H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Номер патента: 1563510

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Коршунов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 1012 до 1016 см-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве...

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 1017122

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий ориентированную резку слитка, шлифовку и полировку подложек и облучение подложки импульсным лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя, облучению подвергают поверхность (100), (100), (111) или (211).

Номер патента: 597291

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: амортизации, кристаллических, степени

1. Способ определения степени аморфизации кристаллических материалов, например полупроводниковых, происходящей при облучении их ускоренными ионами, по разности оптических величин, измеренных для облученного и необлученного образцов материала, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, образцы перед облучением легируют акцепторной примесью с концентрацией носителей заряда от величины, достаточной для компенсации доноров, образующихся при облучении, до величины, определяемой предельной растворимостью акцепторной примеси, а в качестве оптических величин измеряют на длине волны, соответствующей краю полосы собственного поглощения измеряемого образца, арктангенс отношения...

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 660499

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимонида, индия

Способ обработки антимонида индия облучением ионами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого по глубине увеличения скорости электрохимического травления без изменения типа проводимости и уменьшения подвижности носителей заряда, антимонид индия во время облучения подвергают нагреву от 100 до 290oC.

Номер патента: 665611

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tпл до 0,95 Tпл дозами от 6 1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения...

Номер патента: 631015

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения...

Номер патента: 1820797

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12, H01L 39/24 ...

Метки: yba2cu3o, иттрий-бариевого, купрата, оксидного, основе, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата (YBa2Cu3O7- ), включающий приготовление шихты путем смешения оксидов иттрия и меди, карбоната бария и оксидной титансодержащей добавки, измельчение смеси, термообработку на воздухе, помол, формование, спекание на воздухе и охлаждение с изотермической выдержкой при 400oC в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности критического тока и уменьшения ширины перехода материала в сверхпроводящее состояние при упрощении технологического процесса, в качестве оксидной титансодержащей...

Номер патента: 1776168

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Васильев, Калева, Костырев, Косяченко, Политова, Чибирова

МПК: H01L 39/24

Метки: cu3o7-x, оксидного, сверхпроводящего

Способ получения оксидного сверхпроводящего материала YBa2Cu3O7-x, включающий измельчение смеси оксидов иттрия (Y2O3), меди (CuO) и карбоната бария (BaCO3), формование смеси в таблетки, термообработку при 950oC в течение 20 ч и охлаждение с изотермической выдержкой, отличающийся тем, что, с целью повышения температуры перехода материала в сверхпроводящее состояние, перед формованием на смесь воздействуют переменным магнитным полем величиной 300 - 400 Гс в течение 5 - 10 мин, а изотермическую выдержку проводят при температуре 350 - 400oC в течение 8 - 12 ч.

Номер патента: 1258263

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Горбатюк, Грехов, Коротков, Яковчук

МПК: H01L 29/74

Метки: обратной, переключения, проводимостью, тиристора

Способ переключения тиристора с обратной проводимостью из прямого блокирующего состояния управляющим импульсом обратного анодного тока с последующим приложением импульса прямого нагрузочного тока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии управляющего импульса, перед приложением импульса прямого нагрузочного тока прикладывается дополнительный импульс прямого анодного тока, при этом заряды, вносимые токами управляющего и дополнительного импульсов, удовлетворяют условиямQ1 + Q2 = (10 - 15)Qкр,где -...

Номер патента: 1407341

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Малышева, Павельев

МПК: H01L 29/47

Метки: полупроводниковый, свч-диод

Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.

Номер патента: 1671065

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Горюнов, Камышный

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор по крайней мере с одним p-n-переходом одноразового действия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности пробивного напряжения, в теле базы или на ее поверхности созданы неоднородности, а в зоне омических контактов размещены дозированные запасы электродного сплава, объем которых обусловлен протяженностью и диаметром токопроводящей перемычки, замыкающей в результате пробоя p-n-перехода и высокоомную базу.

Номер патента: 1829787

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Андреев, Барышев, Сидоров, Столяров

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, микропробоя

Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур, заключающийся в том, что МДП-структуру заряжают путем пропускания прямоугольного импульса тока и одновременно измеряют временную зависимость напряжения на МДП-структуре, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения и упрощения способа, одновременно с МДП-структурой заряжают емкость сравнения произвольной величины, определяют отношение емкости МДП-структуры к емкости сравнения n = Cмдп/Cср, при этом заряжают МДП-структуру импульсом тока с амплитудой Iмдп = k Iпор, где Iпор - пороговая величина тока; k -...

Номер патента: 1600597

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Борисенок, Новицкий, Толстиков

МПК: H01L 41/08, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

1. Пьезоэлектрический генератор, включающий генератор ударной волны, выполненный плосковолновым, пьезоэлектрический преобразователь, выполненный в виде набора основных пьезопластин с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенных электрически параллельно, а грани их, обращенные к генератору ударной волны, расположены в одной плоскости, пороговый элемент, блок пьезопластин, подключенный параллельно к пьезоэлектрическому преобразователю и через пороговый элемент - к выходным клеммам пьезоэлектрического генератора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия...

Номер патента: 1777532

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Толстиков, Трищенко

МПК: H01L 41/113, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

Пьезоэлектрический генератор, содержащий конвертор для генерации ударной волны, пьезоэлектрический преобразователь, выполненный в виде набора пьезопластин с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения ударной волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенным электрически параллельно, цепь из последовательно соединенных порогового элемента и нагрузки, подключенную к выводам пьезоэлектрического преобразователя, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности пьезогенератора вблизи порога его срабатывания, параметры конвертора и пьезоэлектрического преобразователя выбраны из соотношенийZn/D>

Номер патента: 1835977

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пучкова, Симаков, Толстиков

МПК: H01L 31/113, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

Пьезоэлектрический генератор, содержащий конвертор для генерации ударной волны, пьезопреобразователь, выполненный в виде набора пластин из сегнетоэлектрика с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения ударной волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенных электрических параллельно, пороговый элемент, блок пластин из сегнетоэлектрика, подключенный параллельно пьезопреобразователю и через пороговый элемент - к выводам пьезогенератора, при этом толщина пластин блока выбрана из соотношения X2 = Vпр/E*co, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и энергии выходного...

Номер патента: 1533612

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Толстиков

МПК: H01L 41/08, H02N 2/00

Метки: взрывной, пъезогенератор

Взрывной пьезогенератор по авт. св. 1119564 (вариант 1), отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы и мощности в условиях внешних механических воздействий, в него дополнительно введены пороговый элемент и блок неполяризованных пьезопластин, подключенный параллельно пьезоэлектрическому преобразователю и через пороговый элемент к выходным клеммам, при этом блок неполяризованных пьезопластин состоит из двух частей, каждая из которых содержит набор одинаковых пьезопластин, материал и толщина которых выбраны из соотношенияX(21)E(21)K<X<sup>(22)E(22)K,где X(21), X(22) - толщина...