H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1294220

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Жигалова, Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, слоев

Способ получения слоев нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев до рабочей температуры, формирование и подачу в зону осаждения потока парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении с поддержанием общего давления в реакторе подачей на вход реактора аммиака, удаление остаточных продуктов реакции через выход реактора, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости процесса по длине зоны осаждения и упрощения технологической аппаратуры, поток парогазовой смеси в зоне осаждения создают подачей аммиака на вход реактора при температуре от 623 К до рабочей температуры в зоне осаждения и раздельной подачей паров тетрахлорида кремния...

Номер патента: 1241940

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Ковригин, Никифоров, Сапожников, Шелопут

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин

Способ изготовления пластин, включающий крепление пластин на планшайбе и поочередные шлифование и полирование сторон пластин, отличающийся тем, что, с целью улучшения геометрических параметров пластин, их крепление после полирования одной стороны осуществляют нанесением на полированную сторону прозрачной плоскопараллельной планшайбы слоя прозрачного клеящего вещества и притиранием пластин по этому слою к планшайбе, причем неплоскопараллельность слоя клеящего вещества между планшайбой и пластиной, которую измеряют через другую сторону планшайбы интерференционным методом, после притирания пластины не должна превышать величины, соответствующей одному интерференционному кольцу.

Номер патента: 1028202

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/477

Метки: ионно-легированных, отжига, полупроводников

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2

Номер патента: 1127486

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Михайлов, Мищенко, Щекочихин

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок, полупроводниковых, соединений, эпитаксиальных

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.

Номер патента: 1809701

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Аринушкин, Берман, Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Козлов, Ломасов, Ременюк, Ткаченко, Толстобров

МПК: H01L 21/263

Метки: диодов, кремниевых, силовых

Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условияEпов= a+bxj+ Eк, кэВ,где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области,a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм,

Номер патента: 1248486

Опубликовано: 27.12.1999

Автор: Дубинин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: вибродвигатель, синхронный

Синхронный вибродвигатель, содержащий цилиндрический ротор, кольцевой статор, электромеханический преобразователь и генератор переменного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и долговечности двигателя, в него дополнительно введены электронный коммутатор и задатчик, а электромеханический преобразователь выполнен в виде отдельных электроакустических преобразователей, закрепленных на наружной окружности и длине статора, причем электрические части всех электроакустических преобразователей, расположенных на одной образующей статора, включены параллельно между собой и соединены с соответствующими выходами электронного коммутатора, первые входы которого соединены с...

Номер патента: 1199165

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/22

Метки: микромостик, переменной, толщины

Микромостик переменной толщины, выполненный в виде двух электродов, соединенных перешейком, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения с одновременным увеличением срока службы за счет увеличения максимальной силы тока, протекающего по микромостику, микромостик выполнен из металлического монокристалла с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах 0,1 - 10 мм, причем длина перешейка составляет 0,02 - 1 от длины свободного пробега электронов.

Номер патента: 1499637

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Антоненко, Ждан, Сульженко, Сумарока

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, мдп-структур, параметров, пограничных, полупроводник-диэлектрик, состояний

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...

Номер патента: 1627011

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Бочкарев, Колпин

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: бескорпусных, микросборок, параметров, преимущественно, тара-спутник, транспортирования, установках, электрических

Тара-спутник для бескорпусных микросборок преимущественно в установках для транспортирования и контроля электрических параметров, содержащая диэлектрическое основание с гнездом для микросборки и контактными элементами, фиксирующими рамку, сменный вкладыш и крышку, отличающаяся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, она снабжена нагревателем и датчиком температуры, в гнезде для микросборки выполнено окно, на противоположной поверхности основания напротив гнезда выполнен паз, ширина которого равна или больше ширины гнезда, а ширина окна меньше ширины гнезда, сменный вкладыш установлен в пазу основания и его поверхность расположена в одной плоскости с поверхностью донной...

Номер патента: 1572347

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Абросимов, Горохова, Колпин

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: бескорпусных, микросборок, параметров, преимущественно, тара-спутник, транспортирования, установках, электрических

1. Тара-спутник преимущественно для бескорпусных микросборок в установках для транспортирования и контроля электрических параметров, содержащая диэлектрическое основание с гнездом для микросборки и контактными элементами и крышку, отличающаяся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, она снабжена съемной фиксирующей рамкой, закрепленной на основании, а крышка соединена с рамкой с возможностью поворота в плоскости рамки.2. Тара-спутник по п.1, отличающаяся тем, что крышка соединена с рамкой посредством оси, перпендикулярной поверхности рамки.

Номер патента: 1347830

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Абросимова, Бородько, Салитра, Старков, Шамаев

МПК: H01L 31/18

Метки: p-n-перехода, активного, внутреннего, основе, фотоанодов

Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однородности диффузионной области, легированной бором, удешевления процесса, источник диффузанта дополнительно содержит оксид одного из редкоземельных элементов и диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 1-30Оксид редкоземельного элемента - 5-50Диоксид кремния -...

Номер патента: 1289337

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/20

Метки: диод, низкотемпературный

Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины свободного пробега электронов, причем плоскость границы зерна целиком расположена в области перешейка.

Номер патента: 835268

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Вигдорович, Говорухин, Малюков, Молодцов, Петрова

МПК: H01L 21/34

Метки: давления, датчиков, полупроводниковых

1. Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления, включающий выращивание маскирующего слоя двуокиси кремния на пластине кремния, его травление, формирование тензорезисторов и присоединение выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и улучшения качества полупроводниковых датчиков, после формирования тензорезисторов на обратной стороне пластины кремния располагают кристаллодержатели, на поверхность которых наносят слой стекловидного диэлектрика, коэффициент линейного термического расширения которого согласован с коэффициентом линейного термического расширения кристаллодержателя, спаивают их вместе при температуре не более 1000oC, формируют...

Номер патента: 1531768

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Бугаев, Веденеев

МПК: H01L 21/66

Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени

Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках, содержащее первый усилитель ЭДС Холла, входы которого подключены к холловским контактам первого полупроводникового образца, второй усилитель ЭДС Холла, выходы которого подключены к холловским контактам второго полупроводникового образца, и дифференциальный операционный усилитель, подключенный инвертирующим входом к выходу первого усилителя ЭДС Холла, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений путем уменьшения количества измеряемых параметров при методе сравнения, в него введены источник опорного напряжения, схема выборки-хранения, генератор синхроимпульсов и измеритель переменного напряжения, при...

Номер патента: 1294209

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Рощупкин, Якимов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий обработку поверхности кристалла теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением пленки металла из ряда Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения вольт-амперной характеристики структуры за счет снижения обратного тока, полученную структуру облучают сфокусированным пучком с энергией 25 - 30 кэВ дозой (1 - 3) 10-9 Кл/см2.

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Номер патента: 1565298

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Некрасов, Чернушич

МПК: H01L 21/463

Метки: полирования, силленитов, состав

1. Состав для полирования силленитов, содержащий абразивный полирующий порошок и кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, в том числе стойкости к лазерному излучению, в качестве кислоты используют кислоту из ряда: муравьиная, уксусная, молочная, щавелевая, малоновая, винная, лимонная, сульфаминовая или водный раствор по крайней мере одной из указанных кислот с водородным показателем рН < 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:Абразивный полирующий порошок - 0,1 - 5,0Указанная кислота или водный раствор кислота - Остальное2. Состав по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит поверхностно-активное вещество...

Номер патента: 1455940

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Автомеенко, Карпенко, Масалыкина

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, пластин, травления

Способ травления кремниевых пластин, включающий размещение пластин в травителе, травление пластин при подаче в травитель азота и принудительном охлаждении травителя, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества одновременно обрабатываемых пластин кремния за счет увеличения интенсивности объемного теплообмена между обрабатываемыми пластинами и травителем, в травитель подают жидкий азот.

Номер патента: 1356886

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Климова, Майстренеко, Свиридов, Скоков

МПК: H01L 21/28

Метки: фотопреобразователей

Способ изготовления фотопреобразователей, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой кремниевой подложки твердого источника легирующей примеси, диффузию и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователей за счет улучшения адгезии контактов к подложке и уменьшения глубины залегания горизонтального p-n-перехода и упрощения технологии изготовления за счет совмещения процессов диффузии и формирования контактов в едином термоцикле, в качестве твердого источника легирующей примеси используют слой фосфоросиликатного стекла с содержанием в нем фосфора от 5 до 45% или боросиликатного стекла с содержанием бора от 10 до 50%, формирование...

Номер патента: 1797409

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/304

Метки: диэлектриков, полирования, полупроводников, состав, химико-механического

Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Наполнитель - 15 - 30Загуститель - 5 - 10Ортофосфорная кислота - 0,06 - 12Комплексообразователь - 0,003 - 6,4Вода - Остальное

Номер патента: 1752153

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Кожемякин, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, иттрий-бариевого, сверхпроводника

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охлаждения изделия проводят дополнительную термообработку при 400-450oC в течение 50-60 мин, при этом нагревание изделия, термообработку и дополнительную термообработку осуществляют путем электронного облучения, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R -...

Номер патента: 1752154

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Иванов, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: иттрий-бариевых, купратов, синтеза

Способ синтеза иттрий-бариевых купратов, включающий приготовление смеси из исходных компонентов, нагревание до 950oС, термообработку ее при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения содержания орторомбической фазы и сокращения длительности процесса, нагревание смеси и термообработку осуществляют путем электронного облучения, время термообработки выбирают в интервале 40-50 мин, а охлаждают со скоростью не более 60 град./мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в смеси, d - толщина смеси.

Номер патента: 1752155

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Иванов, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, иттрий-бариевых, сверхпроводников

Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в сверхпроводнике, d - толщина сверхпроводника.

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1725695

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Трофимов

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночным импульсом с плотностью тока электронов в импульсе, равной или большей 182 А/см2, или последовательностью импульсов с плотностью тока в импульсе, равной или большей 6 А/см2, с суммарной поглощенной дозой, равной или большей 0,6

Номер патента: 1820784

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/26

Метки: арсенидгаллиевых, структур

Способ изготовления арсенидгаллиевых структур, включающий имплантацию кремния в подложку из арсенида галлия, импульсный отжиг и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения неуправляемого уширения профиля легирования и снижения удельного сопротивления подложки, охлаждение осуществляют со скоростью не более 250oС/с.

Номер патента: 1679915

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Балашов, Букин, Плесский

МПК: B05C 3/02, H01L 21/47

Метки: мономолекулярных, нанесения, пленок, подложку

1. Устройство для нанесения мономолекулярных пленок на подложку, содержащее ванну для рабочей жидкости, средства слива рабочей жидкости из ванны и держатель подложки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества наносимых пленок, две противоположные стенки ванны выполнены наклонными к ее днищу, а две другие боковые стенки взаимно параллельны и перпендикулярны днищу, причем держатель подложки установлен на одной из наклонных стенок ванны с возможностью размещения подложки в плоскости этой стенки по всей ее ширине, а углы наклона стенок связаны между собой соотношениемcos +sin

Номер патента: 1736310

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Воробьев, Карачевцева, Страхов, Яременко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом ( ) к плоскости излучающего торца, а величина угла удовлетворяет условиюгде D - максимальная толщина подложки;L - длина светодиода в направлении выхода...

Номер патента: 1485970

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вдовин, Касумов

МПК: H01L 39/22

Метки: металлических, микромостиков

Способ получения металлических микромостиков, включающий электрохимическое травление металлического кристалла до образования узкого перешейка, соединяющего два массивных электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств микропроводников и уменьшения их размеров, перешеек расплавляют проходящим через него в режиме заданного напряжения током и выдерживают в расплавленном состоянии до уменьшения его размеров до заданной величины.

Номер патента: 1485972

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Марченко, Никулов, Розенфланц, Старков

МПК: H01L 39/24

Метки: ниобия, пленок, сверхтонких

Способ получения сверхтонких пленок ниобия, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока, не превышающей 0,3 мА/см2, до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение 30 - 40 мин.