Патенты с меткой «монокристаллических»

Номер патента: 108078

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Жванко, Шамовский

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: монокристаллических, фосфоров, щелочно-галоидных

...способ получениямонокристаллических щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов соспектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.Это увеличивает эффективностьсцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей болееширокий круг солей, вкл 1 очая бромиды и хлориды щелочных металлов.Предлагаемый способ отличаетсяот общепринятых тем, что, с цельюсмещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра,в качестве активатора используетсяне таллий, а индий.Выращивание монокристаллов попредлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.Процесс осуществляется при высокой температуре в...

Номер патента: 109262

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Мочалов, Пипко, Шифрин-Крыжаловский

МПК: C30B 13/00

Метки: германия, монокристаллических, прутков

...длине его, монокристя,г 11 Сскпе прутп гсрмяшя полу- :5 ю 1 Гз полпкрпсталлчсскГх загоОво, отлитых и гряфптовые формы, путем зопной пронаявки зготовки, сплавленной с монокр Стялгпсско 1 :1 ятрявОЙ, прнчс. мсждм 31 Отов.Ой и з 1 тр 1 вло вводнтс 51 легрую 1 няя тяблсга пз германия, содержяиего расчетное оличество примеси,Рс 0:сде:11 я техно,ОГ 11 Я заключается в сгсд ющем.Сия 1 л Пз пог 1 икрпст 1 ГгпчссОГО ГСР.131 Я нзГОтовлЯетсЯ п 1 зУтокГОотлив,и в графитовм 10 форму и последующего быстрого охлаждения слитя.Пос.с атого иуток-зготовка, р 1 спол 01:сины всГ)т 1 яльно, сплавляст- СЯ С .0110 ЕПИСТ 1 ГЛПЧССЕ 01 ЗЯТРЯЬ- кой, причем между ппмп вводится гсгп рукина я таблетка, прсдст 11 всЯющая собой цилиндрический кусочек германия,...

Номер патента: 131297

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Богунов, Слепнев

МПК: F23D 21/00

Метки: горелка, монокристаллических, окислов, соединений

...системы равноотстоящих параллельных линий, пересеченных под углом б 0 такой же системой линий; горелка обеспечивает однородную зону пламени и имеет более плотное гексагональное размещение сопел в корпусе. Горелка позволяет получить изотермически-изобарическую окислнтельную или восстановительную высокотемпературную зону, (1500 - 2300) по всей плоскости сечения, перпендикулярного к главно 1 оси факела, при линейной скорости потока газов и пламени, обеспечпва. ющей отсутствие сдувания расплавленного слоя, и с подачен в эту зону через пламя тонкодисперсного порошка. Каждое сопло имеет соотношение площадей сечения выхода каналов, дозирующих количества водо131297рода и кислорода в соотношении 2; 1, обеспечивающее равной линейной...

Номер патента: 146282

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гаврилова, Гиваргизов, Кеворков, Спиридонова, Шефталь

МПК: C30B 25/08

Метки: вещества, монокристаллических, наращивания, паровой, пленок, фазы

...вдоль ее оси, проходит держатель, на котором крепится нагреватель, Держатель во время наращивания вращается.2, Нагреватель расположен внутри реактора и нагревается инду- ционными токами высокой частоты. В качестве нагревателя используется графит, кавещество химически стойкое и нереагируюшее с подложками при температурах процесса, Нагреватель представляет собой тело вращения, по форме приближающееся к конусу. Нижней, узкой, частью он закрепляется на держателе так, что его верхняя, плоская, часть перпендикулярна оси трубки и направлению потока газовой реакционной смеси. Нагреватель располагается несколько выше индуктора, в области неоднородного по высоте аксиально-симметричного высокочастотного поля. Необходимость специальной формы и...

Номер патента: 147576

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Багдасаров, Беляев, Добржанский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/64

Метки: большого, диаметра, дисков, монокристаллических

...другая - для поддержания температуры в зоне выращиваемого кристалла), Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепляют в кристаллодержателе, После того, как вещество в тигле расплавится, а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращения кристаллодержателя с затравкой.С помощью подъемного механизма тигель подводят к затравке до соприкосновения ее с расплавом. Во избежание образования двойников затравку оплавляют перед началом кристаллизации, агля этого темп ратуру расплава поддерживают выше температуры плавления кристаллизуемого вещества на - 100 для шелочногалоидньх) и на 15 дляЛ 1 47576 органических кристаллов 1 типа толана, нафталина и др.). После оплавления затравки температуру в зоне...

Номер патента: 184808

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

...какуумературе,ика,Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча, Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка 10 "мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводникав зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.На чертеже показано устройство для...

Номер патента: 203743

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Озолс, Ранкис

МПК: H01F 13/00

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...поля так, чтобыполучилось изображение определенной формы. Способ ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер путем поворота их одной из своих легких осей намагничивания вдоль линии поля, отличающийся тем, что, с 0 целпо повышения точности, сферы вращаютвокруг оси с постоянной угловой скоростью го взаимно перпендикулярных постоянном и высокочастотном магнитных олях до наступления ферромагнитного резонанса, а значе ния угла поворота сферы и резонансного магнитного поля получают по изображению на экране осциллографа. что монокрит вдоль одной его ее вращаостью вокруг Известны способы ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер, заключающиеся в том, что свободную ферритовую сферу в постоянном магнитном поле поворачивают...

Номер патента: 209552

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Озолс, Ранкис

МПК: G01R 33/12

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...12 подключен кклеммам синхронизации осциллографа 13. 30 Вход модуляции осциллографа через усилитель 14 и схему сравнения 15 присоединен к детекторной секции 1 б, а она подключена к другому плечу циркулятора 2.Исследуемый образец 4, прикрепленный к держателю, помещен в волноводе 3 на расстоянии -/, диаметра сферы от короткозамкнутого конца. При вращении двигателем 10 держателя с образцом в катушке индукционного датчика 12 вырабатываются импульсы. Частота повторения импульсов равна частоте вращения двигателя 10. Эти импульсы подаются для горизонтальной синхронизации осциллографа И, При вращении образца в детекторной секции 1 б в момент резонанса индуцируется сигнал, который усиливается усилителем 14. Для повышения точности прибора...

Номер патента: 256738

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Какабадзе, Мельников

МПК: B01J 13/00

Метки: монокристаллических, прутков

...боковую поверхность монокристаллического образца последовательно наносят слои ,поликристаллического материала и проплавляют их кольцевой зоной, глубина которой больше толщины нанесенного слоя. Это дает возможность получать монокристаллические прутки больших диаметров.На чертеже показано осуществление описываемого способа.На монокристаллическую основу 1, диаметр которой близок к критическому, наносят каким-либо известным способом (осаждением из газовой фазы, электролитическим осаждедением, напрессовкой порошка и т. д.) слой 2 поликристаллического материала. Нанесенныч слой сплавляют с основой путем перемещения вдоль образца расплавленной кольцевой зоны 3, глубина которой больше толщины нанесенного слоя. Такие депствия могут быть...

Номер патента: 272964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Устинова, Шварцман, Юшков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: монокристаллических, слоевкремния

...слоя мелкодисперсн нием из газовой фазы происходит б номерное наращивание по площади и вания. В ропсходп порп тымструктуи загрязым кремолее рав- одложки особу в состав паролористый водород. Этов газовой фазе у почкодисперсного кремедм е изобретения Способ получ слоев кремния эпи 15 из паро-газовой лан и водород, на ператх ры 1000 -что, с целью пред зовой фазе мелко 20 став паро-газовой верхности подлон род.Известен способ получения монокристаллических слоев кремния из парс-газовой фазы, по которому парс-газовая смесь, подаваемая к поверхности подложки, нагретой до температуры 1000 - 1200 С, включает моносилан и водород.По предлагаемому спгазовой смеси вводят хпредотвратит появлениеверхности подложки ме.ния.По этому споссоу...

Номер патента: 282298

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Лобода, Чайковский

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: монокристаллических, олова, пленок

...осаждения в таких условиях дает возможность получать пленки олова ориентации (020) в вакууме 5 10- 10мм рт. ст., в связи с чем упрощается аппаратурное оформление процесса,Получение пленок производится следующим образом. В качестве исходного материала используют олово чистотой 99,9998%, дополнительно очищенное зонной плавкой. Подложку Описываемый с для получения п следований в облИзвестные спос лических пленок на монокристалл ют получать плен условиях остаточ - 10 9 мл рт, ст. одложку из хлористого катемпературы 320 - 350 К, давлении газа 5 10- -размером 20 Х 20 люле устанавливают в полости вакуумной камеры на расстоянии 50 - 55 лм от испарителя исходного материала, Во время разогрева исходного олова подложку экра нируют,...

Номер патента: 447458

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Амосов, Зеленцова, Синяков, Тираспольский

МПК: C22F 1/18

Метки: вольфрама, молибдена, монокристаллических, токовводов

...ждым воды о и еют ет изобретен Способ пол ковводов из гидроэкструзи щим отжигом 20 с целью сни готовления т фованные и сталлы подв 40 - 70% с п 25 гом в вакуум 1500 и 2400 С пературе.Изобробработкталлов,Известен способ обработки монокристаллов вольфрама и молибдена с применением малых степеней деформации и промежуточных отжигов, позволяющий сохранить монокристаллическую структуру полуфабриката при нагреве вплоть до температуры плавления металла. Однако применение указанного способа для производства тонких токовводов сопряжено с большими трудозатратами,Цель изобретения - сократить расходы, связанные с производством токовводов, Способ характеризуется таким сочетанием параметров деформации и последующего отжига, которое позволяет давать...

Номер патента: 544459

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Шелюбский

МПК: B01J 17/18

Метки: волокон, монокристаллических

...осуществлении затравления на затравки, собранные в пучок, исключается необходимость в установке затравок соосно капиллярам и затравление происходит эа счет случайного попадания одной из затравок в отверстие капилляра.П р и м е р. Получают волокна лейкосапфира. В молнбденовый тигель с внутренним диаметром 25 мм и высотой 70 мм устанавливают в ряд 20 вольфрамовых капилляров, жестко скрепленных друг с другом, с внутренними диаметрами 50 - 70 мкм и внешними диамет рами 200 мкм; расстояние между капиллярами - 1 мм,Тигель заполняют окисью алюминия, номешают в вакуумную индукционную печь и на5 гревают так, чтобы температура на поверхности капилляров на 20 - 40 С превышала тем.пературу плавления корунда, После подъемарасплава по капиллярам...

Номер патента: 549167

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Винник, Федоров, Филиппов, Шильников

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...образом. Образец помещают в постоянное однородное магнитное поле. Он, приобретая механический момент, поворачивается так, что ось легкого намагничивания 20 совпадает с направлением поля. Искомойплоскостью будет плоскость, перпендикулярная направлению магнитного поля. Недостатком известного способа является невысокая точность ориентировки. Главным фактором, 25 препятствующим выставлению образца в искомом положения, является сила трения, компенсирующая механический момент, приобре. таемый сферой во внешнем магнитном поле.Величина механического момента опреде- -30 ляется выражениемМ=Р К з 1 па,Формула изобретения Составитель В. ПополитовТехред Л. Кочемирова Корректор И, Симкина Редактор Л. Лепилина Заказ 273/965 Изд.478 Тираж 899 Подписное...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Номер патента: 697883

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Гуденко, Крылов

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициента, металлов, монокристаллических, образцах, чистых

...когда диаметр орбиты электрона,.(71) ЗОЯВИТВЛЬ Институт физических проблем АН СССР697883 25 Составитель Н. ШпиньковРедактор О, Колесникова Техред М.Петко Корректор М Пажа Тираж 1073 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Заказ 6556/13 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 дов и малой величиной разности сопротивлений в несовершеннных образцах при реальных концентрациях дифФундирующего вещества.Цель изобретения - повышение точности измерений. 5Поставленная цель достигается тем, что измеряют толщину образца, помещают его в магнитное поле, параллельное чистой поверхности, охлаждают до температуры жидкого гелия, измеряют 10 поверхностный импеданс...

Номер патента: 865881

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Друянова, Кутейникова, Савушкин, Сошко, Шестопалов

МПК: C09K 3/14

Метки: монокристаллических, полирования, состав, хрупких, шлифования

...0,1-0,5 Биологическая добавка 0,01-0,1 Абразивный порошок 0,4-0,7 Вода Остальное В качестве биологической добавки состав содержит гексахлорофен или фенол.Состав готовят растворением исходных компонентов в воде с последую-. щим добавлением абразивного порошка.Варианты состава приведены в табл. 1.В табл. 2 представлены сравнитель" ные характеристики предлагаемого и изТаблица Со ержание вес,%3 Компоненты 2 30,5 0,7 0,5 Сополимер Нитрат натрия 0,2 Хромовокнслыйалий 0,2 0,5 Биологическаядобавка 0,05 0,1 0,01 Алмазный порошок зернистостью 1/О 0,5 0,7 0,4 Осталь- Осталь- ОстальВода ное ное ное Таблица 2 Состав Технологическиепоказатели П едложенный 2Известный Объем, мкм/мин 2 Класс шероховатости 0,06/13 в 0,063/13 в 0,04/14 б 0,05/14 а...

Номер патента: 900166

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Безирганян, Папоян, Семерджян

МПК: G01N 1/28, G01N 3/20

Метки: изгиба, монокристаллических, образцов, пластин

...образца определяется по шкале 12 измерением угла поворота микровинта 11,К нижней части общего основания 1 прикреплено приспособление для параллельного переноса изгибающего приспособления в горизонтальной плоскости . (шариковая салазка), включающее подвижный элемент 13, прикрепленный к основанию 1, неподвижный элемент 14, клин 15 с осью 16, жесткосвязанной с неподвижным элементом 14, и микровинты 17 и 18.Устройство работает следующим образом.Образец закрепляют между изгибающими стержнями 4. Фиксаторами 6 рычаги5 подкрепляют к вставкам 2 и начинают вращать микровинт 11. Поступательное перемещение конца микровинта 11 клинами 7 и 8, свободно движущимися вдоль осей 9и 10, передается рычагам 5, что приводит к вращению вставок 2 и,...

Номер патента: 935758

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Безирганян, Папоян

МПК: G01N 23/20

Метки: высоте, изгиба, монокристаллических, однородности, пластин

...лф 0,966, определяют радиусы изгиба у этих точек: В11,8 м, В.и = 8,1 м, которое хорошо совпадают с результатами, полученными известным способом рф (2). Учитывая, что расстояние между исследуемыми точками на поверхности кристалла равно ЬЬ = 2 мм, для параметра К получают значение К = Ьй/ЬЬ=1,85 м/мм. 2Применение предложенного способа позволяет исключить аппаратуру для тонкого переноса и поворота образца и системы щелей вместе с характерными ошибками, связанными с ними. Все зв это существенно упрощает методику определения степени однородности из 58 6гиба по высоте образца и обеспечива" ет высокую степень точности измерений, так как МП весьма чувствитель" ны к слабым деформациям. формула изобретенияСпособ определения однородностиизгиба...

Номер патента: 270076

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Шефталь

МПК: C30B 23/00

Метки: аморфной, монокристаллических, пленок, подложке

...отличается от известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку. Это.позволяет получить беэдисло 10 кационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.Получение монокристаллическойпленки описываемым способом осуществляют в два этапа,1 этап. Вещество напыляется на,свежие сколы растворимых кристаллов,например Каб КВг и др., в результате получаются тонкие 400-1000 Ао монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяютсяот водорастворимой подложки и наносятся на стекло простым подхватыванием с вода. Сцейление такой пленкисо стеклом достаточно хорошее.11 этап. Стекло с механически нанесенной на него монокристаллической пленкой...

Номер патента: 1077799

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Немцов, Нестеров, Скворцов, Туманов, Холевин, Шишкин

МПК: B28D 5/00

Метки: инструмент, монокристаллических, резки

...что инструмент для резки монокристаллических материалов, включающий барабан и последовательно расположенные на его торце первое и второе кольца с обращенными навстречу одна к другой кольцевыми полостями, штуцер и уплотнитель, смонтированные на втором кольце, и алмазный круг с внутренней режущей кромкой, закрепленный между первым и вторым кольцами, снабжен закрепленным на торце второго кольца чашеобразным фланцем с центральным отверстием, а алмазный круг выполнен с отбортованной периферийной кромкой, защемленЯой между внутренней поверхностью фланца и наружной цилиндрической поверхностью первого кольца. 1Такое выполненИе инструмента ограничивает распространение и выход к периферии алмазного круга возникающих в процессе резания усталостных...

Номер патента: 1103127

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Золотоябко, Иолин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллических, ориентации, пластин

...и величина 1, быстГ - ширина мессбауэровскай . ро уменьшается с ростом Ялинии;. Для получения функциональной эави к- величина вектора обрат- симости между измеряемыми интенсивной решетки;, ностями дифракции и углом отклонениями5К - радиус облучаемой об-. , нужно провести усреднение допплеласти пластины. ровского Сдвига .ЬЕ по облучаемой области йластины и учесть долю рассеянВ предлагаемом, способе пластину . ных квантов, попадающих в детекторпомещают на гониометр в отражающее;, при фиксированных коллимациях пучковположение, облучают пучком мессбауэ- излучения. Для осуществления способаровского. излучения, Дифрагированный необходимо, чтоьы облучаемая областьпучок фиксируют детектором, установ- . пластины содержала участкй, не...

Номер патента: 1108076

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Марин, Фаттахов

МПК: G01N 3/00

Метки: механической, монокристаллических, образцов, прочности, фаски, шайб

...варианты геометрической формы фасок монокристаллических шайб. 1 1108076 1Способ осуществляется следующимобразом.Из объемного монокристаллическогодиска, предварительно откалиброванного до заданного диаметра, вырезают шайбу. Затем обрабатывают боковую поверхность последней для получения фаски заданного профиля. Послеэтого шайбу разрезают вдоль диаметра поперек толщины и вырезают изкаждой половины шайбы образцы в виде сегментов также поперек толщинышайбы. При этом геометрические размеры сегментов выбирают иэ соотношения0,04 Ь/М 0,2,Ь - высота сегмента;К - радиус шайбыУказанные пределы определеныэкспериментально, а уменьшение соотношения Ь/К приводит к увеличениюрасхода дорогостоящего материалашайб за счет увеличения длины хордысегментов,...

Номер патента: 1163227

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Воронков, Максимов, Чуховский

МПК: G01N 23/20

Метки: деформаций, монокристаллических, пластин, упругих

...ориентация которой задана углами 1 имежду следами отражающейкристаллографической плоскости награнях пластины и ее ребрами, нафиг. 2 - схема измерений,На пластину действуют изгибающиеи крутящий моменты М 1, М и Н, которые создают определенное поле упругих смещений й(х,у,л) 1 4 1Исследуемую монокристаллическуюпластину облучают рентгеновским излучением от точечного фокуса Г. Коллиматор К 1 ограничивает размеры иугловую расходимость рентгеновскихлучей в одном направлении. Кристаллюстировкой на гониометрической приставке вводится в отражающее положение. Отражающие плоскости выбираются таким образом, чтобы выполнялосьусловие дифракции по Лауэ. Все отраженные рентгеновские лучи проходятчерез коллиматор К, который служитдля...

Номер патента: 1226210

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...

Номер патента: 1245968

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Лидер

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, монокристаллических, пластин, радиуса

...края, надежно разрешались, необходимо, чтобы угловой интервал между ними был много больше полуширины кривой качания идеального образца:з 1 пФ - -э)п 2 О,ХиДля определения радиуса кривизны образца в случае дифракции на прохождение перед счетчиком устанавливаются две щели, Первая (неподвижная) пропускает дифрагированный пучок, идущий от края образца, вторая (подвижная) - от выбранной области образца, В случае дифракции на отражение на пучок, дифрагирова нный на краю образца, накладывается пучок, дифрагированный от области, прилегаюгцей к краю образца, Поэтому для экранирования этой области щель устанавливают перед образцом. Делаются две последовательные записи кривых качания образца, которыеФормула изобретения зпФ - з 1 п 20,х10 5 20 25 30...

Номер патента: 1314400

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Гулидов, Звероловлев, Приходько, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...изотропным направлением, для плоскостей типа (111) - преимущественно с направлением типа (110) , Резку слитка на пластины проводят инструментом, режущая кромка которого содержит абразивные зерна разного размера и/или разной твердости на разных сторонах отрезного инструмента. При этом слиток ориентируют так, что в качестве рабочей стороны используют сторону, обработанную более мелким абразивом.Размер основной фракции абразивных зерен на разных сторонах инструмента должен находиться в соотношении 1:0,4-1:0,6.,В качестве более твердого абразива выбирают алмаз, а в качестве более мягкого - сапфир или корунд в соотношении размеров основных фракций 1:1-1:08.Способ резки обеспечивает формирование асимметрично деформированных нарушенных слоев на...

Номер патента: 1314401

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Гулидов, Звероловлев, Приходько, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...качестве твердого абразива берут алмаз, а в качестве мягкого - сапфир. или корунд, После установки круга относительно слитка производят его резку;Глубина деформированной обпасти существенным образом зависит от кристаллографической ориентации направления абразивного воздействия. При направлении движения абразивных частиц вдоль 11121 достигается максимальная склерометрическая твердость, а минимальная соответствует противоположному направлению типа 112,Если вдоль хрупкого направления типа 11121 движутся более крупные или твердые абразивные зерна, а вдоль более пластичного направления типа 1121 - более мелкие или менее твердые абразивные зерна, глубина нарушений выравнивается и пластины не подвергаются излишнему короблению. Так как согласно...

Номер патента: 1396023

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...