Копецкий

Номер патента: 1424292

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Голованов, Дмитриев, Дубовицкая, Дубровский, Копецкий, Лисицкий, Паздников, Райков, Редькин, Смирнов

МПК: C01B 9/00

Метки: галоидирования, легкоплавких, металлов

Способ галоидирования легкоплавких металлов обработкой жидкого металла при нагревании твердым галогенидом аммония, расположенным под слоем металла, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, галоидирование ведут смесью галогенида и нитрата аммония при содержании последнего в смеси 7 - 33 мол.%.

Номер патента: 1417383

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Артюшенко, Бутвина, Дианов, Копецкий, Личкова

МПК: C03C 3/32, C03C 4/10

Метки: ик-области, прозрачное, спектра, стекло

Стекло, прозрачное в ИК-области спектра, включающее иодид серебра и галогенид цезия, отличающееся тем, что, с целью расширения его области прозрачности в более длинноволновый ИК-диапазон и увеличения стабильности, оно дополнительно содержит бромид серебра при следующем соотношении компонентов в молярных долях:Иодид серебра - 0,1 - 0,6Галогенид цезия - 0,2 - 0,6Бромид серебра - 0,1 - 0,6причем для стекла с хлоридом цезия содержание иодида серебра 0,1 - 0,5, а для стекла с бромидом цезия содержание бромида серебра 0,1 - 0,5.

Номер патента: 1415781

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Воинов, Ильин, Копецкий, Сенков, Щур

МПК: C21D 1/09

Метки: сталей

Способ обработки изделий из сталей преимущественно углеродистых, включающий закалку поверхности лучом лазера и обкатку телом вращения, к которому приложено усилие, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости путем увеличения толщины аморфного слоя, обкатку осуществляют с проскальзыванием на 10-20%.

Номер патента: 1469889

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Голов, Клименко, Копецкий

МПК: C22B 34/34

Метки: молибдена, особой, чистоты

Способ получения молибдена особой чистоты, включающий сорбцию примесей из раствора молибдата аммония с получением очищенного раствора, упаривание полученного раствора с получением сухого молибденсодержащего остатка, термообработку остатка в атмосфере кислорода с получением оксида молибдена, восстановление его водородом до металла и последующую перекристаллизацию металла, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты и упрощения процесса, сорбцию примесей ведут с использованием в качестве сорбента гидратированного оксида олова и перед перекристаллизацией металл подвергают термообработке в вакууме при 700-900oC.

Номер патента: 1577633

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 29/80

Метки: баллистический, транзистор

Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенной от эмиттера на расстоянии 0,1 - 5 мкм.

Номер патента: 1402157

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Жорин, Копецкий, Крапошин, Лисовский, Столяров

МПК: G11B 5/68

Метки: вертикальной, записи, магнитной, материал

Материал для вертикальной магнитной записи, содержащий кобальт и добавки из немагнитного материала, отличающийся тем, что, с целью повышения фактора качества материала за счет выделения карбида металла по границам зерен, он дополнительно содержит углерод при следующем соотношении компонентов, ат.%:Углерод - 0,05 - 5Немагнитный металл - 5 - 25Кобальт - Остальное

Номер патента: 1394842

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Леонов, Лобаторин, Манучарьян, Сатункин

МПК: F16H 21/48

Метки: вращения, герметизированный, механизм, объем, передачи

Механизм передачи вращения в герметизированный объем, содержащий ведущее звено в виде пустотелого поворотного штока, размещенное в полости штока соосно ему и с возможностью осевого перемещения ведомое звено в виде прямолинейного стержня, кинематически связанного со штоком, жестко связанный со стержнем ограничитель его осевых перемещений, фиксатор радиального положения стержня и привод вращения штока, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, фиксатор радиального положения стержня жестко закреплен на ограничителе его осевых перемещений, а кинематическая связь стержня со штоком выполнена в виде расположенных симметрично оси вращения штока упругих ленточных шарниров, одни концы...

Номер патента: 1508891

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 39/20

Метки: сандвич-структура

Сандвич-структура, выполненная в виде двух проводников, разделенных диэлектрическим слоем и соединяющихся через расположенные в диэлектрическом слое проводящие микрозакоротки, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения и улучшения теплоотвода, в качестве одного из проводников использован металлический кристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, а микрозакоротки расположены упорядоченным образом.

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Номер патента: 1607640

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бальвинский, Копецкий, Маликов, Нисельсон, Шаповал

МПК: H01L 21/00

Метки: металлов, осаждения, слоев, тугоплавких

1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.

Номер патента: 1289337

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/20

Метки: диод, низкотемпературный

Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины свободного пробега электронов, причем плоскость границы зерна целиком расположена в области перешейка.

Номер патента: 1199165

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/22

Метки: микромостик, переменной, толщины

Микромостик переменной толщины, выполненный в виде двух электродов, соединенных перешейком, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения с одновременным увеличением срока службы за счет увеличения максимальной силы тока, протекающего по микромостику, микромостик выполнен из металлического монокристалла с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах 0,1 - 10 мм, причем длина перешейка составляет 0,02 - 1 от длины свободного пробега электронов.

Номер патента: 1389598

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Данилин, Ерохин, Жолудев, Иванов, Калинин, Копецкий, Литовченко, Медвидь, Мордкович, Попов, Романюк, Рудской, Темпер, Устинов, Шаповалов

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0) 1022 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.

Номер патента: 1380293

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Аллазов, Дарвойд, Дмитриев, Дубовицкая, Копецкий, Лисицкий, Мовсум, Мустафаев, Нисельсон, Райков, Смирнов, Третьякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/12

Метки: галогенидов, основе, растворов, таллия, твердых

Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов используют металлический таллий и по крайней мере один галогенид аммония, таллий берут в избытке 100 - 300 мол.% по отношению к галогенидам, помещают его сверху галогенидов и нагревают до температуры на 10 - 30oС выше температуры плавления твердого раствора, а кристаллизацию ведут перемещением...

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Номер патента: 1634739

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Дзюба, Зайченко, Копецкий

МПК: E01H 1/04

Метки: дорожных, покрытий

...УСтРОйетВУ,ПСС)РЦОЕ СРЕДСгВОередцяя часть 1 лотка 7 выполи, р. и с)т)здл 3 редотврдщдет попа:пнет крупплх вкичепи и большой мдссы наносов в рабочую зону цилиндрической цтетки6, а также служит нсправляощим элементом для продвижения наносов, срезанных ш 3 еком 12 в зону работы конвейера б, 1 еткд 16 ПРН 3(ВИКЕННИ УСтРОИСтВа ОтСЛЕжИВДЕт перРиости покрытия кдк в вертикдль- К )М цдцрГтЕ)3 И ТЛК И В ПОПЕрЕЧцОМ Пи 3;З)1(тЦЕ 313 УКПС)НД ПРОфтЛЯ ДОРОГИ т и и е;)де пд местные неровности, что способствует ълзестнв 30)у содъему сме а 3 п.)ребр;)Гке е о через кожух 13 шцека 12 1 ри встрс.че плужка 20 с выступаюСй чдст 3, бортового камня за счет утруГОй дЕфОрМацИИ 3)Ерт)гяЬНОГО НО- ж 19 и)ОСхо 3 т увод его п попереч т ЛПт;333.Оццц, Обкол 1 рсн 1...

Номер патента: 1131530

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Копецкий, Кусаев, Николаев, Смирнов

МПК: B01D 39/00

Метки: пористых

...медную трубку диаметром 8 мм, толщиной стенки 2,5 мм и длиной 1000 мм помещают в трубчатый кварцевый реактор диаметром 30 мм, снабженный четырьмя упорами, на которых лежит труба так, чтобы окисляющаяся ее часть не касалась стенок реактора. В местах ввода трубы на обоих концах реактор герметизируют уплотнениями из силиконовой резины, Внутренняя полость трубы продувается аргоном, а затем герметизируется. В реакторе поддерживается остаточное давление воздуха 40 мм рт. ст. На середину реактора надвигают печь сопротивления, имеющую изотермическую зону длиной 320 мм. Реактор постепенно нагревают до 860 1 ОС и проводят окисление кислородом воздуха в течение 40 ч. Далее реактор медленно охлаждают до комнатной температуры, продувают водородом при...

Номер патента: 985009

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Абрамов, Бандурин, Дзнеладзе, Копецкий, Петров, Погосов, Пугачев, Саравайская

МПК: C04B 35/49

Метки: керамики, пьезоэлектрической

...свойств. Дальнейшее увеавления до 6000 атм не позволяриэовать спеченный образец. Иэ таб та давлен ся электр свойства давления приводит и механич личениед ет заполя альная прочностьтяжение, бр, кг/см В табл. 2 приводятся срЗО ные результаты исследованифизических и механическихпьезокерамик ЦТВС-З, ЦТС оформленных в полуфабрикатосным прессованием порошкамассы, содержащего ОСВ, ическим прессованием при да3600, 4000 и 5000 атм. Образцыпри поляризацииразрушаются авнительй электро-: свойств9 и ЦТС, одно- пьеэо- изостати- влениях985009 Продолжение табл. 2 Одноосноепрессование Изостатическое прессование при давлении, атмСвойства ьная прочнос жение, 6 кг аксим а рас 430 0 320 зокерамика ЦТС 120 105 Пьеэомодуль, д,к/н ичес ангенс 45...

Номер патента: 813984

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Бокштейн, Клингер, Копецкий, Страумал, Швиндлерман

МПК: C30B 21/02

Метки: бикристаллов

...монокристалл олова на монокристалл германия (плоскость их контакта явится плоскостью будущей межфазной границы) и затем закладывают их в графитовую лодочку установки для направленной кристаллизации, причем один из концов каждого монокристалла находится на водоохлаждаемой державке,Затем проводят направленную кристал.лизацию при температуре 226 С, при этоммонокристалл олова (кроме затравочногоконца) расплавлен и находится в контакте с твердым монокристаллом германия,Скорость направленной кристаллизациисоставляет 10- см/с,П р и м е р 2. Берут монокристалл германия, ориентируют его оптическим методом (с точностью до 20), разрезают наплоские заготовки нужной ориентации.Нужную плоскость шлифуют механически и полируют затем химически в...

Номер патента: 855063

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Гнесин, Карпов, Копецкий, Чукалина

МПК: C22F 1/18

Метки: листов, молибденовых

...отжиг.Положительный эффект способа обусловлен тем, что в результате такбй обработки равномерно по сечению листа формируется острая текстура 001) ( 110 ) и создается особое напряженное состояние. Эти факторы обуславливают позышение пластичности.Согласно предлагаемому сттособу" обрабатывают молибден МЧ, штабики молибдена прокатывают с толщины 10 мм до 2,5 ма в направлении, перпендикулярном длинной осн штабика при 1250 оС. Затем ведется прокатка при 1000 ОС до толщины 1,5 мм в направлении, перпендикулярном последней прокатке. С толщины 1,5 мм до 0,35 мм прокатка ведется с одним перекрестом на толщине 0,72 мм при855063 30 Формула изобретения Количество гибов с перегибом до разрушения при величинах истинных деформацийна последнем...

Номер патента: 642638

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Аристов, Копецкий, Швиндлерман

МПК: G01N 23/20

Метки: внутренней, границы, движения, поступательного, раздела, скорости, твердом, теле

...осуществления способа; на фиг.2 - изменениеинтенсивности пучка лучей в зависимости от перемещения кристалла,На образец, состоящий иэ двухкристаллов 1, 2, разделенных границей 3, направляют пучок 4 рентгеновских лучей небольшого сечения с однородным распределением интенсивности,который облучает одновременно участки642638 Фиг. 2 Составитель Е.СидохинТехред З.Фанта Корректор В.Кривошапко Редактор И.Марголис Тираж ЫЮ Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д.4/5Заказ 7748/42 Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул. Проектная, 4 обоих кристаллов, примыкающие к границе. Пучок рентгеновских лучей, дифрагированных одним из кристаллов, регистрируется счетчиком, установленным по...

Номер патента: 610653

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Беликова, Гаранжа, Гарник, Дремин, Емельянова, Карпов, Копецкий, Коржова, Михайлов, Соколов

МПК: B23P 3/09

Метки: листовой, материал, металлический, многослойный

...толщины основы принят, ны стали достигает 400 кг/мм что позИсхОдЯ из Условий обеспечения необхо- волЯет полУчать высокие УпРУгие хаРакдимых упругих свойств изделий, иэготов- теристики материала в целом (бпц 50 кг/см).ленных иэ предлагаемого материала, нап ример мембраны. А толщина покрытия долж- В качестве других примеров выполнена обеспечивать коррозионную стойкость ния предлагаемогомногослойного материвагрессивных средах при повышенных ала являются полученные материалы с остемпературахновой иэ стали 36 НХТЮ тдлщиной 0,06 ммМногослойный листовой материал полуи односторонним и двухсторонним покрычали одним из известных способов свар- тием из стали ЭИ 654 с толщиной слояки основы, покрытия и прослойки с по,02 мм; с основой из стали 36...

Номер патента: 479819

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Карпов, Копецкий, Малышев

МПК: C22F 1/18

Метки: металлов, тугоплавких

...до 0,75 от истинного суммарного обжатия при прокатчике в обоих направлениях. В результате в металле возникает острая одноком 1 О 15 20 25 30 осецкий и С. А, Малышев ПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ понентная текстура. После прокатки осуществляют химическую или электролитическую полировку для удаления поверхностного слоя, равного 0,1 - 0,2 от толщины прокатного листа, затем металл подвергают высокотемпературному отжигу в вакууме или инертной среде, обеоссчиваощему прохождение первичной рекристаллизации и разориестировку зерен в структуре не более 20.При осуществлении предлагаемого способа горячекатасную и сротравленную карточку промышленного молибдена технической чистоты мар: и МЧразмером 200 Х 200;х,20 мм отжигают с вакууме 10тор по следующему режиму:...

Номер патента: 201682

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бокарева, Бурханов, Институт, Копецкий, Оттенберг, Савицкий

МПК: B21C 1/00, C22F 1/18

Метки: 201682

...путем обработки давлением исходной заготовки с содержанием циркония до 0,5%, отличающш 1 ся тем, что, с целью получения проволоки с повышенной тем нературой рекристаллизации, в качестве исходной заготовки используют монокристалл, ори.ентироваппый по оси (110), причем обработку до диаметра 0,8 - 0,6 лл осуществляют при нагреве не более 300 - 350 С, а последующее во- О лочение производят в холодном виде. кристалла от наревышать 3. Авторыизобретения Е. М. Савицкий,Известны способы получения молибденовои проволоки с повышенной температурой рекристаллизации путем обработки давлением (ковки и волочения) исходной заготовки, содержащей до 0,5% циркония.Отличием описываемого способа является то, что в качестве исходной заготовки используют...

Номер патента: 168238

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Копецкий, Новосадов, Пекарев, Плш, Ров, Савицкий, Тылкина

МПК: B21B 3/00

Метки: вольфрама, ленты, литого, монокристаллического, плющенки, полуфабрикатов, проволоки

...прутков получают монокристаллы вольфрама методом электроннолучевой зонной плавки в вакууме. Моно кристаллическии вольфрам прокатывают в ручьевом стане в защитной рубашке, например из меди, железа или никеля, до диаметра 1,5 - 2,0 мм при 400 - 600 С.Волочение проволоки осуществляется через победитовые или алмазные фильеры с промежуточной электрополировкой без отжигов до диаметров 20 - 30 мк. Волочение проводится через расплавленные металлы, например свинец или олово, с диаметра 1,5 - 2,0 мм до диаметра 0,4 - 0,5 мм при 340 - 350 С и с диаметра 0,4 - 0,5 мм до диаметра 0,2 мм при 240 в 2 С.Волочение через алмазные фильеры проводится в холодном состоянии или при подогреве до 100 - 200 С. Расплавленная среда служит одновременно...