H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1613208

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Козлов

МПК: B07C 5/08, H01L 21/66

Метки: параметрам, радиодеталей, сортировки, электрическим

...результатов измерения, Устройство работает следующим об 1 Я ЗОМ.Радиодетали 7 с выводами 20 загруженнь.с, ндвалом в чашу вибрсбункера 1, перемешаются по спиральному лотку 2. Зя счет наклоня верхней стенки лагка пс отношению к нижней стенке радиодетали 7 которые в начале лотка чягтично наглоились вторым слоем, сосяльзывяют в чашу. Таким образом радиодетали поднимаются полотку в цин слой прижимаясь к задней стенкг лотка карпсом и одним из; гвыв дав 0. При цвикении по лотку кари сом вперед (Фиг,3) радиодеталь свооодно проходит мимо в .,еза 11 и упаря 10, При движении радиодетали вывоцами 20 вперед (Фиг,111 ывод гри кимающийся к задней стенке лотка, у сираегся в упор 10, под действием вибрации корпус радиодетали при этомотходит...

Номер патента: 1614148

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Бансявичюс, Бисигирскис, Рагульскис

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: микроэлектронных, охлаждения, узлов

...би 35Морфного пьезокерамического вибро.возбудителя 1,Устройство для охлаждения микроэлектронных узлов работает следующимобразом.40Подача переменного напряжения наэлектроды 4 и 5 пьезокерамическихпластинок 2 вызывает колебательныедвижения частей электродов 4 и 5 в 45противоположных фазах. Фазы колебаний частей электродов 4 также, каки частей электродов 5 обоих пьезокерамических пластинок 2 совпадают,так как обо указанные пластинки 250поляризованы по толщине в одном на-правлении, Это приводит к изгибу пла-;стины 3 из металла основания биморфного пьезокерамического вибровозбудителя 1, Формы которого в противопо 55ложных фазах показаны на эпюрах(Фиг,2 а,б). Передняя часть пластины3 из металла на эпюрах показана прямой линией, так как...

Номер патента: 1398707

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Гришин, Пермяков

МПК: H01L 39/00

Метки: вихрях, информации, магнитных, накопитель

...канал продвижения 8. Пересечение 9 440канала 5, выполненное подобным образом соединяет канал 5 с соседним каналом 10. Между участками сверхпрово"дящей пЛеики, содержащими группы камалов с общим управлением, выполнены45мостики 11 из того же сверхпроводника, что и планки, и содержащие ответвления и пересечения каналов продвижения, принадлежащих смежным плен.кам. 50Устройство работает следующим образом.В начальный момент токи в сверхпро 55водящей пленке 4,и токовых шинах 2 отсутствуют. В каналах продвижения 5 находятся ранее введенные МВ б,стремя- щиеся занять место наименьшей толфщины сверхпроводящей пленки, Поэтому МВ фиксированы в каналах продвижения и дополнительно Фиксированы в местах скрещения щин с каналами. При подаче в...

Номер патента: 1410790

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Ефремов, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: резонатора, сверхпроводящего

...и устройств для высокочастотнор го удержания плазмы.Цель изобретения - исключение бра" ка за счет питтингообраэования.Сверхпронодящийрезонатор иэ ниория помещают н ванну с полирующим электролитом в качестве анода. Иежду катодом и анодом подают напряжение и снимают нольт-амперную характеристику. На каждом участке существования периодических явлений (колебаний тока) существует очень узкая область, в которой полностью исключается брак эа счет питтингообразования. Эта узкая область соответствует границе области существования странного аттрактора. Обнаружить ее можно следующим образом. При потенциале анода более высо" ком, чем потенциал, соответствующий переходу к области странного аттрактора, система совершает периодические колебания одной...

Номер патента: 1552940

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Баргий, Дзян, Мацкевич

МПК: G03F 9/00, H01L 21/312

Метки: знаков, подложке, полупроводниковой, совмещения, формирования

...позволяет получить поверхностьуглублений с раэвитыл рельеФом. Этоспособствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повышает их контрастность. 3 ил. П р и м е р. Кремниевые подложки ,1 (см,. Фиг. 1) диаметром 100 мм ориентацией (100) и (111) оисляются до толщины окисла 500 А или 1000 А. На часть пластин наносится слой нитрида кремния толщиной 1500 А. Насу 2 для травления знаков совмещения получают методом проекционной Фотолитографии, Размер ячейки знака совмещения Зк 3 или 5 х 5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,014)авитель В.Руед Идидыке иа е ю ю е ю а Со Те едактор Т.Иагова аа а Заказ 4333 ВНИИПИ Госу Тираж 461комитета поМосква Ж"3 Подписноезобретениям и открытияРаушская набе д 4/5 ГКНТ СС...

Номер патента: 1421189

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Айвазов, Немой

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, поликремний-окисел, структур, травления

...37,5 Па.Выключают генератор и устанавливаютанодное напряжение, соответствующееЯудельной мощности разряда 0,12 Вт/см .Эту стадию процесса ведут в течениевремеиир определенного из аиалитйческого выражения, исходя иэ заданногоухода размера элементов относительномаски. В табл. 1 и 2 приведены даи"иые, обосновывающие выбор режимовтравления на каждой из стадий про"цесса,Определение коэффициентов Ы ипроизводят следующим образом.Поскольку зависимость Ч, от Бтр в режимах второй стадии определяетсявыражением Чр то графике Б+Ъзависимости 1/7(Б) представляет собой прямую линию, Из наклона прямой, построенной по экспериментальным данным для режима второй стадии, вычисляют величину ос, а значение 1 Ь - путем экстраполяции к значению Б.=...

Номер патента: 1436775

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления

...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...

Номер патента: 1617488

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Буянов, Киселев, Митрофанова, Пушкарев

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой

...2 и расположенные параллельно каждой из четырех его граней, причем охладитель 2 выполнен в виде куба и полупроводниковые приборы 1 установлены на одну или несколько его граней, Кубические охладители 2 с полупроводниковыми приборами 1 и прижимными устройствами 3 стянугы вместе через диэлектрические вставки 5 и уплотнительные прокладки 6, имеющие каналы 7 для прогока охлаждающей жидкости через кубический охладитель 2 (фиг. 3 и фиг 4). В кубическом охладителе 2 на одной иэ граней в местах пересечения каналов 4, образующих буквы М, выполнены трубки 8 с наружным оребрением (фиг 5)Силовои полупроводниковый модуль работает следующим образом (фиг, 1 фиг 1)Теплота, выделяемая полупроводниковым прибором 1 при прохождении через него тока нагрузки...

Номер патента: 1617489

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Абдуллаев, Ермаков, Копнин, Пятницкая, Сербулов, Судаков, Тимаков, Шургин

МПК: H01L 25/03

Метки: умножитель

...входящих в умножитель напряжения,На фиг, 3 представлен пространственно-аксонометрический чертеж, определяющий топологию стопки обкладок 6, 7, 9 и 11, нанесенных на керамические слои 19 - 22 и образующих соответственно конденсаторы С, Сз и С, и оасположенные рядом стопки обкладок 15. 16 и 18, составляющие конденсаторы С 2 и С 4 Обкладки конденсаторов каждой стопки соединены между собой проводниками в отверстиях, образованных в керамических платах и показанные на фиг, 3 штрих-пунктирными линиями. Этими же линиями показаны проводники в отверсти 1617489ях, соединяющие обкладки конденсаторов с высоковольтными столбами 1, Проводники в отверстиях (так же как и обкладки конденсаторов) образуются в процессе термиче ской обработки...

Номер патента: 1617556

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Булушев, Гуров, Дианов, Кузнецов, Охотников, Шурухин

МПК: H01L 41/053, H02K 41/03

Метки: линейный, шаговый, электропривод

...к электротехнике, в частности к линейным шаговым электроприводам, и может быть использовано в приборостроении, точном машиностроении, робототехнике.Цель изобретения - улучшение эксплуатационных характеристик за счет устранения микровибраций, упрощение управления движением и обеспечение возможности удержания фиксаторов при отключенном питании,На фиг.1 схематически изображен предлагаемый электропривод; на фиг.2 - эпюры сигналов, подаваемых на тяговые элементы.Привод состоит из фиксаторов 1 - 3, изготовленных.например, из постоянного магнита в форме параллелепипеда, тяговых элементов 4 и 5, помещенных соответственно между парами фиксаторов 1, 2 и 2,3 и расположенных соосно направлению Х, опорного элемента 6 и блока управления,Тяговые...

Номер патента: 1619359

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Абраров

МПК: H01L 23/04

Метки: кристаллы, ориентированного, пластины, полупроводниковой, разделения

...материала.Плотность силы разламывания пластинОна кристаллы в ячейке в первом случаеопределяют из выражения(4) Поскольку наиболее ответственным участком при разделении пластины является ячейка с зазором (Е + д) и именно параметры этой ячейки обуслов- ливают процесс беспрепятственного разламь,вания пластины на кристаллы, то необходимую напряженность электрического поля и плотность силы раэламывания определяют из выражений (2) и (4).При этом толщинаи диэлектрическая проницаемость Е пленочного материала известны. Например, для материала полиэтилентерефталат ПЭТФ толщина пленок составляет 10-12 мкм, Я = = 3, 1, для фторлона ФБА 10 мкм, Е = = 8,6. Задаваясь, например, напряжением питания устройства в 1,6 кВ, определяют необходимую...

Номер патента: 1619437

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Макунин

МПК: H01F 27/08, H01L 23/34, H05K 7/20 ...

Метки: охлаждения, электрорадиотехнических, элементов

...приводного механизма 4 прерывается, свободный конец пластины 3 силами ее упругости отклоняется в противоположную сторону, Колебание пластины 3 происходит с максимальной амплитудой электромагнитного приводного механизма 4, равной основной собственной частоте колебаний пластины 3, т.е. при соблюдении условий механического резонанса. Добротность упругой пласти-. ны 3 как колебательной системы определяется коэффициентом пропорциональности между амплитудой изгиба и максимальным отклонением свободного конца пластины 3, Если условия механического резонанса не соблюдаются, то отклонение свободного конца пластины незначительно и охлаждение неэффективно.Кроме того, рекомендуется выбирать частоту колебаний упругой пластины 3 ниже области...

Номер патента: 1619438

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Шульга

МПК: H01L 23/24, H05K 7/20

Метки: радиатор

...при ГКНТ СССР 113035, Москва,.Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, Ю 1 ности.На фиг.1 показан радиатор, видсбоку, на фиг.2 - то же, вид сверху,Радиатор содержит полуцилиндрический корпус 1 с подводящим 2 иотводящим 3 штуцерами., В центре цилиндрической части корпуса 1 размещено цилиндрическое теплоотводящееоснование 4 с образованием П-образного канала для прохождения хладагента. В Ц-образном канале вокругцилиццрического основания 4 перпендикулярно его продольной оси размещены перегороцки 5 с образованиемпараллельных Б-образных секций 6,Секции 6 сообщаются между собой состороны подводящего 2 и отводящего3 штуцеров, Радиатор имеет две монтажные поверхности 7 и...

Номер патента: 1552948

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Баженов, Бунков, Ефремов, Масалов, Ри, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: резонатора, сверхпроводящего, цилиндрического

...(ТКЧ), стабиль ности и воспр ности и воспроизводимости рабочей частоты резон частогы резонатора, указанные и та- положение раб блице, в слитке выби из обрет ения Значения площадипетли гистерезиса,мВт/см Воспроизводимость при т : ,2 К Стабильностьэа 1 ч ТКЧ 8,1 10" 6,2 10 2,6 10 1,8 Ы 10Э,й 10"1,02 104 8,И102,1710,й 10 160 ЫО Чередование механической обработ" ки с электрохимическим контролем продолжают до получения площади петли гистереэиса коррелирующей с требуемыми электрофизическими параметрами,отовления цилиндричесводящего резонатора изческсго слитка ниобиярен не менее 50-100 мм,щ и й с я тем, что, сения повышения стабильоиэводимости рабочейатора и его добротности,очего объема резонаторарают по площади петлигистерезиса, которая не...

Номер патента: 1621101

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Кромонов

МПК: H01L 35/34

Метки: пленочной, термобатареи

...маску 3, оставляя при этом на подложке 1 маску 2. Вновь поверх маски 2 размещают свободную маску 5 с рисунком другой ветви термобатареи и с размерами, превышающими размер рисунка маски 2. Через маски 2 и 5 наносят на подложку 1 материал б другой ветви термобата реи - и-проводимости. Удаляют маски 2 и 5, при этом на подложке 1 остается совмещенный рисунок пленочной термобатареи,П р и м е р. Изготовление тонкопленочных термопреобразователей, основными элементами которых являются расположенные на подложке пленочные нагреватель и термобатарея из соединенных последовательно термопар,На подложке после нанесения нагревателя формируют контактную маску из фоторезиста с рисунком совмещенных ветвей термобатареи, Свободные маски из ковара с...

Номер патента: 1621193

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Жаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, приборов, радиоэлектронных

...частиц сор" бента.1 4 ООхладитель работает следующим об разом.При включении прибора 4 выделяемое им тепло отводится в адсорбирую" щее вещество Э. При его нагревании идет процесс десорбции влаги, когорой сорбент насыщен естественным путем, причем процесс.десорбции усиливается с нагреванием сорбента.После отключения прибора 4 адсорбирующее вещество 3 охлаждается. Процесс охлаждения сопровождается поглощением влаги, адсорбирующейся на веществе из окружающего воздуха.Процесс охлаждения, а вместе с тем и вновь насыщение влагой адсорбирующего вещества ускоряется, если в бло-, ке, где установлено устройство, имеется перемешивание воздуха, например, вентилятором, однако это не является обязательным условием.Через некоторый промежуток времени...

Номер патента: 1621195

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Васильев, Карлагин

МПК: H01L 23/46, H05K 7/20

Метки: радиоэлектронное

...тока поступает в нижний горизонтальный участок б, при этом происходит охлаждение жидкости, после чего ющкость вновь поднимается по соединительным каналам 8 к местам установки вентилей 3. Таким образом осуществляется непрерывное охлажцение полупроводниковых вентилей 3 за счет естественной циркуляции охлажцающей жидкости по замкнутому контуру. В предлагаемом устройстве используется естественная циркуляция охлаждающей жидкости, что обеспечиваетравномерный теплосъем от вентилей,Кроме того, конструкция устройстваупрощена и повышена технологичностьее изготовления,Изобретение может быть использовано в конструкциях полунроводниковых преобразователей, выполненныхпо мостовой схеме с установкой одногоили нескольких вентилей в плече моста, и при...

Номер патента: 1621196

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Жаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...работает следующим об-,разом,В процессе работы радйоэлемента 4выделяемое им тепло идет сначала наразогрев плавящегося вещества 2, азатем на его плавление.В моментдостижения плавящимся веществом 2температуры плавления или несколькобольшей включается цепь 10 электромагнита 5 такой полярностью, что полюс электромагнита 5, примыкающий ккрышке 3, совпадает с соответствующимполюсом шайбы 9. Возникающая отталкивающая сила обеспечивает давлениепластины 8 на столб плавящегося вещества 2, обеспечивая непрерывно плотный контакт еще нерасплавившегося вещества 2 с крышкой 3, на которойразмещен радиоэлемент 4. Уже расплавившееся вещество 2 вдоль стенки переходит в освободившуюся за пластинойобласть. Это обеспечивает высокоэффективный отбор тепла...

Номер патента: 1621817

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Александер, Владимир, Томас

МПК: H01L 29/78

Метки: затвором, изолированным, мощный, полевой, транзистор

...следовательно, устройство будет работатьв качестве устройства р-канала, а неустройства п-канала,Два истока помещаются на одной итой же поверхности полупроводникового7 6рабатывания способности выдерживать высокое обратное напряжение, и глубину, зависящую от необходимого обратного напряжения для данного устройства. Таким образом, для 400 В-ного устройства нижняя и -область может иметь глубину порядка 35 мкм, в то время как для 90 В-ного устройства она имеет глубину порядка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напряжения устрой" ства для обеспечения получения необходимой более толстой области истощения, требуемой для предотвращения пробоя во время состояния подачи об-, ратного напряжения. Более верхнюю...

Номер патента: 1622343

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Клейне, Рикманис, Ушканс, Циновскис, Шитца, Яунзема

МПК: C04B 35/49, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...15,03 15 01 4,88 14,87 14,47 14,41 14,49 14,46 1 , 40 1, 4 2 1 , 4 3 1 , 4 3 0,32 0)09 0,34 0,12 0,36 0,15 0,33 0,18 Т а б л и ц а 2 осРЬТ 1 Оз РЬ 2 г 0 ВОз Б Сг цМао 00 40,68 40,50 40,75 40,641,40 1,42 1,43 1,43 0,60 0,80 1,00 0,32 0,34 0,36 0,33 2 56,94 3 56,46 4 56,40 а б л и ц а Свойст оказатели для состав звестго Оптимальная температура спекания, Со Удельная объемная масса, г/см 60-1080 160 1150 ,40 7,42 113 1050 1050-11000)011 0)015"0)02 И 1200 18 20 120 115 0 200-240 280 27 0 0,50 54 0,53 0)5 Формула изобретения Пьезоэлектрический керамический материал, включаюпдтй РЬТ 10 ) РЬ 2 гОз, В 1 01 и БгО, о т л и ч а ю щ и й с я1 3тем, что, с целью повышения пьезомодуля Й) он содержит дополнительДиэлек трич еск аяпроницаемостьИ/...

Номер патента: 1624564

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Илюшкин, Шорохов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, напыления, омических, полупроводниковых, элементов

...рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм, и держатель, выполненный в виде радиальных перемычек.Устройство для напыления работает следующим образом,В посадочное гнездо 1 на его рабочей поверхности размещается полупроводниковый элемент, маска 2 плотно прилегает к поверхности полупроводникового элемента эа счет упругих деформаций перемычек держателя 3. возникающих вследствие того, что маска выступает носительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм.Установлено, что при уменьшении величины выступа маски относительно рабочей поверхности посадочного гнезда менее 20 мкм маска отходит...

Номер патента: 1624565

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Гува

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: паста, теплопроводящая

...результате исследований было определено необходимое количество микропорошка алмаза в составе пасты(22 - 25 мас. ). При этом паста имеет в нормальных условиях вазелиноподобную консистенцию,При содержании в смеси алмазного порошка более 25 мас. паста утрачивает свое вазелиноподобное состояние, приобретает рассыпчатую структуру и становится не пригодной для нанесения.Содержание алмазного порошка менее 22 мас. приводит к тому, что в пасте присутствует избыток жидкой фазы. В результате при организации контакта с приложением механических и тепловых нагрузок паста может частично вытекать из зазоров, что приведет к выходу из строя узла теплопередачи.Для определения эффективности приготовленной пасты ее использовали в контакте между мощным...

Номер патента: 1624566

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Гвоздев, Наконечный, Савченко

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...с пружинящими криволинейными выступами,Вставка 5 может быть изготовлена следующим образом: в пластине выполняютряд параллельных прорезей, участки междукоторыми выгибают поочередно в противо 1624566положные стороны, образуя криволинейные пружинящие выступы 6. За счет того, что выступы 6 расположены с обеих сторон вставки 5 так, что ее посадочный размер превышает размер ширины межреберного пространства, при движении обоих корпусов навстречу друг другу выступы турбулиэирующих вставок 5 входят в плотное соединение с натягом с поверхностью ребер, При этом каждым выступом обеспечивается надежный тепловой контакт по всей длине ребер как между вставками 5 и ребрами 4, так и между ребрами 4 обоих корпусов в местах их стыка. Конструкция...

Номер патента: 1624567

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Князев, Ковалева, Козлов, Петросян

МПК: H01L 25/04

Метки: батарея, солнечная

...цепочке подключен последовательно в прямом направлении блокирующий диод (БД) 4 (при необходимости повышения надежности БД может быть продублирован одним или несколькими такими же диодами). При этом БД может быть включен в цепочку в любом ее месте(в конце, в начале и в любом промежутке). К каждому (фиг.1 и 3) или нескольким (фиг.2 и 4) солнечным элементам 2 параллельно в обратном направлении подключен шунтирующий диод(ШД) 5, а к входу СЭ и к выходу БД подключен в обратном направлении шунтирующий диод (ШД) 6.При экспонировании фотоактивной поверхности солнечной батареи солнечным (или от искусственного источника) светом в СЭ происходит преобразование лучистой энергии в электрическую энергию постоянного тока с рабочим...

Номер патента: 1626261

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Бутт, Панков, Савельев, Твердохлеб

МПК: G11C 11/42, H01L 31/16

Метки: фотоприемная, ячейка

...нагруэочные транзисторы 12 и 13, динамические сопротивления стоков транзисторов 2 и 3, Благодаря действию ООС напряжение небаланса между выходами 17 и 18 уменьшается в Е раэ. где Г -глубина ООС.После стирания напряжение на шине 11 становится нулевым, закрываются транзисторы 8, 9, 2, 25, 26. Транзисторы 8 и 9 отключают источник 10 смещения от ФД 4 и 5, транзистор 22 отключает питание дополнительного ДУ, транзисторы 25 и 26 отключают выходы дополнительного ДУ от затворов транзисторов 15 и 16. Отрицательная ОС размыкается, но величина напряжения раэбаланса между выходами 17 и 18 не изменяется, так как на запоминающих конденсаторах 27 и 28 сохраняются уровни напряжений, установившиеся при стирании, С подачей нулевого уровня на шину 11...

Номер патента: 1626265

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Добровинский, Суходольский, Филь

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: зондовое, контактное

...обеспечивает согласование входа и выхода с ОИ с регулярной линией за счет трансформирующих свойств иглы, связанных со ступенчатым изменением диаметра. Участок центрального проводника от плоскости контактирования с ОИ до первой ступеньки центрального проводника имеет индуктивный характер и обеспечивает компенсацию емкостной составляющей входного сопротивления ОИ, а дальнейшая трансформация активной составляющей осуществляется за счет выполнения отрезка центральнл и ттроводника в виде валика с измененным диаметром. При неизменном расстоянии между зубцами вилки изменение диаметра внутреннего проводника выполняет роль трансформатора сопротивлений, причем условием того. чтоон имеет активный:;арактер на частоте измерения является то,...

Номер патента: 1626266

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Васильев, Диалектова, Лаптун

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковый, прибор, штыревой

...и.р -,логичности,а чертеже представлен полупроводни. црибор,рибор состоит из основания 1 с припа; фланцем, на котором размещен по: роводниковый элемент 2, внутреннего.оло вывода Зс расположенным внутри-ц внутренним управляющим выводом 4,.," 1 рующей втулки 5 под механизм 6 прил, которая является изолирующей де: - л о между анодом и катодом и. 1 цо;ременно центрирует внутренний вылод цо отношению к выпрямительному эле,. цту, Втулка имеет форму цилиндра со;тупо чдтым увеличением диаметра, Вседе 1 л "н полупроводникового прибора по "с .,ень 1 в герметичный керамический корцус, оканчивающийся хвостовиком,кс 1 зрый является катодом и служит для пегса я постоянного тока с прибора во внеш к;ц цепь,Прибор работает следующим образом.На...

Номер патента: 1626267

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Коркунова, Мамыкин, Павленко, Пельтек, Яременко

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводникового, прибора, прокладка, теплоотвода, электроизоляции

...высокую теплопроводность из-за повышенного экранирующего воздействия низкотеплопроводной упругой составляющей,П р и м е р, Порошок нитрида алюминия с диаметром частиц 60 - 80 мкм помещают в планетарную мельницу и размалывают в течение 2 ч. В результате получают высокодисПерсный порошок с удельной поверхностью1626267 Составитель Е,ПановРедактор Н,Лазаренко Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Заказ 280 Тираж 361 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 5-8 м /г и размором частиц 0,2 - 0,3 мкм. Полученный порошок перед использованием просушивают в сушильном шкафу при...

Номер патента: 1626474

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Новик, Хазен

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...или электроизоляционен в зависимости от схемы, реализуемой столбом, и обеспечивает равномерную установку охладителей 1 в столб. Применением дистанционеров 8 можно удвоить нагруэочную способность столба по сравнению с фиг,1, если набирать столб поочередной установкой в него первого охладителя, полупроводникового прибора, второго охладителя, дистанционера и т,д.Возможен охладитель (фиг.4), у которого в одной конструкции совмещены охлади- тель 1 для интенсивного охлаждения (часть оребрения 5 выше основания 3) и теплоаккумулятор, Оба охладителя 1 могут быть реализованы и по одну сторону от основания 3. При использовании совмещенного охладителя 1 появляется воэможность компоновать столб с помощью только одного типа (конструкции) охладителя...

Номер патента: 1056805

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Алябьев, Николаенко, Папков, Суровиков

МПК: H01L 21/08

Метки: лейкосапфира, пластин

...иих полировку, перед калибровкой заготовок проводят отжиг в течение 0,5-2 ч при температуре, равной 0,75-0,95 Т. лейко сапфир аСущность изобретения заключается в следукщем.Ленты лейкосапфира, выращенные методом Степанова, отличаются повьппенной,ппотностью дислокаций и высоким уровнем остаточных напряжений. По сравнению с наиболее качественными объемнымн кристаллами, получаемыми методом Кнропулоса, в лейкосапфировых лентах плотность дислокаций превышена на 1,5-2 порядка а величина остаточных напряжений - в 20-30 раз, Известно, что процессы хрупкого разрушения иразвития трещин в монокристал- лах протекают тем интенсивнее, чем выше плотность дефектов и уровень остаточ ных напряжений. Как показали исследования, при шлифовке...