегулирования состава, близкого к стехиометрическому и однородного по объему, образующийся слой имеет высокую критическую температуру, узкий температурный диапазон перехода к сверхпроводимости ( 60,1 1 и большую плотность критического тока с меньшей зависимостью от магнитного поля из-эа более высокой концентрации центров пиннинга, Согласно...

Номер патента: 1735319

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Анели, Копылов, Поливанов, Рыжова, Скороходов

МПК: C08G 77/398, C08L 83/08, H01L 39/12 ...

Метки: качестве, композиции, композиция, магнитные, олигодиметилдифенилэлементосилоксан, основе, проявляющей, свойства, связующего

...в табл. 2 - ихтермоокислительная стабильность, в табл. 3- параметры микроструктуры олигоэлемен 15 тосилоксанов, в табл. 4 - параметры молекулярно-массового распределенияолигоэлементосилоксанов,Молекулярно-массовое распределениеопределяют на жидкостном хроматографе20 фирмы "Кнаур" (ФРГ) и ЭВМ для обработкиданных СР 2 АХ фирмы "Шимадзу" (Япония),Детектор - дифференциальный рефрактометр. Разделительные колонки - две стандартные колонки фирмы "Шоденс" Яп.А/Я и А/3. Спектры ЯМР Я, Н25 записывают на спектрометре "ВгМег" 360МГц, ИК-спектры записывают на спектрометре О Р.П р и м е р 1. В реакционную колбу,снабженную мешалкой, термометром, ка 30 пельной воронкой и обратным холодильником, загружают циклотрисилазан бб г...

Номер патента: 1575856

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Котелянский, Лузанов, Магомедов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: оксидных, пленок, сверхпроводящих

...соотношений плотностей потоков этих компонент.П р и м е р 1. Пленку оксидного материала с высокотемпературной сверхпроводимостью У 1 Ва 2 СизОт-х с температурой Тф структурного фазового перехода в кристал лическую фазу, обладающую высокотемпературной сверхпроводимостью Тф= 1023 К, наносят на подложку из фианита. Для этого откачивают рабочий обаем вакуумной установки электронно-лучевого распыления до 45 предельного вакуума 2 10 Па, нагреваютподложку до температуры 1020 К Тф, включают источник потока ионов кислорода и устанавливают режим его работы, обеспечивающий получение плотности потока 1015 50 ионов см 2 с и энергией 50-150 эВ, направленного в зону осаждения, Включают электронно-лучевые источники распыления, с помощью которых получают...

Номер патента: 1686985

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Бушмарина, Драбкин, Парфеньев, Шамшур, Шахов

МПК: H01L 39/12

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...ниже. В то же время о образце 9, состав которого соответствует формуле (Рэо,о 5 Яио,э;)о,о 44 о,гТе, температура Тс была ниже 1 Я К. 10П р и м е р. Образцы сверхпроводящего полупроводникового материала готовят ио следугощей 1 схг 4 ологии. В качестое исход. ных комг 4 о 44 е 4 тов используется промыц 4легнгые элементы РО С, Яи ОЕЗь 1-000 Е 5 , Те ТБ - Л, и Ин, Синтез пг 4 овидигс 44 из элементов, взятых в соотоегствуюцц 4 х формуле иропорцияк; в откацанных до давле - зния 2-310 мм,рт.ст, и запаянных кпарце. оых ампулах при Т = 1000 С о течение Лч. 20 Получс 4444 ь 4 е слитки отжигают при Т = 650 С о течение 360 ч в агмосфере агрв 4 а, После отжига из слитков методом горячего прессования готовят образцы для измерения электрических...

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...

Номер патента: 1831470

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Готаро, Масаси, Такаси, Тецуа

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12

Метки: керамического, провода, сверхпроводящего

...образом, что тепловая обработка выполняется по отношениюк проводу, который сдавливается, на путисдавливания, или в течение сдавливания. Такая комбинированная обработка может быть повторена несколько раз и позволяет существенно повысить плотность тока Тс полученного све рхпроводимого керамического провода,Согласно изобретению устранены недостатки известного уровня техники, То есть,стадия плавление-охлаждение позволяет получить длинный стеклянный провод, обладающий целостностью, желаемым размером, например, желаемой толщиной, хорошей эластичностью и возможностью работы с ним. Тепловая обработка может выполняться в атмосфере, в которую кисломожет свободно выходить, следовательно, это предотвращает недостаточность. атомов кислорода в...

Номер патента: 1829812

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Возный, Галушко, Горбик, Дякин, Лавандовский, Левченко, Огенко, Чуйко, Янчевский

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...прессования, Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым обогревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку температуры пресс-формы при заданной температуре и охлаждение. После прессования определяли относительную магнитную восприимчивость полученных образцов ВТСП с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц, Измеряли мнимую часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.П р и м е р 1. 16 г порошка ВТСП формулы (РЬхВ 1-х)2 Са 23 г 2 СизОу и 4 г порошка ПХТФЭ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем...

Номер патента: 1829811

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Иванов, Похолков, Савельев, Хасанов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокодисперсного, высокотемпературного, монофазного, порошка, сверхпроводника

...температуры синтеза, сокращение продолжительности помола после синтеза для получения монофаэного порошка высокотемпературного сверхпроводника УВа 2 Сцз 07-х с частицами субмикронных размеров,Применение УДП меди удельной поверхностью. на три порядка превосходящей удельную поверхность порошка СцО стандартного, приводит к увеличению скорости синтеза шихты, что способствует снижению температуры и времени синтеза порошка и увеличению степени гомогенности синтезируемого порошка.П р и м е р, Исходные компоненты шихты; У 20 з ("хч", ГОСТ 42-208-81), ВаСОз ("чда", ГОСТ 4158-80) и УДП меди, полученный методом электрического взрыва проводников (ВТУ 2-25-98) с размерами частиц 0,05 - 0,15 мкм сферической формы, берут в соотношении, мас,% У 20 з...

Номер патента: 1508886

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Дудников

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Метки: высокотемпературного, сверхпроводника

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводника на основе соединений редкоземельных, щелочноземельных металлов и меди, включающий их измельчение, прессование и спекание в кислородсодержащей среде, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и ускорение процесса изготовления, в качестве соединений щелочноземельных металлов используют их перекись.

Номер патента: 1810027

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Балашов, Максимов, Мержанов, Перов

МПК: C01F 17/00, H01L 39/12

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала, включающий смешение соединений скандия, иттрия, редкоземельного металла, меди и щелочноземельный металл и инициирование процесса горения в присутствии окислителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа путем одностадийного получения целевого материала заданного гранулометрического состава, в качестве соединения скандия, иттрия, и/или редкоземельного металла, меди, щелочноземельного металла используют их сульфиды, а в качестве окислителя перхлорат аммония, щелочного, щелочноземельного металла, пентоксид иода или их смесь и процесс горения проводят при давлении 0,005 0,5 МПа.

Номер патента: 1824023

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Балашов, Боровинская, Кидяшкин, Максимов, Мержанов, Нерсесян

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: горения, режиме, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала в режиме горения, включающий приготовление исходной смеси из порошков оксида иттрия или оксида редкоземельного металла, пероксида бария и меди и инициирования процесса, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса получения однородного по содержанию кислорода целевого материала, в смесь дополнительно вводят окислитель, в качестве которого используют перхлорат аммония щелочного или щелочноземельного металла, или пентаксид иода, или их смеси в количестве, обеспечивающем содержание кислорода в целевом продукте 7+ атомных единиц, при этом окислитель предварительно смешивают с оксидом иттрия или редкоземельного металла.

Номер патента: 1457754

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Гошицкий, Давыдов, Каркин, Кожевников, Леонидов, Мирмильштейн, Фотиев, Чешницкий, Швейкин

МПК: H01L 39/12

Метки: керамический, материал, сверхпроводящий

Сверхпроводящий керамический материал, содержащий оксид Ln2О3, где Ln - лантаноид, Sc или Y, оксиды МО, где М - щелочноземельный элемент или Pb, и CuO, отличающийся тем, что, с целью увеличения содержания сверхпроводящей фазы, компоненты взяты при следующем соотношении, мол.%:Ln2О3 - 3,5 - 13,5MnO - 18,5 - 43,5CuO - 43,0 - 78,0

Номер патента: 1463089

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Гошицкий, Давыдов, Каркин, Кожевников, Леонидов, Мирмильштейн, Фотиев, Чешницкий, Швейкин

МПК: H01L 39/12

Метки: керамического, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего керамического материала на основе оксида меди, иттрия, лантаноидов и щелочноземельных элементов путем смешения исходных компонентов и термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения параметров перехода в сверхпроводящее состояние, термообработку проводят при 500-920oC в течение 10-50 ч с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 5-15oС/мин в кислородсодержащей атмосфере.

Номер патента: 603285

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Верещагин, Евдокимова, Новокшонов

МПК: C22F 1/18, H01L 39/12

Метки: материал, сверхпроводящий

Сверхпроводящий материал, состоящий из карбида редкоземельного элемента и имеющий стабильную кубическую объемно центрированную структуру D 5с типа Pu2C3, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры перехода, сверхпроводящий материал состоит из полуторного карбида лютеция, состоящего из элементарного лютеция и углерода в стехиометрическом соотношении 2:3.

Номер патента: 1820797

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12, H01L 39/24 ...

Метки: yba2cu3o, иттрий-бариевого, купрата, оксидного, основе, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата (YBa2Cu3O7- ), включающий приготовление шихты путем смешения оксидов иттрия и меди, карбоната бария и оксидной титансодержащей добавки, измельчение смеси, термообработку на воздухе, помол, формование, спекание на воздухе и охлаждение с изотермической выдержкой при 400oC в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности критического тока и уменьшения ширины перехода материала в сверхпроводящее состояние при упрощении технологического процесса, в качестве оксидной титансодержащей...

Номер патента: 1776167

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Боровинская, Гордополов, Мержанов, Нерсесян, Пересада, Федоров

МПК: H01L 39/12

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала, включающий приготовление шихты из смеси соединений, содержащих редкоземельный металл из ряда: скандий, иттрий и лантаноиды, металлы I и II групп, а также восстановитель, в качестве которого используют редкоземельный металл, или металл I или II групп, или гидриды этих металлов, или их смесь, а также последующую термообработку приготовленной шихты в режиме горения, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических и физико-механических характеристик сверхпроводящего материала, после окончания режима горения производят взрывную обработку материала при давлениях 20-600 кбар.

Номер патента: 1790318

Опубликовано: 20.09.2003

Авторы: Боровинская, Каримов, Мелитаури, Мержанов, Нерсесян, Пересада, Тавадзе

МПК: H01L 39/12

Метки: оксидного, сверхпроводящего

1. Способ получения сверхпроводящего оксидного материала, включающий приготовление смеси оксида редкоземельного металла с барий- и медьсодержащими компонентами с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности и чистоты продукта, увеличения производительности процесса, термообработку проводят в режиме горения в среде кислорода, при этом в качестве медьсодержащего компонента берут порошок меди дисперсностью 1-60 мкм, а в качестве барийсодержащего компонента - его пероксид при следующем соотношении компонентов, мас.%:Порошок меди - 26,3-31,9Пероксид бария - 46,6-56,6Оксид редкоземельного металла - Остальное2. Способ по п.1,...