H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 306650

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01L 21/443

Метки: барьером, диодов, полупроводниковых, шоттки

...того, толщина пленки не ограничивается вследствие термического разложения, как это обычно имеет место при использовании шестифтористого вольфрама. Можно легко образовать пленки вольфрама толщиной боле 1 лк.В соответствии с предложенным способом, на подложку может быть осаждена пленка вольфрама, однородная по толщине, с металлическим блеском, не содержащая неразложившихся галоидных соединений вольфрама.Кроме того, поскольку температура полупроводниковой подложки остается ниже 500 С, химически устойчивые промежуточные вещества на границе между этой подложкой и пленкой вольфрама не образуются, и на границе формируется барьер Шоттки, обладающий хорошим выпрямительным действием.На фиг. 1 показана установка для осу.цествления способа; на...

Номер патента: 307360

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Рыскин

МПК: H01L 21/66

Метки: напряжений, полупроводниковых, приборов, пробивных

...с генератора счетных импульсов в счетчик.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из генера 1 пускового импульса, управляющего ггера 2,Устройство работает следующим образом.По сигналу Пуск генератор 1 пусковым О импульсом вызывает процесс линейного изменения напряжения на испытуемом приборе и одновременно устанавливает триггер 2 в положение, при котором с входа схемы запрета б снимается напряжение, и счетные импульсы 5 с генератора 5 начинают поступать в счетчик 7.По достижении линейно изменяющимся напряжением величины пробивного напряжения для испытуемого полупроводникового прибора 20 8 резко возрастает ток р-и перехода и, следовательно, падение напряжения на токосъемном сопротивлении 9....

Номер патента: 307445

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Долгов, Савельев, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: механической, полупроводникового, слитка

...снижаются потери полупроводникового материала от брака. 5 20 25 Предмет изо б р е те н Способ механич проводникового аявлено 13.1,1970 ( 14 с присоединением заявкиубликовано 21.71,1971. Бю Дата опубликования описан СОБ МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, например фотопреобразователей, где требуется механическая обработка одной стороны кристалла.Известны способы механической обработки полупроводниковых кристаллов, сущность которых заключается в следующем: моно- кристаллические слитки, например кремния, германия, арсенида, галлия, представляющие собой стержни определенной длины и диаметра, разрезаются на диски требуемой толщины. После резки диски промывают, сортируют по...

Номер патента: 308390

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуога, Кальвенас, Климка, Пожела

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, потенциала

...полупроводника, прикладывают внешнее электрическое продольное поле, по следнее не нарушает термодинамическое равновесие между свободными носителями и решеткой полупроводника. При этом заряд в области пространственного заряда в полупроводнике изменится таким образом, чтобы 15 экранировать объем полупроводника как от поля заряда, локализованного в поверхностных состояниях, так и от внешнего приложенного электрического поля. Соответственно изменится поверхностный потенциал и одно значно связанное с ним поверхностное сопротивление. Поэтому измеряя изменение поверхностного сопротивления, определяют поверхностный потенциал по теоретическим кривым.Цель изобретения заключается в повыше нии чувствительности измерения, в возможности...

Номер патента: 308470

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зайченко, Кузин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, травитель

...многочисленные травители для травления полупроводниковых м атериалов. В частности, широкое распространение имеют травители кислотно-щелочного типа.Однако вое известные травители не позволяют определить границу срастания подложка-пленка, так как кристаллы одинакового типа проводимости травятся в специальных химических травителях примерно одинаково,Цель изобретения - выявить границу срастания эпитаксиальной пленки арсенида галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости.Поставленная цель достигается тем, что травитель содержит ЗНМОэ+НГ+5 НгО и 6 ИаОН+НгОг в соотношении от одной до пяти весовых частей первого компонента на одну весовую часть второго компонента.Вышеуказанная жидкая смесь хорошо выявляет границу...

Номер патента: 309416

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: вакуул1ного, нанесения, пленок, полупроводниковых, соединений

...изобретения состоит в разработке устройства для нанесения в вакууме пленок полупроводниковых соединений, которое позволило бы получить пленки стехиометрического состава и структуры.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем замкнутую камеру, подложку и нагреватель, выбираются такие соотношения геометрических размеров камеры и температурных режимов, которые обеспечивают осаждение пленок из газодинамического потока в условиях малого пересыщения пара и интенсивного реиспаренич ма ас подложки и стенок камеры.Согласно теоретическому расчету и экспериментальной проверке, для полупроводниковых5 соединений групп АпВ" и Ап Б отношениедлины камеры к ее диаметру составляет 0,5 -1,5 при градиенте температуры вдоль...

Номер патента: 310594

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гар, Данилин, Райхлин, Татаринцев, Хренова

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральная, схема

...сечения трехслойной структуры.На фиг. 1,изображена интегральная схема, общий вид; на фиг. 2 - конструкция разводки по новой методике. 15Г 1 оверх кремниевых полос 1, в которых сформированы диодные структуры 2 и разделенны.;. изолирующими промежутками из ситалла 3, располагают токоведущие шины 4, перемы;. и 5 и контактные площадки 6. Шины и кон тактные площадки выполнены в виде трехслойной структуры алюминий-,ванадий-алюминий с толщиной слоев 0,1 - 0,3 - 0,6 лгк соответственно и соединены между собой перемычками 5, изготовленными в нижнем слое алюми ия толщиной 0,1,цк. Нанесение трехслойной структуры алюминий-ванадий-алюминий осу. ществляют вакуумным напылением. На фого.резисте, навеоенном поверх указанной структуры, создают рисунок...

Номер патента: 310597

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ков, Кремлев, Чутуев

МПК: H01L 27/06

Метки: 5nai, asбл, lhtw-gt, всесоюзная

...при этом парязитныЙ ток, я с 1 Гияльн 111 Контякт к кол,скторной Ооласти рас)олагяется в Оо,яст 1 минимального потенциала поля растекания.Многоэмиттерный транзистор выполнен попланарпо-эпптаксиальной технологии па ремз ппевой пластине р-типа и содержит эпитаксиальный коллектор с высоким удельным сопротивлением, в котором диффузией сформирована базовая область с омическим контактом.В базовой области расположены два или бо лее дифс 1)узпонных, адресных эмиттсров и одининфорхЯционпы 1. Коллектор имеет два невы- прям,чяющих контакта, один из которых является сигнальным, а второй - токозадающим.В данной констр кции ток одного илп песколь ких открытых адресных эмиттеров, протекачерез коллекторную область к токозадающему коллекторному...

Номер патента: 311224

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Борщ, Плеханов, Ходос

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: разбраковки, транзисторов

...возрастания его величины. Эти калиорованные сигн 1 лы, 1 тяк)к( СР Гнлпропорцион льный )од) л О коэффнцента усиления, снРхаелый с выхода измеряемого транзистора, подотс 51 на соответству 101 цие входы высокоастоРо 0 коутатрз Порядок включения и выключения каналов коммутатора 4 определяется пересчетой управляоще 1 схемой 7, выходы которой соединены с управляющихи входами в.сокочСтотного коммутатора.В первый момент производится поочсредсное включение двух каналов коммутаторов, на входы которых подаются Измер)емый и ка,Рброванн,Й сигналы От првого аттешоатора, В результате поочередного прохождения этИх сигналов через коммутатор на обИей выходий точке образуется высокочастотное, модулсированное по амплитуде напря)кеие, причем глуоина и...

Номер патента: 311317

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бабурин, Терентьев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, проверки, транзисторов

...включается и, следовательно, разгрузочный лоток 20 находится в исходном положении. При отклонении измеряемых величин от нормы измерительная схема включает электромагнит, который поворачивает лоток 20 и удерживает его в таком положении до окончания цикла, в результате чего транзисторы падают в другую тару,После окончания измерения кулачковый переключатель 19 выключает измерительную схему, толкатель 14 с контактами И отходят в крайнее левое положение, а каретка 7 с рассекателем б - в крайнее правое положение. Кулачок 4, действуя на отсекатель 3, отводит его, освобождая путь транзистору, который по разгрузочному лотку 20 падает в соответствующую тару.Затем цикл повторяется. Предмет изобретения Установка для проверки параметров...

Номер патента: 312549

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Кучин, Нижегородов, Шаповалов

МПК: H01L 21/00

Метки: 312549

...на пряжения, возникающие при разделке слитков. Он отличается тем, что отжиг кристаллов перед вплавлением проводят при температуре выше температуры вплавления, но ниже температуры активной термоконверсии для германия а-типа, в течение времени, которое превышает время вплавления в 5 - 6 раз, и со скоростью охлаждения не более 15 С/мин,.Способ осуществляется следующим образом.,Исходный слиток монокристаллического германия и-типа любым известным способом разрезают последовательно на пластины и кристаллы, после чего любым известным способом проводят химическую обработку поверхности кристаллов, например, травлением в НО+КОН, Кристаллы германия после обработки их,поверхности загружают в кассеты и помещают в водородную печь для...

Номер патента: 313179

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алена, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: высокочастотный, электромагнитный

...выходное напряжение, характеризующее изменение полного сопротивления (импеданса) измерительного элемента от толщины покрытия. дмет изобретен тй способ пленок нас целью покрытий странения икповения Высоизмеренеметаизмерена полвлияни Изобретение относится к области пленочной микроэлектронной техники, в частности, к области контроля и измерения толщины тонких металлических пленок, нанесенных на полупроводниковые или диэлектрические структу ры.Известен высокочастотный электромагнитный способ контроля, когда поле создается электроиндуктивным датчиком. Недостатком этого способа измерения является значитель ная погрешность измерения как толщины пленок, нанесенных на полупроводниковые структуры с диффузионными слоями, так и средней толщины...

Номер патента: 313180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аболтинь, Стикут

МПК: H01L 21/66

Метки: измеритель, полупроводниковых, свойств, слоев, электрофизических

...изменений зазоровконтакта образцов с металличесволновода и повышение чувствмерений с регулировкой ее в блах,левым излучателем (концом волновода). Наличие диэлектрических стерженьков позволяет исключить омический контакт образца с механическими частями волновода. Образец мо жет иметь любую форму, а в результате выбора определенного зазора между образцом и волноводом создается возможность увеличения чувствительности измерений на несколько порядков, что объясняется трансформацией 0 точки вносимого импеданса в удобную для измерения область.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена схема описываемого устройства, содержащего СВЧ-генератор 5 1, индикаторный блок 2, волноводный щелевой излучатель 3, к которому...

Номер патента: 313244

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Выдра, Климов, Палей, Потупайленко, Шаповалов

МПК: H01L 21/477

Метки: rtigt, диодассгсоюзная, полупроводникового, с-1блиотка, точечного, формовки, ц•"•, электрической

...примесей. Вследствие этого эффективность микродефектов и дислокаций как центров рекомбинации усиливается. Последнее обстоятельство отрицательно сказывается на электрических параметрах диодов и является существенным недостатком цзвестньгх способов электрической формовки.Цель изобретения - уменьшение влияниянеконтролируемого флуктуацпоццого распре деления центров рекомбинации в объеме р-иперехода за счет сглаживания термического удара при охлаждении отформованной структуры путем уменьшения общего градиента температуры и введения принудительного ох лаждения.Цель достигается тем, что процесс электрической формовки точечных полупроводниковых диодов на основе германия и-типа осуществляют с предварительным прогревом дио дов при температуре...

Номер патента: 313245

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Подкидышев

МПК: H01L 21/00

Метки: гибки, скручивания, тонколистового

...из матрицы, котораявыполнена в виде двух регулируемых рычагов б и 7 и гибочного пуансона 8, Рычаг 6 служит прижимом заготовки и одновременно ЗО формирует профиль гибки вместе с рычагом37 при помощи гибочного пуансона 8, срабатывающего от рычага 9 и кулачка 10. Пуансон 11 для скручивания заготовки имеет на рабочем конце конусный паз для ориентирования детали в первом рабочем цикле и для скру чивания детали во втором,На концевой части пуансона 11 жестко посажено зубчатое колесо, связанное с зубчатой рейкой 12, которая приводится в движение от 10 кулачка 13. Для придания пуансону 11 возвратно-поступательного движения служат рычаг 14 и кулачок 15. Толкатель 1 б (фиг. 4) при помощи рычага 17 производит подъем и опускание регулируемого рычага...

Номер патента: 313246

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Блакитный, Камуз

МПК: H01L 21/00

Метки: горизонтальный, лотковый, магазин

...из нижнеголотка 1, верхнего неподвижного лотка 2, штифтового отсекателя 3, верхнего съемного лотка 4, источников освещения фотодатчиков 5 и 6, 5 фотодатчиков 7 и 8, фокусирующих сердечников 9, 10, 11 и 12, катушек электромагнитов 13, 14, 15 и 16, сердечников электромагнитов 17, 18, 19 и 20, направляющих 21 и 22, основания 23.10 Фокуспрующие сердечники 9, 10, 11, 12 нсердечники электромагнитов 17, 18, 19, 20 выполнены из ферромагнитного материала, остальные детали выполнены из диамагнитного материала.15 Магазин имеет 4 катушки электромагнитов.Практически, в зависимости от длины магазина и количества ампер-витков катушек, можег быть разное количество катушек электромагнитов.20 Катушки электромагнитов 13, 14, 15 и 16имеют разное. количество...

Номер патента: 313247

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вавилова, Керпелев

МПК: H01L 21/02, H01P 1/06

Метки: вращающийся, переход

...переход в разрезе.Устройство состоит из неподвижного корпуса 1 и жестко соединенного с ним фланца 2, Внутри корпуса 1 помещено колесо с внутренними зубьями 3, два зубчатых венца которого введены в зацепление с зубчатыми колесами 4, 5 и б.Зубчатое колесо 4 вращается на оси 7, закрепленной на корпусе 1, а зубчатое колесо 5 вращается вместе с осью 8, которая является приводной. Зубчатые колеса б (их может быть одно, два или три) вращаются на осях 9, закрепленных на водиле 10, Зубчатые колеса 4,5 и б введены также в зацепление с одинаковыми зубчатыми венцами полой трибки 11, внутренняя полость которой является одновременно трансформатором. Трибка 11 вращается на шарикоподшипниках 12, укрепленных на колесе с внутренними зубьями 8.На...

Номер патента: 313252

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бутырский, Лебедев, Матлин

МПК: H01L 35/02

Метки: герметизации, термобатареи

...того, при малых межэлементных зазорах термобатареи (менее 1 мш) возникает опасность растекания припоя по пленке и за корачивания соседних полуэлементов.Цель изобретения - повышение надежности герметизации термобатареи от влаги ц предохранение ее от старения. Для этого при осуществлении герметизации с помощью пред ложенного способа на радиаторы, установленпые в специальном порядке, соответствующем коммутации термобатареи, кладется цельная пленка, например, полиимидная, полиэтиленовая и др. Сверху на пленку устанавливается 2 коммутационная шина. Для обеспечения контактной сварки радиатора и коммутационной шины пос,1 еднпе могут быть изготовлены из никеля нли меди с последуощим напылением на них слоя никеля или железа, Радиатор 3 илн...

Номер патента: 314159

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алена, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: высокочастотный, емкостный, параметров, пластин, полупроводниковых

...указывает удельное сопротивление полупроводника, а перемещениеэлектродов - толпину пластины,На чертеже, представлена схема измерения,1 - полупроводниковая пластина, 2 - сто з3 - электроды, 4 - емкостный датчик,- конденсатор настройки, б - вольтметр,7 - высокочастотный генератор, С - емкостьизмерительного элемента, 1. - индуктивностьизмерительного контура. ЗО Толщина и удельное сопротивление полупроводниковой пластины 1, поставленной на столик 2, измеряются полем электродов 8 емкостного датчика 4 по показателям перемещения датчика и напряжения на электродах в случае установления перемещением датчика резонанса в контур С 1,. При этом на точность измерения не будет влиять зазор и изменение диэлектрической ,проницаемости...

Номер патента: 314254

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зеньков, Лифл, Муп, Онегин

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...для а5 сборки.Цель изобретения - и иориентации кристаллов.Эта цель достигается тем, что плита с гнез.дами выполнена из основания с плоской ра 10 бочей поверхностью и рамки со сквознымигнездами, подвижной относительно основания, перемещение которой ограничено упорами; на двух взаимно перпендикулярных гранях рамки укреплены плоские пружины, под 15 жимающие рамку к граням основания.Благодаря этому кристалл базируется посвопм двум взаимно пересекающимся боковымграням, которые прижимаются к базовым боковым поверхностям гнезд, что значительно20 увеличивает точность ориентации кристаллов.На фиг. 1 и 2 изображена кассета; нафиг, 3 показаны гнезда с кристаллами до ихокончательной ориентации; на фиг. 4 - гнезда с кристаллами после их...

Номер патента: 314255

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубовский, Лифл, Онегин

МПК: H01L 21/00

Метки: fбиблг, всгсоюзная, пдтйт1п, у

...В результате повреждение деталей от механического воздействия отсекателя исключается.На фиг. 1 схематически показан вибробункер, вид сверху; на фиг. 2 представлены схемы поштучного отделения кристаллов.Предлагаемый вибробункер состоит из чаши 1 с винтовым лотком 2, в котором выполнено отверстие 3, соединенное со штуцером 4. Лоток 2 прерывается подвижным упором 5, имеющим возможность поворачиваться на оси 6. Возврат упора 5 в первоначальное положение осуществляется пружиной 7.На магистрали подвода вакуума к отверстию 3 расположен клапан включения вакуума, сблокированный с поворотом упора 5. Кристаллы насыпаются в чашу 1 и под действием вибрации поднимаются по винтовому лотку 2 до упора 5.Детали (кристаллы), занимающие у упора...

Номер патента: 314263

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Физико

МПК: H01L 39/04

Метки: криостат, размещения, сверхпроводящегорезонатора

...резонатора 3 крепят с помощью подвесок 4 к верхней части азотной ванны 5. Последнюю с помощью стоек 6 присоединяют к нижнему фланцу 7 внешнего кожуха 8 криостата. Гелий заливают через заливочный патрубок 9, который через сильфон 10 и патрубок 11 крепят к кожуху 8 с помощью вакуумного уплотнения 12. Азот заливают через заливочный патрубок 13, который через сильфон 14 и патрубок 16 крепят к кожуху 8 с помощью вакуумного уплотнения 16. Линии 17 связи выведены через нижний фланец 7 кожуха 8.При изменении температуры окружающей среды изменяется длина внешнего кожуха 8. Однако это не влияет на резонансную частоту резонатора и линии связи, так как механических нагрузок на резонаторе не возникает. Это объясняется тем, что азотная и гелиевая...

Номер патента: 315229

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Курносое, Лавровска, Романова, Тажирова

МПК: H01L 21/288

Метки: выступов, контактных

...одной пластины не представляется возможным.315229 Составитель А. Б. КотРедактор Т. 3. Орловская Техред 3. Н. Тараненко Корректор Л, А. Царькова Заказ 3154/12 Изд. Мз 1325 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3Разброс выводов по высоте затрудняет сборку матриц из-за отсутствия надежного электрического контакта.Целью изобретения является усовершенствование способа получения выводов в планарных полупроводниковых приборахпозволяющего увеличить механическую прочность и уменьшить контактное сопротивление выводов, обеспечить правильную геометрию и уменьшение разброса по высоте выводных электродов, полученных электролитическим...

Номер патента: 316135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Викин, Королев, Кравцова, Малькова

МПК: H01L 21/31

Метки: высокочастотного, кремниевого, планарного, транзистора

...производят в атмосфере сначала влажного, а затем сухого кислорода, причем время пропускапия влажного кислорода по предлагаемому способу увеличено. Пропускание сухого кислорода в конце процесса диффузии способствует уплотнению слоя стекла и уменьшению количества растворенной в нем воды, Таким образом, фосфорносиликатное стекло в предлагаемом способе не только не удаляют с поверхности окисла, но принимают ъ 1 еры для увеличе 1 гня толщины и повышения плотности его слоя, После образования слоя фосфорносиликатного стекла на поверхности окисла кремниевую пластину дважды помещают в кипящую азотную кислоту и держат ее там до полного ооесцвечивания кислоты. Затем пластину погружаот на 2 - 5 1 ин в кипящую серную кислоту. В известном спосоое...

Номер патента: 316136

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Линева, Малкин, Терман

МПК: H01L 21/66

Метки: монокристалла, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...перпендикулярном электронному пу ку, ц измерецце расстояния вдоль направления сканирования от границы косого среза на поверхности моцокристалла до той точки сечения, начиная с которой дифракццонная картина остается нецзхтецной.Сущность изобретения поясняется чер геПодготовка ооьекта к измерениям и последовательность операций при измерении толщины нарушенного слоя состоят в следую щем. Под углом а к плоскости образца с нарушенным слоем 1 делают косое сечение (шлиф), Технологию изготовления шлифа ьыбирают такой, чтобы толщина дополнительного нарушенного слоя, связанного с его изго. товлецисм, была минимальной. Дополнцтель. цый нарушенный слой удаляется химическим травлением, причем изучаемая поверхносп. предварительно покрывается защитным...

Номер патента: 316372

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Борюшкин, Думиш, Федорович

МПК: H01L 21/316

Метки: защитной, пленки, создания

...структур формируют двуслойную пленку, состоящую из двуокиси кремния и слоя свинцовосиликатного стекла.На транзисторные структуры, накоторых находится слой двуоки316372 25 Предмет изооретения Составитель М. Сорокина Техред Е. БорисоваКоррскгор В. Жолудева Редактор Б, федотов Заказ 2029/3 Изд.883 Тираж 400 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4,5 Типографии, нр. Сапунова, 2 ния, вакуумным распылением наносят слой свинца определенной толщины, затем окисляют свинец в атмосфере сухого кислорода, После окисления окись свинца сплавляют двуокисью кремния также в атмосфере сухого кислорода, причем толщину напыленного свинца, температуру и продолжительность...

Номер патента: 317007

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пантуев, Поплев, Прилипко

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, прибор, примесей

...12 переменного тока,5Описываемый прибор работает следующимобразом.Прн подключении контактов исследуемогообразца д к манипулятору па вход усилителя 5 высокой частоты поступает сигнал с амплитудой, пропорциональной барьерной емкости С образца, После усиления сигнала иего детектирования на вход дифференциального усилителя 7 поступает постояш ое напряжение Спо величине соответствуощее С, 15На второй вход дифференциального усилителя подано постоянное напряжеше С черезконтакты реле 8, Это напряжеш е равно напряжению па выходе детектора, если к манипулятору подключена эталонная емкость Сг,20вместо образца. Разница между У, и Г вслучае разбаланса усиливается в усилителе T.Полученное напряжение раз баланса= (lс - 1",1) К подается к образцу 3...

Номер патента: 317131

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бабад, Герт, Юшина

МПК: H01L 21/285

Метки: покрытия

...пара должно быть таким, чтобы кристаллографическая плоскость,параллельная плоскости подложки собственной текстуры покрытия, совпадала с кристаллографической плоскостью зерен подложки,5 определяющих выбранную компоненту текстуры подложки.Под собственной текстурой покрытия подразумевается та аксиальная текстура, которая образуется в конденсатах, создаваемых10 на кристаллонеориентированных (аморфных)подложках. Собственная текстура в основном определяется пересыщением пара.Способ иллюстрируется следующим при.мером.15 В покрытии на подложке из молибдена стекстурой типа (100) 110+ (111) 112 ++ 110 необходимо сохранить только текстурную компоненту (111) 112 ). Образова.ние покрытия производят конденсацией па 20 ров молибдена в вакууме....

Номер патента: 317132

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01L 21/66

Метки: 317132

...АВ, При этом индикатором ПДП летучего компонента пад получаемым соединением АВ, является удельное сопротивление самого образца. Образец приготовляется из кристалла соединения АВ в виде тонкой пластинки со средними размерами 0,1 КЗ,ОК К 15,0 люлю, Затем предварительно производят градуировку удельного сопротивления образца но известному давлению пара одного из чистых компонентов соединения (например, В), Для этого образец сб спектрально чистым компонентом В померцают в общий вакуумированный объем - кварцевую ампулу. ЗаВарцевую ампулу омщаю в двухсекционную печь, температурная зона которой представляет собой два регулируемых изотермических участка. Часть ампулы, в которой находится образец, помещается в высокотемгературной области....

Номер патента: 317133

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Тать, Удовик

МПК: H01L 21/00

Метки: головка, зондовая

...совмещения может быть выполнена в том же процессе напыления и фотогравировки напыленного металла. Толщина металлических полос 2 составляет 10 - 20 лк,я. В случае изготовления металлических полос 2 вакуумным напылением (с учетом малых размеров корпуса зопдовой головки) толщина отдельных полос отличается не более чем на несколько десятых микрона,С поверхностью металлических полос 2 жестко скреплены зонды 3, имеющие форму пирамиды или конуса. Зонды могут быть изготовлены путем гальванического осаждения с предварительным покрытием поверхности корпуса 1 и металлических полос 2 слоем кварцевого стекла, в котором плавиковой кислотой вытравлены окна над металлическими полосами. В этом случае гальваническоеосаждение металла, например, вольфрама...