H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1836755

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Батрак, Копаев

МПК: H01L 35/34

Метки: термоэлементов

...20 л/мин имеет место неустойчивость образующейся струи, а при расходах, превышающих 35 л/мин происходит срыв струи.Вслед за газоплазменным напылением никеля проводят дополнительное упрочнениЕ20 пОлученной структуры с использованиемтермообработки, что позволяет наряду с повышением термоэлектрической добротности улучшить термомеханическиехарактеристики ветвей, коммутационныхшин и их контактных соединений. Так приупрочнении при помощи отжига в инертнойсреде экспериментально установлен диапазон температур 430-460 С, т.к. при мень- ших температурах не удается сформировать30 достаточно прочные структуры, а при больших значениях температур резко возрастает сублимация пОлупроводника.Соответственно указанным температурамсоответствуют времена...

Номер патента: 1837369

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Галченков, Образцов, Стрельченко

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучателя, импульсного, полупроводниковая, света

...Й - Р гетеропеехода электроны заполняют свободные сотояния в УБС до уровня, с которого тановится возможным надбарьерная инекция электронов в ШБС, прилежащий к а напряжение на коллекторном переходе е упало ниже величины напряжения лавиного пробоя этого перехода, то приведет кувеличению величины разряда С(сЬ) и, сле 25 30 35 40 45 довательно, уменьшению частоты следования импульсов. Если надбарьерная инжекция электронов в коллекторный переход произойдет позже указанного времени, то это приведет к меньшей величине переразряда С(сЬ), но и в этом случае произойдет уменьшение частоты следования импульсов.Предлагаемая конструкция ГС, реализованная в системе твердых растворов с обратной пропорциональной зависимостью коэффициента...

Номер патента: 1838242

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Юджин

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...химия, синтез сверхпроводящих оксидных материалов. Сущность изобретения; нитрат бария, оксид меди и оксид иттрия или редкоземельного элемента смешивают и измельчают в агатовой ступке, Полученный порошок прессуют в диски. Диск помещают в печь, нагревают до 900 С, выдерживают 30 мин и охлаждают до температуры окружающей среды,продукта. Рентгенограмма показывает; чтопродукт - УВа 2 СцзОх с орторомбическойсимметрией содержит очень небольшое количество У 2 ВаСцОБ и ВаСц 02 в качествепримесей, Материал показывает эффектМейсснера при температуре примерно 90 К,указывая таким образом на температуру пе- Брехода в серхпроводящее состояние, равную примерно 90 К.Получены и другие сверхпроводящиематериалы общей формулы МВа 2 Сц 20 х, гдеМ -У, йб, Зе,...

Номер патента: 1838847

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Бессолов, Лебедев, Львова, Новиков

МПК: H01L 31/18

Метки: поверхностно-барьерного, фотоприемника

...ионов серы в растворе и температурой обработки.Сущность изобретения поясняется чертежем, где изображены спектры квантовой эффективности поверхностно-барьерных фотоприемников Аи-ОаР; а - фотоприемник-прототип; б - фотоприемник, полученный с помощью заявляемого способа.П р и м е р. В исходном состоянии по ложка фосфида галлия и-типа проводимости с концентрацией электронов 1 10 см, предварительно отмытая в четыреххлористом углероде и обработанная в травителе ЗНО+ 1 НИОз 3 - 5 сек затем. погружалась в водный 1 Н раствор сульфида натрия. Температура раствора была 20 С,Для определения необходимого времени активации использовались следующие параметры.а = 510 см 5 а= 0,1 41 а=5,3310 г г 6) е 10,=1,25 ЭВ 3) 66=1,8 ЭВ 7) Ег 4.3 эВ 83Иэ...

Номер патента: 2000630

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Агеева, Броневой, Гуляев, Калафати, Кумеков, Миронов, Перель

МПК: H01L 21/268

Метки: изменения, оптической, полупроводников, прозрачности, прямозонных

...энергиях Юе"возбуждающего импульса, Максимальнаяэнергия Юе возбуждающего импульса,проходящая через область зондирования"0 ифотона возбуждающего света равняется 1,437 эВ ( Л=863 нм) и иа 11 мэВ превышает величину Ер (ширина запрещеннойзоны). то=о в положении, где находитсямаксимум кросс-корреляционной функцииО (тд ) возбуждающего и зондирующего импульсов.Кривая просветления (фиг.1) при наименьшем 9/в в согласии с тривиальнымипредставлениями демонстрирует возрастание просветления в течение возбуждающего импульса, а затем медленный спад спостоянной времени 500 пс - тр - времениспонтанной рекомбинации.Подобный обратимый характер просветления наблюдается в широком диапазоне длин волн зондирующего излучения,При этом спектр остаточного...

Номер патента: 2000631

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Джалилов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 29/812

Метки: двухсторонним, канала, транзистор, управлением, шоттки

...Вскрывают окна в 10 г над омическими контактами (для измерений тока насыщения в канале). Наносят слой электронного резистэ ЭЛП. Проводят электронно-лучевую литографию с использованием установки ЕВА. При этом в электронном резисте формируют затворный рисунок в виде ряде дискеетмо расположенных окон. Минимальный размер формируемых окон 0,25 мкм, определяет длину затвора и обусловлен минимальным размером электронного штампа, Расстояние между окнами0,4 мкм.Проводят направленное плэзмохимическое травление 90 г в окнах маски на установке08 ПХОТ. Боковой растрав 310 г мал0,05 мкм, стенки травления практическивертикальны. Проводят имплантацию ионов5 В в открытые области полупроводника наустановке Лада, Доза 1 101 ион/см.Энергия ионов100 кэВ....

Номер патента: 936766

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: микроперемещений

...возможностей.Поставленная цель достигается тем, чтоустройство микраперемещений, содержащее магнитострикционный рабочий орган,выполненный в виде стержня с положительным коэффициентом магнитострикции, помещенного в стакан с отрицательнымкоэффициентом магнитострикции, и катушку намагничивания, подключенную к регулируемому источнику питания, в негодополнительно введены датчик упругих деформаций рабочего органа, задатчик, блоксравнения и блок управления, причем одиниз входов блока сравнения соединен с эадатчиком, второй его вход - с выходом дат 5 чика упругих деформаций, выход блокасравнения через блок управления подключен к управляемому источнику питания.На чертеже схематично изображеноустройство микроперемещений.10 Устройство...

Номер патента: 936767

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Грахов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...трубка может быть выполнена из пермендюра К 65, а замыкающий кожух - иэ никеля, Тороидальная обмотка выполнена .из двух частей, одна иэ которых охватывает трубку 1 с цилиндрической обмоткой 2, а вторая охватывает кожух, причем направление обмотки частей противоположное. Устройство содержит также неподвижную втулку бжестко соединенную с кожухом, выходной орган 7, закрепленный на трубке 1, и фланец В, образующий с неподвижной втулкой 6 крепежный узел устройства.Устройство работает следующим образом. При подключении тороидальной обмотки 3. к источнику постоянного тока (направление тока показано стрелками), в магнитострикционной трубке 1 и замыкающем кожухе 5 возникает циркулярное магнитное поле, направление которого обозначено знаками...

Номер патента: 1431619

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/8238

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...

Номер патента: 1140651

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Вето, Скрылев, Тренева, Шилин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, информации, приборе, связью

...модуля разности, Основные затворы 18, 19, 20 соединены между собой (точка Й) и подключены к входу Р первой схемы определения модуля разности. Дополнительные затворы 21, 14 соединены с основным затвором 16 (точка .) и подключены к входу Я второй схемы определения модуля разно- . сти. Дополни 1 ельные затворы 15, 22 соединены с основным 17 (точка М) и подключены . к входу й второй схемы определения модуля разности. Конструктивно схема определения модуга разности представляет собой входную диффузионную область (входной2 а 2 Ь 2 с 2 б 2 е 2.29 2 Ь 2 Введенйе.дополнительйых идентичныхустройств неразрушающега считывания информации (фиг.1) 1415, 21, 22 в первом и третьем выходных сдвиговых регистрах позволяет разделить информационный...

Номер патента: 818412

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционный, перемещений, привод, угловых

...выполненный в аиде диска, и обмотку возбуждения.Известный привод, кроме того, содержит обмотку подмагничивания и.цилиндрический сердечник с кольцевой выточкой, в которой размещена обмотка подмагничивания.Недостатком данного привода является сложность конструкции, вызванная наличием цилиндрического сердечнйка и намагничивающей катушки.Целью настоящего изобретения являетсв упрощение конструкции магнитострикционного привода,Поставленная цель достигается тем, что в магнитострикционном приводе угловых. перемещений, содержащем магнитострикционный элемент, выполненный в виде ДИ- ска, и обмотку возбуждения, обмотка возбуждения расположена в обьеме магнитострикционного элемента таким образом, что ее ось образует спиральную лйнИю.Обмотка...

Номер патента: 1340509

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Бакуев, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/00

Метки: устройства, фотоприемного

...того, что навеску свинца массой 0,1 г помещают на площадь контакта 1 мм, Вплавление производят при темпера 2туре 973 К, а охлаждение - со скоростью 0,016 град/с, Фотоответ при 77 К для излученияс длиной волны 10,6 мкм достигает 0.1 мВ/Вт в фотовольтаическом режиме,П р и м е р 3, Фотоприемное устройство изготавливают так ке, как в примере 1, за исключением того, что навеску свинца массой 0,01 г помещают на площадь контакта 1мм, Вплавление производят при температуре 1173 К, а охлаждение - со скоростью 1,6град/с, Фотоответ при 77 К для излучения с5 длиной волны 10,6 мкм достигает 0,1 мВ/Втв фотовольтаическом режиме,П р и м е р 4; Фотоприемное устройствов аиде фотоактивного контакта олово-германий изготавливают с использованием...

Номер патента: 782634

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Вето, Докучаев, Кузнецов, Левин, Пресс, Скрылев

МПК: H01L 27/148

Метки: изображения, матричный, сигналов, формирователь

...в кадровом режи шим к изобретению по технйнческгой сущно- ме, Массив информации, накопленный в,сти и достигаемому результату.,-:,.: . секции накопления 1, сдвигается в секциюЕго недостатком является высокая не- хранения 2. За время накопления следуюэффективностть перегнйосга ЗЪрядосвых паке-. щего кадра, информация из секции хранетов в сдвиговом регистре вследствие 30 ния 2 распределяется по трем сдвиговымвысокой тактовой частоть 1, ""регистрам 3, 5, 6 и переноситсяими к выходЦелью изобретения является уменьше- " нымустройствам 4, 9, 10,нив неэффективности переноса зарядовых Сдвиговые регистры имеют 2 й-фазнуюпакетов в сдвиговом регистре при сохране" систему управления, где й - число сдвигонии стандартного времени вывода строки, 35 вых...

Номер патента: 2001390

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Карпович, Планкина

МПК: G01N 21/84, H01L 21/66

Метки: коэффициента, образцов, оптического, поглощения, полупроводниковых, фотоэлектрический

...оптического поглощения полупроводниковых материалов, заключающемся в освещении плоскопараллельнсго образца мснокроматическим светок, измерении спектральной зависимости относительной фсточувствительности образца и опред;-;ленни коэффициента по лсщения а и;, срд(ровэнной на единицу в максимуме спекральной зависимссти относиельнсй фсточувствительнссти 5 ф ( 1. ), в котором, согласно иэобретекно- вс-первых, производят изменение фотоответа г режиме поперечной фстопроводимсг,и (электроды нанесены на обе боковые грани образца),- вс-вторых, фотоответ .мелю о г всего обьема образца (элеггсды нассят нэ всю площадь боковыхэей образца),- в третьих, обра.г ц дополнительно освещают излученилиной вол ы Л. о, где л.; - дл а волны, сос 1...

Номер патента: 2001465

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Завадская, Кошевар, Мазина, Рагозин, Федоренко, Хохлов

МПК: H01L 21/304

Метки: кремния, пластин, полирования

...без эамшевидного покрытия обеспечи 200465вает более грубую обработку нерабочей по- После суперфинишного полирования и верхности по сравнению с рабочей, т.е. очистки был проведен контроль локальной обеспечивает наличия слоя с геттерирую- плоскостности на установке гчТЧ. На 80 щими свойствами, пластин отклонение от плоскостности наОбработку проводят на станках АР. 5 участках площади(10 х 10) мм не превышаНа финишном полировании используют етмкм не менее, чем на 90 ф рабочей полизоовальник плотностью не менее 0,30 поверхности каждой пластины. Оценка шег/см типа "5 оЬа". Пластины располагают роховатости пластин при контроле рефлекрабочей поверхностью вверх. Полирование тометрическим способом свидетельствуют проводят в течение 35 -...

Номер патента: 2001466

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Шалыгин, Штурбин

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неравновесных, носителей

...поля в образце течет кольцевой электрический ток (далее будем называть его "ФЭМ-током"). Расчеты показывают, что плотность этого тока максимальна на границе светового пятна, а ширина токового кольца примерно равна диффузионной длине. При станционарном освещении ФЭМ-ток стационаренЕсли освещение не стационарно, а модулировано, то ФЭМ-ток будет переменным, и вследствие эффекта электромагнитной индукции в индукционном элементе связи 4, расположенном вблизи рабочей поверхности образца, будет возникать ЭДС. На фиг,1 для наглядности в качестве индукционного элемента связи изображен одиночный кольцевой проводящий виток, опоясывающий световое пятно 3 и расположенный вблизи рабочей поверхности образца, но не имеющий с образцом...

Номер патента: 2001467

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Астапов, Коломицкий

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых

...что и при первом никелировании,На сплошной слой никеля по обе стороны пластины наносят слой гальванического свинца, Состава ванны свинцевания: свинец борфтористоводородный 220 мл/л, кислота борфтористоводородная 50 мл/л, клей меэдровый 0,5 г/л. Режим свинцевания:температура 18 - 55 С, плотность тока 2 А/дм, напряжение 3 В, отношение поверхности анодной к катодной 2: 1, При выдержке 3 мин получают толщину свинцового покрытия 4 ммк. Пластины промывают также, как и после никелирования и сушат. Пластину с двухслойным металлическим покрытием разделяют алмазной пилой на отдельные кристаллы и обрабатывают в травителе НЕ: НИОэ - 1: 2 в течение 15 с. После снимают верхний слой свинца в растворе Н 202: СНзСООН: Н 20 = 2: 1:1, промывают в...

Номер патента: 2001468

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Астапов, Коломицкий

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых

...ГтсД)1 х и рог )е(дки Б дРО(иэовдпнОЙ БОДГ кс)чсгт 30 и 30 ьвки 10 контролировали омностью Бодн:) протока, котордл должна составлять валии у,е ме 30неа 1 1 О О(, На сплошном слое (икаля с обеих сторон плас сиы (орсл;(От необхг- димьй рисунок иэ 0)торз)стд ФП, Нд 15 ЦРЭД)ЦИ(нс.Пыа фТОГ)ЕЭПСтЕ(Ьа Пола,)Х ОСТИ НДОСЛТ Г/О Гс)л3 Д 3 ,ГСКП О СБ 111 ц д, С 0 с т д Б Р д1 ы с Б и ие Б 3 и и л: (. Б иа ц борфторисгоподород.313 220 мл/л, кислота бортористоводородндл 50 мл/л, клей аэд Г)ОВый 05 Г/л, рР)ким сви 1 ЦГБ 3 Ич тгмг)е -Ггратурд 10 - 25 С, плотность тока 2 А//)л, ндг)я)кгчиа 3 Р, 0(тцГЕе(;( и. (:( с)хнаг;ти энОДНОЙ к кдтОДОЙ 2: , 11(3 30 Рап 1 пы- деГ)жки Б Пана 3 м 11 полудот (,лип)(ОБО 3 25 Пог,ГЫ) ИР ТОЛ(ЦИНОЙ1(3(31. ПЗ);)(;Т(П Ы Пс 0...

Номер патента: 1241946

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Бугаев, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени

...б, измеритель 7 тока исследуемо-О образца.УстгОЙстВО работает следиУци 4 Обрд" ЗОМ,Отношение коэфф 4 циентов усиления усилителей задаот равным отношенио толц 4 Н исследуемОГО 2 и зталоннОГО 1 ООэазцсв соответственно, ОперационньЙ усилитель 6 вырабатывает выходноЙ сигнал таким образом, чтобы обеспечить равенство выходного напряжения усилителя ЭДС Холла 4 исслРДуемОГО Образца и выхОДного напряжения усилителя ЗДС Холл" 3 ЭталонОГ,1 оразцд 1, ри Этот; Обеспа 114- Дается Оав 1 с.;О1 де,".з, "- .Озффицие ты усил 81 ия усгл 178 ПЕт;.-,",С Холла .1 и 4,ц 1 И н . ЗДС ХО;тЯ ЗтаЛОННОГО; :,.Л 6 ДУ 6 МОГО ООРЯЗ 1 ОВ,ГоскоьуЪ1 г 1 - 1 э;, ,.1 1ГД 8 Оэт И СТОЛЦИНЫ ЭТЯЛОННОГО ИССЛ 8 ДУ 6- мого обгазцов соответственно.тоОэт В,.э.С Ь, Ц 1По ОтнгцениО...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 795366

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Абрамов, Порываев

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вращательного, движения

...одиночного пьезокерамиче- .ского стержня 2, и симметрично расположенных относительно него, парныхпьезокерамических стержней 3, торцы кото 15 рых последовательно жестко соединеныпри помощи пластин 4, 5.Одиночные пьезокерамические стержни установлены в отверстиях 6, выполненных в. пластинах 5, соединяющих торцы20 парных пьезокерамических стержней, обращенных к опорной пластине 7.Пьезопреобразователи взаимодействуют с гибким элементом 8 через планки 9 исоединены жестко с неподвижныМ основанием (корпусом) посредством пластин 7.Жесткое звено 10 находится.в зацеплении сгибким элементом 8 и установлено в подшипниковой опоре 11;.Пьезоэлектрические преобразователи30 выполнены в виде системы пьезокерамических стержней, состоящих из склеенного на-...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 669995

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Иванов, Толстых

МПК: H01L 21/22

Метки: свч-транзисторных, структур

...структуры, средней части, а также последующую диф- .. Кремниевую пластинус эпитаксиальной фузию для создания эмиттерной области,. 40 пленкой 1 п-типа проводимости подвергают После окончания первой. стадии базовой термическому окислению в комбинировэн-. диффузии осуществляют локальное удале- ной среде увлажненного водяными парами ние боросиликатного стекла в местах буду- кислорода или в среде азота, аргона и сухого щего расположения эмиттера, затем ведут кислорода при 1100-1200 С до получения вторую стадию в окислительной атмосфере. 45 окисла 2 толщиной.не менее 0,45 мкм, масЗа счет перехода сильнолегированного . кирующего от последующей диффузии, В поверхностьюслоякремниявокиселдости- выращенной пленке вскрывают. окна под...

Номер патента: 683397

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузии, золотом, источник, кремния, легирования, одновременного

...кварцевые подложки 1 и 2 наносят борный ангидрид. После отжига в аргоне при 940 С в течение 2 ч происходит стекло образование, в результате чего на подложках образуются слои 3 боросиликатного стекла. На боросиликатные слои 3 наносят слои 4 золота при давлении 5 10 мм рт.ст, 5 в течение 20-25 с.Расстояние от испарителя до подложки70 мм, навеска золота весит 40 мг, Толщинанапыленных слоев золота составляет 0,05- 0,1 мм, После напыления золота подложку 10 отжигают в течение 20 мин при 940 С. Легирование ведут в открытой кварцевой трубе 5 в потоке аргона.Температура диффузии 940 + 1 С, время легирования 20 - 40 мин, Расход аргона 40 - 50 л/ч при диаметре трубы 58 мм, Пластины 6 кремния со вскрытыми окнами под базовое легирование...

Номер патента: 1322940

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Леонов, Хребтов

МПК: H01L 39/14

Метки: болометр

...ток смещения.При пропускании тока через сверхпроводящую пленку, находящуюся в области перехода из нормального состояния е сверхпроводящее, она может менять свое соп роти вление. Это вызывается тепловым и магнитным действием тока на сверхпроводящую пленку, что использовано в предлагаемом болометре для разделения функций частей 1 и 2 пленки,В зависимости от свойств материала, из которого изготовлен болометр, и его конкретных размеров, может проявляться либо тепловое, либо магнитное действие тока смещения, либо оба эффекта вместе, но оба эффекта приводят к достижению поставленной цели - оазделению функций термочувФормула изобретения БОЛОМЕТР, содержащий термочувстаительную пленку, пленочные антенны и контакты, отличающийся тем. что,...

Номер патента: 1266420

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Зайцев, Леонов, Ткаченко, Хребтов

МПК: H01L 39/14

Метки: болометра

...лучом лазеров,доводя сопротивление термочувствительной пленки до величины, требуемой из условия согласования с антенной в рабочейточке (фиг.4).Таким образом, по предлагаемому способу. в отличие от прототипа, всегда можно 55добиться согласования термочувствительной пленки с антенной,В таблице приведены сравнительныехарактеристики болометров, изготовленныхразличными способами. Рассмотрим теперь положительный эффект, связанный с улучшением воспроизводимости характеристик болометра приизготовлении многоэлементного болометраили серии болометров.Лазерная ретушь на установке ЭМАобеспечивает получение требуемых размеров антенны и термочувствительной пленкис точностью 0,5 мкм, что позволяет доводитьсопротивление термочувствительной пленки...

Номер патента: 764549

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Петров

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, малошумящих, транзисторов

...участок эмиттера 8.На фиг.З к базе в обьеме полупроводникового тела показана контактная р диффузионная область 9, Между р областью 9 и эмиттером 8 остается участок 10 в эпитаксиальной пленке 6, не залегированной в процессах диффузии.В каждой из областей эмиттера 8 базы 9 вскрыты контактные окна и осуществлена металлизированная разводка 11,П р и м е р, На высоколегированную подложку (р=0,001 Ом.см) осажда ют в и сокоомную р =1-3 Ом,см) пленку 2 эпитаксиального кремния того ке и-типа проводимости, После этого получают маскирующее покрытие 3 - путем окисления кремния в каомбинированной среде сухого и увлажненного кислорода при Т=1100 - 1200 С,.Фотогравировкой в окисле 3 вскрывают окно и проводят базовую диффузию бора - 4 (Ие 1 =1 10 см )...

Номер патента: 766416

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Борзаков, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, свч, структур, транзисторных

...слоя, непревышающая 0,35 мкм, выбрана исходя изсоображений эффекта торможения этогослоя для ионов бора с ускоряющим напряжением150 кВ. Именно при больших тол 7 бб 416щинах ионы бора полностью тормозятся диэлектрической пленкой и достигают поверхности кремния.Способ характеризуется совокупностью и последовательностью операций.представленной на фиг,1-6,На фиг.1 показана кремниевая подложка 1 и-типа с созданным на ее поверхностислоем окисла кремния 2, вытравленным внем окном 3 и вновь созданным в окне наповерхности кремния тонким (толщиной несвыше 0,35 мкм) термическим выращеннымслоем окисла кремния 4,На фиг,2 представлена структура послеионного внедрения в тонкий диэлектрический слой 4 акцепторной примеси (бора) 5из...

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бреус, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, транзисторных

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Номер патента: 1402207

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Абрамов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: вращательного, движения

...с деформируемым элементом 2 и установлено в подшипниковой опоре 8,Одиночные пьезопреобразователи выполнены в виде жестко соединенных последовательно чередующихся пьезоэлементов (ПЗ) 9, токопроводящих пластин 10, к которым прикреплена пара пьезоэлементов плоскостями электродов возбуждения разноименных полярностей, причем оси поляризации пьезоэлементов направлены параллельно осям составных пьезопреобразователей 4,Устройство работает следующим образом,В помощью коммутатора на электроды пьезопреобрэзовэтелей 4 подаются напряФормула изобретенияУСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ, Содержащее волновуюпередачу, состоящую из деформируемого элемента, жесткого звена и электромеханического генератора волн, образованного составными...