Способ изготовления многослойных кремниевых структур

Номер патента: 1412517

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Арзубов, Ваулин, Исаев, Кузьмин, Рябчиков

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионной

...импульсный трансосновного дугового разряда плазмапоступает в ускоряющий зазор междуускоряющим электродом 1 и анодом 4. возможчость реализации предлагаемого способа за счет многократного и поочередного проведения облучения оби соответственно на образец 2 подаютускоряющее напряжение, В процессе облучения, например, образца СаАз.на;бирают дозу Р ионов внедряемой примеси, определяемую в данном случаекак Э=6 2510 1.Е Е- (8 К Б)8 ) где 1 - ток пучка ионов;Т - длительность импульса тока;1 - частота следования импульсов.Из литературных данных или дополнительного эксперимента определяют коэффициент распыления материала выбранного образца СаАз ионами данного сорта (например, В). При ускоряющем напряжении 0=60 кВ в выбранном случае 3=3, После...

Номер патента: 1642786

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Насыров, Ремнев, Рябчиков

МПК: C23C 14/48

Метки: имплантации, ионной

СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ, включающий формирование плазмы, ускорение ионного пучка и облучение поверхности изделия пучком с плотностью мощности 1 - 103 Вт/см2, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических характеристик поверхности за счет уменьшения коэффициента распыления, перед формированием плазмы проводят облучение поверхности ионным пучком с плотностью мощности 5 106 - 108 Вт/см2 и удельной энергией в импульсе 0,5 - 10 Дж/см2.

Номер патента: 1565288

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Арбузов, Дектярев, Исаев, Рябчиков

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионной

СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ путем периодического импульсного формирования плазмы с помощью вакуумно-дугового разряда на катоде, экстракции, ускорения ионов из плазмы дугового разряда, облучения мишени, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет формирования совпадающих по глубине профилей распределения примесей, первоначально измеряют зависимость среднего заряда ионов пучка от тока дугового разряда, затем ток дугового разряда на катоде устанавливают в зависимости от соотношения массовых и порядковых номеров ионов пучка и атомов мишени так, что средние проективные пробеги ионов в мишени равны.

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.