H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1295468

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Антоненко, Ионов, Колясников

МПК: H01L 39/12

Метки: пленки, сверхпроводящей, структурой

...С жительности испарения состав сдвига-, ется к стехиометрическому в соответствии с формулой А В, и слой кристаллизуется с образованием структуры А 15. Причем кристаллизация происходчт по всему объему пленки беэ определенной направленности, поэтому не наблюдается преимущественной ориентации зерен, а размер зерна оказывается меньшим в сравнении со случаем прямой кристаллизации иэ параВ результате саморегулирования состава, близкого к стехиометрическому и однородного по объему, образующийся слой имеет высокую критическую температуру, узкий температурный диапазон перехода к сверхпроводимости ( 60,1 1 и большую плотность критического тока с меньшей зависимостью от магнитного поля из-эа более высокой концентрации центров пиннинга, Согласно...

Номер патента: 957690

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Кабанец, Лапицкий, Семин, Тарасевич

МПК: H01L 27/08

Метки: составной, транзистор

...пластине 1, например, из кремния и -типа проводимости, сформирован опитаксиальный слой 2 коллектора, например, из кремния п-типа, в котором сформированы слои 3 базы, например, р-типа проводимости., В слоях 3 базы сформированы слои 4 эмиттера, например, п-типа проводимости. Поверхности слоя 2 коллектора, слоя 3 базы и слоя 4 эмиттера покрыты изолирующим слоем 5. Выходящие на поверхность р - п-переходы эмиттера и коллектора находятся под изолирующим слоем 5. Через окна в изолирующем слое 5 к полупроводнико вым слоям 3 и 4 присоединены токоподводящие контакты 6-8, выполненные, например, из алюминия.Планарный составной транзистор состоит из нескольких каскадов, нап ример двух, соединенных преимущественно по схеме Дарлингтона....

Номер патента: 1297133

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Ермаков, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводниковых, потенциалов, раздела, структурах

...зоны самого узкозонного материала (Са Ая, фиг.1), и с интенсивностью, достаточной для достижения фотоЭДС насыщения, и измеряется временная зависимость фотоЭДС Ч,р (е) (фиг. 2), на которой четко вйдны характерные участки и изломы.При таком освещении наличие трех характерных участков и двух резких изломов между ними (фиг, 2, кривая 1) свидетельствует о спрямлении барьеров с, суй в Са Ая и последовательном достижении насыщения связанных с ними барьерных фотоЭДСВ области первого излома достигает насыщения фотоЭДС от барьера Ч . Поэтому, экстраполируя участок зависимости Чпосле первого излома к моменту начала светового импульса при с=0, находим су =ц Ч =0,22 эВ, где и - заряд электрона. Экстраполяцией участка зависимости Ч (1:)...

Номер патента: 1114253

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Галинский, Корольков, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительных, элементов

...алюминия ссеребром, При охлаждении после сварОки при температуре 390 С (согласнодиаграмме состояния) происходит пери тектоидная реакция распада пересыщенного твердого раствора с образованием интерметаллического соединенияМ + Ая А 1. Другими словами, должна происходить диффузионная перестрой 35ка кристаллической решетки пересыщенного твердого раствора с образованиеминтерметаллического соединения. Образование промежуточного слоя такогоинтерметаллида крайне нежелательно в 40силу того, что он повышает тепловоесопротивление, приводит к существенной потере прочности и пластичностижесткого непосредственного соединенияэлектрода из серебра или его сплавов 45с алюминиевой металлизацией, а это,в свою очередь, может лривестн к разрушению...

Номер патента: 1085437

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Кассихин, Овчаренко

МПК: H01L 21/18

Метки: полевых, транзисторов

...удаляют. На фиг. 1 показана полупроводниковая подложка первого типа проводимости после нанесения на ее поверхность 55 первого диэлектрического слоя из двуокиси кремния, второго диэлектрического слоя на нитриде кремния, первого слоя фоторезиста, формирования в этих слоях отверстий и легирования через них примесью первого типа проводимости для образования диффузионного слоя в приповерхностном слое полупроводниковой подложки; на фиг.2 третий диэлектрический слой, нанесенный на поверхность полупроводниковой подложки после удаления первого слоя фоторезиста в отверстиях в первом и втором диэлектрических слоях, после удаления первого и второго диэлектрических слоев; на фиг. 3 - дополнительное нанесение второго слоя фоторезиста и...

Номер патента: 890845

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Дерновский, Заргарьянц

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: излучающего, перехода, характеристик

...оптической оси устройства. Выход фотоприемника 5 соединен с блоком 6 обработки измерений. Другой вход блока обработки измерений соединен с дополнительным Фотоприемником 7, освещаемым источником 8 подсветки, расположенным на противоположной от фотоприемника 7 стороне диска 4 вращения, На диске 4 выполнены щель 9 переменной ширины, дискретный ряд неперекрывающихся щелей 10 постоянной ширины и круговая щель 11 постоянной ширины, центр которой смещен относительно центра диска 4 на расстояние 1.Щель 9 переменной ширины и круговая щель 11 могут иметь узкие равномерно расположенные разрывы по длине окружности, Это позволяет иметь размерные метки на горизонтальной и вертикальной осях экрана осциллограФа или при записи результатов...

Номер патента: 1097139

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...минимальном напряжении между затвором, истоком и подложкой для одного транзистора другой транзистор смещен только по подложке, а для уменьшения потребляемой мощности используют длинноканальные МДП-транзисторы, имеющие большое значение коэффициента влияния подложки на пороговое напряжение.В качестве нагрузок может быть использовано несколько последовательно включенных МДП-транзисторов с обеднением, затвор и исток каждого транзистора соединены между собой.Недостатком такой нагрузки является большая потребляемая мощность. При минимальном напряжении между истоком, затвором и подложкой для последнего транзистора остальные транзисторы смещены только по подложке, так как затворы соединены с соответствующими истоками, а для уменьшения...

Номер патента: 707455

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Коган, Лифшиц

МПК: H01L 21/66

Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени

...устанавлчвают индукцию магнитного поля, обеспечивающуюравенство единице отношения холл-факторов образца и эталона, ЭДС Холлаизмеряют при любой произвольно выбраиной температуре из области температур вымораживания примесей и вычисляют степень компенсации примесей поформулеэт эт -1 55Чх й 1: 1+( -- . 1).К" ЧРХ Нгде К - степень компенсации исследуемого полупроводника; 55 2.К э - степень компенсации эталонэтного полупроводника; Ч и Ч - ЭДС Холла исследуемого полупроводника и эталона;этЙ и д- толщины образца и эталона;1 и 1- токи через образец и эталон.Сущность способа состоит в том, что измеряют ЭДС Холла на контактахэтэталона Ч и исследуемого образцаэт7, а также токи 1 и 1 , причем из.мерения проводят только при одной ., произвольно...

Номер патента: 845680

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Гридчина, Сухов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, пленок, поликристаллического

...проводят с тжиг в течение5-20 мин и диращивание п:ецки цо тре -буемой толщины при температуре царащи -вания затравочтого слоя 3 тттт Ьт)"т ат,т К р (,т 3 1 13 тт ГГ т З И:";Р.т Я Г Я (Т ЯЦР 13Ож1тт ,3 гтттттт;т(ттт " тт" тт г. -т Ц, тЬг" )3 г Г1, ) 1т Т "1 Р т т т11Х Рт:7;)( (И а 1 ЛИ а И г 3, 1; ( тт.3"г Р -Р 333 М ЗГ( ИР ЕЦК ) Р( ".:13 Гт:3 Ц(М ". РтР;)17 г;О.т,т:т" ,Г Г(т ЯЦЯЮ 7 Г Я 1 (г гИ (тг Г"Гт.т1 (тдг:Г 3 Мт)Ь.Г Иата Ь 1 а 3 Т РИИ Г ;в 13 ц ц(г(Х)ти; ЛЛ 51 Т 1 ИТбтт ( - Р 1" ТИ 7 1 (Ц У Ц(1 КЭИГТа тгти.т(.КГ -И К)ГМИИ я 1 НРбх 5 ИМИЙ ТИ(тт 33 т, ,аРГ"ц 1ЦКИ 1.1 3 й (Тгтпитт Т 1 Ь)Р го тле(; У)т тг)И тЕЕ 3 Г ; Ра т)Ц(тт(т,Гт г,3 т( ( , ( т, т 1 ггтг"51 ст) 3(Й Г ч 13:.(тттт 7 т К г Рг( ,"3 г 33;И тЕПИТап. 3 гтг3(пттни тРг)гти...

Номер патента: 1305901

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Бабайлов, Котляревская, Кубышкин, Курский, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, полупроводниковых, приборов

...охлаждаемого полупроводникового прибора 9.При сборке охлаждаемых силовых полупроводниковых приборов таблеточного типа в столбы плоскопараллельные стенки корпуса испарителя своими установочными площадками 1 и 2 соприкасаются с основаниями этих приборов 9, и в процессе стягивания их, например, стяжными винтами 10 каждая из указанных пар испытывает прижимные усилия. Внутри каждого испарителя происходит самоустановка шаровой опоры в положение, которое она занимает в непосредственной зависимости от степени взаимной непараллельности каждой пары контактирующих поверхнос 1305901тей. Возможность такой самоустановки обеспечивается наличием по меньшей мере одного на испаритель гибкого элемента 5, позволяющего изменять положение установочных...

Номер патента: 644211

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вул, Петросян, Фистуль, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 31/00, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...к освещаемой поверхности, контакты которого расположены вплоскости, перпендикулярной направлению градиента.Фотогальваномагнитный датчик работает следующим образом.При,помещении пластины полупроводника в магнитное поле, перпендикулярное направлениюосвещения датчика,наконтактах, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению градиента ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитная ЭДС, величинакоторой зависит от,напряженности магнитного поля,Известные фотогальваномагнитныедатчики не позволяют измерять величину магнитного поля с достаточновысокой чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности к магнитному полю.Это достигается тем, что градиентширины запрещенной зоны дЕ выбраниз условия: 2Т "...

Номер патента: 1310923

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Раннику, Фишер

МПК: B05C 1/06, H01L 21/56

Метки: герметизирующего, изделия, нанесения, покрытия

...покрытия на изделия; на фиг, 5 - разрез Б-Б на фиг.4;на фиг. б - держатель изделий (кассета) в двух проекциях; на фиг. 7разрез В-В на фиг, б.Устройство содержит основаниена котором установлена ванна 2 длягерметиэирующего состава, дозатор материала покрытия, выполненный в видепланки 3 с пазом 4. Механизм подачиматериала покрытия выполнен в видешарнирно-рычажного механизма с кривошипом 5, шатуном б и ведомым звеномв виде рычага 7, на котором установлен ведомый элемент 8 с планкой 9.Механизм подачи изделий выполнен ввиде шарнирно-рычажного механизмас кривошипом 10, шатуном 11 и ведомымзвеном в виде рычага 12, на которомзакреплен держатель 13 изделий 14,Устройство работает следующим образом,Герметизируемые изделия 14 устанавливают на...

Номер патента: 1310924

Опубликовано: 15.05.1987

Автор: Антонов

МПК: H01L 21/60

Метки: выводных, гребенок, интегральных, кассета, корпусам, крышек, микросхем, присоединения

...3 и пазов2 э 4. В основании 1 выполнены окна 5 для размещения выступов 6 прижима. 2. Устанавливаемые в кассету для сборки элементы интегральной микросхемы представляют собой корпус 7, крьшку 8, выводные гребенки 9, пластины 10 припоя и рамку 11 припоя. Элементы фиксации крышек 8 и выводных гребенок 9 относительно корпусов 7 микросхем выполнены в виде Ч-образных пазов 12 и 13, выполненных соответст венно в прижиме 2 и в основании 1. Пазы 12 прижима 2 имеют плоское дно 14, а пазы 13 основания 1 - гнезда 15 для размещения крышек 8 и уступы 16. 4 ОКассета работает следующим образом.В гнезда 15 устанавливают крышки 8 с рамкой 11 припоя и на них устанавливают корпуса 7. На стенки пазов 13 основания 1 устанавливают выводные гребенки 9 и...

Номер патента: 1312709

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Гардашов, Гурбанов, Тюленев, Юсуф-Заде

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: двигатель, двухкоординатный, пьезоэлектрический

...жестко скреплен с подвижнымэлементом 10, а с другой расположенв вертикальном пазу 13,Двухкоординатный пьезоэлектрический двигатель работает следующим образом,Для продвижения рабочего органа4 по горизонтальной координатнойоси (например, влево) напряжение отисточника питания подается на фиксирующий пьезоэлемент - стопор 12, Приэтом последний за счет собственнойдеформации создает механический контакт с вертикальным пазом 13, объединяя рабочие органы 4 и 5 друг сдругом. Совместное продвижение рабочих органов осуществляется возбуждением пьезоэлементов 7 и 9 от источника переменного напряжения, в татаком случае другие пьезоэлементы 6и 8 осуществляют подтормаживание.Для продвижения подвижного элемента 10 по вертикальной координатной оси...

Номер патента: 1314400

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Гулидов, Звероловлев, Приходько, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...изотропным направлением, для плоскостей типа (111) - преимущественно с направлением типа (110) , Резку слитка на пластины проводят инструментом, режущая кромка которого содержит абразивные зерна разного размера и/или разной твердости на разных сторонах отрезного инструмента. При этом слиток ориентируют так, что в качестве рабочей стороны используют сторону, обработанную более мелким абразивом.Размер основной фракции абразивных зерен на разных сторонах инструмента должен находиться в соотношении 1:0,4-1:0,6.,В качестве более твердого абразива выбирают алмаз, а в качестве более мягкого - сапфир или корунд в соотношении размеров основных фракций 1:1-1:08.Способ резки обеспечивает формирование асимметрично деформированных нарушенных слоев на...

Номер патента: 1314401

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Гулидов, Звероловлев, Приходько, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...качестве твердого абразива берут алмаз, а в качестве мягкого - сапфир. или корунд, После установки круга относительно слитка производят его резку;Глубина деформированной обпасти существенным образом зависит от кристаллографической ориентации направления абразивного воздействия. При направлении движения абразивных частиц вдоль 11121 достигается максимальная склерометрическая твердость, а минимальная соответствует противоположному направлению типа 112,Если вдоль хрупкого направления типа 11121 движутся более крупные или твердые абразивные зерна, а вдоль более пластичного направления типа 1121 - более мелкие или менее твердые абразивные зерна, глубина нарушений выравнивается и пластины не подвергаются излишнему короблению. Так как согласно...

Номер патента: 1317522

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Безуглов, Браташ, Жолобов

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...11 закреплены таблетки 12 полупроводниковых приборов с выводами 13 и 4.Шпильки 7 одной стороной ввинчиваются в охладитель 8, а другой стороной закрепляются на панели б, причем две из них закрепляются с помощью гаек 15, а две - с помощью накручиваемых стоек 16. На этих стойках крепятся блоки 17 выравнивания напряжений.Блоки 17 выравнивания напряжений содержат изоляционную панель 18, элементы )хС-цепей - емкости 19, резисторы 20 и выводы 21, 22. Выводы 21 и 22 блока7 выравнивания напряжений соединяются с вы водами 13 и 14 блока 5 полупроводниковых приборов электрическими проводниками 23.На каждом блоке 5 полупроводниковых приборов устанавливается блок 17 выравнивания напряжений. Расстояние между ними выбирается из условия...

Номер патента: 1320667

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Ибраимов, Кринов, Олейников, Палант, Соболевская, Степнов, Херсонский

МПК: G01J 1/04, G01N 21/958, H01L 21/66 ...

Метки: качества, оптически, пластин, прозрачных

...фототока усиливается усилителем 12, логарифмируется и черезблок 14 управления поступает в блок15 памяти вычислительного прибора.Затем включается реле 5 и плоская диафрагма 3 заменяется объемной 4. Вэтом положении фотоприемником 2 регистрируется излучение, прошедшеесквозь образец 11 без изменения направления и вектора поляризацииЗарегистрированный сигнал логарифмируется и через блок 14 управления поступает на схему 16 вычитания. Одновременно на схему вычитания из блока 15 памяти поступает первый сигнал.По величине разности сигналов определяется разность линейных коэффициентов поглощения материала при первом и втором измерениях.В положении, показанном на чертеже, измеряется оптическое пропускание материала (измеряются...

Номер патента: 1325603

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Альтман, Головнин, Рифтин, Столбов, Церфас

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности...

Номер патента: 673086

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Лаупмаа, Тийкмаа

МПК: H01L 27/04

Метки: генератора, интегральная, стабильного, схема

...металлизации 10;4 дорожки металлизации 11, 12, 13,14, 1 б, 17, 18, 19 полупроводниковыхэлементов;цорожка металлизации 15 начального источника к отрицательной шиненапряжения питания,На фиг.2 представлен полупроводниковый элемент генератора стабильного тока, где изображены:изолирующий окисел 20,и подконтактная область 21 к базе латерального транзистора (нижнийзатвор полевого тетрода);изолирующий окисел "карман" 22;пф скрытый слой 8;30 35 40 45 50 55 монокристалл полупроводника и-типа, база латерального транзистора 23;и+ верхний затвор полевого тетрода 3;р - канал полевого тетрода 24; р+(р) сток полевого тетрода 5; р+(р) исток полевого тетрода и коллектор латерального транзистора 2,р+(р) эмиттер 7 р-и-р латерального...

Номер патента: 1330601

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Вишневский, Лавриненко, Полонский, Хаин, Шомштейн

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: привод

...Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Иэобре те нне относится к при боростроению и может быть использовано вкинотехнике и других областях техники для наматывания ленточного материала в рулоны на бобины.Цель изобретения - уменьшениеэнергозатрат при реверсировании путем снижения прикладываемого момента.На фиг. 1 показан предлагаемыйпривод, общий вид; на фиг. 2 - раэ -рез А-А на фиг, 1,Пьеэокерамический осциллятор 1расположен на статоре 2, в подшипниках ,не показано) которого установлен вал 3 с установленной на нембобиной 4 для киноленты (не покаэана) Вал 3 соединен с ротором 5; наповерхность фрикционного взаимодействия опираются упругие толкатели 6,укрепленные на поверхности осциллятора 1. Возле...

Номер патента: 1330676

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Горбань, Одулов, Олейник, Соскин

МПК: G01N 21/00, H01L 21/66

Метки: дефектных, диэлектрических, материалах, положения, полупроводниковых, примесных, уровней, центров, энергетического

...угол из этого диапазона. В данном случае =2.Экспонирование светом производят до тех пор, пока дифракционная эффективность 1 решетки, записываемой в кристалле, измеряемая при помощи дополнител.ного тестирующего лазера с неактивным излучением, не достигнет заметной величины, не превышающей 0,01-0,02. В этом случае дифракционная эффективностьоказывается прямо пропорциональной квадрату изменения показателя преломления п, что облегчает пересчет полученных температурных зависимостей.После экспонирования, как и во всех способах определения энергетической структуры по термостимулированным процессам, образец подвергают нагреву; наиболее удобным с точки зрения последующей расшифровкй температурных зависимостей является линейный по времени...

Номер патента: 1064807

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Голенков, Никотин, Сафаров

МПК: H01L 23/00

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...и низкое пробивное напряжение.25Целью изобретения является упрощение конструкции и увеличение пробивного напряжения.Цель достигается тем, что в корпусе полупроводникового .прибора, содер- З 0 жащем баллон из цоколя и керамического изолятора, в отверстия которого помещены металлические трубки, и ножка, состоящая из фланца с запрессованной медной вставкой, термокомпенсатора, прикрепленного к медной вста" вке, и токопроводящих выводов, при этом ножка снабжена керамической втулкой, коаксиально расположенной сбаллоном и образующей полость заУ 40 полненную защитным покрытием, причем втулка одним торцом соединена с фланцем, а другим с - токопроводящими выводами. 07 2На фиг.1 показан общий вид корпуса, на фиг.2 - конструкция ножки; на фиг.З...

Номер патента: 1332417

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Коновалов, Рахманова, Родштейн, Солодовник, Тренихин

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямительное

...ток тогда,когда потенциал их анодов становитсяниже общего потенциала катодов, Переход тока от фазы а к фазе Ь происходит при нарастании напряжения нафазе Ъ, которая становится проводящей, и т.д. в соответствии с изменением величины переменного напряженияпо фазам. Выпрямленный ток проходит по групповому охладителю 1 и по радиальным шинам 8 и 9 к контактной площадке 10Тепло, выделяющееся при работе выпрямительного устройства, отводится хладагентом, циркулирующим в полом групповом охладителе 1, соединенном с системой охлаждения через штуцеры 11. 172На фиг. 3 стрелками показаны направления протекания переменных и пульсирующих выпрямленных токов по подводящим и отводящим шинам для одной фазной группы, где эти токи направлены встречно друг...

Номер патента: 1102410

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Даненгирш, Ефремов, Затолока, Пчелинцев

МПК: H01L 21/02

Метки: детекторов, излучений, ионизирующих, полупроводниковых

...300-400 С, а затем резкоохлажденному до комнатной температуры(закалка), возникшие при закалке элек трически активные дефекты отжигаютсяв вакууме полностью за приемлемоевремя, только начиная с температурыо120 С, Минимальная продолжительностьотжига при этой температуре, необходимая для снижения концентрации дефектов закалки до уровня, при котором они не влияют на качество детекторов и ионизирующих излучений (менее10 ф см ), составляет 16-20 ч. При ЗОменьшей температуре продолжительностьотжига дефектов закалки резко возрастает и составляет, например при температуре 110 С, около 200 чПроведение такого длительного отжига в про 35цессе изготовления детекторов является нежелательным, поскольку это резко увеличивает время изготовления...

Номер патента: 1333860

Опубликовано: 30.08.1987

Автор: Аппель

МПК: F04D 29/66, H01L 41/22

Метки: упрочнения

...5, соединенный патрубком 6 с полостью 7 внутри статора 1, В патрубке 6 установлен шибер. 8. В нижней части статора 1 расположен патрубок 9 и шибер 1 О для удаления ферромагнитного порошка 5 из полости 7. Снаружи статора 1 расположены соленоиды 11, создающие магнитное поле для нанесения покрытия 12 на вал 3.Способ реализуется следующим обраразом.В процессе работы машины при увеличении нагрузки на вал 3 свыше номинальной на него наносят покрытие 12. Для этого открывают шибер 8, рассеивают над валом 3 через патрубок 6 ферромагнитный порошок 5 и воздействуют на вал 3 магнитным полем, вклю 33860 2чая для этого соленоиды 11, Вал 3намагничивается, притягивает"к себепорошок 5, образующий покрытие 12.Сечение вала 3 увеличивается, и он 5может...

Номер патента: 999784

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Голубев, Ефремов, Пчелинцев

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: датчик, излучений, охлаждаемый, полупроводниковый, ядерных

...и температура головногокаскада предусилителя, находящегосяближе к хладопроводу криостата. Однако известно, что оптимальная рабочаятемпература полевого транзистора,входящего в головной каскад предусилителя, значительно выше (120 - 160 К),чем оптимальная рабочая температураППД, которая составляет 70-90 К. Таккак при данной конструкции датчикадиэлектрическая прокладка, на которойзакреплен ППД, должна быть изготовлена из материала с высокой теплопроводностью, то введение подогрева головного каскада предусилителя, частоиспользуемое в подобных датчиках,вызовет одновременное повышение температуры ППД,Целью изобретения является повышение энергетического разрешения путем обеспечения оптимальных рабочихтемператур ППД и головного...

Номер патента: 1339694

Опубликовано: 23.09.1987

Автор: Москвичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, радиодеталей, сортировки, электрическим

...контргайкой, вкрученного в планку 19, которая связана с кронштейном 17, Винт 18 упирается в рычаг 14,5обеспечивая необходимое положениеконтактной головки 13 относительнонаправляющей 12.В зоне контактирования поверхность 10опорной плить 1 8 снабжена изоляцион- .ной накладкой 20.Внутри контактных головок расположены подпружиненные электроды 21, которые подключены к измерительномублоку.Для обеспечения надежности работы.контактной головки 13 между электродами 21 расположена изоляционнаяпластина 22, обеспечивающая изоляциюэлектродов 21 между собой,Механизм сортировки измеренных радиодеталей по группам выполнен в виде управляемого электромагнита 23,якорь 24 которого кинематически связан с подпружиненным шибером 25, имеющим возможность...

Номер патента: 1176794

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Андрийчук, Васильцив, Захарко, Цветкова, Шейнкман

МПК: H01L 31/08

Метки: излучения, материал, приемников, ультрафиолетового, фоторезистивных

...Раушская наб д, 4/5 Заказ 4358 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4,Изобретение относится к области электротехники и электроники, в част" ности, может быть использовано дпя изготовления простых малогабаритных приемников ультрафиолетового (УФ) излучения, чувствительных в диапазоне длин волн 230-320 нм, с целью применения в медицине, биологии, сельском хозяйстве и других областях.Целью изобретения является расширение области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до 300 нм.П р и м е р 1, Просушенные окислы галлия и индия берут в количестве 3,65 г Са О, и 1,35 г Хп О, что соответствует 80 мол,% Са О и 20 мол.% Хп О в расчете на 5 г твердого раствора Са, Хп 40...

Номер патента: 608383

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Гольбрайх, Кравченко, Плотников, Шубин

МПК: H01L 31/00

Метки: импульсов, регистрации, световых

...напряМДП-структуры с линейной нарастаюженность электрического поля в припощей вершиной. верхностной области полупроводникаНа чертеже представлено устройство 10 достаточна для возникновения процесдля реализации предложенного способа, са ударной ионизации, что позволяетгде 1 - МДП-структура, 2-сопротивле- осуществить фоторегистрацию световогоние нагрузки, 3-импульсный источник импульса с усилением, Могут быть иснапряжения, 4 - линия задержки, 5 - пользованы МЦП-структуры 1, изготовзадающий импульсный генератор, вклю ленные на основе кремния типа КДБчающий источник света, 6 - импульсный (кремний дырочный, легированный боисточник света, 7 - фокусирующая сис- ром), концентрация носителей в кото 16тема. ром варьируется в пределах 1 ОЬ...