H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 594838

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Болдырев, Гайдук, Малейко, Савотин, Степанов

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральной, схемы

...сформированными областями скрытого слоя, разделения, глубокого подлегирования коллекторных контактов и ниэкоомной области базовых контактов транзистора с одновременно изготовленным твердотельным резистором; на фиг.2 - структура пластины со сформированными слоями активной базы и эмиттера транзистора; на Фиг.3- структура пласт 1 пщ со вскрытыми контактами к областям транзистора и резистора и сформированными металлическили электродами.П р и м е р. На кремниевой пластине, состоящей из подложки 1, скрытого слоя 2 и эпитаксиальной пленки 3 соответствунией требованиям ЕТО.035.058.ТУ, термическим окислением выращивают пленку двуокиси кремния (Б 10 1 толщиной 0,35 мкм. Методом фотолитографии вытравливают в Б 10 . дорожки разделяющие компоненты...

Номер патента: 775760

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Кикиниши, Семак, Туряница

МПК: G11C 11/34, H01L 21/00

Метки: основе, регистрирующей, среды, стекла, халькогенидного

...будет быстро падать, практически до нуля.Целью изобре":ения является воэможность получения позитивной записи.Для достижения цели напыление проО изводится при температуре 600-800 С.В предложенном способе инициирующую роль в процессе Фотозаписи играют электронно-дырочные процессы с участием локализованных состояний в запрещенной зоне халькогенидного стекла. В результате определенных изменений связей происходит изменение о. и и стекла. Учитывая приготовление слоя в описываемом случае форсированным режимом напыления при высокой температуре, можно предположить связь начальной конфигурации связей, равновесного состояния электронов и дырок с характером записи и величиной измененийи п60 Формула изобретения Составитель Е,АртамоноваРедактор...

Номер патента: 775761

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Кикиниши, Семак, Туряница

МПК: G03H 1/18, H01L 21/363

Метки: изображения

...сдвигается линейно с -ПФ =1,3 10Еаэ В/град в сторону длинных волн, обес 45 печивая достаточное поглощение. записывающего света. После охлаждения край поглощения сдвигается в обратную сторону, поглощение уменьшается и свет Л =0,633 мкм уже считывает в основном Фазовую запись, без аэрушения самой голограммы.Недостатком такого способа является, в первую очередь, необходимость работы с толстыми полированными пластинами объемного стекла, получить которые однородными, с достаточно большими размерами практически трудно. Во-вторых, система инерционна в связи с необходимостью нагревания большого объема. Далее, в результате записи образуется негатив, т. е. под действием света происходит потемнение стекла, что исключает эффективную работу...

Номер патента: 775792

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Гурбанов, Гусейнов, Кадымов, Рагулин, Юсуф-Заде

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...в двух проекциях; на фиг.3 и 4 - тот же двигатель, снабженный 4 Одополнительными магнитами на роторев двух проекциях; на Фиг. 5 и б -вариант выполнения двигателя с цилиндрическим статором в двух проекциях",на Фиг. 7 и 8 - тот же двигатель сдополнительными магнитами на статоре,в двух проекциях,Двигатель(фиг. 1 и 2) состоит из статора 1, выполненного из постоянных 50 магнитов, и ротора 2, который представляет собой полый цилиндр из пьезокерамики, снабженный электродами 3 на внутренней и внешней поверхностях цилиндра, Они располокены параллельно образующим цилиндра и выполнены из ферромагнитного материала Электроды разделены изоляционными полосками 4, Подача питания происходит через контакты-щетки 5, соединенные с источником питания б...

Номер патента: 671634

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Медведкин, Руд

МПК: H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, линейно-поляризованного

...с направлением Е, параллельным плоскости падения луча, чем волна с Е, перпендикулярным плоскости падения.Установлено, что концентрация генерированных в изотропном материале носителей заряда в результате анизотропии поглощения оказывается зависящей от линейной поляризации падающей волны. По этой причине фотоответ, наведенный электромагнитным излучением в изотропном однородном материале либо в барьерной структуре на его основе позволяет непосредственно анализировать ЛПИ, поскольку фотоответ пропорционален концентрации генерированных в материале носителей заряда.На фиг. 1 показано расположение фотоприемника по отношению к падающему излучению; на фиг. 2 - азимутальное распределение фотоответа (фотонапряжения, фототока) фотоприемника при...

Номер патента: 777756

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Бобков, Маханьков

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...5Устройство содержит пневмокамеру 1,образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4, На крышке б устройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины, Во внутренней части крышки б расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 - 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой б и сферической опорой 8 образует пневмокамеру9, соединенную, как и пневмокамера 1, спневмомагистралью (на чертеже не показана).Устройство работает следующим образом.Полупроводниковую пластину 4 после 25операции скрайбирования укладывают наупругую...

Номер патента: 777757

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Бейден, Зайцев, Зимин, Михайлова, Папков, Смирнов, Суровиков

МПК: H01L 41/08

Метки: полупроводниковый

...поверхности подложии, противоположной нолости, выполнены выступы 2, внешние углы котоэых служат ступеньками. На этой поверхнооти нанесен слой кремния 3, повторяющий профиль подложки, и две,пары омических контактов 4. Направлений максимальной тензочувствительности показано на фиг, 4 стрелками. 0 15 20 25 Зо 50 55 60 65 Работает преобразователь балочного ти пз следующим образом,Если к паре контактов, расположенных у основания, приложить электрическое напряжение, то между .контактами,второй пары за счет распределенного в слое:полупроводника электрического поля возникает разность потенциалов. Величина наведенно. го сигнала завиаит от параметров,полупроводника,и от взаимного расположения кон. тактов.Преобразователь мембранного типа расотаег...

Номер патента: 780082

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Балюра, Рейнштейн, Шанин, Шатохин

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...предлагаемое устройство; на фиг, 2 - разрезустройства по оси эксцентрикового 6вала (ближний левый стакан с магнитного захвата условно снят)", на Фиг. 353 - увеличенное изображение возможных положений кристаллов на плоскости кассеты,Устройство состбит из,корпуса 1, на котором смонтированы дна эксцентриковых вала 2Платформа 3 с помощью кронштейнов 4 установлена на эксцентриковых валах, На платформе смонтированы шесть магнитных захватов 5, на которые устанавливаются стаканы б. 4 Привод эксцентриковых валов осуществляется электродвигателем 7 через клиноременную передачу 8,9,10 и зубчатые пары 11,12. Кассета 13 с помощью заглушки 14 устанавливается в 50 стакане б,в который навалом насыпаютя переходы 15, 16, 17, В кассете имеются сквозные,...

Номер патента: 780083

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Ивакин, Кандыбин, Комаров, Косилов, Осипов

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовое

...зонда 6 с контактной площадкой, Индивидуальное нажа-,тие электропроводящего зонда брегулируется с помощью регулятораприжима 4Электропроводящий зонд б выполнен 15 из сплава на основе меди, например,Си -М- й;-Ре-Мл. Модуль упругости монокристаллов этого сплава на порядок иболее меньше такового для электропроводящих зондов, выполненных из жест ких материалов, Кроме того, монокристаллы этого сплава обладают аномально высокой упругой деформацией до10-15%.Низкий модуль упругости и высокаяупругая деформация монокристалловсплава Си -М-Н 1 -Ре-Мь гарантируютполную неповреждаемость контактныхплощадок исследуемой интегральнойсхемы при зондировании, причем,при ЗО многократном использовании электро780083 ль Т,КаратыКузьма Со авит ед М...

Номер патента: 780085

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Владимиров, Степанов

МПК: H01L 35/34

Метки: асимметрии, мостового, термоэлементов, типа

...- Ор 4 и Ой 1Поскольку укаэанйЬе ТЭДС и падения напряжений имеют встречное включение то напряжение 0 между выводами разнородных термоэлектродов припитании термоэлемента постоянным током составляет 20О,=(Е- Ет+ (Еп- Еп, ++ (ц, -о)Это напряжение через, Фильтр 6 подается на милливольтметр,7, который измеряет величину напряжения, соответствующую сумме трех составляющих асимметрии.фильтр 8 не пропускает постоян- .ного напряжения,поэтому милливольт-метр 9 показывает нуль,:Одновременнопроисходит зарядка накопительногокондесатора схемы 5. С выхода этойсхемы напряжение, пропорциональноенапряжению У, подается на вход усилителя 13, Усиленное усилителем 13напряжение подается на один вход вычитателя 14На другой его вход поступает напряжение с выхода...

Номер патента: 780086

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Рудяк, Фаерман

МПК: H01L 41/22

Метки: доменной, сегнетоэластике, структуры, формирования

...2 и 3, а в верхней частивинтом 4, подвижный стержень 5 с винтом б, пазы 7 и 8,Устройство функционирует следующимобразом,Сегнетоэластический (ферроэластиЧеский) кристалл 9 с гранями аб, бв,ег,га помещается в держатель 1, Дляформирования доменной структуры с зигзагообразной доменной стенкой, расположенной вдоль граней бв,аг крис- .талла 9, последний размещают междуопорными выступами 2 и 3 и винтом 4,Перемещая винт 4 в направлении, указанном стрелкой (фиг2), создают изгибное напряжение в кристалле, которое приводит к .Формированию доменнойструктуры с зигзагообразной доменнойстенкой 10, расположенной вдоль граней бв, аг кристалла 9.Для формирования доменной структуры с зйгзагообразной доменной Стенкой, расположенной вдоль граней аб,вг (Фиг,...

Номер патента: 591084

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Дьяченко, Серегина

МПК: H01L 21/02

Метки: детектора, кремниевого, поверхностно-барьерного

...детектора. На пленку накладывают кольца из посеребренной латунной Фольги 3, соответствующие размерам колец из пленки. Получен ную сборку нагревают под небольшим давлением 0,1 кГ/см до температу- ры размягчения поливинилбутераля (160-180 РС) и затем охлаждают до комнатной температуры. В результате тепловой обработки сэндвич склеивает" ся, верхняя и нижняя пленка оплавляют боковую поверхность кристалла, а по периметру рабочей поверхности детектора выступает слой пленки 4, создающий плавный переход между ра бочей поверхностью кристалла и металлической фольгой. На сборку с обеих сторон вакуумным на 11 ылением наносят слой 5 металла, например золота. Толщина готового детек- б 5 тора составляет 0,3 мм, рабочая площадь равна 706 мм.Кольца...

Номер патента: 783888

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Матвеев, Митрофанов, Чеховской

МПК: H01L 21/77

Метки: пластин, полупроводниковых, тара

...10 на 2-3 ммбольше толщины основания 1, что обеспечивает герметизацию всего объемамежду основанием 4 и крышкой 5 засчет обжатия их кромок 8, 9, обращенйых к основанию 1, резиновым кольцом 10.На резиновом тороидальном кольце10 выполнены радиальные выступы (отростки) 11 для открытия доступа вгнезда 2 путем нажатия на эти выступы по направлению стрелки (Фиг. 1).Число выступов 11 соответствует числу гнезд 2.В крышке 4 выполнены гнезда 12дяя неочищенных пластин, которые не."герметично закрыты дополнительнойкрышкой 13. Число гнезд 12 равночислу гнезд 2, Дополнительная крышка13 имеет вырезы 14, при помощи ко-.-тбрых послеповорота по стрелке В(Фиг. 2) она фикСируется и удерживается винтами б с,фигурной головкой.,Для удобства работы и...

Номер патента: 783889

Опубликовано: 30.11.1980

Автор: Сапунов

МПК: H01L 21/00

Метки: держатель, крепления, радиодеталей

...сборки и монтажа при размещении в электрической схеме большого количества электрических компонентов, так как корпус держателя предназначен только для одного компонента, что увеличивает стоимость электро- аппаратуры при промышленном производстве.Известен также держатель для крепления радиодеталей, содержащий ЗО Государственный Союзный научно-исследовательскийинститут радиовещательного приема и акустикиим. А. С. Попова783889 И Заказ 8562/57 Тираж Подписн лиал ППП "Патент", г. Уж ул. Проектная, 4 На чертеже показан держатель для крепления радиодеталей, общий вид в аксонометрии с разрезом.Корпус 1 держателя имеет сквозное крепежное отверстие 2 в виде кбнуса, которое расположено в центре корпуса. По периметру, корпуса 1 размещены гнезда...

Номер патента: 783890

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Сафонов, Сидорова

МПК: H01L 21/00

Метки: кольцевыми, пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно, прокладками, разделенных, сортировки, стапелированных

...3. В нижней части фигурных штырей 8 имеется выступ, Под нижней частью транспортирующего диска 3 установлен неподвижно ролик Я 10.За нижней частью транспортирующего диска 3 установлены приемник 11 для полупроводниковых пластин и при-емник 12 для кольцевых прокладок, находящиеся на одной платформе 13, перемещающейся по винту 14 на разрезной гайке 15. Винт 14 вращается череэ зубчатую передачу 16 от сектора 17, установленного на транспортирующем диске 3, на котором установЛена ог- ЗО раничительная планка 18.Направляющие 1 установлены перпендикулярно плоскости транспортирующего диска 3, при этом направляющие 1, транспортирующий диск 3 и платфор- З 5 ма 13 установлены наклонно.Устройство работает следующим образом.Пакет 2 полупроводниковых...

Номер патента: 783891

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Кутьина, Максимова

МПК: H01L 21/312

Метки: состав, удаления, фоторезиста

...растворителей, содержащих группы, в который атомы водорода связаны с электроотрицательными атомами. Благодаря атомам водорода они являются донорами водорода при образовании водсродных связей. Поскольку их диэлектрическая проницаемость больше 15, э раствор необходимо добавить хлористый калий в качестве электропроводящей добавки. Ионы К взаимодействуют с пленкОй Фоторезиста, при этом происходит послойное вымывание резистивных Сло ев15Разница во времени удаления фоторезиста для граничных пределов укаэанного э формуле соотношения составляет не более 20. Преимущественным является соотношение, веса: фЭтанол 49,5Хлористыйкалий 1,0Вода " 49,5Необходимая плотность тока при электролитической обработке,от 0,3 до 1 мА/см. при плотности тока...

Номер патента: 783892

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Архаткин, Афонин, Иванов, Каганова, Сильченкова, Тарасов

МПК: H01L 41/00

Метки: объекта, положения, точной, установки

...расширения.Подвижное соединение централЬно" го держателя с силовыми гофрированными стальными мембранами и торСйойа" ми приводов осуществляется с помо щью элементов разгрузки, выполненных, например, в виде опорных систем качения, расположенных по три по каждой координатной оси. Так, по оси Х расположены опорные систейы качения 18, 19 и дополнительная система качения 20. Три опорные системы качения, расположенные по од ной координатной оси, осуществляют силовое замыкание силовой гофрированной стальной мембраны, центрального держателя и приводов по этой оси и создают подвижное соединение 4 центрального держателя с другими вэа имно перпендикулярными приводами.Устройство работает следующим обрзом. Для перемещения координатно" го стола 1 вдоль...

Номер патента: 785910

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Павлов, Якунин

МПК: H01L 29/82

Метки: датчик, холла

...установлен на периферии диска, другой - на расстоянии а от него, потенциальные электроды расположены соответственно на расстояниях в и с от первого токового электрода, которые определены условием2 ай2,ГУд+,зД.) Ь а,асСа 2 Р (,) где Р - радиус круга.Суть изобретения поясняется чертежом, на котором изображен датчик785910 8856/55 ИИПИ филиал ППППатен вторичного эффекта Холла, представляющий собой полупроводниковую пластину 1, например круглой формы, на поверхности которой определенным обра;ом.установлены четыре точечных электрода, Токовые электроды 2 и 3 используются для пропускания тока 3 через пластину, а потенциальные электроды 4 и 5 для измерения разности потенциалов О. Датчик помещают . во внешнее одяородное магнитное по- . ле,...

Номер патента: 788053

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: зависимости, заряда, материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых, температурной, холловской

...электромагнитом 10.Устройство работает следующим образом.Образец 4 подключается к источнику1 напряжения и между потенциальнымиконтактами 6 и 7 устанавливается заданное напряжение, С изменением температуры образца 4 изменяется электропроводность объема полупроводника итоковых контактов 2 и 3, в результатепроисходит перераспределение паденийнапряжения на токовых контактах и наобъеме полупроводника, расположенноммежду потенциальными контактами 6 и 7.При этом блок 5 обратной связи,снабженный схемой управления источником 1 напряжения, позволяет изменятьнапряжение между токовыми контактами2 и 3 так, чтобы падение напряжениямежду потенциальными контактами б и 7оставалось постоянным, Таким образом,каждому значению температуры...

Номер патента: 788227

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Масленников, Потутинский, Ушаков

МПК: H01L 21/68

Метки: пластин, полупроводниковых, транспортирования

...вращения (на чертеже условно не показан). Оси валиков развернуты в трех плоскостях под углом одна относительно другой. При этом угол, образованный отрезками, проходящими через центры валиков 3 и 4, составляет 130-140, а вертикальнаяоплоскость симметрии каждой проточки совпадает с вертикальным расположением пластины 5 в упомянутой канавке .Камеры 1 и 2 снабжены загрузочной щелью 6 и перегрузочной щелью 7 с направляошими. Под валиками 3 в камере 1 установлены цилиндрической формы щетки 8, выполненные, например, из фторопласта. Подача. рабочих компонентов осуществляется с помощью форсунок 9, 10 и 11.Установка химической обработки с использованием предлагаемого устройства для транспортирования полупроводниковых пластин работает следующим...

Номер патента: 788228

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Белов, Горохов, Золотарев, Назаров

МПК: H01L 21/77

Метки: загрузки, плоских

...ниже на величину шага перемещения кассет, еениналяя полка совпадает спозицией загрузки и изделие, не нарушивцикла работы исполнительного устройства,50попадает в рабочую зону,и Выгрузка пустых кассет и установка заполненных изделиями производится в процессе работы устройства, когда кассета, подлежащая замене, находится в наклонном положении, например, при движении держателя сверху вниз кассета,4асположенная справа по чертежу (см.иг. 2). Рычаг 6 выполнен в форме ласочкиного хвоста. Обозначив с уголаклона кассет в держателе, Е шагеремещения кассет, 1 расстояние отентра шарнира держателя кассет до упора в .горизонтальной плоскости, тога Фд = ф . Оптимальный вариант углааклона выбран опытным путем и равен5-30 .Дискретное смешение...

Номер патента: 788229

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Ахмедов, Гурбанов, Гусейнов, Давришов, Юсуф-Заде

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический, шаговый

...и ьеэоэлектрической пластиной, расположенной в нвлравлении радиуса ротора.На чертеже схематически изображен пьезоэлектрический шаговый двигатель, общий вид.Двигатель состоит иэ статора 1 и ротора 2. На статоре, консольно укреплены пьезоэлектрические пластины продольных7882294Наличие дополнительной пьезоэлектрической пластины продольных колебаний, распопоженной в направлении радиуса ротора и выполняющей тормознуюфункцию, обеспечивает четную фиксашпоротора в шаговом режиме работы двигателя. Двигатель прост по конструкциии по технологии изготовления. колебаний, одна из которых является тор мозной 3, а две другие 4 и 5 - движительными, Тормозная пластина расположена в направлении радиуса ротора, а движительные пластины расположены по...

Номер патента: 788230

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Вусевкер, Крамаров, Сокалло, Хренкин

МПК: H01L 41/22

Метки: поляризации, пьезокерамических

...кВ см ", а также в связи с высокой проводимостью материалов при этихтемпературах. Этим способом не могутбыть эффективно поляризованы крупногабаритные заготовки и заготовки с переменным межэлектродным расстоянием.Цель изобретения - улучшение пьезоэлектрических параметров пьезоэлементов, расширение номенклатуры поляризуемых материалов, обеспечение возможности поляризации крупногабаритных заготовок и заготовок сложной формы спеременныммежэлектродным расстоянием.Поставленная цель достигаетсятем, что пьезокерамическую заготовкунагревают до температуры, превышающейтемпературу Кюри не менее . чем на70 С, затем пропускают через нее поостоянный электрический ток плотностью0,1-10 ос.см и охлаждают со скоростью не менее 50 Г мин, причем...

Номер патента: 788231

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Дорошенко, Крамаров, Литвин, Чеботаренко

МПК: H01L 41/22

Метки: поляризации, пьезоэлементов, сегнетокерамики

...до максимальной величины, не превышающей пробивного в этих условиях, и поляризуютдо прекращения протекания через пьезоэлементы тока переполяризации.Способ поляризации пьезоэлементовиз сегнетокервмики осуществляютсяследующим образом,На пьезоэлемент, установленный вофторопластовый держатель, подают максимально возможное для окружающеговоздуха и конкретной формы пьезоэлемента электрическое напряжение, не превышающее пробивное, после чего охлаждают, помещая его в криогенную жидкость, например жидкий азот. По прекращению кипения криогенной жидкости,омывающей пьезоэлемент, что означаетуравнивание температур пьезоэлементаи криогенной жидкости, поляризующеенапряжение опять повышают до максимальной величины, не превышающей пробивное напряжение...

Номер патента: 789918

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Беглов, Каратыгин, Ликальтер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, полупроводниковых

...функциональная схема устройства; на фиг.2конструкция крепления емкостногодатчика на корпусе, фиг. 3 - вид Ана фиг. 2,Устройство содержит источник 1инжектирующих импульсов света, состоящий из импульсного генератора 2и светодиода 3, высокочастотный генератор 4, широкополосный усилитель5, детектор б, осциллограф 7 и емкостный датчик 8, содержащий электропроводящие пластины 9 и 10,Каждая из электропроводящих пластин 9 и 10 емкостного датчика 8размещается между двумя замкнутымиэластичными электроизоляционными ЗОлентами 11 и 12, расположенными нанатяжных роликах 13, 14, 15 соответствующих пар рычагов 16 и 17,установленных на корпусе 18, установленном на направляющих 19 и 20 с возможностью перемещения по вертикалинад электроизоляционной...

Номер патента: 790037

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Афанасьев, Каждан, Лифлянд, Свириденко

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, присоединения

...55 40 б 5 Узел 12 нагружения выполнен разделенным, двухпозиционным и содержит переключающий механизм 33, выполненный в виде двухсторонней вилки 34 с эаходными элементами 35, закрепленной на каретке 10 вертикального хода питателя 7 и попеременно взаимодействующий с одним иэ двух кулачково-рычажных механизмов - механизм 36 при захвате кристалла из кассеты 4 и механизмом 37 при посадке кристалла на столик 2, Каждый иэ механизмов 36 и 37 состоит из пары рычагов 38 и 39, сочлененных посредством упругих элементов 40 нагружения. Регулировка усилия нагружения производится регулировочным узлом 41 и винтом 42, На рычагах 38 закреплены ролики 43 и 44, которые попеременно при сцеплении с двухсторонней вилкой 34 включают определенный режим...

Номер патента: 790038

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Алексеева, Альперович, Бекренев, Герасименко

МПК: H01L 21/306

Метки: групповой, полупроводниковых, элементов

...полупроводниковых элементов, причем разность диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.На Фиг. 1 изображено устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, разрез на Фиг.2 то же, вид сверху.Кассета 1 с загруженными в ее отверстия полупроводниковыми элементами 2 помещена между двумя герметично соединенными симметричными конусообразными полостями, образуемыми полукорпусами 3, герметично соединенными через прокладку 4 зажимами 5. Таким образом обрабатывающий реагент агрессивный жидкий или газообразный травитель, деионизированная вода, горячий воздух) попадает в полость б, затем через отверстия 7, в которых размещены полупроводниковые элементы 2, в полость 8.Симметричное расположение...

Номер патента: 790039

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Ленин, Ялкапов

МПК: H01L 21/60

Метки: датчика, крепления, пар, потенциальных, холла, чувствительному, электродов, элементу

...ведется приклеиванием с помощью клея, содержащегоэпоксидную смолу в качестве связующего полимера, отвердитель и электропроводящую магниточувствительнуюкомпоненту в определенной последовательности с прижатием, нагревом ивоздействием магнитного поля по осиприспоединяемых электродов,Процесс крепления состоит из следующих операций: вначале конец присоединяемого электрода после симметризации прямолинейно отводят от чувст 15 вительного элемента датчика, смачивают клеем и снова подводят к чувствительному элементу прямолинейным двидвижением, Повторно проверяют сохранность эквипотенциальности расположеЩ ния потенциальных электродов датчикаХолла, например, как в случае первоначальной симметризации упомянутыхэлектродов, т.е, через...

Номер патента: 790040

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бывалый, Волков, Гольдберг, Дмитриев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, фотоэлетрический

...спад фоточувствительности в коротковолновой части спектра0 Формула изобретения 3 7900фХ)может быть аппроксимирована (Рфункцией принюх1 ч Ефпри всех ф5остальных ,чгде Х -координата в направленииградиента ширины запретнойзоны варизонного полупроводника;ф, - постоянная величина;Гу - максимальное значение ширинызапрещенной зоны.Подставляя в общее выражение для фототока лупроводника п - да А А=О,З 7,Варизонные слои изготавливаютсяметодом жидкофаэной эпитаксии на подложках п-баР,На этих слоях вначале создаетсяомический контакт вплавлением Юов подложку, а затем барьерный- химическим осаждением Аи на узкозоннуюповерхность полупроводника.Для освещения полупроводника используется монохроматор ДМРс.лампой СИО -300.Энергия фотонов выбирается...

Номер патента: 790041

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Курыло, Рагульскис, Шаткус

МПК: H01L 21/77, H05K 3/00

Метки: ориентации, подложек

...выполнено. четыре паза 2, расположенных в форме креста. В пазах 2 упруго, например, прн помощи пружин 3, установлены стержнсобразные пьезокерамические элементы 4. Электроды стержнеобразных пе .;ке790041 каз 9046/52 Тираж 844 Подписно "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ВНИИПИ филиал П рамических элементов расположены на боковых (вертикальных) плоскостях и разделены накрест на четыре зоны 5,6,7 и 8.На концах пьезокерамических элементов 4 жестко закреплены пластины 9. На пластинах 9 помещен с возможностью фрикционного взаимодействия столик 10.Устройство работает следующим образом,При подключении двух напротив- лежащих зон, например 5 и 8, стержне- образных пьезокерамических элементов 4 к источнику высокочастотного напряжения через...