Мордкович

Номер патента: 419145

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Голланд, Збарский, Зенин, Зубилов, Комов, Краснов, Маслов, Мордкович

МПК: F02C 7/266

Метки: газотурбинного, двигателя, запуска

Устройство для запуска газотурбинного двигателя, содержащее стартер-генератор с шунтовой обмоткой возбуждения, подключенный к бортовому генератору с обмоткой возбуждения, соединенному с аккумуляторными батареями, и программный механизм, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения конструкции, в минусовую цепь генератора включен контактор для последовательного соединения батарей, генератора и стартер-генератора, шунтовая обмотка которого подсоединена параллельно батареям, плюсовая цепь обмотки возбуждения генератора соединена с якорем стартер-генератора при помощи резистора и реле, а в минусовую цепь включен дополнительный контактор.

Номер патента: 1517690

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Логунова, Мордкович, Ступель

МПК: H02J 1/00

Метки: вентилей, включения, напряжений, постоянного, преобразователей, регулятор, углов, электропередач

Регулятор углов включения вентилей преобразователей и напряжений для электропередач постоянного тока, содержащий измерители рассогласования между измеренным значением и заданными уставками выпрямленного напряжения, выходы которых подключены к устройствам формирования команд в телеканал связи с второй подстанцией электропередачи постоянного тока, измерители рассогласования между измеренным значением и заданными уставками угла включения вентилей, выходы которых подключены к формирователю команд в устройство переключения ответвлений преобразовательного трансформатора, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы преобразовательных трансформаторов и снижения частоты возмущений,...

Номер патента: 1597027

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 1452395

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...

Номер патента: 1499609

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.

Номер патента: 1389598

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Данилин, Ерохин, Жолудев, Иванов, Калинин, Копецкий, Литовченко, Медвидь, Мордкович, Попов, Романюк, Рудской, Темпер, Устинов, Шаповалов

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0) 1022 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Номер патента: 603284

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Верников, Горячев, Крымко, Кузнецов, Мордкович, Пресс, Федотов

МПК: H01L 27/142

Метки: фотоэлектрический

Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противоположен типу проводимости подложки, а промежуток между ними выполнен из компенсированного материала.

Номер патента: 588855

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс, Рубинштейн, Федотов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой сформированы сдвиговые регистры и выходное устройство, а на тыльной размещены светочувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности и разрешающей способности, светочувствительные элементы выполнены в виде структуры прозрачный металл - диэлектрик полупроводник и разделены сеткой диффузионных областей того же типа проводимости, что и подложка.

Номер патента: 623442

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс

МПК: H01L 27/142

Метки: зарядовой, прибор, связью

1. Прибор с зарядовой связью, включающий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в коротковолновой области спектра, поверх затворов переноса сформирован слой люминофора.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя люминофора l равна (lnk2 lnk1)/(k2 k1), где k1 коэффициент поглощения коротковолнового света в люминофоре;k2 коэффициент поглощения люминофором излучаемого им света.

Номер патента: 1581124

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Левин, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/24

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование двухслойной полупроводниковой структуры путем термокомпрессионного соединения в инертной среде двух кремниевых подложек и создание в одном из слоев полупроводниковой структуры активных областей приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и улучшения электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре, перед термокомпрессионным соединением кремниевых подложек на соединяемой поверхности, по крайней мере одной из них, формируют пленку германия толщиной 0,5 - 2,0 мкм с удельным электрическим сопротивлением не выше удельного сопротивления каждой подложки, а...

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...

Номер патента: 1083848

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский

МПК: H01L 21/322

Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции

СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.

Номер патента: 1062186

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Авдеев, Мордкович, Семененко

МПК: C01B 31/00

Метки: графита, литием, соединений

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОЕДИНЕНИЙ ГРАФИТА С ЛИТИЕМ, включающий обработку графита литием при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения содержания лития в соединении и сокращения длительности процесса, обработку ведут под давлением 2,5 - 10 ГПа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку ведут при 130 - 400oС.

Номер патента: 1792503

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Байчток, Мордкович

МПК: F17C 11/00

Метки: аккумулирования, водорода, устройства

...ферромагнитных фаз никеля (для никельсодержащих) или железа (для железосодержащих), При дроблении частиц, которым неизбежно сопровождается работаустройства,микрочастицы размером менее 1 мкм, содержащие в основном ферромагнитную фазу, частично забивают опоры газораспределительного устройства, а частично выносятся сквозь зти поры, создавая нежелательную запыленность водорода,Слабое магнитное поле, создаваемое в предполагаемом изобретении пористой трубой, препятствует увлечению микрочастиц внутрь пор потоком выделяемоговод 0- рода, Микрочастицы концентрируются только у концов пористой трубы, где силовые линии магнитного поля перестают быть параллельными поверхности трубы,Устройство показано на чертеже.Ойо включает сосуд 1, порошок...

Номер патента: 1671597

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: B66C 1/02

Метки: вакуумный, захват

...9. В скобе 1 размещена резиновая пробка 10, в которую упирается штуцер 5 подвижного корпуса под действием пружины 11, С корпусом 2 захвата жестко связан стержень 12, на котором установлен специальный противовес 13, Положение противовеса 13 на стержне 12 регулируется с помощью гаек 14 относительно шкалы 15, проградуированный в завиСимости от веса заготовки 16, которая удерживается вакуумным захватом и переносится в валки 17,Вакуумный захват работает следующим образом,Захваченная эластичной камерой 3 листовая заготовка 16 транспортируется к вращающимся валкам 17. При подходе заготовки 16 к валкам 17 осуществляется торможение захвата с заготовкой, Корпус 2 захвата под действием инерционных сил стремится повернуться вокруг вертикальной оси 6...

Номер патента: 1613826

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Байчток, Дудакова, Коростышевский, Мордкович, Семенов, Систер, Сосна

МПК: F25B 15/16

Метки: компрессора, работы, термосорбционного

...десорбцик) 150 С, В модуле 1 идет десорбция - выделение водорода под давлением 7 МПа. В это время холодная вода из холодильника 6 проходит через циркуляционный насос 8, переключающее устройство 11, гидридный модуль 2, переключающее устройство 12 и возвращается в холодильник 6, Температура воды на входе в модуль 2 равна 20 С, на выходе -- 30 С (температура сорбцик).В модуле 2 идет сорбцияпоглоценке водорода из азотноводородной смеси с содержанием водорода 75 О и давлением 1,0 МПа.На втором такте переключаюгцее устройство 9 переходит в правое положение, переключающее устройство 1 - в левое.Холодный теплоноситель, поступивший в горячий модуль 1, нагревается и поступает через переключающее устройство 10 в нагреватель 5. Из нагревателя...

Номер патента: 1611415

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Балаков, Барон, Блода, Дымов, Куксо, Лейтес, Мордкович, Половинкин, Сердюков

МПК: B01D 53/14

Метки: газов, дымовых

...углерода, регенеряцю насыщенного абсорбентя с последукппимвозвратом его в цикл и выделес газов регенерации, при этом газы регенерации смешивают с газами, полученными после абсорбции, в объемном со -отношении; ( - 3), я полученнуюсмесь подвергают осушке охлаждениемдо температуры (0) в (10) С и остзточного содержания воды 0,4 - 1 об.7,.1 табл,1 Р) ) 12)1) сцсяших дь)мо"ых газов заспопсс-.цип ппнС э"С)С а)ОС э те ример Соотс)оп)ение КОНС)Ч)ТОГО Пэроэяу)Сэасэо,у ЬПТ Е С. О) С та Гэ газа регератураос)ссв)си эс нерацин тс Гаваи пос э ле стадии абсообции Гаа послеабсорбции )О 9),5 0,55 7.05) 20 Не) с ь , эт сс с и с) и ь : , ,сля с)ус),сгацссн э -. -., Каи НРЕНП эапие .НС,Н 19,9 3 э 5 3. э 3 сээ 2 252.э 3. с О ОэуЭ) 93 ) ссээ3 5 0О бо.ее 5...

Номер патента: 1527155

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Коростышевский, Мордкович

МПК: C01C 1/04

Метки: аммиака, синтеза

...Пример ТемпеВремя нвгревв мин Выход вммнвкв, г/кгИМС рвтурв нвгретв, втм СаЮ 1С 1 о Б Ьв О, Кд э А 1,ТдРеО, эф,Ьв 111 5ТИеТ 1 Ге 100 200 4 3070 150 5 27200 400 Э 40100 300 1 1020 120 530 100 6 1Условия продувки АВС нвд .Близкокатализатором: Т 275- 30-503-325 С, РЭОатм,время контвктироввния 1,4. -4,8 мин 40 30 608 1 1 к 0,35-0,5 эв1 мнн контвктировання 1,8-2,5 эв5 мнн контвк- тнроввння П р н м е ч а н н е, Значения примеров процесса, по примерам 6 н 7 эапредельные; пример 8 осуществляют по известному способу По окончании реакции через 1- 6 мин) продукты удаляются иэ реактора и цикл начинают сначала,Минимальное значение предваритель 5 ного сжатия азота 30 атм определяется тем, что при более низких величинах потребуется очень большой...

Номер патента: 1447640

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: B23Q 7/00

Метки: автоматической, линии, спутникового, типа, транспортное

...для переустановки рычажной системы 2 под различные типоразмеры спутников. Устройство работает следующим об-:разом. Спутник 5 с закрепленной на немзаготовкой устанавливается на столе14 технологической позиции в позициюзагрузкиКорпус 1 манипулятора поднимается, а рычажная система 2 сведена силовым цилиндром 3 таким образом,что захватные элементы 4 перемещаются с минимальным зазором относительно пазов 6 и торцов штоков 9, Кактолько вертикальное перемещение манипулятора достигнет соответствующего положения, движение прекращается и подается команда на срабатывание силового цилиндра 3, Происходит перемещение звеньев рычажной системы 2 в пределах длины пазов 15, и торцы захватных элементов 4 перемещаются строго в одном направлении -...

Номер патента: 1439297

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: F15B 11/04

Метки: гидравлическое, тормозное

...тормозное устройство работает следующим образом;Рабочая жидкость под давлением,определяемым источником 1 питания,по линии 23 одновременно поступаетв полость 9 управления распределителя 8 и штоковую полость 10 следящего цилиндра 3, а также через обрат 50ный клапан 12 по линии 24 в поршневую полость 7 силового гидроцилиидра2 и в полость 11 управления распределителя 8 по магистрали 25. Золотник распределителя 8 занимает среднее55положение, поршни силового 26 и сле"дящего 27 цилиндров перемещаютсясоответственно влево и вниз и в крайних положениях, воздействуя на конечные выключатели 18 и 19, подключают обмотку электромагнита распределителя 20 к цепи постоянного тока. Распределитель 20 срабатывает и сообщает источник 2 питания с...

Номер патента: 1433795

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: B25J 15/06

Метки: захватный, орган

...и 7 внутренней полости 3 и центрального сквозного канала 2. В золотнике 18распределителя 8 выполнен канал 19,посредством которого полость 3 и отверстие 2 корпуса 1 соединены между собойв исходной нейтральной позиции распреде лителя 8. Обмотка управления электромагнита 20 связана с блоком управле) ния промышленного робота (ПР). Линии 2и 22 соединяют попарно выходные канал ы п нев мор асп редел ител я 8. Детал ьпозиция 23 5 10 15 20 25 30 35 40 45 щается в крайнее левое положение и занимает одну из рабочих позиций (фиг. 3). При этом пневмосистема 11 через входной канал 9 распределителя 8, выходной канал 12, линию 14, входное отверстие 16 соединяется с внутренней полостью 3. Давление в этой полости возрастает и за счет разной...

Номер патента: 1419763

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Гуревич, Ковалева, Мордкович, Свидзинский, Сергиенко, Черников

МПК: B08B 3/06

Метки: отмывки

...17, укрепленныи на роторном агломераторе 18,Устройство содержит платформУ 19, 45нд которой закреплены контрлопасти 9,Платформа 19 установлена на направляющей каретке 20, имеющей две направляющие рейки 21, позволяющие перемещать платформу 19 с контрлопастями 9в радиальном направлении. Каретка20 закреплена на дополнительных направляющих 22, по которым каретка 20с коцтрлогдстями перемещается в аксидльном направлении относительно осиконтейнера 1. При этом направляющиерейки 21 и направляющие 22 расположены во взаимно перпендикулярныхплоскостях,Устройство работает следующим образом,Материал, подлежащий очистке,загружают в контейнер 1, где его непрерывно перемешивают мешалкой 4.Лопасти 6 мешалки 4 захватывают материал, перемещая по нижней...

Номер патента: 1416221

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: B08B 9/00

Метки: изделиях, отверстий

...Заказ 4009/8 Тираж 565 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к очисткеполых изделий и может быть использо вано в машиностроении для промывкиглубоких сквозных отверстий, напри,мер, в пневмо- и гидроаппаратуре.Цель изобретения - повышение производительности и качества очистки,На чертеже изображена схема устройства, 10Устройство для очистки отверстийв изделиях содержит ванну 1 с расположенной в ней оправкой 2 и механизмпрокачки, выполненный в виде плунжерного насоса 3 с поршневым приводом 154, шток 5 которого соединен с плунже ром 6 насоса 3. Величина...

Номер патента: 1397332

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: B60T 13/122

Метки: привод, средства, тормозной, транспортного

...тормозной магистрали, соединяющей главный тормозной цилиндр с колесным, установлены соединенные параллельно обратный клапан 14 и отсечной клапан 15.Тормозной привод работает следующимобразом,При нажатии на педаль 1 поршень 3давит на жидкость, вытесняя ее в магистраль 4. Отсечной клапан 15 при этом силойдавления жидкости устанавливается в положение закрыто и жи/кость попадает вгидроцилиндр 5 через обратный клапан 14.Попадая в колесный гидроцилиндр, тормозная жидкость разжимает его поршни, которые давят на колодки 7 и прижимают30их к барабану 9, осуществляя торможениеколеса.Груз 13, установленный с возможностью перемещения в награвлении движениятранспортного средства, под действием си 35лы инерции, возникающей при...

Номер патента: 1395858

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: F15B 11/04, F15B 11/042

Метки: гидравлическое, тормозное

...в полость 8 силового цилиндра 2, При этом запорный элемент 23 изолирует каналы 28 и 29. Поршень 5 цилиндра 2 перемещается влево (по фиг.1), а рабочая жидкость из полости 7 через канал 29 поступает в сливную магистраль 21, Одновременно рабочая жидкость от источника 1 питания поступает в полость 12 спедящего цилиндра 3, но перемещение штока 11 ограничено, поскольку обратный клапан 17 закрыт из-за равенства давлений на его входе и выходе. Как только поршень 5 цилиндра 2 достигает крайнего положения, он взаимодействует с плунжером 24 элемента ИЛИ 4 и отжимает запорный элемент 23 таким образом, что перекрывает магистраль 18 с каналом 28 и соединяет последнюю через канал 29 со сливной магистралью 21. При этом давление за обратным клапаном...

Номер патента: 1368535

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: F16D 51/16

Метки: барабанно-колодочный, тормоз

...в тормозных системах автомобилей,Целью изобретения является улучш ние эксплуатационных качеств путем повышения экономичности за счет обе печения стояночного режима без затр электроэнергии и увеличение срока , службы и надежности работы путем копенсации износа фрикционнМх накладоНа фиг.1 показана схема тормоза; на фиг.2 - узел 1 на фиг.1.Тормоз содержит опорный диск 1, тормозной барабан 2, тормозные колодки 3 с фрикционными накладками 4 стянутые возвратной пружиной 5, и электромагнитный привод тормоза, вкл чающий электромагнит 6, подпружинен ный якорь 7 которого связан с рыча но-храповым механизмом в виде собач ки 8, шарнирно закрепленной на якоре 7, и храпового, колеса 9, жестко закрепленного на кулачковой диске 10, установленном с...

Номер патента: 1366732

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Буликян, Гетерман, Зубарев, Мордкович

МПК: F15B 11/04, F15B 11/042

Метки: гидравлическое, тормозное

...о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения нагрева рабочей жидкости при эксплуатации, гидравлическое тормозное устройство снабжено реле давления, выполненным в виде гидроцилиндра и подключенным параллельно обратному клапану, дополнительным обрат 13667Изобретение относится к машиностроительной гидравлике и может быть использовано, например, в гидроприводах подачи.5Цель изобретения - сниженне нагрева рабочей жидкости при эксплуатации устройства.На чертеже представлена схема гидравлического тормозного устройства.Гидравлическое тормозное устройство содержит исполнительный гидроцилиндр 1, подключенный к источнику 2 питания и сливу 3, следящий гидроцилиндр 4 с кулачком 5 управления, ус тановленным на штоке 6 следящего...