Способ изготовления пироэлектрического приемника теплового изображения

Номер патента: 1601577

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Игнатов, Мехова, Сохин

МПК: G01N 33/48

Метки: выполнения, геля, лунок, слое

...в геле.Целью изобретения является обеспечение воэможности выполнения лунок в фазе йерехода золя в гель.На черетеже представлена конструкция стройства для выполнения лунок в слое еля.Устройство содержит две параллельные пластины 1. В каждой пластине 1 выполнены отверстия 2, Диаметр отверстий в ниж, - Ней пластине 1 - 2 мм, в верхней - 2 - 4 мм. На внутренней стороне верхней пластины Размещена амортизирующая прокладка 3. Между пластинами закреплены ограничители 4 движения перфораторов 5. Верхняя Масть ограничителя 4 расположена в отверстии пластины 1. В ограничителях 4 жестко закреплены металлические перфораторы 5,Устройство используют при постановке метода простой радиальной иммунодиффузии и реакции миграции лейкоцитов...

Номер патента: 864171

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Ульянычев, Ульянычевене

МПК: G01R 23/173

Метки: входного, панорамного, приемника, сигнала, частоты

...И, делитель 18 ЗО ный счетчик 19 не производится, так частоты, реверсивный счетчик 19 с как элемент 16 И еще закрыт, После предварительной установкой, первый 20 поступления с выхода з Разрешающего и второй 21 триггеры с двумя УРавля- сигнала иа прямом ходе второго цикла ющими входами и триггер 22 со счет- перестройки на элементы 12 и 13 И имным входом. З 5 пульсом с выхода б через элемент 12 ИУстройство работает следующим об- изменяется предыдущее состояние выхоразом. дов триггеров 22 и 20, При этом открыБлок 1 перестройки перестраиваег веются элементы 16 и 15 И и по перс помощью ГКЧ 2 частоту настройки се- вому входу элемента 17 И разрешаетсялективного преобразователя 3. Когда 4 О Формирование меток на выходе делите"частота ГКЧ 2...

Номер патента: 1381733

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Кацнельсон, Кириллов, Петкевич, Федосеня, Шерайзин, Шпильман

МПК: H04N 9/77

Метки: канал, приемника, сигнала, телевизионного, яркостного

...блоки 7 и 8 дифференцирования с учетом режекторного фильтра 1 и фильтра 2 нижних частот формируют частотную характеристику сигнала коррекции с подъемом в области 3 МГц (фиг. Зб), т,е. там, где есть высокочастотные составляющие полезного сигнала .С выхода второго блока 8 дифференцирования сигнал (фиг. 2 в) поступает на первый регулируемый усилитель 9, сигнал управления которым формируется блоком 6 задержанной АРУ (фиг, 4) из выходного сигнала фильтра 2 нижних частот. До уровня исходного сигнала, определяемого по отсутствию перекоррекции в изображении, сигнал коррекции на,выходе регулируемого усилителя 9 пропорционален входному сигналу, Для размахов исходного сигнала, превышающих указанный уровень, сигнал коррекции уменьшается,...

Номер патента: 506952

Опубликовано: 15.03.1976

Авторы: Бренин, Линецкий, Лифшиц

МПК: H04H 5/06

Метки: приемников, сигнала, синхронизации, телевизионных, формирователь

...антисовпадения, при этом ко второму входу схемы совпадения подключен мульти- вибратор уравнивающих импульсов, на вход которого подан сигнал двойной строчной частоты, а ко второму входу схемы антисовпадения подключен мультивибратор строчных синхроимпульсов, на вход которого подан сигнал строчной частоты, причем выход схемы совчадения и выход схемы антисовпадения подключены к первому и второму входам сумматора, соответственно.Для повышения точности формирования сигнала синхронизации и упрощения формирователя в предлагаемом формирователе выход сумматора подключен через дифференцирующии каскад к первому входу ограничителя, причем ко второму входу ограничителя подключен мультивибратор кадровыхсинхроимпульсов.5 На чертеже дана...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.