H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1167673

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Бичев, Туркин, Ураевский, Шиллеров

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, укладки

...через патрубок 7 с системой подачи сжатого газа.Устройство работает следующим образом. В рабочую камеру 6 через патрубок 7 подают сжатый газ, который, проходя через отверстия-сопла 2, натягивает нити 3, придавая им определенную жесткость, зависящую от величины рабочего давления. Сверху в пространство, ограниченное внут. ренней стенкой 1 устройства, сбрасывается полупроводниковая пластина 8, края которой опираются на ленты 3, армирующие воздушные струи и в силу своей упругости амортизирующие улар при падении пластины, которая затем, преодолевая под действием своего веса жесткость симметрично расположен. пых в горизонтальной плоскости ряда лент, замедленно опускается плоскостью в нижнюю часть устройства без удара при соприкосновении с...

Номер патента: 1167674

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Домбровский

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...сборку крышки с электродом, а затем осуществить конечную герметизацию (самогерметизацию) корпуса прибора (перфорированной прокладкой и прокладкой, расположенной на наружном диаметре кольцевого буртика электрода) при определенной температуре. Сборку корпуса полупроводникового прибора по первому варианту (фиг. 1) осуществляют следующим образом.На площадку 13 электрода 1 крепят полупроводниковую структуру 14 с выводом 15. Затем в кольцевой паз 1 электрода 1 помещают охлажденное до температуры близкой к температуре жидкого азота нижнюю перфорированную прокладку 8 кольцеобразного держателя 5. После этого крышку 3 перетяжкой 10 помещают в кольцевой паз 11 электрода 1, в образовавшийся кольцевой зазор между наружным диаметром...

Номер патента: 1167675

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Домбровский

МПК: H01L 23/34, H01L 23/48, H05K 7/20 ...

Метки: крепления, полупроводникового, прибора

...этом привод узла захвата полупроводникового прибора выполнен в виде зигзагообразной пластины, жестко соединенной одним концом с концом винтовой цилиндрической пружины растяжения, а другим - с втулкой и изготовленной из материала, обладающего термомеханической памятью редукции формы, причем из такого же материала может быть выполнена и винтовая цилиндрическая пружина растяжения, спиральные пазы втулки в этом случае должны быть выполнены с углом подъема равным 90. На фиг. 1 изображено устройство для крепления полупроводникового прибора, общий вид; на фиг. 2 - то же, сечение А - А на фиг. 1; на фиг. 3 - узел захвата с приводом при рабочем положении последнего.Устройство содержит теплопроводное основание 1 с нагревательным элементом 2...

Номер патента: 1168635

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Билоголовка, Волощук, Кустов, Мазуркевич, Пешехонова, Щербина

МПК: C30B 33/00, H01L 21/00

Метки: жидкофазной, кассета, поверхности, подложек

...10 в межоперационный период.На фиг. 1 изображена кассета для жидкофаэной обработки поверхности подложек, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху. 15Кассета состоит иэ корпуса, содержащего основание и фиксатор подложек, которые при помощи направляющей стойки 1, гайки 2 и шпилек 3 жестко соединены между собой. Осно ванне кассеты образовано тремя параллельно расположенными распределяющими трубками 4, которые посредством несущей трубки 5 соединены с направляющей стойкой 1. В последней имеет ся осевое отверстие для подачи газа, сообщающееся посредством несущей трубки 5 с полостью распределяющих трубок 4, в которых прорезаны попе,речные пазы для размещения подложек, 30 причем глубина пазов больше толщины стенок распределяюидх трубок, что...

Номер патента: 1170530

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Панков, Потапов, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов

...за габариты полупроводникового прибора. На чертеже изображена кассета (фрагмент) с установленным в ее гнезде герметизируемым полупроводниковым прибором.Кассета содержит корпус 1 и прозрачную крышку-прижим 2. В корпусе 1 кассеты выполнены гнезда 3 в виде направляющих каналов для размещения полупроводниковых приборов 4, а в крышке-прижиме 2 выполнены гнезда 5 для размещения крышек 6 полупроводниковых приборов 4. Работа с кассетой осуществляется следующим образом. Полупроводниковые приборы 4 с установленными на них крышками 6 с припоем размещают в гнездах 3 корпуса 1 кассеты и прижимают крышкой-прижимом 2. При 5 этом крышки 6 полупроводниковых приборов 4 размещаются в гнездах 5 крышки-при, жима 2. Затем производят нагрев крышки 6...

Номер патента: 807938

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Алфеев, Колесников

МПК: H01L 39/08

Метки: излучения, приемник, сверхпроводниковый, теплового

...переходит в смешанное состояние, которое характеризуется тем, что в нем образуется множество мелких нормальных областей, имеющих цилиндрическую форму и располагающихся параллельно приложенному полю.При этом часть внешнего магнитно О го потока проникает в сверхпроводник через нормальные области, причем величина магнитного потока, проходящего через каждую нормальную область, квантуется и имеет постоянное значение, равное 2.0710 1 Вб. Количество квантов магнитного потока определяется величиной суммарного магнитного потока, проходящего через сверхпроводниковую пленку, который зависит от температуры при заданной величине внешнего магнитного поля. Зависимость суммарного магнитного потока, проходящего через сверхпроводник, от температуры...

Номер патента: 1045785

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Грибковский, Зубрицкий, Яблонский

МПК: G01N 27/62, H01L 21/66

Метки: кристаллографической, поверхностей, полупроводников, полярности

...поскольку используе -мые жидкости - серный эФир., этилоВый эФир уксусной кислота. и ацетонимели диэлектрическую проницаемость4, 2, 6 и 20 соответственно,Поверхностные стримерные разрядывозникают либо на основе 1, атомовметалла при отрицательной полярностилибо на стороне 8 атомов металлоицапри положительной полярности импульсов подаваемого напряжения т,е, поместочоложению наблюдаемой визуально картины поверхностных стримерньгх,разрядов судят о кристаллограФической полярности полупроводников.Реальная поверхность получаетсяв результате обработки кристалла1045в химически полирующем травителеили химико-механическим способом, В качестве диэлектрической жидкостииспользуют этиловый эфир уксусной кислоты.П р и м е р,...

Номер патента: 506243

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтонюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: H01L 31/14

Метки: изображения, оптоэлектронный, полупроводниковый

...полем, приведут к тому, что между этими точками имеет место эффект локального вытеснения внутреннего поля из полупроводника, которое распределится между точками 12 и 10 диэлектрика и точками 11 и 13 электролюминофора. Это в свою очередь приводит к увеличению падения напряжения в слое электролюминофора между точками 11 и 13 и его загоранию, Таким образом, в точке 13, лежащей на одной прямой с токами 9, 12, 10, 11, 13, наблюдается преобразованное изображение.При питании прямоугольника импульсами памяти МДПДМ-структуры позволяет заполнить сформированное и преобразованное изображение на время действия одного импульса питающего напряжения. Это свойство позволяет также суммировать ряд изображений, отделенных друг от друга временным...

Номер патента: 580778

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтанюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе, Чилая

МПК: H01L 31/04

Метки: изображения

...к границам раздела полупроводник - диэлектрик, и так как их недостаточно для экранирования, в полупроводник проникает сильное поле и возникает обедненная область во всей толще полупроводника. В таком состоянии основная часть напряжения садится на слой полупроводника и величина напряжения на слое жидкого кристалла меньше порога динамического рассеяния. При подаче со стороны оптического входа изображения из области спектральной чувствительности полупроводника в слое 3 происходит фотогенерация носителей пропорционально освещенности каждой точки,. которые под воздействием поля в полупроводнике дрейфуют к границе раздела полупроводник -.диэлектрик, экранируя при этом частьнапряжения в полупроводнике. Этоприводит к перераспределению...

Номер патента: 528824

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтанюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: H01L 31/14

Метки: изображения, полупроводниковый

...усиления выходного изображения.Это достигается тем, что междуслоями полупроводника и диэлектрикарасположен излучающий электроннодырочный переход, толщина которого 40больше диффузионной длины неравновесных носителей, что позволяет значительно улучшить быстродействие устройства и увеличить коэффициент усиления изображения за счет накопления.45На чертеже представлен предлагаемый преобразователь изображения.Он содержит прозрачные электродь,1, прозрачные слои диэлектрика 2,слой 3 высокоомного полупроводника 50с концентрацией носителей не более10 см , нанесенные эпитаменей низкоомные слои 4 и 5 р и П -типа, образующие излучающий переход в -п-переход,и клемм б и 7 для подключения импульсного или синусоидального напряжения пгтания. При...

Номер патента: 1179045

Опубликовано: 15.09.1985

Автор: Водолагин

МПК: F25B 21/02, H01L 35/28

Метки: батарея, термоэлектрическая

....Недостаток такой батареи заключается в сложности технологии ее изготовления, а также монтажно-демонтажных работ.Цель изобретения - упрощение технологии изготовления и монтажно- демонтажных работ.Указанная цель достигается тем, что у термоэлектрической батареи, содержащей термоэлементы с холодными и горячими спаями, образованные из полупроводниковых ветвей ф - и й -вида, соединенных одна с другой с образованием кольцевых дисков и центрального трубчатого канала, примыкающего к одному из спаев, и теплообменник, примыкающий к другомУ спаю, каждый из дисков имеет диаметральный разъем, а теплообменник выполнен составным из полуцилиндров, жестко присоединенных к дискам, при этом крайние диски снабжены ограничительными шайбами для их...

Номер патента: 1179232

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Захаров, Малашкин, Новиков, Усов, Широков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

...устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор высокой частоты, выход которого подключен к шине для подключения затвора МДП-структуры, выходу генератора пилообразного напряжения и первому входу регистратора, исток МДП-структуры подключен к входу усилителя и первому выводу делителя второй вывод которого соединен с общей шиной, выход усилителя подключен к входу детектора, дифференциатор, выход которого соединен с вторым входом регистратора, введены задатчик эталонных сигналов, коммутатор и дополнительный регистратор причем выход детектора соединен с первым входом коммутатора, второй вход которого подключен к задатчику эталонных сигналов, первый выход коммутатора соединен с входом дифференциатора, а второй выход - с...

Номер патента: 671605

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Болотов, Васильев, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых

...контролируемого материала, после чего снова из-. меряют основные параметры и производят сравнение с первоначальными измерениями. Суть способа заключается в том, что облучение полупроводников, выращенных в условиях достаточно медленного охлаждения, создает комплексы дефектов, изменяющих характеристики кристаллов. Последующий нагрев6716 10 Для контроля качества слитков полупроводниковых материалов проводятся следующие операции. Изготавливаются образцы из каждого слитка партии. После обработки поверхности (шлифовки, полировки, травления) на образцах измеряется какая-либо характеристика (время жизни неравновесных носителей зарядаконцент" рация основных. носителей заряда, и при температуре полного отжига разрушает дефектные ассоциации и...

Номер патента: 623439

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Антоненко, Двуреченский, Смирнов

МПК: H01L 21/324

Метки: дефектов, имплантированных, отжига, полупроводников, слоях

...50р-и-перехода при таком способе отжига достаточно велик, а пробивноенапряжение невелико, поскольку наибольшая часть энергии выделяется наповерхности.554. Невозможность проведения отжига ионно-внедренных областей посленанесения на поверхность слоев металла и некоторых диэлектриков (многослойные структуры).Целью изобретения является исключение эрозии планарной поверхностипластины, возможность проведенияотжига в многослойных структурах иупрощение технологии.Поставленная цель достигаетсятем, что световой импульс направляютна поверхность полупроводника, противоположную планарной.С целью локализации выделенияэнергии длину волны света выбираютравной или большей (не более чемв 3 раза) длины волны, соответствующей краю основного...

Номер патента: 708862

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Глебов, Грицаенко, Егоров, Тарасов

МПК: H01L 21/8222

Метки: инжекционных, интегральных, логических, схем

...0,2-0,3 мкм. Фотолигографией вскрывают окно, через которое травят в кремнии канавку 5 (фиг. 2) на глубину 0,3-0,4 мкм с одновременным подтравливанием под маску. При ориентации подложки в плоскости (100) или (111) подтравливание происходит на расстояние 0,7-0,8 от глубины канавки, т.е. на 0,2-0,3 мкм. В канавку проводят диффузию бора с разгонкой в окислительной атмосфере. В результате формируют базовую 6 (фиг, 3) и инжекторную 7 области на глубину 1,0-1,2 мкм, покрытие окислом 8 толщиной 0,3-0,35 мкм, Затем фотогравировкой вскрывают в окисле 8 окно 9 (фиг. 4), причем в качестве маски используют фоторезист, а травят вертикально ориентированным пучком ионов без бокового подтравливанияокисла,Фоторезист является маской с одной (двух) сторон...

Номер патента: 1180817

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Адомайтис, Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: дрейфовой, носителей, скорости

...прибора 10, второй опгоэлектроццый ключ 7 подсоединен между держа толем 9 образца через вторую форми - рующую линию 5 к источнику 3 постоянного напряжения. Импульсами пикосекундного лазера 1 через полупроницаемое зеркало 11 освещается первый оптоэлектронный ключ 6 и через оптическую линию 8 задержки - второй оптоэлектронный ключ 7.Устройство работает следующим образом, Лазером 1 генерируется 40 импульс света. Этот импульс поступает ца оптоэлектронный ключ 6, сопротивление которого падает, способствуя разряду заряжеццой при помощи источника 2 напряжения формирующей линии ч и формированию электричессветового импульса:газера 1 зад(:р - живается при помощи с 1 тичсс койнии 8 задержки на время, соответствующее времени срабатывацця...

Номер патента: 1149742

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Гудков, Кашпаров, Колобашкин, Котляров

МПК: G01N 1/04, G21C 17/06, H01L 21/268 ...

Метки: отбора, проб

...режим воздействиялазерного излучения на материал образца при отборе проб исключаетвозможность искажения первоначальныхпрофилей концентрации примесей засчет термодиффузии, Если плотностьпотока энергии излучения менее5 10 Вт/см, происходит термонагрев образца, приводящий к нарушению распределения примесей, с одновременным падением скоростииспарения материала. Если плотностьпотока энергии излучения более510 Вт/см или диаметр Фокального3пятна превышает 0,1 диаметра образца, на поверхности микросферы образуются воронки, глубина которых достигает 1-27 диаметра образца, что снижает качество отбора проб.Отличительной особенностью предлагаемого устройства для отбора проб является размещение образца в аэродинамическом подвесе,что позволяет...

Номер патента: 1098466

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Пономарев, Приходько

МПК: H01L 21/66

Метки: вырождения, глубоких, квантомеханического, полупроводнике, фактора, центров

...разделаполупроводник в диэлектр с учетомтемпературного размытия, функции Ферми и по взаимному сдвигу полученныхспектров определяют квантомеханичес- З 5кий фактор вырождения глубоких центров,Способ осуществляют следующим образом.На поверхности исследуемого полупроводника, содержащего мелкую легирующую примесь, формируют слой туннельно непрозрачного диэлектрика,т,е. слой с толщиной, превышающейо100 А. При формировании этого слоя 45создают условия, обеспечивающие получение пассивированной границы разделаполупроводник-диэлектрик, в случаеиспользования в качестве исследуемогополупроводника кремния слой диэлектрика формируют окислением поверхности кремния в сухом кислороде с последующим отжигом в азоте, что дает плотность поверхностных...

Номер патента: 1157947

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Бабак, Кильчицкая, Стриха

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, контактов, невыпрямляющих, полупроводниковых, структурах

...полупроводника 3 ведет при условии Ы 1 к генерации электроннодырочных пар в объеме полупроводника по всей глубине проникновения излучения вплоть до контролируемого контакта. В области 4, а также в области 2 при наличии в ней потенциального барьера может происходить разведение фотогенерированных носителей электрическими полями потенциальных барьеров, что регистрируется как пульсирующий фототок посредством наблюдения в точке 13 падения переменного напряжения на нагрузке 9 независимо от темнового тока через структуру, который пропорционален постоянной составляющей напряжения на нагрузке 9 в точке 14.Величина и направление фототока для случая слабопоглощаемого света зависят от собирания генерированных светом носителей заряда, т.е. от...

Номер патента: 1184031

Опубликовано: 07.10.1985

Авторы: Алексеев, Крайнюк, Носенко, Отко, Проклов

МПК: H01L 41/22

Метки: доменной, молибдата, монокристалле, периодической, редкоземельного, сегнетоэластика, структуры, формирования

...1101 или 1101 монокристалла,84031 г,Г ИПИ Заказ 6277/52 Тираж 678 Подписно Филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул,Проектная, 11Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и можетбыть использовано при разработкеразличных приборов акустоэлектроники и оптики.Целью изобретения является повы -шение точности способа Формирования периодической доменной структуры в монокристалле сегнетоэластикаредкоземельного молибдата.На Фиг. 1 показан пример реализации предложенного способа Формирования периодической доменной структуры в образце монокристалла; наФиг, 2 - Фотографии получаемых доменных структур,Образец монокристалла 1 (Фиг. 1)закрепляют в держателе 2, например,с помощью клеевого соединения, Механический крутящий момент к образцу...

Номер патента: 1187292

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Очерет, Савин

МПК: H01L 21/66, H05K 13/08

Метки: безвыводных, конденсаторов, параметрам, подачи, преимущественно, радиодеталей, установках, электрическим

...блока контроля (не показан),состоящий из двух или четьрех подпружиненных контактов 29, соединенных проводами с двухполюсной вилкой.Контакты 29 приводятся в возвратнопоступательное движение радиальнорасположенными винтовыми пазами30 на рукоятке 8 управления привзаимодействии с выступами 31 корпуса 32 контактов 29, обеспечиваязажим радиодетали, механизм контактирования снабжен подпружиненнойопорой 33 для радиодеталей и установлен с возможностью взаимодействия с кулачком 34. Толкатель 24Механизма подачи радиодеталей к механизму контактирования установленнад подпружиненной опорой 33 длярадиодеталей,Механизм выгрузки радиодеталейвыполнен в вп;е рычага 35, расположенного под механизмом контактирования и выполненного с гнездом длярадиодеталей в...

Номер патента: 743507

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Плотников, Попов, Толоконников, Шубин

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, сигнал, электрических, электромагнитного

...центров захвата темновымиинжекционными токами, на границеполупроводниковых слоев образованызапорные контакты для носителей тока обоих знаков, что достигается,например, очищением широкозонногослоя от легирующих примесей или ихкомпенсацией.Толщина слоя широкозонного полупроводника должна быть не более5 мкм для получения эффективной модуляции приповерхностной областиузкозонного полупроводника, необходимой для последующего преобразования потенциального рельефа в электрический сигнал,На чертеже показана зонная диаграмма.Полупрозрачный контакт 1 выполнен к широкозонному полупроводнику2, а к узкозонному полупроводнику 3осуществлен омический контакт 4.При попадании на гетеропереходсо стороны полупрозрачного контактарегистрируемого излучения с...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Номер патента: 1188810

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Волцит, Нечаев, Павлов, Чернявский, Шварц

МПК: H01L 23/48

Метки: кристаллодержатель, свч

...20с первой контактной площадкой 3 вторая и третья контактные площадки 7и 8, при этом на второй контактнойплощадке 7 размещен кристалл 6, стоккоторого и второй внешний вывод 5 г 5подключены к третьей контактной площадке 8 при этом длина и ширина па 1й.эа соответственно равны длине и ширине изолятора 2, а глубина паза. равнасуммарной толщине изолятора 2 и крис талла 6,Для увеличения широкололосностикристаллодержателя СВЧ частотныеограничения, вносимые его паразитнымиэлементами, уменьшены путем уменьше- цния самих паразитных элементов. Такуменьшение индуктивности в истокекристалла 6 достигается путем максимального сближения соединяемых по-верхностей или применения параллельных заземлений, уменьшением контактных площадок до 0,1-0,01 мм 2 и...

Номер патента: 1190315

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Гореленок, Мамутин, Полянская, Приходько, Рождественский, Шмарцев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...вектора СВЧ-шумового сигнала. При этом используют специальное приспособление для измерения СВЧ-шума, в котором образец размещается над сильно излучающей четвертьволновой щелью.При переводе образца в низкоомное состояние в последнем возникает эффект локализации тока по какому-то 1 определенному направлению, т.е. появляется шнур тока.Экспериментально было установлено,что наличие двумерной проводимостиприводит к таким ограничениям на расширение шнура тока, что зависимость/температуры шума от тока, измеренная при ориентации плоскости образца, совпадающей с направлением10 вектора СВЧ-шумового сигнала, отличается от той же зависимости, снятой при ориентации образца в плоскости ортогональной вышеуказанной.Возможен также перевод образца...

Номер патента: 1190428

Опубликовано: 07.11.1985

Автор: Мякинченко

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, сборки

...+ Ыи - при загрузке и сборке деталей на трафарет 8 (фиксаторы для фиксации качающегося бункерав указанных положениях не показаны ) Виброплатформа 1 обеспечивает колебания качающегося бункера в направлении оси 2 качания с двумя различными частотами.Устройство работает следующим образом.В исходном положении качающегося бункера 3 он расположен под углом Фр заслонка 14 открыта, а заслонка 16 закрыта. В полость 11 для детдлей качающегося бункера 3 засыпают стержневые детали 7, а в полость 12 для деталей засыпают цилиндрические детали 10, Платформу 4 откидывают и устанавливают на нее кассету 5, после чего платформу 3 поднимают и фик3 1 90 сируют ее в месте с кассетой 5 под основанием качающегося бункера 3, при этом кассета 5 совмещается с...

Номер патента: 1191988

Опубликовано: 15.11.1985

Автор: Бобков

МПК: B05C 5/02, H01L 21/56, H01L 23/28 ...

Метки: герметизации

...увеличенном масштабе.Устройство содержит основание 1, на котором закреплен пневмоцилиндр 2, на штоке 3 которого установлен пневмоцилиндр 4, имеющий шток 5, и рабочая цилинлрическая камера 6 со штоком 7. Верхняя часть штока 7 подпружинена и упирается в шток 5 пневмоцилиндра 4. Пневмоцилиндры 2 и 4 и рабочая камера 6 соединены с пневмораспределителем 8, соединенным с блоком управления 9. Под рабочей камерой 6 на основании 1 установлен держатель О лля размещения герметизируемых изделий 11. В торцовой стенке 12 рабочей камеры 6 выполнено выпускное отверстие 13 со скосом 4 на внутренней поверхности торцовой стенки 2. Шток 7 рабочей камеры 6 имеет головку 15, имеющую скос 16 на своей цилиндрической поверхности, Скосы 14 и 16 образуют острые...

Номер патента: 1191990

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Беляков, Львов, Марченко, Черкас

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: полупроводниковый

...фиг. 1 показан преобразователь, общий вид; на фиг. 2 - полупроводниковый преобразователь, вид сверху; на фиг. 3 - сечение Л - А на фиг. 1.Полупроводниковый преобразователь содержит корпус 1 и полупроводниковые блоки 2, расположенные рядами в направлении течения потока теплоносителя. По длине корпуса преобразователя блоки установлены с обеих сторон корпуса и образуют центральный канал 3 для течения теплоносителя. Часть свободного сечения центрального канала 3 перекрыта дефлектором 4, при этом площадь перекрытого сечения центрального канала возрастает по направлению течения теплоносителя. Дефлекторы 4 каждого ряда выполнены в виде трапецеидальных разновеликих пластин, при этом пластины ориентированы таким образом, что большее...

Номер патента: 1114262

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Колчанова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: глубокого, ионизации, оптической, полупроводнике, примесного, симметрии, типа, центра, энергии

...носителей тока, создаваемых светом из рассматриваемой области энергии фотона (дырка, электрон). Эти сведения могут быть 0 Далее по формулам (4-8), приведенным ниже, строятся расчетные кривые спектральной зависимости сечений фотоионизации б , учитывающие зону проводимости / д /, зону тяже лых дырок /И 1, /, зону легких дырок/ Ве /, зону спин-орбитального расщепления / б 6 / для каждого типа симметрии /Г 6, Г, Гз /. Сечение фо тока определяют зарядовое состояние исследуемого центра после фотоионизации, экспериментальные зависимости фотопроводимости или коэффициента поглощения сопоставляют с расчетными кривыми, величину оптической энергии иойизации глубокого примесного центра с и тип его симметрии определяют по значениям параметров...

Номер патента: 1042541

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Андреев, Егоров, Лантратов, Ларионов, Румянцев, Сулима, Федорова

МПК: H01L 31/06

Метки: полупроводниковых, фотопреобразователей

...величиной приложенного напряжения и временем, необходимым для прекращения протекания тока между структурой и электролитом. Экспериментально найденное значение времени составпяет 5-10 мин.М 50Следующая операция - создание полосковых окон в окисной пленке. Обычно эта операция осуществляется методом фотолитографии, так как ширинаполосковых окон устанавливается в интервале 5-30 мкм. Полосковые окна задают конфигурацию токоотводящих контактов и обеспе4110425чивают при такой форме надежность кон".тактов при малом контактном сопротивлении. Другая геометрия контактов,например точечные контакты, приводитк увеличению контактного сопротивления и усложнению способа, так как ккаждому локальному контакту необходи"мо в этом случае изготавливать...