H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 944468

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Ахметов, Гуляев, Давыдченко, Иванов, Котелянский, Медведь, Семенов

МПК: H01L 41/18, H03H 9/30

Метки: задержки, звукопровод, линии, ультразвуковой

...добавкой в этом звукопроводе яв(54)(57) звукопРовод УльтРАЭВУково ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ, выполненный на ос ве диэлектрического монокристалла структурой граната с легирующей до бавкой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения затух ния ультразвуковых волн в СВЧ-диап зоне при комнатной температуре, в честве легирующей добавки выбрана окись лютеция, а ее содержание в д электрическом монокристалле состав ет от 6 до 16 мол.Ф,944468 ф 20 М ОйеМия, рол. % г Со А рячсвц ктор Т,йаРганова ТехРед М,Мор тал Корректор Т,Вашкович Заказ 1085 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, М, Раушская наб д, 4/5НЕЕГагарина, 101 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгоро волн в...

Номер патента: 1499622

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, поверхностей, полирования, химико-механического

...способствует более быстрому цболее качественному выхаживан 11 юпорр ,1верхцос ти , подавляется ормир ова ни 8на 6 о в ерхнос ти твердого тела О кис ныхи гидр о О кис ных пленок з а счет пр еимущественноГО Образования р а с ТБ О )и45МЫХ КОМПХЕЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЙ С ЭЛЕ"ментамц обрабатываемого материала.Примеры 1-9 выполняют ИЕ)и следую"щих постоянных режимах полирования5 ОЧастота вращения,полнровальникаУдельное дантление на цлас 100-150 г/смтиныРасход полнрующего состЕРИ ПОЛИРОПКЕ(пластиныпредварцтельцообработаны сйободиьп 1 абразивом зернистостью 5 мкм) 10-15 мкм,П р и и е р 1, Для полированияпластин фосфида индия и-типа ориентации (100) используют полируюпфе 1состав, ца 1 л воцы в котором приходится 200 г Б)0)р 80 мл глицерина,60 мл...

Номер патента: 1788532

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Войтович, Калинов, Матюшков, Салтанов

МПК: H01L 21/312

Метки: шаблона

...волны света 250 нм, причем температура слоя при сканировании не должна превышать =100 С.В основе способа лежит явление создания центров окраски в кристаллах при действии высокоэнергетических излучений, в частности, потоков ускоренных электронов. Различные типы центров окраски имеют полос поглощения центров одного типа определяется свойствами кристалла. В методе литографии фотошаблоном называют изображение (топологический рисунок) структуры интегральной микросхемы, выполненное в виде чепрозрачных участков на прозрачной подложке, Изображение фотошаблона переносят с помощью светового потока на полупроводниковую пластину, в обьеме которой формируется физическая структура интегральной микросхемы. Минимальные размеры элементовсхем...

Номер патента: 1790013

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гнатюк, Зак, Лепешкин, Смирнов, Юмин, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: герметичное, микроэлектронное

...в конечном счете, позволяет повысить электро- герметичность корпуса, Конкретная форма (радиусы закруглений) подбирались экспериментальноо,Необходимым условием обеспечения герметичности и высоких СВЧ параметров заявленной конструкции МЭУ с полосковыми выводами является использование в качестве диэлектрика, изнутри прилежащего к крышке и плате в области их сопряжения, а значит и к полосковым выводам, материала, некоторого близок к 1, а тцд не более 1 х 10-з обладающего также высокой адгезией как к металлу, так и к материалу платы. 20 25 30 35 40 45 50 55 Малые значения е и сдд пенопласта, высокая адгезия его к различным материалам и газонепроницаемость при толщине прослойки 1 мм обусловливает его преимущественное использование в качестве...

Номер патента: 1790014

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Белобородова, Каликанов, Фомин

МПК: H01L 23/34

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой

...сочлененных стаканов, внешнего 3 и внутреннего 4. Внутреннее герметичное пространство стаканов заполнено легкокипящей жидкостью 20 5, Приборы, радиаторы и прижимы располокены в герметичной емкости 6, частично заполненный жидким диэлектриком 7, соединенной с конденсатором 8.Силовой полупроводниковый модуль 25 работает следующим образом: при прохокСиловой полупроводниковый модуль, содержащий конденсатор, соединенный с герметичной емкостью, частично заполненной диэлектрической жидкостью, в которую 35 погружены соосно расположенные между собой полупроводниковые приборы таблеточного исполнения и чередующиеся с ними оребренные радиаторы, а прижимы соосно установлены относительно полупроводни ковых приборов и оребренных радиаторов с...

Номер патента: 1790015

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Александров, Прохоцкий

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечный, элемент

...2, из-за поглощения света в р-и-переходе и областиполупроводника, прилегающего к р-и-переходу, происходит генерация новых носителей заряда. Диффузионное электрическое поле, существующее в р-п-переходе, производит разделение неравновесных носителей, Другими словами, с точки зрения энергетической диаграммы р-п-перехода, неравновесные электроны "скатываются" с+ потенциального барьера и попадают в и - слой, а дырки - в р-слой (базовый слой) 1. В результате происходит накопление электронов в и -слое и дырок в р-слое. Протекающий ток выводится с помощью электронов 6 и 9. При достижении фото ЭДС - 0,4 В барье р на контакте металл-диэлектри к-полуп роводник, расположенный на тыльной стороне солнечного элемента, оказывается смещенным в обратном...

Номер патента: 1791761

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: группы, деформации, относительной, полупроводниковых, постоянной, решетки

...величины - существенно повышает точность измерений иисключает неконтролируемую однозначи 50 ность, связанную с наличием нарушенногоповерхностного слоя,Способ осуществляется следующим образом,Для определения йсследуемого типа по 55 лупроводникового материала предварительно экспериментально получаюти Ьа ЬВзависимость типа -- . Для этого дляаряда образцов независимым способомэлектрохронографически либо рентгеноЫ Вг - В 1и по рассчитанному знацению - Вп номерность; зависимости В 1- ) и Вг ( - )Ьа Ьаа аНосят неоднозначный характер, и порозньЬамало чувствительны к значению - , как поаказана на фиг,2,Проведенные исследования показали,что можно найти такую функциональную зависимость измеренных величин, котораяобесйечит высокую...

Номер патента: 1791873

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Козел, Лаврентьев, Партон, Шестаков

МПК: H01L 25/00, H02M 7/06

Метки: выпрямитель, полупроводниковый

...1.Полупроводниковый выпрямитель содержит радиаторы 1 и 2 с размещенными на них полупроводниковыми выпрямительными диодами 3 и прямой и 4 обратной полярностей, На радиаторе 1 расположен дополнительный выпрямитель 5. Радиаторы 1 и 2 изолированы друг от друга дистанци. Онными втулками. Полупроводниковые выпрямительные диоды 3 и 4 попарно объединены шинами 7, Радиаторы 1 и 2 корпуса полупроводниковых выпрямительных диодов 3 и 4, шины 7 выполнены из тепло- и электропроводящего металла,Выпрямитель работает следующим образом,При подключении переменного напряжения к шинам 7 выпрямителя через полупроводниковые выпрямительные диоды 3 и 4 протекает электрический ток и нагревает их.Выделяющееся при прохождении электрического тока через...

Номер патента: 1791874

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Авилов, Барабаш, Горемыкин, Захарцев, Ковалевская, Копаев

МПК: H01L 35/28

Метки: кондиционер, средств, термоэлектрический, транспортных

...проводить замену в случае возникновения неполадок, одновременно обеспечивается более равномерный обдув всех радиаторных пластин, т.к, снижается возникновение локальных неоднородностей, создаваемых потоком воздуха, обеспечивается более равномерное температурное поле и уменьшается возникновение параэитных термоспособствует повышению эксплуатационной надежности.На фиг, 1 показана термоэлектрическая батарея с радиаторными пластинами, размещенная в разъемном корпусе (вид с торцевой поверхности); на фиг, 2 - разъемный корпус; на фиг, 3 - поперечное сечение термоэлектрической батареи, расположенной в разъемном корпусе; на фиг. 4 - модуль (вид с торцевой поверхности); на фиг, 5 - модуль (вид со стороны стяжек); на фиг. 6 - модуль (вид сбоку); на...

Номер патента: 1793492

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Анисимов, Аржаева, Горнов, Катаев

МПК: H01L 23/34

Метки: блок, преобразовательный

...и боковыми стенками, два встречно-параллельно включенных тиристора таблеточной формы, размещенных внутри охладителя с возможностью теплового и электрического контакта, расположенную между тиристорами контактную шину клиновидного сечения и фиксирующий элемент, установленный на охладителе с воэможностью взаимодействия с контактной шиной, о т л и ч а ю щ и йслужит фиксирующий элемент 5, установленный на охладителе 3 с возможностью взаимодействия с контактной шиной 4. На охладителе 3 расположена изолирующая 5 шайба 6, служащая одновременно внешнейшиной, Один токоотвод крепится к нижнему основанию охладителя 3 с помощью винта 7, другой токоотвод подсоединяют к контактной айне 4 с помощью. болта (не показан).10 Требуемое осевое усилие...

Номер патента: 1793493

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Голобородько, Казаков, Ушаков

МПК: H01L 35/34

Метки: батареи, термопар

...с низкотемпературной (ОЦК) модификаНа фиг, 1 показан пример технического цией, эти участки необходимо охладить доисполнения предлагаемой термобатареи. 20 температуры, обеспечивающей максимальПроводник из полиморфного сплава 1 изо- ный ГЦК -фОЦКфазовый переход, Какправигнут в виде спирали таким образом, Что ло, достаточно охладить участки проводникапереходные области 2 между участкамй с иэ сплавов на основе железа до температувысокотемпературной 3 и низкотемпера- ры кипения жидкого азота (78 К). Эксперитурной 4 фазами поочередно находятся ли ментально показано, что на величину ЭДСбо у нагревателя 5, либо у холодильника б.не влияет как осуществляется перевод вТермоЭДС, возникающая йа концах про- другую фазу локальных участков:...

Номер патента: 1793570

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Детинов, Златковская

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...что в радиаторе для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащем основание 1 в виде стакана с резьбовай внешней поверхностью 4 стенки 5 и закрепленным на днищем б стакана коаксиально его стенке 5 цилиндром 7, распорное устройство и размещенные между цилиндром 7 и стенкой 5 стакана пучки гибких проволок 3 и клинообразные сухарики 10, пучки гибких проволок 3 размещены между цилиндром 7 (наиболее нагретая зона) и клинообразными сухариками 10 с возмокностью теплового контакта с ними, а распорное устройство выполнено из разрезной цилиндрической втулки 12 с конической внутренней поверхностью, взаимодействующей со скосами 14 клинообразных сухариков 10, цилиндрической поверхность 1 о - с внутренней поверхностью 16 стенки 5, и накиднай...

Номер патента: 1794057

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Джон

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...иттрия (135.5 мл, 0,075 моль У) соединяют с 511,2 мл водного раствора нитрита бария (0,15 моль Ва) и 108,3 мл водного раствора азотнокислой меди (0,225 моль Сц), Комбинированный раствор нитрата добавляют по капле в 750 мл раствор 1 М щавелевой кислоты (примерно 1,5 раза стехиометрического количества, требуемогодля превращения . всех металлов в оксалаты), в результате образуется осадок голубого цвета. Полученную суспензию хорошо перемешивают и сушат распылением для получения тонкого1794057 Составитель Э.ВетроваТехред М.Моргентал Корректор Л.Лукач Редактор Заказ 523 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1794263

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Добров, Жемеров, Кубышкин, Лабковский

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...к достижению поставленной цели,На фиг.1 изображен предлагаемый преобразователь, общий вид; на фиг.2 - .сечение А-А на фиг.1.Полупроводниковый преобразователь состоит из охлаждающих элементов 1, коммутационных элементов и полупроводниковых вентилей 2, сжатых прижимным механизмом, состоящим из тяг 3, к которым с одной стороны прикреплен корпус 4 распорного устройства, призма 5, два цилиндра 6 и распорный винт 7, а с другой стороны - корпус 8 пружинного стягивающего устройства, в котором размещены тарельчатые пружины 9. На корпусе 8 пружинного стягивающего устройства установлен на оси якорь 10, подпружиненный пружиной 11. Якорь 10 удерживается в рабочем положении при помощи выступа 12 на поводке 13, который размещен на каретке 14...

Номер патента: 1436794

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Вербицкий, Рыжиков, Селегенев, Силин

МПК: G01T 1/20, H01L 31/0296

Метки: детектор, излучений, интегральный, ионизирующих, полупроводниковый

...эцс ггий лццицской вычислительцсй тол грдфии,эффективность регистрации вьппе цд20-307 чем ожидаемая, Более лс тдцьное исследование показало, что повышение чувствительности связдно свк.цдлом самого фотоприемцикд в преобразование энергии цоциэируюпцгоизлучения в электрическую, т.е. гетероцереход работает кдк полупроводниковый детектор ионизирующих излучений.При нанесении фотоприемццкд в виде оболочки Фотоприемник одцонременно работает как детектор и ионизирующего, и светового излучения.Приэтом повышение фоточувствительцостифотоприемника превьппдет ожидаемое втом случае,если приемник используется только как полупроводниковый детектор излучений. Специально проведенные исследования на фотоприемниках показали, что при одинаковой(по срдяцению...

Номер патента: 1282765

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Андреев, Березная, Воеводин, Грибенюков

МПК: H01L 21/306

Метки: диарсенида, кадмия-германия

...раствор винной кислоты Применание НОО Н О Поверхность сероГо цвета; слаборастворяются вторые фазы и окислы,материал не растворяется Поверхность серого цвета; слаборастворяются вторые фазы и окислы;материал очень слабо растворяется 2Появляется блеск на поверхности,растворяются вторые фазы и окислы;очень слабое растворение материала Поверхность блестящая; быстрое растворение вторых фаэ и окислов, слабое растворение материала Травление вторых фаэ, окислов и материала; слиток разваливается наблоки 1Увеличение содержания азотнойкислоты приводит к пассивации поверхности и реакция не идет, Изменениесодержания винной кислоты в сторонуувеличения приводит к увеличению скорости реакции;,при введении в раствортрех частей кислоты реакция становится...

Номер патента: 1795527

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Добродеев

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, интегральных, схем

...При ши рине пазов меньше 20 увеличивается ве-. роятность непопадания вывода в паз и его эакусывание; больше 30 ф 6 между пазом и выводом остаются зазоры, в которые вытекает пресс-композиция, образуя на выводах 15 трудно удалимцй облай, Указанные осо"енности предложения представляют собой его отличия от прототипа и обуславливают новизну предложения. Эти отличия являются сущсств".иными, поскольку именно они 20 обуславливают достижение положительного эффекта, отраженного в цели изобретения и отсутствуют в других известных технических решениях.На Фиг.1 показана формообразующая 25 полость ни.кней части пресс-формы, с уложенной в нее рамкой, и положение в пазе; на Фиг.2 - рабочая полость пресс-формы с рамкой в сом ну. ом виде и...

Номер патента: 1796079

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты

...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...

Номер патента: 1798089

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Акимов, Петухов

МПК: B23K 20/10, G01N 3/08, H01L 21/66 ...

Метки: перемычки, прочности

...ра 12 поступают на вход формирователя 13, который формирует импульсы фискированной длительности (порядка 10 мкс). Импульсы с выхода формирователя 13 поступают на вход транзисторного ключа 14, который начинает периодически открываться и закрываться. В результате заряженный конденсатор .15 от источника питания 11 начинает периодически разряжаться через первичную обмотку трансформатора 22, так как вторичная обмотка трансформатора 22 по отношению к первичной является повышенной, то в ней индуцируется высоковольтные импульсы, которые через диод 23 на конденсаторе 16 присутствует импульсное высоковольтное напряжение, поступающее через токоограничительный резистор 19 на первый выход блока определения высоты перемычки 8, а значит и на крюк 2...

Номер патента: 1798835

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Воеводин, Дохман, Думбров, Запорожский, Касимов, Ковыкин, Шишкин, Шкундин, Юкин

МПК: H01L 23/28

Метки: полупроводникового, прибора

...премикс, а толщину б стенок заготовки выбирают из выражения 0,03-максб0,351 мин, где 1 макс - наибольший линейный размер заготовки стенок корпуса;мин - наименьший линейный размер заготовки стенок корпуса, Полость заготовки заполняют распла влен н ым компаундом и охлаждают. 5 ил 1 табл,1798835 35 Результаты реализации способа изготовления прибора приведены в таблицеПриведенные зависимости установленыэкспериментальным способом.На фиг.1-5 изображена последовательность изготовления полупроводникового .прибора по предлагаемому способу, где 1 - 5плоский элемент основания корпуса, 2 -внутренняя арматура, 3 - выводная рамка,4 - полимерная заготовка стенок корпуса, 5- таблетированный компаунд, 6 - нагреватель 7 - пластмассовый корпус....

Номер патента: 1798836

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Лабазов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: микросборка

...и 12, проходящими через отверстия во фланцах прибора 1, теплоотвода 2, прокладки 4, вворачиваемыми в основание элемента 3, Винты 12 и 11 изолированы от корпуса прибора 1 втулками 13 и 14, вставленными в отверстия. во фланцах; Электрическое подключение к корпусу прибора осуществляется через монтажный лепесток 15. В корпусе прибора 1 на основании установлен кристалл 16, выделяющий тепло в виде расходящегося потока 17. При установке устройства на печатной плате 18 радиоэлектронного блока, возможно крепление пру-. жинными прижимными элементами 19,Устройство работает следующим образом;При включенном полупроводйиковом приборе 1 он нагревается и весь тепловой поток, выделяемый полупроводниковым кристаллом 16, расширяясь, пересекает...

Номер патента: 1798944

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Глухов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: преобразовательная, ячейка

...в углах которого расположены отверстия, через которые проходят стягивающие , болты, каждый из которых расположен наодинаковом расстоянии относительно двух полупроводниковых приборов. 1 з,п,ф-лы, 2 ил,ля 1 на одинаковом расстоянии друг относительно друга, а затем прижимают к этой плоскости через отводящие шины 7, изоляторы 8 и центрирующие упоры 9 устанавливаемые на каждый полупроводниковый прибор) упругой пластиной 4 посредством стягивающих болтов 5, проходящих через отверстия этой пластины и ввинчиваемых в охладитель, усилие прижатия полупроводниковых приборов регулируется деформацией тарельчатых пружин 6 при ввинчивании стягивающих болтов в охлади- тель,Преимуществом такой преобразовательной ячейки является то, что тремя стягивающими...

Номер патента: 1798945

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Абрамов, Богданов, Волков, Руппель

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: отвода, тепла, электрорадиоэлементов

...порошка составит 5по дан н ым (см. Тепло - и массообмен врадиоэлектронной аппаратуре. Г.Н. Дульнев, - М Высшая школа, 1984, 246 с,) В=2 10 м К/Вт, При площади соприкасаю2щихся сферических поверхностей Я = 150 мм 2,мощности тепловыделения на ЭРЭ (микросхеме) Р = 5 Вт перепад температур на зазоре составит ЛО=. РВIЯ = 6,6.К, При такой жеплощади соприкасающихся цилиндрических поверхностей перепад температурмежду контактами 1 и 2 составит 2 Ь=13,2 К.При использовании теплоотвода по техническому решению прототипа с приемлемой площадью сечения гибкого элемента Я= 20= 16 мм, длиной=- 50 мм для аналогичноймощности Р = 5 Вт, в соответствии с приведенным в описании патента ФРГ 3330708графиком, перепад температур между контактами составит...

Номер патента: 1798947

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Лопатин, Москвичев

МПК: H01L 21/00, H05K 13/00

Метки: выводов, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиоэлементов, рихтовки

...располокен над всей длиной опорной поверхности 15.Рабочие поверхности планки 9 элемента правки механизма рихтовки, опорная поверхность 15 стойки 14 и рабочая поверхность планки 11 прижима механизма фиксации выполнены из полиуретана, обеспечивая необходимый коэффициент трения между деталью 3, взаимодействующей с поверхностями вышеперечисленных элементов.Устройство работает следующим образом,Детали 3 подаются вибролотком 1 и посредством анкеров 2 поштучно загружаются в механизм рихтовки, При вращении двух выходных валов 5 редуктора 4 с равной скоростью и в одну и ту же сторону эксцентрики 6 обеспечивают перемещение корпуса 7 в пространстве по необходимой траектории. В результате перемещения корпуса 7 планка 9 посредством подпружиненных...

Номер патента: 1799488

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гришаков, Пырченков

МПК: H01L 23/00

Метки: бескорпусной, полупроводниковый, прибор

...3 с микросхемой является ь,м растекателем тепга, выделяеаботе. что улучшает условия теп 1799488лоотвода и повышает надежность охлаждения,Герметизирующий компаунд 12 в данной конструкции имеет сравнительно малую площадь соприкосновения с. внешней средой и источником влагопоглощения могут являться лишь очень узкие торцевые поверхности в местах выхода внешних выводов 14,Керамическая крышка 11 и керамическая подложка 1, закрывающие кристалл 3 с микросхемой с лицевой и обратной сторон, являясь совместимыми по термомеханическим характеристикам с кристаллом 3, делают конструкцию надежной и прочной. Герметизация прибора компаундом малого обьема создает минимальные напряжения в местах присоединения выводов,Металлическая рамка 7...

Номер патента: 1800309

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Ашкинадзе, Соловьев, Тикавый

МПК: G01N 1/28, H01L 21/66

Метки: дефектности, кремния, образца, подготовки, структуры

...травителем, на образце приготавливают наклонный шлиф с помощью электрохимического анодного растворения материала при воздействии на поверхность образца некогерентным светом с плотностью энергии Ю 500 Джейсм, после чего выявляют дефектную структуру, переводя процесс травления в селективный режим путем снижения интенсивности облучения до уровня Я 150 Дж/см.(я)5 0 01 И 1/28, Н 01 е относится к может быть исния образцов ния. Сущность разца подверм травителем. лектрохимичении поверхно, Травление ервой стадии е менее 500 е 150 Дж/см,1800309 Составитель А.щитаехред М,Моргентал едактор ректор И,Шулла аказ 1158 ВНИИПИ Гос Тираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5...

Номер патента: 1800501

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...типа (А,Е-центры, комплексы. С 5-Сь дивакансии), в процессе пассивации происходит электрическое взаимодействие между отрицательно заряженными РД и положительно заряженными атомами водорода, В результате процесса комплексообразования отрицательно заряженные центры теряют рекомбинационную активность, Атомы водорода пассивируют также разорванные радиацией связи в решетке на границе 51-302, уменьшая плотность поверхностных состояний. Следствием этого является уменьшение механических напряжений на границе Я-З 02 и улучшение электрических параметров транзисторов, При эксплуатации приборов в полях ионозирующих излучений атомы водорода в решетке Йснижают вероятность устойчивых радиационных дефектов за счет взаимодействия с первичными...

Номер патента: 1800502

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Баженова, Байдюк, Горбачева, Дрон, Минина, Сидохин, Утенкова

МПК: G21K 1/06, H01J 35/18, H01L 21/64 ...

Метки: блока, монохроматора, рентгеновской, трубки

...рентгеновской трубки в изложницу 2, выполненную в виде цилиндра 2 со сьемным дном 4, где осуществляется ее ориентирование посредством наклонной под заданным углом грани 5 на выступе 6 в стенке цилиндра и фиксация в этом положении посредством наполнителя 7. При этом рабочая плоскость 8 монохроматора 1 защищается от повреждений благодаря плотному контакту грани 5 с выступом 6, Внешние контуры блока монохроматора совпадают с контурами окна трубки и поэтому он легко монтируется в окне,Пример реализации способа.Производим изготовление блока монохроматора для рентгеновской трубки типа БСВс размерами фокусного пятна 1 10 2 мм, диаметром отверстия окна трубки 18 мм и материалом мишени анода Си, Ре и,Сг. Длинам волн рентгеновского иэлуче ния...

Номер патента: 1800503

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Горюнов, Крылов, Ладыгин

МПК: H01L 21/66

Метки: вольтамперных, мдп-транзистора, подпороговых, сток-затворных, характеристик

...усилителя 9 соединен свыходом электрометрического усилителя 1и неинвертирующим входом первого дифференциального усилителя 4, выход второгодифференциального усилителя 9 служит10 вторым информационным выходом,Предлагаемое устройство работает следующим образом, Сущность изобретениязаключается в том, что ток стока измеряемого МДП-транзистора 3 задается с помощью15 диода 8 изменением его напряжения прямого смещения. Цепь обратной связи стоктранзистора 3-электрометрический усилитель 1-дифференциальный усилитель 4-затвор транзистора 3 устанавливает на стоке20 напряжение, близкое по величине к напряжению источника питания 5. Следовательно, генератор 10 изменяет напряжениесмещения диода 8 О и соответственно токчерез него,...

Номер патента: 1800504

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Черников

МПК: H01L 23/44, H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...по ним тока, и тепловой поток через охладители 3 и ребра 4 передается диэлектрической жидкости, поступающий через входной патрубок 5, Поток охлаждающего агента проходит через ребра охладителя 01 и между ребрами и концентрическими приливами 6 и о 1. Часть потока 01, проходящая ребра первого охладителя нагревается и ц, проходящая по зазору между первым приливом и охладителем, останутся с первоначальной температурой, т,е, холодной, Перед следующим охладителем поток диэлектрической жидкости разветвляется на 01 и р 2, но теперь через ребра охладителя течет уже больше охлаждающей жидкости, так как зазор стал меньше; 0201, а о 1о 2, Далее по мере движения охлаждающей жидкости вверх, к выходному патрубку 7, процесс повторяется, и...