H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Способ получения термоэлектрического материала”
Номер патента: 317138
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Дудкин, Жаров, Коломоец, Лидоренко, Мезис, Наджип, Никитин, Объедков
МПК: H01L 35/34
Метки: термоэлектрического
...исходных порошков ухудшаетэлектропроводность. В случае же отсутствия пленок частично исчезают условия, обеспечивающие рост коэффициента добротности за счетгеометрического фактора.Описываемый способ заключается в том,что исходные зерна термоэлектрического материала размером 10 -- 10 - 4 см предварительно покрывают (осаждением из газовойфазы, химическим путем или методом кипящего слоя) тонким равномерным слоем материала с удельным сопротивлением, превышающим удельное сопротивление исходного материала не менее чем в 10 раз, в количестведо 10 об. %. Далее конгломерат из исходныхзерен подвергают направленной пластическойдеформации, сопровождающейся вытягиванием отдельных зерен с покрытием в тонкиенити. Оптимальная степень деформации...
Способ исследования полупроводниковогоматериала
Номер патента: 317993
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Клотыньш
МПК: H01L 21/66
Метки: исследования, полупроводниковогоматериала
...в образце 1, при 973 К диффузию меди, получили образец и-типа 1 с холловской подвижностью 1700 смз/в сек. Проведя в образце 1 диффузию меди при 1023 К, получили образец р-типа 12 с холловской подвижностью 76 см 2/в сек. Проведя в образце 1 з диффузию меди при 1123 К, получили образец р-типа 1 з с холловской подвижностью 115 смз/в сек. Проведя в образце 1 з диффузию меди при 1223 К, получили образец 14 р-типа с холловской подвижностью 120 см 2/в сек,Таким образом, путем многократной диффузии меди в этом случае исследовали холлов- скую подвижность в широком интервале физических свойств.Исследование эффекта Нернста-Эттингсгаузена при 300 К в арсениде галлия путем многократной диффузии меди.В исходном образце и-типа арсенида галлия 1 О...
Способ герметизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 318340
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Альперович, Дымов, Етутйло, Корнилов
МПК: H01L 21/56
Метки: герметизации, полупроводниковых, приборов
...более длительном нагреве температура прессматериала и арматуры та же, что и температура пресс-фори Па протяжении нагрева.Г 1 рп этом более длительный нагрев позволяет уменьшить градиент температуры прессх 1 ятсрияля и к моменту приложения давления иметь более равномерно прогретый прсссматсриал по всему обьему.Настоящий способ позволяет повысить качество гсрмстизнруемых изделий, поднять производительность труда и дает возможность создать оболочку, приборов из термопластичнь 1 х и терморсяктивнь)х матер;ялов сл)ооых 1 временем полимсризяции,Для осуществления способа в пресс-форму5 загружают прессмятсриял и арматуру, затемсб)рянную пресс-форму нагревают.Один из возможных вари;штов изменен)гясмпературы нагрева прессматерняла представлен...
Способ определения термоэлектрической
Номер патента: 319019
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01L 21/66
Метки: термоэлектрической
...и знак которой не зависят от напряжения. Для ее исключения проводят двухкратные измерениявеличины Р, при противоположных направлениях тока, и затем находят среднюю арифметическую величину.10 Недостатками известного способа являютсябольшое число элементарных измерительныхи расчетных операций, относительно большаяпродолжительность цикла измерений, сравнительно малые значения измеряемых напряже 15 НИЙ.Цель изобретения - уменьшение числа измерительных и расчетных операций, сокращение длительности измерительного цикла и увеличение измеряемых напряжений, что повышает точность определения термоэлектрической добротности,Цель достигается тем, что направление тока через образец переключают скачком, измеряют омическую составляющую...
Способ коммутации термоэлементов
Номер патента: 323823
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бейлин, Козорезов, Малыгин, Саблин, Шмидт
МПК: H01L 35/08, H01L 35/34
Метки: коммутации, термоэлементов
...материалов.Предложенный способ коммутации заключается в том, что высокотемпературную со стзвля 10 иу 10 коммутдциоштого подслоя ВЖЬ 1:дносят вакуумым ндиылением ня ветви термоэлементов, после чего их припдивд 1 от к коммутационным шинам в вакууме или среде ней- ТР 11 ЛЬИОГО ГЗЗЯ.Полупровод 1 нковые элементы на основе тройных сплавов В 1 - Те - Ьс и В 1 - Те - ЯЬ :одвсргзются двусторонней шлифовке и ттца сльио 00 езжирив 1110 тся.1 дпыленис силдвд ВЬЬ производится в обц и 1 ых взк 5 лиых устдновкдх для ндпыле 1 и 51 из вол ьфрямовои корзиночки диаметром 1 .и,ц ири вакууме не выше 1 О з лтл рт, ст. Бремя испарения 10 - 15 лтн. Толщина слоя 20 - 30 11 и, Вследствие небольшого различия темперзтр испарения В и .5 Ь ооразующийся ровный...
Способ измерения коэффициентов диффузии примесей в тонкие пленки•сесаоэнаяпатсйткзгт; 1хкичкнаяьчблиотсна
Номер патента: 324592
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Гершинский, Косцов
МПК: H01L 21/66
Метки: 1хкичкнаяьчблиотсна, диффузии, коэффициентов, пленки•сесаоэнаяпатсйткзгт, примесей, тонкие
...1 О величины тока во времени прн анодном растворении образцов; на фиг. 2 графически сравниваются количества электричества, необходимые для анодного растворения верхней пленки тонкопленочной структуры металл металл до и после диффузионного отжита.Зависимость анодного тока 1 при растзорении толстой (1000 А) пленки А 1 показана кривой 1, при растворении тонкои (око 2 о ло 250 А) пленки А 1 - кривой 2,при растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 перед диффузионным отжигом - кривой 3, причем изменение скорости окисления в точке А соответствует переходу от окисления пленки А 1 25 к окисленшо пленки Т 1. Кривая 4 соответствует зависимости 1(1) прп растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 после взапхгной диффузии.Площадь АВСО (фиг. 2)...
Способ обработки объектов малого объема магнитными полями большой неоднородности
Номер патента: 324680
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Агрофизический, Гак, Жгенти
МПК: A01G 7/04, H01H 3/00, H01L 41/12 ...
Метки: большой, магнитными, малого, неоднородности, объектов, объема, полями
...с зазорами значительцо большими, чем размеры используемыхобластей, краевых эффектов, цлц в областиполей рассеивания, образующиеся цад зазорами кольцевых мапштных систем, размерамипорядка 1 - 10 лг.тг прц индукции в зазоре,близкой к индукции насыщения порядка 10" гсц более,Благодаря этому объекты малого объемаможно подвергать дсйствшо мапштцых полейочень большой неоднородности с помощьюстандартных мапштцых систем, например,магнитной системы тороцдальцого типа(фиг. 1, а) с цилиндрическими полюсамц 1 и 2,радиуса г радиусом закругления образующей Р, межполюсцым расстоянием 2 йс, 21 го )) 1 см, ц напряженностью в центре магнитного зазора Ос. В областях 8, 4 прц выполцеР Лг ЛРнии условий - 1, -1, - 1, расго до гопределенце напряженности 5 и...
Способ изготовления туннельных диодов
Номер патента: 324943
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/40
Метки: диодов, туннельных
...других полупроводниковых материалов для изготовления туннельных диодов.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.Кристалл СтаАь тг-типа обрабатывают одним из общеизвестных методов с целью его ориентации по кристаллографической плоскости (111) и выявления ее полярности.В пластину баЛь и-типа в атмосфере водорода со стороны (111) А вплавляют навеску олова диаметром до 100 лгкм, а на всю поверхность (111) В наплавляют пластину олова. Температура плавления 600.+5 С, время выдержки 10 - 30 мин, скорость охлаждения 250 - 300 С в первые 60 сек и -50 С в дальнейшем.Полученные образцы совместно с избыточным количеством летучей акцепторной примеси (Хп) помещают в замкнутый объем, заполненный водородом.При температуре 480 - 500...
Способ измерения объемного времени жизни носителей тока в слоях полупроводников
Номер патента: 326526
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Амринов, Гуро, Ковтонюк
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, носителей, объемного, полупроводников, слоях
...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...
Рпрофюзная 1пдиптяо. ган: . -, g-•at. ij. ylif—, . »
Номер патента: 326668
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Глазков, Крюк, Мальто, Точицкий, Федориненко
МПК: H01L 21/00
Метки: 1пдиптяо, g-•at, ylif—, ган, рпрофюзная
...оси не параллельны плоскости перемещения рабочего стола 3. Вертикальная составляющая этих перемещений вызывает деформацию среднеи части пластины 13, при этом не возникает горизонтальных смещений прикрепленного к ней рабочего стола 3. Пластина 13 передает горизонтальные перемещения рабочему столу 3 от столиков 9, 11 и осп 12 и компенсирует непараллельность их перемещений. Рабочий стол 3 передвигается по плоскости плиты 2, благодаря чему пластина б перемещается параллельно нижней плоскости фотошаблопа 7, прп этом сохраняется по326668 Составитель В. ГришинРедактор Т, ОрловскаяТехред 3. Тараненкокторьн Л. Николаева и В,Ко ет аж 448 ипография, пр, Сапунова, 2 стоянный зазор между полупроводниковой пластиной и фотошаблоном.На нижней...
Устройство для совмещения и экспонирования
Номер патента: 326669
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/00
Метки: совмещения, экспонирования
...опорой для размещения подложки 6, снабженного О манипулятором 7 с клиновой направляющей8 вертикального перемещения и клиповой направляющей 9 горизонтального перемещения подложки. Направляющие скреплены между собой пружиной 10.5 Привод перемещения клиновой направляющей 9 состоит из рычага 11 независимого перемещецпя, рычага 12, прижатого пружиной 13 к клиновой направляющей 9, и рычага 14 с электромагнитом 16, снабженным тумбле ром 16. Рычаг 14 может перемещаться от кулачка 17,Подложка 6 располагается на столе 6, афотошаблоц 4 закрепляется в корпусе 3, Затем рычаг 11 отводится, ц клиновая цаправ ляющая 9 перемещается в горизонтальнойплоскости прп помощи пружины 10, поднимая клиновую направляющую 8, которая прижимает подложку 6 к...
Способ модуляции инфракрасного и сверхвысокочастотного излучения
Номер патента: 326671
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Грехов, Левинштейн
МПК: H01L 31/00, H03D 7/12
Метки: излучения, инфракрасного, модуляции, сверхвысокочастотного
...развивается 20 пробой, рабочая зона модулятора заполняется носителями (электронами и дырками) и, поскольку плотность носителей в случае пробоя очень высока (до 10" слг а), даже очень тонкий слой материала практически нацело 25 поглотит падающее на модулятор излучение.Плотность тока при пробое, контролируемая превышением напряжения над напряжением пробоя и внешним сопротивлением, не должна превышать значения, прц котором 30 мощность, выделяющаяся в кристалле, может(2) 10 Предмет изобретения Составитель Б. федюкина Тскред Л. КуклинаКорректор О. Тюрина Редактор Г. Гончарова Заказ 1 Б 50/7 Изд ДО Тираж 448 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр....
Устройство для струйного электролитического травления
Номер патента: 327422
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/461, H01L 21/66
Метки: струйного, травления, электролитического
...6 тока травления, электромагнитных клапанов 7 и 8, обеспечивающих требуемое чередование подачи электролита и воды, 15 поступающих через сопла 9 ц 10; коммутирующего устройства 11.Работает устройство следующим образом.После загрзкн заготовки накопительнаяемкость 2 задающего релаксаццонного генера тора 1 заряжается стабилизатором тока заряда 12. При этом ток на выходе задающего генератора, проходящий через заготовку, возрастает до величины тока максимума эталонного диода 3, установленного в генераторе 1.25 Заготовка прц этом отмывается водой, так какклапан 7 открыт и вода поступает через сопло 9. Припереключении эталонного диода на диффузионную ветвь характеристики выходной транзистор 13 стабилизатора тока генера тора 1 запирается, и...
Устройство для измерения подвижности носителей тока в полупроводниковых материалах
Номер патента: 327423
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Кайгородов, Козлова
МПК: H01L 21/66
Метки: материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых
...от плеча 22 двойного волноводного тройш 1 ка 21 к плечу 28 двойного волноводного 20 тройника 16 фазовращателем 24, двойным воловодцым тройником 25 и детекторной секцией 26, присоединенной к плечу 27 двойного волцоводного тройника 25; и регистрирующее устройство 28.25 Предлагаемое устройство работает следующим образомСВЧ сигнал от генератора 6 через вентиль 7поступает на плечо 1 турникетного моста. Уровень СВЧ сигнала, модулируемого в модуля- зО торе 8 низкой частотой от генератора 10, из327423 Предмет изоб 1 рете ния Составитель А. Туляков одактор Т. Юрчикова Гктсд Е, Борисова Ксоректсл И, Шматоваяи тета па 5 типоГрафия 1,остромскОГО управлеиии по печат меряется прибором 11, В турникетном мосту прямой сигнал распределяется между...
Микроманипулятор
Номер патента: 327537
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Аристархов, Лутченков, Мельникова, Нов, Холстова, Шеходанов
МПК: H01L 21/00
Метки: микроманипулятор
...тем, что в предлагаемом манипуляторе двухкоордцнатный стол выполнен в виде плоской каретки с двумя взаимно перпендикулярными касающимися в центрах направляющими.На фиг. 1 показаны конструкция предлагаемого манипулятора в разрезе и сечецце по А - А; на фцг. 2 - сечение по Б - Б ца фцг. 1.Манипулятор содержит каретку 1 с фото- шаблоном 2, Для закрепления заготовки ) твердой схемы служит сферический поворотный стол 4, расположенньш на штоке 5. Шток смонтирован в гильзе б, жестко соединеннойс подвижной кареткой 7. Каретка установлена ца трех шариках 8 в сецарагорах 9 и перемещается в горизонтальной плоскости во взаимно перпендикулярных направлениях относительно плиты 10.Рабочие поверхности плиты 10 ц подвижной каретки 7 обработаны с высокой...
Способ лужения выводов полупроводниковыхприборов
Номер патента: 328518
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/288
Метки: выводов, лужения, полупроводниковыхприборов
...выводов от попадания частиц припоя на изолятор. После этого прибор промывают. Предмет изобСпособ лужения вывод вых приборов, например д сепия защитного слоя на флюсованпя выводаи нане чаои 1 ийся тем, что, с цель водптельностп, защитный с изолятора прибора созда наплыва флюса прп одпов ниц вывода прибора. р ете упроводникопутем нанетор прибора, припоя, отлишения произповерхности ем нанесения ом флюсоваов полиодов,изолясенияо повы,юй нают путоемегп Изобретенне относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в процессе обслуживания выводов полупроводниковых приборов, в частности диодов, стабилитронов и т, д, 5Известен способ лужения выводов полупроводниковых приборов, например диодов, путем...
Устройство для изготовления трафарето фотопотенциометроввсehbjiho-
Номер патента: 328520
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Коненков
МПК: H01L 21/00
Метки: трафарето, фотопотенциометроввсehbjiho
...устройства выполнен в видепрс)епаемого э.1 сктродвигателем стола с расположенными иа цем источником света, который формирует световое пятцо ца фото- слое потецццочетра, и режущим ицструмец- ЗО том с его приводом.Редакт евче рузова рек Заказ 706/17 ЦНИИПИ КомитетР 1 зд. Ме 186 Тираж 448о делам изобретений и открытий при Совет Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/Б Подппс шистров ССТипография, пр. Сапуно 3Элемент сопротивления изготавливаемого фотопотенциометра в зависимости от конструктивного варианта его исполнения может быть кинематически соединен или не соединен со шпинделем, несущим трафарет.На фиг, 1 представлена конструктивная схема устройства, предназначенного для изготовления трафаретов продольных фотопотенциометров; на фиг, 2 - то...
329501
Номер патента: 329501
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Багратишвили, Ков, Крикун, Кулагин, Шиошвили
МПК: H01L 21/31
Метки: 329501
...двуокиси кремния (и=1,4 б 2) и оптического стекла (п=1,5153), обычно используемого в качестве стеклянной основы фотошаблона, не достигается увеличение разрешающей способности фотошаблона. жим нанесения пленок нитрн акуумной давление азота вО 10 з лтлт рт. ст.;аподный ток /и =1 -напряжение распыл)рпсп -тишенп 90 -95 ма; итрида си сремнпя в процессе оса нки нитрпд крсх Испы попов, з се конт 5 лона с залп ув ного та НПЮ С 1 раз, а р 0 два разляется повышение ающей способности тания металл ащищенпых п актирования полупроводпп елпченнс нзно спм образом ф езащнщенным азрешающей с зовапием в качсстенки нитрида кремющейся микротвери коэффициентом Целью изобретения зносостойкости и разрфотошаблона. Достигается это исполь е защитного покрытия...
Полуавтомат для нанесения покрытия
Номер патента: 329600
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Беликов, Головин, Жезлов, Самойлов
МПК: H01L 21/00
Метки: нанесения, покрытия, полуавтомат
...рейкамц 2 б вращая оси-шестерни 2 б. В исходное положение рычаг 19, ползун 21 ц ползун 23 возвращаются пружинами 27 и 22,Кулачок 9 через рычаг 28 ц палец 29 перс- дает движение ползуну 30 с закрепленными на нем подпружиненными собачками 31. Со бачке 31, перемещаясь о ко:1:рм 32, чсрс; ползу 30 и уори Й в:1:Г 33 .)е;)сд 1;,вце(с 1 с 11)СОецкс 34, коОрс)5),:)с ) .в)Г 5 с. ) РОЛПКЯХ А), СВОЕМЦ З, ОЬЯ.с: И СОООШЯСТ кение кассете 36 фсГ. 2) с:1:Едслц 5. 37ца;равляющих 38. Ползуц 50 1: Г;)сб)сх 54 ДВЕЖУС 5 В )1 ЛОСКИ:с; )1 Ц)1)ЛЯОЦ с, СОС 0- ших:.з шек 39 ц 40. В:Сходное );Олскс:):)с рычаг 28 возв;)ащастся црук:шой 41, Грсос- ка 34 1:рмкиой 42 отводится цазд :):):ж - мается к регул:)русмому упору 43,; 1:ружи - нами 44 посгояцо...
329601
Номер патента: 329601
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Голованов, Кукушкин, Шевелев
МПК: H01L 21/00
Метки: 329601
...и имеющей противоположное направление: Рппяж - Р 2.30 Сила прижима Рр, действует в плоскостискрайбцрованця н 1 юэтому не вызьвает вы) К Р Я Ш13 с1 1и .с 1 . , )с 1, 1 с 1с,) и1 0с,.. , ) - верхност).Резец 1 не)03,)ОДЕ,ен сх) я 101 и).,сс).с креплен посредством стопс;)ев о в:штя, Б )езЦедержателе . Рс сЦ 1.редста 3)5 с Г ссбОЙ МЕТЯЛсЕЕСОНМО ОЕ:Рс)БК С 1;:Г:НД,ГСКМ Х ВО Сто ВКО 11, В и с Т 0 0 у 10 Б М 0 Е Т:10 03:., н 1;1 з 1 Я З, ИМЕЮЩЕШ НЕСКОГЕЬКО с;СЖУНЕНХ 1 ЯНР; )Ц - держатель 2 через шяр)ш;) .) Зякрснлс 1;корпусе 4 резцовой голозк Шерн:.р се)сто. из двух шар:коз 9: .Щджнм:ого Б:нТее О. Через рсзцсдержатель 2 )рохо,е:т:."и1, обеснечивающе 1 е поворот резцсдер)к:Оля вертикаль:Ой плоскост:. ) Ке)рнус ( .)хе)дн Бинт 12, предназначеннь:й...
329602
Номер патента: 329602
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Благидзе, Гойхман, Накашкдзе, Нзобретепи, Элизбарашзмли
МПК: H01L 31/12
Метки: 329602
...отечественные КС, тЧБК, МБК) имс)ОТ желтую окраску разли шой интепс:)впссти, поэтому при Осуществлении Оптической сВ 513 и 25через них передача световой энерги 1 ограничивается узкой спектральной область)о.Целью изобретения является уменьшениепотерь световой эперг)и в оптропс:. его герметизация для надежной изоляции от окру- З 0жающей среды,Предлагасмьш оп трои отлпчастся от пзвсст- НЫХ ТСМ, Что В КЗЧЕСТВЕ ОПТИтСОКО 013 СДЫ, через которую:ерсдается сьстошя энергия, используются сополтМс;)ы эфиров акриловоймета к) ил ОВОЙ ).Пс.) От, Ооладающие Высоким сзетопро:ускаппсм и относительно высоким показателем:)рсломления, 11 спользт смые полимеры являются одновреме)ино герметиком дл 51 Опт 130 П 2, так как иъе 10 т высокуО 2 д гсзию и...
Корпус полупроводникового прибора
Номер патента: 329847
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Алпатов, Батыгин, Иванов
МПК: H01L 23/10
Метки: корпус, полупроводникового, прибора
...теплостойкости прибора, а также обеспечение полной разгрузки полупроводникового,элемента от механических нагрузок при эксплуатации вентиля, 30 1Изобретение относится к силоводниковым приборам.Известные полупроводниковые Сущность изобретения заключается в том, что хтеталлокеразтический корпус таблеточного вентиля выполняется с дополнительньвми керамичеокими и металличесоеими фигурнымтб кольцами.На чертеже показан предложенный корпус в разрезе.Фигурные металлические кольца 1 соединены с одной стороны с керамическим цилиндром корпуса 2, а с другой стороны в электродами Л и кохтпенсаторньвти колыцами 4. Кохтпенсаторные кольца изготовлены из керамики или материала, имеюгцего коэффициент термического расширения (КТР), близкий к КТР...
Способ получения эпитаксиальной пленки
Номер патента: 330811
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Государственный, Зотов, Конов, Маслов, Нисельсон, Проектный, Тель, Черномордин
МПК: H01L 21/205
Метки: пленки, эпитаксиальной
...металлов третьей группы периодической системы элементов дают широкий круг комплексов с триметильными производными элементов пятой группы в соотношении 1:1. Достоинством этих соединений является то, что в них исходные компоненты, образующие полупроводниковое соединение, находятсяРедактор Т. Орлова Корректор О, Тюрина Заказ 44234 Ивд. Хе 646 Тираж 406 ПодписноеЦИПИПИ Комитета по делам ивоорстеипй и откр.батин ири Совете Министров СССР Моски, Ж, Раупскап иаб., д 4/5 Тииографи, пр. Саик;ова, 2 В СТРОТ, С СХЦОМСтг Ц Ч СКОМ,.ОС Ге В ЬЛ 51 Ола ря цизкой температуре цлавлецця и кцпсция их легко можцо подвергать предварцтельцой очистке методам ректификацци и зоццой перекристаллизаццц. Кроме того, оци обладаот 5 мецьшей токовостьо цо сравнению с...
Бесконтактный реохордi, . -•», -• •-•. -•gt; amp; . sao ii t t; t, -igt; amp;: cci it”i jsiu4. ” v. «. -•»-ij
Номер патента: 331428
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Иванцов, Краснодарский, Мартыненко, Якубов
МПК: G01R 17/20, H01L 31/08
Метки: amp, i)gt, jsiu4, бесконтактный, реохордi, •gt, ••ij
...5 резистивиого элемента и токопроводящую ши)ГУ.1-1 а чертеже схематически изобракенапредлагаемая конструкш 151 Оесконтактпого реохорда.ГГ) Г 1 а пластине 1 из изоляционного пластикатем или иным способом нанесены зигзагообразный контур резистивного элемента 2 и две токопроводящие шины Л, расположенные вдоль длинных боковых сторон резистивного )5 элемента таким Обрязол, 1 то 31 сжду кряйни".ГП тоГкя 11 резистивного элемента и кяждОЙ токопроводящей шиной имеется некоторый зазор. 11 а концы резистивного элемента со стороны токопроводящих шин и на сами шины нанесены дВе дороткки 4 (по ОднОЙ с кяждОЙ боковой стороны резистивного элемента) из полупроводникового материала, чувствительного Гс свету, При это 1 аждая из полупроВодпикОВых...
Устройство для сборки полупроводниковых диодов
Номер патента: 331454
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Аш, Леваков, Мантель, Петраковский
МПК: H01L 21/00
Метки: диодов, полупроводниковых, сборки
...резьбовое отверстие которого входит винт 27 вертикальн цой регулироВки, пОдвижно укреплш 1 цьш н указанной цаправляошей. В кронштейне 26 подвижно укреплен винт 28 продольной регулировки, входящий в резьбовое, отверстие кронштейна 29 продольной регулировки (сч.фиг, 2), сидящего н продольном пазу кронштейна 26. В кронштейне 29 подвижно укреплен винт 30 поперечной регулировки (см. фиг.2), входящий в резьбовое отверстие вилки 31 (см. фиг, 2), лежащей ца кронштейне 26 и одновременно охватывающей сноич нижним пазом, кронштейн 29. Такая конструкция обеспечивает возможность регулцровк: поло 10 15 20 25 30Ч 0 4жения вилки 31 в трех взаимно перпенд 1 кулярных направлениях,Для фиксации вилки 31 н отрегулированном положении служит вццт 32,...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 332526
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Владимир, Зденек, Ладислав, Олдржих, Ото, Славомир, Чехословацка
МПК: H01L 23/12, H01L 23/13
Метки: полупроводниковый, прибор
...винтовым креплением, а упор пружин - с держателем, то прижимную систему, хотя и с большим трудом, можно отделить от полупроводника, При освобождении держателя пружины начинают вращаться, а полупроводыскы, Ото Вальчик, СлавомЙирутка, Владимир Аразическая Республика)332526 Ч 1 а 78 2 9 Изд.377 Тираж 448 Подписно каз 93471 ипография,апунов ми; на фиг. 2 - полупроводниковый прибор с чашеобразным упором; на фиг. 3 - деталь держателя.Полупроводниковый прибор содержит основание 1, например, из меди, на котором размешен плоский полупроводник 2, Сверху к полупроводнику ,прилегает контактная пластина 8 вывода 4, К верхней, поверхности фланцеобразного основания 1, которое является электродом, прикреплено стальное кольцо 5, например, .с...
Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин
Номер патента: 332527
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/00
Метки: кассета, пластин, полупроводниковых, химической
...пластины непрерывно меняют свой угол относительно кассеты. На фиг. 1 представлен общий вид кассеты; на фиг. 2 - ,конструкция кассеты; на фиг, 3 - ячейка кассеты,Кассету 1 с загруженными в нее пластинами ставят на направляющие 2 ванны 3, В ванну наливают травильный раствор, зажигают газовые горелки 4 и включают электродвигатель б, укрепленный, как и ванна 5, на основании б. При взаимодействии кулачка 7 и штока с,пружиной 8 кассета совершает возвратно-поступательные движения. При этом 5 ячейкам 9 под действием сил инерции и сопротивления жидкости сообщаются колебательные движения, обеспечивающие интенсивное перемешивание травильного раствора и, следовательно, равномерное травление плас- О тин. Кассета (фиг. 2) выполнена из...
Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 333388
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Васильев, Лисицкий, Рыбин, Шит
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор
...разл потока, о 15 напримерми в пла верстия д ор для охлаждения полупров оров, содержащий оребреину пластину с закрепленным мым прибором, отличающии лью интенсификации тепл ичных направлениях охлажд ребрение выполнено в виде конической формы, между стине предусмотрены сквозн чя прохода охлаждающего аоднико ю с обе на ней обмена ающего шипов, которыые отгента. Известны радиаторы для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащие оребренную с обеих сторон пластину с закрепленным на ией охлаждаемым прибором.Цель изобретения - повышение интепсивносги теплообмена при различных направлениях охлаждающего потока.Цель достигается тем, что оребрение выполнено в виде шипов, например конической формы, между которыми в пластине предусмотрены...
Способ фотолитографической обработки поверхности пластин
Номер патента: 333632
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/027
Метки: пластин, поверхности, фотолитографической
...полупроводниковых ма териалов с использованием последовательныхсовмещений пластины с шаблонами, отличающийся тем, что, с целью предотвращения механических разрушений совмещаемых элементов, между последними пропускают инертный 10 газ, создавая зазор, регулируемый посредством изменения расхода газа с учетом его температуры,2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что 15 фиксацию шаблона на поверхности пластиныв момент фотоэкспонирования производят созданием зоны разрежения между пластиной и шаблоном. Известен способ фотолитографической обработки поверхности пластин полупроводниковых материалов с использованием последовательного совмещения с исходной полупроводниковой пластиной двух или более шаблонов путем механического метода.При...