H01L 21/265 — с внедрением ионов

Номер патента: 420015

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Баранова, Зорин, Павлов, Пашков

МПК: H01L 21/265

Метки: ионпого, легирования, полупроводников

...может иметь место заметная ускоренная диффузия импланпируемой примеси, которая трудно, поддается учету и может оказаться нежелательной в технологии производства полупроводниковых приборов, а снижение плотности гока приводит к чрезмерному увеличению времеви формирования примесцых слоев с данной концентрацией, что технологически также це всегда целесообразно.увеличение электрической активности примеси, введенной в полупроводник конной имплантацией, обеспечивается за счет того, что при точечном леппровавии полупроводников, например кремция, при комнатной температуре для увеличения электрической активности внедренной примеси, например бора, логируемый полупроводник предварительно подвергают упругому деформировацию.Упругие деформации...

Номер патента: 563704

Опубликовано: 30.06.1977

Авторы: Герфрид, Михаель, Рихард, Хартвин

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

...аммония. Облученные области слоя окиси кремния исчезают при этом быстрее, чем необлученные, так что после указагНого времени травления в облученных ооластях хорошо просматриваюгся углубления от 10 до 15 нм (фиг. 2).11 а следуошем этапе (фиг. 3) травленые диски нагревают в течение 2 час в печи при температуре 850 С. При нагревании накопле- цый легирующий материал диффундирует в эпитаксиальный слой 2. Образуется зона 11 с проводимостью р-типа с концентрацией 3 10" атом)см на поверхности с глубиной проникновения 1,3 мкм в узких допусках. Затем диск в травленых углублениях вторично облучается ионами при дозе 1,3 10" ем ви энергии 200 КэВ. Ионы, проникающие в зону 11 с проводимостью р-типа, образуют область 15 с проводимостью р+ (фиг. 4),В...

Номер патента: 531433

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования

...регулирования скорости пбворота образца с использованием ЗВМ, чтов значительной степени усложняет методикуоблучения и является основным ее недоствком.Целью изобретения является упрощение способа и обеспечение равномерного легирования.Цепь достигается тем, что энергию ионовустанавливвют таким образом, чтобы длинапробега ионов была равна толщине облучаемого образца, а образец равномерно вращаютвокруг оси, перпендикулярной направлениюпучка ионов. МНеобходимыми требоьвниями для реализации равномерного ионного легирования являюься: равномерность потока заряженных частицпо сечению падающего пучка и "омьвание"пучком частиц поверхности обпучаемого образца.Первое требование обеспечивает равномерность облучения всей площади образца и...

Номер патента: 591087

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Ждан, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

...юбразец от пути прохождения падающим пучком слоя воз духа толщинюй Х. При люстоянной величине потока частиц Ф и постоянной скорости перемещения образца, неравномернюсть концентрации внедренных ионав обусловлена только, изменением величины сИИХ. Функцию й=/(Х) определяют численным методом по кривым пробег - энергия для воздуха и материала облучаемото образца. На всем интервале, июключая толыко граничные участки, она имеет линейный ха. рактер, т. е. И/дХ = оопз 1, иоэтому усло. вие равномернюсти насыщения пю глубине образца выполняется.Для получения равномерного ионного летиравания по всей толщине облучаемого образца, плоский образец:раьномерно пере мещают вдоль направления пучка в пределах от лолного пробега ионов в вюздухе, когда ионы не...

Номер патента: 516317

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Качурин, Придачин, Романов, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, синтеза, соединений, тройных

...полупроводник внедря:от ионы одного иэ компонентов, входящих в бинарное соединение, при дозе, определяемой соотношением компонентов синтеэируемого тройного соединения, и затем полупроводник отжигают в контакте с веществомтретьего компонента, например, нанесенного в виде пленки на поверхностьбинарного соединения.Существо способа заключается вследующем.Предварительным облучением ионамиодного из компонентов А бинарного соединения АХ ВМдобиваОтся отклоненияприповерхностной области кристалла отстехиометрического равновесия,При Отжиге такого образца происходит генерация большого количества вакансий другого элемента Ч . Если вовремя отжига присутствует третье вещество С, растворяющееся по типу смеТираж 844 Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 841071

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Каганович, Максименко, Свечников

МПК: H01L 21/265

Метки: тонкопленочныхсхем

...незащищенной фоторезистом поверхности полупроводниковой пленки. 15Поток ионов, падающий на поверхностьпленки, выбивает из нее часть атомов,однако атомов шестой группы выбивается намного больше, чем второй (металлИ), в результате чего поверхность щоказывается обогащенной атомами второй группы и поверхностное сопротивление резко уменьшается. Таким образом,создается низкоомный слой, играющийроль электрода на поверхности высокоомного фоточувствительного материала, каким является тонкопленочные полупроводниковые соединения А ВСпособ упрощен тем, что исключаетнанесение поверх фоточувствительнойпленки металлической пленки и ее селективное травление для формированияэлектрода. Нанесение металлическойпленки на фоточувствительную приводит к...

Номер патента: 938338

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Гунина, Лаврентьев, Логутова, Поярков, Степанов, Черников

МПК: G03F 7/26, H01L 21/265

Метки: фотошаблон

...этогоне происходит "сшивание" фоторезистас маскирующей пленкой и положительный эффект не достигается.При легировании ионами с энергией более 2 ЬО кэВ происходит разогревание подложки до температуры, прикоторой происходит разрушение фоторезиста,Если доза легирования менее100 мкКл/см , то не достигается оптигмальная оптическая плотность, неполностью затягиваются проколы и,следовательно, цель изобретения недостигается.При дозе легирования. больше500 мкКл/см происходит разогревстеклянной подложки, что отрицательно влияет на качество легированного 1 Офоторезиста, резист разрушается.На чертеже изображен предлагаемыйфотошаблон, разрез,фотошаблон содержит стекляннуюподложку 1 с нанесенным .на нее маскирующим слоем 2 из металла илл...

Номер патента: 504435

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Зарипов, Хайбуллин, Штырков

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования, полупроводников

...20Экспериментально было установлено, что процесс электрической активации и устранения радиальных нарушений при гветовом облучении происходит практически мгновенно. Поэтому, при использовании 25 коротких импульсов светового излучения 1 например, длительностью й 15 нс) не должно происходить диффузионного перераспределения внедренной примеси, Таким образом, предлагаемый способ элек- щ трической активации внедренной примеси и устранения рациационных нарушений в ионно легироранном слое позволяет реализовать такой режим, при котором профиль распределения внедренных атомов35 примеси практически сохраняется неиз-. менным.Предлагаемыйспособ позволяет путем соответствующего выбора значений интенсивности и длины волны светового излучения...

Номер патента: 897052

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Лизин, Пухов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, приборов, резисторами

...полезной площади диэлетрика,что уменьшает степень интеграции пассивных элементов, расположенных в Целью изобретения является повышение процента выхода годных приборов.Поставленная цель достигается тем,что по способу изготовления полупроводниковых приборов с резисторами,включающему операции формирования диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами, маскирования, получениярезистора путем ионного легирования,вскрытия контактных окон в диэлектрике и формирования межсоединений,операцию получения резистора проводят после вскрытия контактныхокон одновременно с формированиеммежсоединений,На фиг. 1-4 показаны этапы изготовления полупроводниковых приборовс резисторами.После формирования...

Номер патента: 865063

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Вагин, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионной, повреждаемости, профилей, создания

...электролит для последующего однородного утонения этого.сложного сэндвича с целью полученияобразца для ПЭМ. Получение стольтолстых слоев методом вакуумногонапыления исключается из-за оченьмалых скоростей напыления, Крометого, сам по себе описанный процесс. является сложным и трудоемким.Цель изобретения - расширение области применения и упрощение технологии,55Цель достигается тем, что в известном способе создания профилейионной повреждаемости в плоских образцах путем ионной бомбардировки ионную бомбардировку образца осуществляют через поглощающие фильтры цилиндрической формы.На чертеже приведена схема облу-. чения образца.В соответствии со схемой облучения бомбардирующие ионы 1, проходя через переменную вдоль направления...

Номер патента: 1114246

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Зарипов, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: магнитных, пленок, полупроводниках, тонких

...адгезия ТМП с полупроводниковой подложкой.Конкретные значения или интервалы допустимых изменений параметров 10(Е,0, ), определяющих режимы ионнойимплантации, вытекают из необходимости выполнения следующих основныхусловий зарождения и роста ТМП задан.ной толщины и в заданной области 15внутри полупроводника: наличия достаточного количества ферромагнитныхатомов в заданной области формирования ТМП, наличия центров преципитации (выпадения в осадок) внедренной 20примеси в заданной области формирования ТИП; малая растворимость атомов материала ТМП в подложке,Всем этим условиям удовлетворяетбомбардировка полупроводников (например, Б или Се) ионами магнитныхэлементов, например железа, кобальта,никеля, для которых предел растворимости не...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Номер патента: 1162341

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Зарипов, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: излучения, поглотителей, черни

...стехиометрическим .соотношениям для соединений, Кроме того,если растворимость легирующих атомов 20в полупроводнике мала, а скорость ихдиффузии велика, то внедряемые вподложку атомы либо выпадают в осадок,либо образуют соединения. Причем таккак в процессе ионной бомбардировки 25образуются также микропоры и выделение вторичных фаз происходит на них( в общем случае на всех протяженныхдефектах структуры), то вторичныефазы образуются в мелкодисперсном З 0виде. При этом максимум распределения по глубине находится примерно нарасстоянии среднего проецированногопробега от поверхности. Одновременнос процессом синтеза при ионной бомбардировке происходит интенсивноераспыление поверхности, При большихдозах бомбардировки поверхностныйслой...

Номер патента: 527988

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Герасименко, Двуреченский, Потапова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

...контакта, включакщий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до)б. гбольших доэ (более 410 см ) ипри повышенных плотностях тока (бо-лее 4 мкА/см ). Этот способ исключает необходимость последующей высоекотемпературной обработки.Однако известный способ не позволяет существенно понизить переходноесопротивление металлического контакта и полупроводника.Целью изобретения является снижение сопротивления контактов.Цель достигается тем, что передвнедрением на полупроводник наносятпленку металла, дающего тот же типпроводимости в полупроводнике, чтои внедряемая примесь, причем толщинапленки равна или меньше длины пробега ионовПроцесс изготовления контактапредлагается проводить по следующейсхеме. На выбранную...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Номер патента: 1758710

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бермудес, Скуратов, Сохацкий

МПК: G01N 1/32, H01L 21/265

Метки: ионной, повреждаемости, профилей, создания

...(выступов) глубиной (высотой) 1 с наклонными образующими поверхностями, облучают заряженными частицами с проек 5 10 15 20 25 30 35 40 тивным пробегом Ври в даином материале, затем электрол итически осаждают на облученную поверхность слой материала, близкий по химическим свойствам к материалу образца, толщиной Л, где Ли, и электролитически утоняют полученный образец с двух сторон до плоскости наблюдения, находящейся от первоначальной поверхности на глубине Врхи.Г 1 ри этом в электронном микроскопе исследуются проекции профиля повреждения на плоскость наблюдения вблизи наклонных поверхностей.Таким образом. если величины" К Л и глубины расположения плоскости наблюдения выбраны в указанных пределах, то в проекции профиля на плоскость...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1637599

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Двуреченский, Манжосов, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

...растворением в водном растворе плавиковой кислоты НЕ,Формирует пленку аморфного Я 1 толщиной 0,1 мкм методом молекулярно-лучевого осаждения при 200 С,Формируют монокристаллическую пленку кремния импульсным отжигам с использованием рубинового лазера с длиной волны А = 0,69 мкм, длительностью, им1637599 Составитель Е.ЛюбушкинТехред М.Моргентал Корректор А,Обручао Редактор О,Стенина Заказ 1967 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 пульса т =30 нс при плотности энергии 1,0 Дж/см 2,Окисление ПК через окна, вскрытые в монокристаллической пленке, осуществляют в следующем...

Номер патента: 1671070

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Огурцов, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...повреждения транзистора при использовании -обработки, так как одной из причин выхода транзистора из строя является появление последова" тельного сопротивления из-за компен сации кремния радиационными дефектами в коллекторной области.В предлагаемом способе стабилизирующий отжиг преДлагается проводить при 180-220 С. Температура (220 С) 11 ОУОна верхнем пределе опведепф на экспериментально и соответств,ет началустадии отжита радиационных дефектов,5которые ответственны за бысгруюкомпонентуизменения Ьг 1 прп попивг,зирующем излучении, те 1 пн ературы ниже180 С не обЕспечивают стабилиэацййпараметров схемы, Так как и ряде случаев после изготовления кристалловИС их необходимо нагревать лс ЗОО 350 С (например, при посадке крнсталлов в корпус на...

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бреус, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, транзисторных

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Номер патента: 1340481

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Колесников, Коновалов

МПК: H01L 21/265

Метки: бис, затворами, мдп-транзисторах, поликремниевыми

...термическое окисление (Т = 950 С)поликремния в кислородной среде до тало20 щины окисла кремния 700 А. Затем осуществляют фотогравировку, используядополнительные маскирующие свойства выращенного окисла кремния, слоя поликремния, вытравливая его над областями стока,истока и затвора, При этом оставляют подслоем поликремния диэлектрик запоминающего конденсатора и второй промежуточ-.ный диэлектрический слой окисла кремния,расположенный над активными областямиструктур стока, истока и подзатворного диэлектрика,Для Обеспечения необходимого примесного распределения в подзатворной области подложки с учетом последующейо 5 термической сегрегации примеси и для подгонки порогов через выращенный слойокисла кремния проводят подгонку имплантацией...

Номер патента: 797454

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/265

Метки: механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ на кремнии, включающий выращивание окисла на обеих сторонах исходной пластины термическим окислением, создание тензорезисторов и токопроводящих областей путем введения акцепторной примеси через предварительно сформованную маску, создание металлических контактов к токопроводящим областям и формирование упругого элемента анизотропным травлением, отличающийся тем, что, с целью улучшения рабочих характеристик преобразователя при одновременном повышении процента выхода годных приборов, после выращивания окисла удаляют его с одной стороны пластины, затем удаляют приповерхностный напряженный слой кремния и выращивают тонкий слой толщиной 0,10 - 0,15 мкм, а введение примеси выполняют ионным...

Номер патента: 1218855

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Веригин, Егорушкин, Крючков, Логачев, Печенкин, Погребняк, Рмнев

МПК: H01L 21/265

Метки: имплантации, ионов, материалы, полупроводниковые

СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, включающий облучение ионами легируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности способа, облучение проводят импульсным сильноточным пучком ионов с плотностью энергии (0,9 - 1,5) 103 Дж/см3 и дозой (5 1012 - 5 1014) частиц/см2 за импульс.

Номер патента: 1524738

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: H01L 21/265

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий имплантацию ионов Al в эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости и отжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра, эпитаксиальный слой наращивают путем сублимации при 1700 -1900oС, парциальном давлении Si 5 - 20 Па в вакууме не ниже 10-3 Па, отжиг проводят при 1450 - 1550oС, а имплантацию - в процессе отжига.

Номер патента: 1766207

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Карасев, Пугачев, Скрылев, Фрост, Шилин

МПК: H01L 21/265

Метки: зарядовой, приборов, связью

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, включающий создание стоп-каналов, скрытого канала и области виртуальной фазы ионным легированием, нанесение подзатворного диэлектрика, проводящего слоя, формирование тактовых электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при одновременном упрощении процесса изготовления, после нанесения проводящего слоя в нем одновременно с формированием тактовых электродов вскрывают окна над областью виртуальной фазы, затен наносят фоторезист, проводят операцию фотолитографии, вскрывая в нем окна над областью виртуальной фазы с максимальным уровнем легирования, а последующее ионное легирование в окна проводят с энергией создания скрытого канала с соотношением доз, обратно...

Номер патента: 1083842

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Болдин, Голисов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...