H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 132722

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Дмитриев, Костин

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, припайки, электродных

...Как только конец электродной проволоки коснулся капли, подающее устройство останавливается, а нагреватель продолжает движение до тех пор, пока его горячий конец с выступающим по краям элсктрода чсрез зазор 6 расплавленным припоем нс коснется капли полупроводникового прибора и не расплавит се. После этого, нагреватель уходитот капли, а проволока, зажатая подающим устройством, остается неподвижной, Когда капля остынет и электрод окажется припаянным, нагреватель и подающее устройство отходят еще дальше назад, а полупроводниковьЙ прибор с куском припаянной проволоки отрезастся. Затемцикл повторяется. Размер капли регулируется приспособлением (например, гидравличсским), с помощью которого изменяется величина гидростатического давления Р...

Номер патента: 132727

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Тареев

МПК: H01L 23/36

Метки: радиатор

...щ и й с я тем, что, с целью рхности и коэффициента теплоотдачи, радиатор выполли из посеребренной проволоки, припаиваемой к корДля охлаждения мощных полупроводниковых триодов обпользуются радиаторы пластинчатого типа. Эти радиаторы дажменением обдува имеют невысокие теплотехнические показателПредлагаемый радиатор отличается от известных тем, чтоет большую поверхность и коэффициент теплоотдачи, так какв виде спирали из посеребренной проволоки, припаиваемой крадиатора.Конструкция радиатора дана на чертеже.Он состоит из корпуса и спирально навивного оребрениямедный точеный. В торцовой части его имеются отверстия дления радиатора и отверстия для выводов триода. На корпусвается спирально навивное оребрение, которое припаиваетсяДиаметр...

Номер патента: 133530

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Диковский, Королев

МПК: H01L 21/479

Метки: выводным, контактов, между, поверхностью, полупроводникового, прибора, проводником, сварных

...получения сварного контакта требуемого типа, Это достигается тем, что легированию подвергается не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.Сущность способа заключается в следующем.Полупроводниковый материал легируется определенной примесью, затем импульсом тока производится приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направления тока сварки происходиг образование или выпрямляющего., или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключался к проволоке, то вместе сварки образуется...

Номер патента: 133953

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/479, H01L 23/00

Метки: диодов, полупроводниковых, формовки, электрической

...снимается ссопротивления 34. Сопротивление 33 значительно больше остальныхэлементов цепи. Поэтому оно определяет ток в цепи диода при постоянной величине напряжения, снимаемого с сопротивления 34.Синхронный переключатель 16 замыкается одним из кулачков,установленных на валу 8. Реле 21 и 22, включенные через магнигныеусилители, подключаются параллельно диоду 30. Эти реле,- имеющиеразличную чувствительность, срабатывают в зависимости от величинынапряжения на диоде. Сопротивление 35 значительно больше сопротивления диода. Поэтому напряжение на диоде определяется, главным образом, его собственным сопротивлением. От реле 21 и 22 срабатывают реле 25 и 26, осуществляющие запоминание величины напряжения на диоде и коммутацию напряжения...

Номер патента: 133954

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Курносов, Сидоров, Сущик

МПК: H01L 21/24

Метки: базы, тонкой

...примеси, например силумина, и пластину 3, выполненную из кремния п-типа, Полученную структуру помешают в печь с заданным температурным градиентом (Т 1 ) Т,), направленным в сторону пластинки 3 из кремния и-типа (фиг, 1 а), Зная из опыта или соответствующего расчета скорость движения зоны при заданном градиенте, процесс ведут до тех пор, пока зона ра; плава не подойдет на необходимое расстояние (где д - толщина базы) к границе пластинки 3 из кремния и-типа. Зз133954тем, не охлаждая композиции ннжеточки звтектики ( - Ь 77), во избежание появления трещин в кремнии при малых величинах д, изменяют направление температурного градиента на обратное (Т 2) Т,) и отводят зону расплава в обратном направлении от полученной базы (фиг. 1,б) .Для...

Номер патента: 134735

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Дутчак, Прохоренко, Хоренко

МПК: G01K 7/02, H01L 35/12

Метки: термопара

...одного из которых ниже, а точка кипения другого выше интервала измеряемых температур.На чертеже показана конструкция термопары.Термопара состоит из двух капиллярных трубок 1, изготовленных из однородного изолирующего огнеупора. Трубки заполнены разнородными электродами 2 и 3 в расплавленном состоянии. В качестве горячего спая 4 используется или сама исследуемая среда, или перемычки из тугоплавкого проводника, впаянного в армирующие капиллярные труоки. Холодные концы 5 термопары имеют температуру, равную температуре плавления электродов. Из верхней части термопары выведены токоотводящие провода б.Интервал измеряемых температур я более тугоплавкого электрода и ниже вог Предмет изо тения Термопстоянии, вдуемая сре а с электродами,...

Номер патента: 134736

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Иорданишвили

МПК: H01L 35/08, H01L 35/34

Метки: коммутации, полупроводниковых, термоэлементов

...их действия.Для снижения электрического сопротивления в местах соединения ветвей термоэлемента с металлическими пластинками предлагается в качестве припоя применять сплав индий-галий жидкой эвтектики,Элементы индий и галий, взятые в количестве 16,5% галия и 83,5 Ъ индия, образуют ряд твердых растворов и эвтектическу 1 о точку с темпе. ратурой плавления +15,7.Расплавленный сплав индий-галий имеет хорошую смачиваемость; поэтому его можно применять для облуживания материалов, используе. мых в настоящее время для изготовления термоэлементов, Образую щаяСя ПрИ ЭТОМ ПЛЕНКа ИМЕЕТ СОПрОтИВЛЕНИЕ ПОрядКа Ос В ОЗ 1,СИ 2, Об. луживание производится при комнатной температуре без прогрева, чго очень важно при применении термоэлементов в...

Номер патента: 135149

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Васильев

МПК: H01L 29/82, H03F 5/00

Метки: массой, немаг, отрицательной, усилитель

.... тем, что, с целью ГЦСН В ПОСТОЯ ННОС стрснсни 5 с 5 лива(нс:5 аг), О т л иа О и и и с 5 та усиления, кписталл помо. ,чсльнос направлению распроИзвсстсн усилтсль с отрицательной массой нсмаг), Выполнепый в Виде полупроводникового кристалла с носителями тока, обладаюпими отрицательной массой, помещенного в отрезок волноводного тракта, между широкими стенками которого создано постоянное электрическое поле, перпендикулярное направлению распространения усиливасмого СВЧ сигнала. Недостаток подобных усилителей состоит в относите,чьно низком значении коэффициента усиленияВ описываемом усилителе этот недостаток устранен тем, что полу роводниковыи кристалл помсцс в пост 05 ннос магнитное пойс, параг- лсльнос направлению распространения...

Номер патента: 135223

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Баранова, Майков, Шур

МПК: C22C 19/00, H01F 1/14, H01L 41/20 ...

Метки: магнитострикционный, никелевой, основе, сплав

Номер патента: 135528

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Голубцова, Кочкарев, Лайнер, Павлова, Эпштейн

МПК: H01L 35/18

Метки: сплав, термоэлектрогенераторов

...в небольших и висмут. Это обеспечивает повьпдение коэффициен вия термоэлектрогенератора. Описываемый сплав состоит из 35% цинка и 65% сурь дится в него в количестве 0 5 - 2 07 о, а висмут 1,5 - 2,5% о ния цинк - сурьма. Сплав получается простым сплавлен нентов в графитовом тигле. Сплав, содержащий 1,5% олова и 2% висмута от вес цинк - сурьма, имеет коэффициент термоэлектродви а=280 - 300 лкв/град и удельную электропроводность а= При этом показатель к.п.д. термоэлектрогенератора оа градом -см-,Сплав может найти применение в любых устройства на использовании термоэлектрических свойств соединенияадают недостанизкий к,п,д. ем, ч коли та по о в его состав ествах олово лсзпого дейстгы. Олово ввовеса соединеем его компоа соед жущей 200...

Номер патента: 135540

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Евтюшкин, Мартынов, Полетаев, Прохоров, Романов, Румянцев, Чернышев

МПК: H01L 23/00

Метки: выпрямительных, заготовки, листовые, нанесения, селена, селеновых, элементов

...каретки конечный пункт папаривания размыкаются контакты Г нппаР, пускатель П, отключается, и включается пускатель П, и т. д,По истечении времени напаривания замыкается контакт РВ реле времени и реле Р включившись через тумблер Ть блокируется своими контактами. При этом отключается магнитный пускатель П, форвакуумного насоса, включается электромагнит вакуумного крана для впуска атмосферы, отключается пускатель Пз нагрева испарителя, реле Р, и пускатель П а включается звуковой сигнал окончания цикла напарпвания, Одновременно включается пускатель П, через контакты пускателя Пз, реле Ръ реле Р путевые контакты Г.К. и контакты пускателя П, и каретка направляется в конечный пункт.В конечном пункте размыкаются путевые контакты Г.К.,...

Номер патента: 135977

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Масловский

МПК: H01L 29/02

Метки: германиевый, диод, силовой

...диск 3 указанного сплава диаметром 36 лглг и толшиной 0,2 лглг. Впчавлгние осуществляют в течение 20 - 25 лгггн при температуре 800 - 810, а диффузию ведут в течение 5 - б час при температуре 770 - 780.омическии контакт с противоположной стороной диска 1 полу гают путем проплавления диффузионной п-области, покрываюшей в.сь диск 1, сплавом олово-индий, содержащим 70% олова н 30% индия. Раз- меры диска из указанного сплава - диаметр 40 лгл 1 и толщина 0,2 лглгПриплавление омического контакта производят прн прогреве в гсчение 5 - б лгггн до температуры 490 - 500 и последующем подъеме т:- пературы за 2 - 3 лгин до 510 - 515. После удаления диффузионного и-слоя и обнажения перехода 2 путем травления в кипящей 4% перекиси водорода переход...

Номер патента: 136475

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Бабиков, Бахтин, Дяковский

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, выпрямителей, сборки, селеновых

...вертикальный ползун вместе с деталями опускается вниз и головка примыкает к позиции комплектации.Предмет пзоорстения1, Автомат для сборки селеновых выпрямителей по авт. св. М 96572, о т л и ч а ю щ:и й с я тем, что, с цельк) повышения надежности его работы, для подачи деталей на позицию соорки применены подпружиненные параллельные шиберы, осуществляющие поштучную выдачу деталей из питателей на позицию комплектации, и управляемый кулачковым механизмом шибер, расположенный в плоскости, перпендикулярной указанным шиберам, и перемещающий выданньц детали на позицию, в которой они располагантся центрированно на пути движения шпильки выпрямителя.2. Автомат по п. 1, отл ич а ющи йся тем, что программный коммутатор выполнен в виде...

Номер патента: 136476

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Варданян, Дробышев, Зеликман, Лукашева, Соловьева, Тодорова, Шкуропат

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, кремниевых, перехода

...упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 - 800".Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35 - 0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 - 800. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 - 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 - 7 лк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 - 800, выдерживается при этой...

Номер патента: 136477

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Беленкова, Сильвестрова, Трушина, Харахорин

МПК: H01L 21/103

Метки: выпрямителей, селеновых, температуростойких, элементов

..., 150 С. Он отличается от известных тем, что селен высокой чистоты, полученный вакуумной перегонкой, легируют примесью марганца, железа, алюминия или серебра в соответствующих концентрациях.Сущность способа состоит в следующем.В кварцевых эвакуированных ампулах при нагреве в течение 3 час до 700 в 7 С готовят легатуры селена с присадками марганца, алюминия, железа или серебра в концентрациях 1 - 3%. Первые два элемента вводят в виде металлов, последние - в виде металлов или селенидов. Последовательным разбавлением готовится селен с содержанием 0,001 вес, % примеси. Одновременно вводят 0,001 % марганца и 0,001% серебра, а также 0,001% марредмет изобретения 1. Способ изготовления температуростойкихэлементов селеновых выпрямителеи,...

Номер патента: 136805

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Григорьев, Евстратов

МПК: H01L 35/12

Метки: термоэлемент

...из изолированных друг от друга стержней из полупроводникового материала с нанесенной на их поверхность металлической пленкой, выполняющей роль горячего сная.Предлагаемый термоэлемент отличается от известных применением полупроводниковых сплавов с близкими теплофизическими свойствами, что позволяет использовать его для исследования нестационарного теплообмена.Термоэлемент (см. чертеж) состоит из двух прямоугольных стержней 1 и 2 различных полупроводниковых сплавов, один из которых имеет в паре с металлом положительный коэффициент термоэдс, а другой - отрицательный. Между стержнями вклеена электроизоляционная прокладка 3. Рабочая (торцовая) поверхность стерженей покрыта пленкой 4 металла с высокой электропроводностью (медь,...

Номер патента: 136894

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Нежельская, Цейтлин

МПК: G01B 11/02, H01L 31/08

Метки: датчик, малогабаритный, фотоэлектрический

...возможплость настройки на поле допуска датчика,На чертсже изооражс 112 принципиальная схем 2 датчика.Измерительный стержень 1, установленньш на мембранах 2, черсз рычаг 3 ша 1 рн 11 рно соединен с уголковой подвсской 4, которая со 1 леиена с витой бронзовой лснтои-пружиной 5, несущей зеркало 6, мсняюпце С 1 рслку прибора.Из осветителя, состоящего из малог 202 ритной лампы 7, конденсатора 8, щслевои д 112 фрагмы 9 и Ооъсктпва 10 пучок сета падает на зеркало 6 и отражается световым зайчиком на отсчстную шкалу 11 и ДВ 2 кольцеВ 1 х зсркала 12 и 13, центр кривизны которых совп 11 дает с Ос 10 поВоротного зепкала 6. 32 счет пООора углоВой подВсск 11 и ленты-пружины можно измснять в широких пределах передаточнос отношение...

Номер патента: 137148

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Базанов, Никитин, Тарасов

МПК: H01L 35/12

Метки: ветвь, отрицательная, термоэлемента

...силы.При разности температуры в 600 этот материал дает возможность трансформировать тепловую энергию в электрическую с к.пд. около 8%. Температура плавления сплава - около 900.Исходными компонентами для получения указанного материала являются возогнанный спектрально чистый магний, олово высокой чистоты и кремний с удельным сопротивлением 10 о,и/слп Сплавление производится первоначально в графитовом тигле в электрической печи над слоем карналлита. Соотношение исходных компонентов для получения промежуточного сплава-лигатуры следующее: Мд 2,1; % 0,7; Яп 0,3. Назначение небольшого количества избыточного магния - компенсировать потери его во время синтеза в результате испарения. Синтез и введение добавки сурьмы в количестве 3 мг...

Номер патента: 137558

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Крашенинникова, Финогенов, Шмелев

МПК: H01L 35/08, H01L 35/34

Метки: коммутации, термоэлементов

...между собой, подвергаются сжатию и, в условиях исключающих окисление (в вакууме, в инертной или восстановительной средах), прогреваются при определенной температуре в течение некоторого времени.После выполнения указанных операций происходит сращивание по правильной плоскости за счет взаимной диффузии атомов коммутируемых образцов.На фиг. 2 представлена структура переходного слоя, образующегося между сурьмой и тройным положительным сплавом, скоммутированных диффузионным методом, из которой видно, что переходный слой при этом значительно тоньше (по сравнению с методом заливки),В процессе осуществления диффузионного сращивания применим также ультразвук, поскольку при этом решающим фактором является обеспечение тесного контакта атомов...

Номер патента: 137586

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/06

Метки: выводов, выпрямителя, крепления, одноэлементного, селенового, электродам

...из металлической фольги, отполучения механически прочного го электрического контакта, укаедством импульсной, в частности,крепления выводов к эл ителя с верхным электро ся тем, что, с целью и надежного теплостойк ление осуществляют поо ной электрооварки. Селеновые выпрямительные элементы с верхним электрметаллической фольги обладают высоким рабочим напряженипературостойкостью и .другими ценными свойствами. Одна(коу обоих электродов таких элементов гладкой поверхности неет осуществить непосредственное прикрепление к ним токоподвыводов, вследствие чего в выпрямителях с непосредственнымкием выводов такие элементы не применяются.С целью получения в одноэлементных селеновых выпрямверхним электродом из металлической фольги механическ 1...

Номер патента: 137893

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Дубровский, Мельник, Одинец

МПК: C30B 7/12, H01L 21/316

Метки: защиты, кремния, кристаллов

...окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимуо чистоту и достаточнуо толщину оксидного покрытия,Практическое осуществление способа заключается в следуощем. Надне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 - 10лл в специальной ячейке закрепляют кремниевый анод, подлежащийпокрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 - 1,5 лгол. сл,После того как электрохимическая ячейка собрна электроды подаот ток напряжением 20 - 30 в. В137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в...

Номер патента: 138952

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гринбаум, Цырлин

МПК: H01L 31/00, H04N 5/30

Метки: потенциального, рельефа, считывания

...пленки 2, образует на примыкаюшей к запорному слою 4 обратной стороне фотополупроводника потенциальный рельеф, аналогично тому, как это происходит в мишени видикона.Импульс поперечной упругой волны, создаваемый, например, специальным концентратом, распространяясь вдоль поверхности запорного слоя 4, резко повышает его проводимость и таким образом последовательно приводит в электрический контакт участки поверхности фотополупроводника 1 с пленкой 3. Полученный при этом видеосигнал может быть снят с любой из пленок 2, 3.Многострочная развертка по описанному способу может быть осуществлена, в частности, с помощью отражающих устройств на краях мишени или при помощи вибрационных устройств, автоматически переключаемых в конце строк.Описанный...

Номер патента: 139015

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Красилов, Мадоян

МПК: H01L 29/88

Метки: двухэлектродный, полупроводниковый, прибор, туннельный

...своей вольтамперной характеристики.На фиг. 1 изображена характеристика описываемого прибора; нафиг 2 в его структурная схема,Кривая характеристики описываемого прибора (фиг. 1сплошной линией и для сравнения там же пунктиром изобрвая язве:тных туннельных диодов.Прибор обладает участком с высоким дифференциальным сопротивлением. Этот участок, образующийся при небольших (порядка долей иединиц вольт) положительных смещениях, обусловлен вторым обычным1 т. е, не обладающим туннельным эффектом) р - и переходом, работающим в области обратной ветви при указанных смещениях на всем приборе. После наступления лавинного или зиннеровского пробоя обычногоР - и перехода начинает работать туннельный р - и переход, обусловливая появление на вольтамперной...

Номер патента: 140499

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Брук, Недобейко, Ратенберг, Сущик, Фронк

МПК: H01L 21/329

Метки: диодов, диффузионных, кремниевых

...14.Высушенные пластины помещают в печь, где в течение нескольких часов при высокой температуре порядка 1300" производится окисление поверхности пластин кремния. После охлаждения пластин на их по. верхность наносятся соединения, содержащие необходимые легирующие элементы, которые при высокой температуре образуют совместно с двуокисью кремния стекловидные слои, Для создания выпрямляющих переходов на кремнии р-типа используется водный раствор ортофосфорной кислоты, а на кремнии г-типа - водный раствор буры.Пластины с нанесенными на окисную пленку составами вносятся для проведения диффузии в печь, температура которой должна быть не ниже точки образования жидкого стекловидного слоя на поверхности кремния.Во время этого процесса на пластинах...

Номер патента: 140829

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Абросимов

МПК: H01L 23/24

Метки: генератора, клистронного, питания

...теоретически будет тражательных клнстроновтабильностями в диапазоне перестроики атор-катод и отражательависимых источников (вы,% 1411829 прямителей); обеспечить приведенное выше соотношение между процентными изменениями этих двух напряжений при колебаниях питающей сети.Двухполупериодный выпрямитель В 2 (см. чертеж) вырабатывает постоянное напряжение Г питаясь при этом от стабилизированного трансформатора Тр,. Напряжение Г, вырабатывается двухполупериодным выпрямителем В 1. Для упрощения процессов регулировки стабильности выпрямителя к одному из вентилей двухполупериодного выпрямителя В 1 подключен источник стабилизированного переменного напряжения от обмотки трансформатора Тр а к другому вентилю - источник нестабилизированного напряжения...

Номер патента: 140914

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Лихтман, Самохвалов, Татаренков, Червнявский

МПК: H01L 21/38

Метки: диффузионных, производства, сплавных, триодов

...с одной стороны пластинка 1 из полупроводникового материала (германия или кремния) закрепляется на базовой подкладке 2, выполненной, например, в виде кварцевого параллелепипеда, Крепление полупроводниковой пластины может производиться за счет ее припайки к двум никелевым штырьками. Затем подкладка вместе с пластиной вставляется в молибденовую кассету 4. где фиксируется плоскими пружинами 5 и 6. Кассета имеет два штыря 7 для фиксации с. соответствующими отверстиями шаблона 8. Шаблон изготовляется из слюды или кварца и имеет сквозные отвер14(,)914 Иредмег изобретения Способ производства вплавных диффузионных триодов с использованием шаблонов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии производства триодов, для создания...

Номер патента: 140915

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Бакаев, Геллер, Дорин, Захаров, Наследов, Соловьев

МПК: H01L 21/66

Метки: измерительный, прибор

...стальным зондом врезающимся своим острием в слой селена, Острие клиновидного или конусообразного зонда 2 имеет угол заточки около 20, Клиновидная форма зонда может применяться в случае измерения потенциала нз сравнительно плохо проводящих полупроводниках, с целью повышения чувствительности измерения, Зонд закреплен во фторопластовой опраз.140915ке, обеспечивающей надежную электрическую изоляцию его от остальной части металлического прибора.Образец устанавливается в держателе 3, который не только фиксирует положение селенового выпрямительного элемента, но и является одновременно токоподводящим устройством. Губки держателя представляют собой плоские медные пластинки, электрически изолированные от остальной части держателя,...

Номер патента: 140920

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Вульфельдт

МПК: H01L 37/02

Метки: непосредственного, преобразования, тепловой, электрическую, энергии

...преобразования тепловой энергии в электрическую.Основным элементом схемы является ссгнетоэлектричсскнй нелинейный конденсатор 1, включенный в контур совместно с инлуктивностью-лросселем 2 и сопротивлением 3.В начальный момент на конденсаторе 1 имеется некоторь 1 й весьма небольшой начальный запяд. При из.;1 ененпи теплового потока, подающего на поверхность конденсатора, изменяется температура диэлектриМ 140920 ка конденсатора, что приводит к уменьшению диэлектрической проницаемостиа следовательно, и емкости конденсатора. Таким образом, тепловой энергией совершена работа против сил электростатического поля, в результате чего электрическая энергия конденсатора возрастает. Затем конденсатор разряжается на индуктивность 2 и его энергия...

Номер патента: 141560

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Вульфельдт

МПК: H01L 37/04

Метки: непосредственного, преобразования, тепловой, электрическую, энергии

...одновременно функции теплоприемника и охладителя. Катушка индуктивности выполнена конструктивно таким образом, что ооеспечивается периодическое изменение индуктивности при периодическом нагревании или охлаждении ее ферромагнитного сердечника. Сущность предлагаемого параметрического резонансного способа преобразования тепловой энергии в электрическую заключается в изменении индуктивности контура У. при неизменном токе с, при этом тепловой энергией совершается работа А против сил электромагнитного поля141560 Предмет изобретения Способ непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую путем периодического нагревания и охлаждения сердечника нелинейной катушки индуктивности термоэлектрического генератора вблизи точки Кюри для...

Номер патента: 142651

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Савков

МПК: F25B 21/02, H01L 35/30, H01L 35/32 ...

Метки: полупроводниковая, термобатарея

...в котором размещены батареи, каналы 2 для циркуляции охлаждающей среды и каналы 8циркуляции охлаждаемой среды. Каналы 2 отделены от каналов 3ляцией 4, а прямоугольники, образующие столбики металлов Аразделены токопроводником 5.Столбики металлов А и Б соединены последовательно - холоднспай б - горячий спай 7 - холодный спай 8 и т. д.К первому и последнему столбикам батареи подсо иены токопводящие шины 9 и 10.Спаи б, 7, 8 и т, д., а также токоподводящие шины 9 и 1 оны с ребрами 11, 12, 13, 14 и 15.142 б 51 - 2 -Детали 1,.5;:б, 7, 9,:;10, 11, 12, 14 и 15 - изготовлены из металлов, обладающих, наименьшйм электрическим и тегловым сопротивлением, например из меди, серебра и т. п.Стрелками.,1 б и 17 схематично показаны места подвода и...