H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 561165

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Калошкин, Катунин, Кулагин

МПК: G03C 5/00, H01L 21/70

Метки: защитного, изображения, рельефного, формирования

...поскольку близлежащий второй край формируется неоптическим путем, что и обусловливает повышение разрешающей способности опроцесса,Формирование второго края кольцеобраэных элементов возможно вследствие того,что боковые стенки рельефного рисункапосле первого проявления получаютсягидрофильными в противоположность верхнейповерхности фоторезистового слоя, Этопозволяет селективно замедлить растворение в проявителе (по сравнению с полностьюзаэкспонированным фоторезистом) частифотореэиста, непосредственно примыкающей к боковым стенкам рисунка, при помощи подходящего реактива в водном растворе. Последующая общая засветка переводит остальную чсь фоторезистовогослоя в растворимую в проявителе форму,которая легко удаляется дополнительнымпроявлением...

Номер патента: 561233

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бычков, Татаренков

МПК: H01L 21/463

Метки: полирующий, состав

...- 80Азотнокислая медь 0,1 - 5Перекись водорода(3 ная) 0,01 - 1 Вода ОстальноеВ присутствии азотнокислой меди повышается скорость полирования эа счет способности кремния вытеснять медь иэ растворов ее солей и улучшается качество обработки, так как активными участками поверхности являются вершины микронеровностей. Цеолит выполняет функции сорбента ионов меди и инструмента для механического удаления с поверхности продуктов полировки и примесей.561233 Формула изобретения,10 ЦеолитАзотнокислая медь илиуглекислый аммонийПерекись водорода (30%)Воца 5 - 85 0,1 - 50,01 - 3Остальное 25 Составитель Ю. СлепневРедактор Т. Орловская Техред И. Андрейчук КоРРектоР Е. Палл Заказ 1584/155 Тираж Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 561234

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Галунов, Морозов, Староверов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...приборов на 180, закреплена непод. вижно таким обраэом, что пазы диска 7 являются продолжением пазов лотка. Часть 23 лотка мож.т перемещаться с помощью электромагнита 25 и ры чага 26 в вертикальной плоскости между упора. ми 27, 28, выполненными на кронштейне 29,Устройство выгрузки промаркированных при боров выцолне о и виде трубки-сопла ЗО, нз кото. рую посажена втулка 31, поджимаемая пружиной 32 с нижней поверхности транспортирующего ротора 3, Во время остановки ротора на позиции, выгрузки его гнезда сообщаются посредством сверлений, имеющихся в роторе, с соплом ЗО, к которому подведен сжатый воздух.Для предотвращения выгрузки (на данной познща); из ротора непромаркирозаиных приборов имеется заслонка 33 с приводом от электромагнита,...

Номер патента: 561235

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Арбит, Денисов, Иванов, Штейнберг

МПК: H01L 21/68

Метки: выдачи, миниатюрных, поштучной, съема

...деталей; на фиг. 3 - нид по стрелке А ца фиг. 2.Устройство для поштучной выдачи и съема деталей содержит источник электрического поля 1, вибратор 2 с узлом подачи 3, выполненным н ниде закрепленных на вибраторе металлических стерж. ней 4 с опорными выступами 5 на рабочих концах, съемцик деталей в виде игл 6, установленных под опорными выступами.Источник электрического поля 1 расположен ца подвижной опоре 7, установленной с нозможностью возвратно- поступательного перемещения относительно опорных выступов стержней, и представляет собой токонедущий пронодчк 8 с изолированной поверхностью 9, диэлектрическая проницаемость которой больше единицы.Устройство работает следующим образом, После включения вибратора 2 детали, насаженцью на...

Номер патента: 561236

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Агаджанян, Мхитарьян, Серопян

МПК: H01L 21/68

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...1 с направляющинад которым от направляющих от Полупроводникконтактирует ско своими кра еля с полупрразрез А-А. ковых пластин соми 2 и окном 3 ходят направленвыполнен в в усеченного кон проводниково Изобретение относится к изготовления полупроводник тегральных схем и может пр портировки и крепления пол тин при выполнении техноло Известен держатель для корпус с направляющими и жимные упругие элементы 1 Известный держатель не п от соприкосновения с их раб Кроме того, установка и изв ковых пластин в известньй вести к поломке хрупких пластин, а также быстрому и упругих элементов держателя561236 Я-Я Составитель Ю, цветковТеяред Н Андрейт 5 ук Редактор Г. Петрова584/ 55 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР...

Номер патента: 561237

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Назаров, Сафонов, Соколов, Царьков, Шанов

МПК: H01L 21/98

Метки: выводами, интегральных, кристаллов, подложкам, присоединения, схем, шариковыми

...и нагружекия паяльныхголовок и предметный стол 111.Однако известные устройства не обеспечиввысокого качества присоединения. 10Цель изобретения - повышение качества присоединения - достигается тем, что устройство дляприсоединения кристаллов с шариковыми вывода.ми к подложкам интегральных схем, содержащеепаяльную головку, закрепленную на каретке, соединенной с приводом с возможностью перемещениядо регулируемых упоров, и механизм прижимапаяльной головки, снабжено механизмом зажимапаяльной головки, кинематически связанным с приводом, причем паяльная головка закреплена на 20каретке посредством оси, а регулируемые упорыразмещены по обеим сторонам оси.Устройство изображено на чертеже.Паяльная головка 1 с рабочим инструментом 2закреплена на...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Номер патента: 562019

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Копылов, Медунов, Проценко, Сальников, Трушевский

МПК: H01L 35/02

Метки: бумажно-масляной, защиты, изоляции, реакторов, термоохлаждающее, трансформаторов, увлажнения

...эффективность термоэлектрического материала, что приводит к значительному росту потребляемой мощности. С другой стороны, малые перепады температур, реализуемые на радиаторе теплосброса, требуют больших поверхностей теплообмена и существенно увеличивают вес конструкции,Целью изобретения является повышение эффективности работы термохолодильника и улучшение качества осушения воздуха.Указанная цель достигается тем, что термоэлектрический осушитель снабжен дополнительными нагревателями воздуха, установленными в расширительном баке, а последний теплоизолирован для уменьшения тепловых утечек.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства, Оно включает: тсрмоэлементы 1, внутрен 1111 й орсбрснный охлаждающий канал 2,...

Номер патента: 506242

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Бессолов, Данилова, Дмитриев, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/04

Метки: спектрометрический, элемент

...так и по толщине пластины. При этом по толщине пластины ширина запрещенной зоны увеличивается по мере удаления от поверхности потенциального барьера, достигая максимальной величины на противоположной поверхности пластины, которая одновременно является оптическим окном.Таким образом, в предложенной конструкции излучение регистрируется как при падении излучения со стороны поверхностного потенциального барьера, так и с противоположной стороны пластины (со стороны оптического окна),Принцип работы спектрометрического элемента основан на поглощении света, генерации электронно.дырочных пар и разделении их электрическим полем потенциального барьера. Ввиду различия ширины запрещенной зоны кристалла в разных частях потенциального барьера его...

Номер патента: 562883

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Гостев, Зданович

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, диодов, классификации

...органы сортирующего устройства выполнены в виде выталкивающих планок, закрепленных на подвижных якорях электромагнитных приводов.На фиг. 1 - кинематическая схема автомата; на фиг. 2 - схема, поясняющая работу автомата; на,фиг, 3 и 4 рабочий ротор, узел 1 и разрез Л - А на фиг. 2.Автомат классификации диодов состоит из загрузочного устройства 1, ротора 2 поштучной выдачи диодов, перегружающего 3 и рабочего 4 роторов, закрепленных:неподвижно на валах соответственно 5, 6 и 7, зубчатых колес 8, контактов 9 и сортирующего устройства 10 с выталкивающими планками 11, укрепленными на якорях электромагнитов 12. Рабочий ротор состоит из диска 13, закрепленных на его цилиндрической поверхности неподвижных 14 и подпружиненных к ним подвижных...

Номер патента: 562884

Опубликовано: 25.06.1977

Автор: Никулин

МПК: H01L 21/68

Метки: мелких, подачи

...превышает толщину кристалла на 03 - 0,5 лтм,На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство, общий вид.10 Устройство для подачи мелких деталей содержит инструмент-присоску 1, выталкиватель 2, рамку 3 с отверстием 4 и фланцем б, электромагнит б, пружину 7 и кассету 8 с эластичной липкой пленкой 9, на которой уложены детали, например полупроводниковые кристаллы 10. На рабочей части инструмента-присоски 1 имеется гнездо 11, соединенное с вакуумной системой (на чертеже не показана) каналом 12.20 Устройство работает следующим образом.Рамка 3 под действием электромагнита бопускается в крайнее нижнее положение, при этом фланец 5 прижимает эластичную лип.кую пленку 9 к основанию кассеты 8, а полу З проводниковый кристалл 10...

Номер патента: 562885

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Бобылев, Тетерьвов

МПК: H01L 21/98

...18 передает крутящий моментполумуфте 15 и, таким образом, поворачиваетротор, перенося летали в первую зону обработки в горячем травителе в ванне 2 (см.фиг, 1). В это время электромагнит 17 (см.фиг. 2) выключен, упор 9 выдвинут и ротор8 поворачивается на /з окружности до встречи с упором 9.Так как вал 12 с полумуфтой 13 продолжает, вращаться, то полумуфта 13, взаимодействуя своими пазами с шариками полумуфты 15, сообщает ротору 8 с изделиями возвратно-поступательные колебания ударного характера. По истечении времени обработки в горячем растворителе подается элвктричеокий импульс на электромагнит 17, который, воздействуя на упор 9, отодвигает его. Ротор 8, как уже было описано выше, поворачивается, перенося кассету с обрабатываемыми...

Номер патента: 510057

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Васильева, Дроздов, Репинский, Свиташев

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, получени, слоев, сособ

...слоев двуокиси кремния одинаковой толщины по всей длине изотермического кварцевого реактора.Сущность изобретения заключается в том, что процесс окисления силана ведут в избытке кислорода при мольном отношении кислорода к силану 70: 1, концентрациях силана (0,5 - 2) 10 влголь л, при скорости потока газовой смеси 19 - 20 см сек и температуре 430 - 500 С.Поскольку скорреакции окисленияцентрации кислород ость радикально-цепнои силана зависит от кона, выбираются такие условия, когда изменением этой скорости по длине реактора компенсируют наблюдаемый обычно эффект обеднения газовой смеси по силану.5Согласно предложенному способу слоидвуокиси кремния выращивают в горизонтальном изометрическом реакторе диаметром 45 лл, с зоной равномерной...

Номер патента: 563704

Опубликовано: 30.06.1977

Авторы: Герфрид, Михаель, Рихард, Хартвин

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

...аммония. Облученные области слоя окиси кремния исчезают при этом быстрее, чем необлученные, так что после указагНого времени травления в облученных ооластях хорошо просматриваюгся углубления от 10 до 15 нм (фиг. 2).11 а следуошем этапе (фиг. 3) травленые диски нагревают в течение 2 час в печи при температуре 850 С. При нагревании накопле- цый легирующий материал диффундирует в эпитаксиальный слой 2. Образуется зона 11 с проводимостью р-типа с концентрацией 3 10" атом)см на поверхности с глубиной проникновения 1,3 мкм в узких допусках. Затем диск в травленых углублениях вторично облучается ионами при дозе 1,3 10" ем ви энергии 200 КэВ. Ионы, проникающие в зону 11 с проводимостью р-типа, образуют область 15 с проводимостью р+ (фиг. 4),В...

Номер патента: 564666

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Кочетов, Никулин

МПК: H01L 23/52

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...показан). Величина подачипроволоки регулируется винтами 20, 21.60 Устройство снабжено механизмом поворота держателя вокруг вертикальной эси,содержащим зубчато-ременную передачу 22дисковую муфту трения 23 с электромагнитным приводом 24, вал 25 с рычагом26, пружину 27 вал 28 с роликом 29,)взаимодействующим с подпружиненной планкой 30, установленной на неподвижной плите манипулятора (не показана),Устройство для присоединения выводовполупроводниковых приборов работает следующим образом.В исходном положении электромагниты14, 15 и электромагнитный привод 24выключены, подающие губки 16 разомкнуты. Сварочную проволоку 7 пропускаютмежду подаюшими губками 16 и через направляюший канал сварочного инструмента4 заводят под его рабочую...

Номер патента: 564667

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Алексеенко, Байков, Герасимов, Лузе

МПК: H01F 6/06, H01H 51/00, H01L 39/00 ...

Метки: реле, электромеханическое

...к источникам17, 18, 19 постоянного тока. .25Замыкание, штырей 2 мембраной 3 происходит после многократной подачи импульсов малой мощности вобмотку 11 в результате чего в соленоиде 4, замкнутомнакоротко перемычкой 10 образуется не- зОзатухающий ток, магнитный поток которого наводит ток на поверхности мембраны3 (глубина проникновения порядка сотеноА ). Этот ток создает магнитное поле,направленное навстречу магнитному полю 35соленоида 4, и в итоге их взаимодействиявозникает сила, преодолевающая силу упругости мембраны 3 и прижимающая ее к штырям 2. После уничтожения "незатухающего"тока мембрана 3 возвращается в первоначаль-,Оное положение под действием силы упругости.Принцип работы циклического сверхпрофводящего трансформатора...

Номер патента: 397123

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойное, переключающее, полупроводниковое

...60 мкм, а контакт к области 4 . квадрата размером 15 х 15 мкм. Оба они также выполнены вз напыленногоТак же может б овлен трр М Дьм"и Увяваетор И, Груюва Заказ 2136/22 Э Тираж 976 Иойпиеное ЦНИИЛИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретениЯ и открытийФилиал 1 НН 1 "Патент", г. Ужгороц, ул. проектная, 4 монокристаллического кремния тт-пша прово. димости с концентрацией электрически активных примесен 3 104 с,т а.В пластине созданы одновременно области змиттера и коллектора, представлаощие собой прямоугольники размерами 30 х 100 мкм при глубине 3 мкм. Расстояние между областями эмиттера и коллектора 15 мкм, концентрация электрически активных примесей в этих областей 5 10смКонтакт к обласш эмиттера сдновременно...

Номер патента: 401273

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойное, переключающее

...окисной пленке толщиной 0,1 мкм размещены два полевых электрода, представляющие собой наны. ленные полоски алюминия толщиной 1 мкм, которые перекрывают частично обе дополнительные области,Предлагаемое устройство может быть выполнено в виде тиристора, состоящего из пластины монокристалаческого кремния и типа проводимости с концентрацией электрически активных примесей 3 10" см, В указагщой пластине одновременной двусторонней диффузцей бора созданы анодная и управляющая области р.типа проводимости с концентрацией электрически активных примесей 5 107 см э и толщиной 10 мкм, Последующей локальной диффузцей фосфора в управляющей области созданы катодная, первая дополнительная, вторая и третья дополнительные области и.типа с концентрацией...

Номер патента: 401274

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...из напыленного алюминия толщиной 1 мкм, Размеры остальных областей и омических контактов соответствуют дан.ным на чертеже.В тиристоре по третьему варианту омическийконтакт к области 6 затвора, представляющийсобой пал ыле иную полоску алюминия шириной 36 мкм и длиной 136 мкм, выходит эа крайобласти. б затвора на 100 мкм на перемычку 5 ианодную область 2. Укаэанный контакт на всемсвоем протяжении за пределами области 6 эакорочен с областями 5 и 2. Аналогияо омическийконтакт 10 к катодной области 4 выходит эа крайобласти 4 на 5 мкм и закорочен на этом протяжениис областью 3, благодаря чему осуществляется шун.тирование катода, Размеры остальных областей иомических контактов не отличаются от деталейтиристора, приведенного на чертежеВ...

Номер патента: 339246

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойный, перключающий, полупроводниковый, прибор

...управляющей 4 и анодной 2 областей, контакты 9,10, 11.Если к контакту 9 приложено напряжение положительной полярности, к контакту 11напряжение отрицательной полярности, к контакту 10- напряжение управляющего сигнала поло. жнтельной полярности, то вследствие действия положительной обратной связи, сопровождаю. щегося инжекцией неосновных носителей из об. ласти 2 в область базы 1, и из области 6 в область 4, устройство переходит в состояние с малым сопротивлением, т.е, включается, Перенос и инжекция неосновных носителей в области базы 1 зависит от расстояния между областью 8 и анодной 2 и управ. ляющей 4 областями, Так как диффузия неосновных ностттелей в область 8 невозможна, то около области 8 образуется избыточный градиент концентрации...

Номер патента: 341378

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Полякрв

МПК: H01L 21/10

Метки: тиристор

...граничащая спусковой областью,Напряжение пробоя пусковой облзсти подполевым электродом ниже, чем на остальной частиграницы с управляющей областью, и зависит отвеличины напряжения смешения на полевомэлектроде, а води мости.Над границей пусковой области 5 и управляющей области 3 размещен полевой электрод, состоящий из диэлектрического слоя 6 и электрода 7,Кобластям 1,3,4 и 5 подсоединены контакты 8.11, Эти контакты н металлический электрод 7имеют выводы 12. 16 соответственно.Если между выводами 12 и 14 приложено внешнее напряжение таким образом, что на вывод 12подается плюс, а на вывод 14минус, а междувыводами 13 и 16 так, что вывод 13 смещаетсяположительно относительно вывода 16, то тиристорзаперт, а под металлическим электродом 7 в...

Номер патента: 470237

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Поляков, Тромбовецкий

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...воспроизводимость электрофиэических характеристик области пересечения достигается при размере зерен поликристаллического кремния в ней от 100 до 10000 АНа чертеже показан участмы с разрезом по А-А, соделожку 1 из поликрпсталличес Я с удельным сопротивлением около 2,10 омсм, размером зерен до 1 мки преимушественной ориентацией зерен в кристаллографической плоскости ( 1 10);углубления 2 в подложке 1, заполненные монокристаллическим кремйием с удельным сопротивлением 1 омсм и ориентацией в кристаллографической плоскости (111), изолированные слоем двуокиси кремния 3 толшиной 2 мкм; область 4 П -типа про водимости, созданной методом локальной диффузии примесей в поликристаллическом 10 кремнии подложки 1, и обладающей концентраВОцией...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...

Номер патента: 366803

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Поляков

МПК: H01L 21/10

Метки: коммутирующее, полупроводниковое

...собой и имеют общий вывод 16, а контакт 14 имеет вывод 17. Области.2,4, 6 и 1 образуют структуру первого тиристора, а области 3, 5, 7 и 1 - структуру второго тиристора, причем у обоих тиристоров имеетсеЗбб 803 Составитель , ФедюашеТехред И, Клиьгко Корректор В Пвмагм Редактор,А, Затытни Эмез 21 36/223 Тирам 976 Подписное ЦНИИПИ Государствивого комител Совета Мищстров СССР но делам изобретений в открытий 113 О 35, Москва, М.35, Раушскач наб., д, 4/5Филиал ЙЙИПатент", г, Узтсрод, уть Проектно: 4 общая область . пластина (база) 1. Связь контак.тов 10 и 13 с выводом 15 и контактов 11 и 12 с выводом 16 обеспечивается встречно параллельным соединешвм тиристоров, т.е. вводная область первого тиристора. соединена с катодной областью 5 второго...

Номер патента: 434871

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: полевым, полупроводниковое, управлением

...например титанат батолщиной 1100 мкм. Наибольшая чувствитеность устройства к сигналу управления при вкой температурной стабильности достигаетсятолпвпте слоя сегнетоэлектрита 5-10 мкм,летень25 (53) УДК621382323 (088.8 ння 12 11.77Редактор И, Орлова Корректор М, демчук Заказ 2 36/223 Тираж 976 Повислое ЩМИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открьгпФ 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 нагрузкой к выходной цепи, При отключении иповторной подаче напряжения питания устройствоостается во включенном состоящщ благодаря оста.очной поляризации слоя 3 и сохранению свяэаьщого с ней обогащения приповерхностной части об.ласти 1 основными носителями.Перевод...

Номер патента: 565338

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Крачковский, Куцинс, Трифонов

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...устройство 1, пневмоустройство 18, каретку 19, привод 20 карепки, лрограммный датчик 21, электромагниты 22, транспортные, кассеты 23, магазин 24, датчики каасетирования 25, механизм каасетирования 26 с кареткамп 27, обоймы 28.На каретке 29 устройства раакладки 5 в направляющей втулке 30 размещен прижимзахват 7, которыи содержит корпус 31, имеющий упор 32. В расточке корпуса 31 вставлен сетчатый диск 33, под которым находится прижимное кольцо 34, закрепленное гайкой 35 и винтом 36,В корпусе 31 выполпены опверстия, соответственно количеспву и рааположению выводов полупроводникового прибора, которые соединены со штуцером 37, Сбрасыватель 38 удерживается дружиной 39 на упоре 32. Опора 40,пружинным компенсатором 41 1 прижимается к крышке 42,...

Номер патента: 565339

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Кононов, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, камера, климатических, полупроводниковых, приборов, проходная

...камера работает следующим образом,Транзисторы, уложенные в технологическую тару-спутники или без нее, поступают в течку питателя 1, затем в направляющую 3 механизма загрузки 2, проходят сквозь паз 7 неподвижной направляющей 6 и загружаются в паз 11 транопортирующего барабана накапителя 10. Приборы снизу удерживаются дисками (на чертеже не показаны).При заполнении паза 11 число запружаемых приборов контролируется фотоэлементами (на чертеже не показаны), механизм 2 перемещается на шаг, совмещая направляющие 3 и 4 с пазом 8 промежуточной направляющей б и пазом 12 барабана-накопителя 10.По заполнении паза 12 механизм 2,перемещается еще,на шаг, совмещая направляющие 4 и 5 с пазами 9 и 13. После заполнения трех радиально расположенных...

Номер патента: 566276

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Никулин

МПК: H01L 21/607

Метки: кристаллов, ножкам, полупроводниковых, приборов, присоединения

...жестко установлена в кассете 12. В планке 7 имеется отверстие 13, которое в про-. цессе работы взаимодействует с коническим штифтом 14 направляющей )5.В направляющей 15 расположены кристал: - 25 лы 16.Толкатель 17 служит для подачи кристаллов 16 на позицию загрузки.В исходном положении электромагнит 2 Фиксирует Г"образный кронштейн 3 относительно каретки 1 горизонтально го перемещения.Под действием привода (на чертеже не показан) ультразвуковая головка 5 вместе с кареткой 4 вертикального перемещения и планкой 7 перемещается 35 вверх, а затем - на позицию забора кристалла 16 и занимает такое положение, чтобы отверстие 13 в планке 7 было расположено над коническим штифтом 14. При движении Ультразвуковой 40 головки 5 вниз конусная...

Номер патента: 566277

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси

...Ужгород, ул. Проектная, 4 роля йачества легирования полупроводниковых пластин в;промышленности.Металлизацию в таких случаях можно заменить использованием ртутных контактов, как это имеет место в вольт-фрадном методе. Способ измерения концентрации примеси в полупроводниках, включающий создание потенциального барьера Юоттки. путем металлиэации участка поверхности полупроводника. и приклады" ванне регулируемого смещения к барьеру, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения и ускорения измерений, при прямом смещении измеряют уровень низкочастотных флуктуаций напряжения и величину протекаиаего черезбарьер тока, а кснцентрацню примесиопределяют по формуле5 монс 1где 3- ток, при котором уровеньФлуктуаций напряжения в баоьере Шоттки...

Номер патента: 566278

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Рагозин, Шерлинг

МПК: H01L 23/00

Метки: вывод, проволочный, радиодетали

...пезогнут ю щ и й ия наия вывоутый радиоде иваемой оторого л и ч Проволочный вывод т имущественно устанавлчатную плату, конец к и снабжен упором, о т а с я тем, что, с целью повыше дежности механического крепле дов и плотности монтажа, изог вод а ретение относится к радиотехможет быть использовано прирадиодеталей на печатных плаОднако форма известных вывпозволяет получать платы с иной плотностью монтажа.Цель изобретения - повдежности механического креводов и плотности монтажа.Это достигается тем,лочном выводе радиодеталвенно устанавливаемой нату, конец которого иэогнупором, изогнутый конецобразной формы, нижний грого направлен в сторонуэлемента, а упор отогнутположную сторону.На фиг. 1 показан впаянныйрадиодетали на печатной плате;фиг.2 -...