Герасименко

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Смирнов, Кузнецов, Герасименко, Любопытова, Эдельман, Лежейко

МПК: H01L 21/265

Метки: кубической, карбида, синтеза, модификации, кремния

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 719390

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ловягин, Алферов, Мурадов, Герасименко, Донин, Бакланов

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов

Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют луч лазера с длиной волны излучения 0,46 - 0,51 мкм, работающего в непрерывном режиме на мощности 0,1 - 1,0 Вт, фокусируют его по оси изготовленной диодной структуры в пятно диаметром, составляющим 0,5 - 0,6 диаметра n-p-перехода, затем плавно в течение 2 - 3 мин увеличивают мощность до значения 5...

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Васильев, Мойзеш

МПК: H01L 21/268

Метки: галлия, омических, контактов, арсениде, формирования

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.

Номер патента: 1748579

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Мажирин, Герасименко

МПК: H01L 21/66

Метки: профиля, распределения, параметров, подложек

Способ определения профиля распределения параметров материала подложек, включающий изготовление химического среза подложки путем вертикального погружения ее в травитель с последующим постепенным ее подъемом из травителя и измерение значений параметра материала подложки вдоль поверхности химического среза, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения профиля параметров, перед изготовлением химического среза подложки теоретически или по результатам предварительных измерений рассчитывают в виде кусочно-линейной функции приближением П(х) для искомого распределения параметра по глубине х подложки, травитель выбирают обеспечивающим скорость Т травления материала подложки...

Номер патента: 429604

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Болотов, Смирнов, Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффективной диффузии примеси.

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кузнецов, Лежейко, Герасименко, Любопытова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Номер патента: 1204083

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Стась, Аешин, Смирнов, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: варикапов

Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условиюLpn< Rp-4 Rp< Lpn+LD,где Lpn - требуемая глубина залегания металлургической границы p - n-перехода или толщина слоя металла для варикапов на основе...

Номер патента: 1028202

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Ободников, Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: ионно-легированных, полупроводников, отжига

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2

Номер патента: 1589863

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Грищенко, Такибаев

МПК: G21H 5/00

Метки: моделирования, приборов, полупроводниковых, воздействия, космических, лучей, тяжелых, ядер, p-nпереходы

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n-переходы полупроводниковых приборов, включающий бомбардировку ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью получения возможности изучения воздействия единичных тяжелых ядер космических лучей в земных условиях и сокращения времени эксперимента, полупроводниковые приборы с p-n-переходами облучают осколками деления, возникающими при облучении нейтронами делящегося вещества, например урана-235, дозой 103 - 105 см-2 по осколкам деления.

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Васильев, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: ним, легированных, слоев, мелких, контактов, кремния

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: схем, интегральных, моп

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1119535

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Ивахнишин, Астахов

МПК: H01L 21/302

Метки: структуры, использования, тел, образцов, твердых

Способ изготовления образцов для исследования структуры твердых тел, включающий формирование границ раздела между разными участками структуры и последующее утонение образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления образцов, перед утонением на поверхности исследуемого тела создают ряд выступов прямоугольного или трапецеидального поперечного сечения, на боковых гранях которых формируют границы раздела.

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Суртаев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Номер патента: 1112913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Васильев

МПК: G03F 7/26

Метки: фотошаблона, подложке, стеклянной

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, пленок, эпитаксиального, наращивания

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сухих, Герасименко, Цейтлин, Дроздов, Носков

МПК: H01L 21/26

Метки: пленок, кремния, диэлектрических, двуокиси, низкотемпературных

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Ободников, Герасименко, Вихрев, Лебедев

МПК: H01L 31/18, H01L 21/425

Метки: фоточувствительных, антимониде, индия, создания, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 906304

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: подложки, внедрения, кристаллические, ионного

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Суртаев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: шоттки, диодов

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Ободников, Юрков

МПК: H01L 21/268

Метки: слоя, поликристаллического, легирования, кремния

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Номер патента: 1626996

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сухих, Герасименко, Стась, Мясников

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, кремний, изоляторе

Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования...

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: ним, контактов, мелких, n-p-переходов, создания

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Номер патента: 1151149

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Суртаев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, покрытий, структурах, проводящих

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах, включающий нанесение металла на структуру, формирование требуемой конфигурации металла, отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур путем предотвращения окисления металлизации, после нанесения металла на структуру проводят облучение структуры ионами бора дозой 5 1015-5 1018 ионов/см-2, энергией 0,5-250 кэВ, а отжиг проводят при температуре 1100-1400 К, в течение 15-60 мин или путем обработки СВЧ излучением с основной...

Номер патента: 1096913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: C03B 37/025

Метки: оптического, волновода

Способ изготовления оптического волновода путем ионной имплантации в кварцевое стекло и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения прозрачности оптического волновода в области 2,7 мкм за счет уничтожения центров захвата паров воды, отжиг проводят в условиях, исключающих контакт облученной поверхности стекла с парами воды и водорода, при температуре 623-673 К.

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Ободников, Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/24

Метки: проводящих, покрытий, многослойных, создания

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Номер патента: 991878

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: структур, —полупроводник, полупроводников, варианты, его, диэлектрик

1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: термической, поверхностных, структур, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Васильев, Ободников

МПК: H01L 21/24, C23C 14/00

Метки: создания, покрытий, металлических, диэлектриках, полупроводниках

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: структур, полупроводник-диэлектрик, отжига

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...