Патенты с меткой «монокристаллических»

Способ получения монокристаллических щелочно-галоидных фосфоров

Загрузка...

Номер патента: 108078

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Жванко, Шамовский

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: монокристаллических, фосфоров, щелочно-галоидных

...способ получениямонокристаллических щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов соспектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.Это увеличивает эффективностьсцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей болееширокий круг солей, вкл 1 очая бромиды и хлориды щелочных металлов.Предлагаемый способ отличаетсяот общепринятых тем, что, с цельюсмещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра,в качестве активатора используетсяне таллий, а индий.Выращивание монокристаллов попредлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.Процесс осуществляется при высокой температуре в...

Способ получения монокристаллических прутков германия

Загрузка...

Номер патента: 109262

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Мочалов, Пипко, Шифрин-Крыжаловский

МПК: C30B 13/00

Метки: германия, монокристаллических, прутков

...длине его, монокристя,г 11 Сскпе прутп гсрмяшя полу- :5 ю 1 Гз полпкрпсталлчсскГх загоОво, отлитых и гряфптовые формы, путем зопной пронаявки зготовки, сплавленной с монокр Стялгпсско 1 :1 ятрявОЙ, прнчс. мсждм 31 Отов.Ой и з 1 тр 1 вло вводнтс 51 легрую 1 няя тяблсга пз германия, содержяиего расчетное оличество примеси,Рс 0:сде:11 я техно,ОГ 11 Я заключается в сгсд ющем.Сия 1 л Пз пог 1 икрпст 1 ГгпчссОГО ГСР.131 Я нзГОтовлЯетсЯ п 1 зУтокГОотлив,и в графитовм 10 форму и последующего быстрого охлаждения слитя.Пос.с атого иуток-зготовка, р 1 спол 01:сины всГ)т 1 яльно, сплавляст- СЯ С .0110 ЕПИСТ 1 ГЛПЧССЕ 01 ЗЯТРЯЬ- кой, причем между ппмп вводится гсгп рукина я таблетка, прсдст 11 всЯющая собой цилиндрический кусочек германия,...

Горелка для получения монокристаллических окислов и их соединений

Загрузка...

Номер патента: 131297

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Богунов, Слепнев

МПК: F23D 21/00

Метки: горелка, монокристаллических, окислов, соединений

...системы равноотстоящих параллельных линий, пересеченных под углом б 0 такой же системой линий; горелка обеспечивает однородную зону пламени и имеет более плотное гексагональное размещение сопел в корпусе. Горелка позволяет получить изотермически-изобарическую окислнтельную или восстановительную высокотемпературную зону, (1500 - 2300) по всей плоскости сечения, перпендикулярного к главно 1 оси факела, при линейной скорости потока газов и пламени, обеспечпва. ющей отсутствие сдувания расплавленного слоя, и с подачен в эту зону через пламя тонкодисперсного порошка. Каждое сопло имеет соотношение площадей сечения выхода каналов, дозирующих количества водо131297рода и кислорода в соотношении 2; 1, обеспечивающее равной линейной...

Устройство для наращивания монокристаллических пленок из паровой фазы вещества

Загрузка...

Номер патента: 146282

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гаврилова, Гиваргизов, Кеворков, Спиридонова, Шефталь

МПК: C30B 25/08

Метки: вещества, монокристаллических, наращивания, паровой, пленок, фазы

...вдоль ее оси, проходит держатель, на котором крепится нагреватель, Держатель во время наращивания вращается.2, Нагреватель расположен внутри реактора и нагревается инду- ционными токами высокой частоты. В качестве нагревателя используется графит, кавещество химически стойкое и нереагируюшее с подложками при температурах процесса, Нагреватель представляет собой тело вращения, по форме приближающееся к конусу. Нижней, узкой, частью он закрепляется на держателе так, что его верхняя, плоская, часть перпендикулярна оси трубки и направлению потока газовой реакционной смеси. Нагреватель располагается несколько выше индуктора, в области неоднородного по высоте аксиально-симметричного высокочастотного поля. Необходимость специальной формы и...

Способ получения монокристаллических дисков большого диаметра

Загрузка...

Номер патента: 147576

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Багдасаров, Беляев, Добржанский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/64

Метки: большого, диаметра, дисков, монокристаллических

...другая - для поддержания температуры в зоне выращиваемого кристалла), Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепляют в кристаллодержателе, После того, как вещество в тигле расплавится, а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращения кристаллодержателя с затравкой.С помощью подъемного механизма тигель подводят к затравке до соприкосновения ее с расплавом. Во избежание образования двойников затравку оплавляют перед началом кристаллизации, агля этого темп ратуру расплава поддерживают выше температуры плавления кристаллизуемого вещества на - 100 для шелочногалоидньх) и на 15 дляЛ 1 47576 органических кристаллов 1 типа толана, нафталина и др.). После оплавления затравки температуру в зоне...

Способ выращивания монокристаллических слоев

Загрузка...

Номер патента: 184808

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

...какуумературе,ика,Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча, Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка 10 "мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводникав зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.На чертеже показано устройство для...

Способ ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер

Загрузка...

Номер патента: 203743

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Озолс, Ранкис

МПК: H01F 13/00

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...поля так, чтобыполучилось изображение определенной формы. Способ ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер путем поворота их одной из своих легких осей намагничивания вдоль линии поля, отличающийся тем, что, с 0 целпо повышения точности, сферы вращаютвокруг оси с постоянной угловой скоростью го взаимно перпендикулярных постоянном и высокочастотном магнитных олях до наступления ферромагнитного резонанса, а значе ния угла поворота сферы и резонансного магнитного поля получают по изображению на экране осциллографа. что монокрит вдоль одной его ее вращаостью вокруг Известны способы ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер, заключающиеся в том, что свободную ферритовую сферу в постоянном магнитном поле поворачивают...

Устройство для ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер

Загрузка...

Номер патента: 209552

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Озолс, Ранкис

МПК: G01R 33/12

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...12 подключен кклеммам синхронизации осциллографа 13. 30 Вход модуляции осциллографа через усилитель 14 и схему сравнения 15 присоединен к детекторной секции 1 б, а она подключена к другому плечу циркулятора 2.Исследуемый образец 4, прикрепленный к держателю, помещен в волноводе 3 на расстоянии -/, диаметра сферы от короткозамкнутого конца. При вращении двигателем 10 держателя с образцом в катушке индукционного датчика 12 вырабатываются импульсы. Частота повторения импульсов равна частоте вращения двигателя 10. Эти импульсы подаются для горизонтальной синхронизации осциллографа И, При вращении образца в детекторной секции 1 б в момент резонанса индуцируется сигнал, который усиливается усилителем 14. Для повышения точности прибора...

Способ получения монокристаллических прутков

Загрузка...

Номер патента: 256738

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Какабадзе, Мельников

МПК: B01J 13/00

Метки: монокристаллических, прутков

...боковую поверхность монокристаллического образца последовательно наносят слои ,поликристаллического материала и проплавляют их кольцевой зоной, глубина которой больше толщины нанесенного слоя. Это дает возможность получать монокристаллические прутки больших диаметров.На чертеже показано осуществление описываемого способа.На монокристаллическую основу 1, диаметр которой близок к критическому, наносят каким-либо известным способом (осаждением из газовой фазы, электролитическим осаждедением, напрессовкой порошка и т. д.) слой 2 поликристаллического материала. Нанесенныч слой сплавляют с основой путем перемещения вдоль образца расплавленной кольцевой зоны 3, глубина которой больше толщины нанесенного слоя. Такие депствия могут быть...

Способ получения монокристаллических слоевкремния

Загрузка...

Номер патента: 272964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Устинова, Шварцман, Юшков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: монокристаллических, слоевкремния

...слоя мелкодисперсн нием из газовой фазы происходит б номерное наращивание по площади и вания. В ропсходп порп тымструктуи загрязым кремолее рав- одложки особу в состав паролористый водород. Этов газовой фазе у почкодисперсного кремедм е изобретения Способ получ слоев кремния эпи 15 из паро-газовой лан и водород, на ператх ры 1000 -что, с целью пред зовой фазе мелко 20 став паро-газовой верхности подлон род.Известен способ получения монокристаллических слоев кремния из парс-газовой фазы, по которому парс-газовая смесь, подаваемая к поверхности подложки, нагретой до температуры 1000 - 1200 С, включает моносилан и водород.По предлагаемому спгазовой смеси вводят хпредотвратит появлениеверхности подложки ме.ния.По этому споссоу...

Способ получения монокристаллических пленок олова

Загрузка...

Номер патента: 282298

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Лобода, Чайковский

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: монокристаллических, олова, пленок

...осаждения в таких условиях дает возможность получать пленки олова ориентации (020) в вакууме 5 10- 10мм рт. ст., в связи с чем упрощается аппаратурное оформление процесса,Получение пленок производится следующим образом. В качестве исходного материала используют олово чистотой 99,9998%, дополнительно очищенное зонной плавкой. Подложку Описываемый с для получения п следований в облИзвестные спос лических пленок на монокристалл ют получать плен условиях остаточ - 10 9 мл рт, ст. одложку из хлористого катемпературы 320 - 350 К, давлении газа 5 10- -размером 20 Х 20 люле устанавливают в полости вакуумной камеры на расстоянии 50 - 55 лм от испарителя исходного материала, Во время разогрева исходного олова подложку экра нируют,...

Способ получения монокристаллических токовводов из вольфрама и молибдена

Загрузка...

Номер патента: 447458

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Амосов, Зеленцова, Синяков, Тираспольский

МПК: C22F 1/18

Метки: вольфрама, молибдена, монокристаллических, токовводов

...ждым воды о и еют ет изобретен Способ пол ковводов из гидроэкструзи щим отжигом 20 с целью сни готовления т фованные и сталлы подв 40 - 70% с п 25 гом в вакуум 1500 и 2400 С пературе.Изобробработкталлов,Известен способ обработки монокристаллов вольфрама и молибдена с применением малых степеней деформации и промежуточных отжигов, позволяющий сохранить монокристаллическую структуру полуфабриката при нагреве вплоть до температуры плавления металла. Однако применение указанного способа для производства тонких токовводов сопряжено с большими трудозатратами,Цель изобретения - сократить расходы, связанные с производством токовводов, Способ характеризуется таким сочетанием параметров деформации и последующего отжига, которое позволяет давать...

Способ получения монокристаллических волокон

Загрузка...

Номер патента: 544459

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Шелюбский

МПК: B01J 17/18

Метки: волокон, монокристаллических

...осуществлении затравления на затравки, собранные в пучок, исключается необходимость в установке затравок соосно капиллярам и затравление происходит эа счет случайного попадания одной из затравок в отверстие капилляра.П р и м е р. Получают волокна лейкосапфира. В молнбденовый тигель с внутренним диаметром 25 мм и высотой 70 мм устанавливают в ряд 20 вольфрамовых капилляров, жестко скрепленных друг с другом, с внутренними диаметрами 50 - 70 мкм и внешними диамет рами 200 мкм; расстояние между капиллярами - 1 мм,Тигель заполняют окисью алюминия, номешают в вакуумную индукционную печь и на5 гревают так, чтобы температура на поверхности капилляров на 20 - 40 С превышала тем.пературу плавления корунда, После подъемарасплава по капиллярам...

Способ ориентации ферромагнитных монокристаллических сфер

Загрузка...

Номер патента: 549167

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Винник, Федоров, Филиппов, Шильников

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...образом. Образец помещают в постоянное однородное магнитное поле. Он, приобретая механический момент, поворачивается так, что ось легкого намагничивания 20 совпадает с направлением поля. Искомойплоскостью будет плоскость, перпендикулярная направлению магнитного поля. Недостатком известного способа является невысокая точность ориентировки. Главным фактором, 25 препятствующим выставлению образца в искомом положения, является сила трения, компенсирующая механический момент, приобре. таемый сферой во внешнем магнитном поле.Величина механического момента опреде- -30 ляется выражениемМ=Р К з 1 па,Формула изобретения Составитель В. ПополитовТехред Л. Кочемирова Корректор И, Симкина Редактор Л. Лепилина Заказ 273/965 Изд.478 Тираж 899 Подписное...

Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке

Загрузка...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам

Загрузка...

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Способ измерения коэффициента диффузии в монокристаллических образцах чистых металлов

Загрузка...

Номер патента: 697883

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Гуденко, Крылов

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициента, металлов, монокристаллических, образцах, чистых

...когда диаметр орбиты электрона,.(71) ЗОЯВИТВЛЬ Институт физических проблем АН СССР697883 25 Составитель Н. ШпиньковРедактор О, Колесникова Техред М.Петко Корректор М Пажа Тираж 1073 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Заказ 6556/13 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 дов и малой величиной разности сопротивлений в несовершеннных образцах при реальных концентрациях дифФундирующего вещества.Цель изобретения - повышение точности измерений. 5Поставленная цель достигается тем, что измеряют толщину образца, помещают его в магнитное поле, параллельное чистой поверхности, охлаждают до температуры жидкого гелия, измеряют 10 поверхностный импеданс...

Состав для шлифования и полирования хрупких монокристаллических материалов

Загрузка...

Номер патента: 865881

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Друянова, Кутейникова, Савушкин, Сошко, Шестопалов

МПК: C09K 3/14

Метки: монокристаллических, полирования, состав, хрупких, шлифования

...0,1-0,5 Биологическая добавка 0,01-0,1 Абразивный порошок 0,4-0,7 Вода Остальное В качестве биологической добавки состав содержит гексахлорофен или фенол.Состав готовят растворением исходных компонентов в воде с последую-. щим добавлением абразивного порошка.Варианты состава приведены в табл. 1.В табл. 2 представлены сравнитель" ные характеристики предлагаемого и изТаблица Со ержание вес,%3 Компоненты 2 30,5 0,7 0,5 Сополимер Нитрат натрия 0,2 Хромовокнслыйалий 0,2 0,5 Биологическаядобавка 0,05 0,1 0,01 Алмазный порошок зернистостью 1/О 0,5 0,7 0,4 Осталь- Осталь- ОстальВода ное ное ное Таблица 2 Состав Технологическиепоказатели П едложенный 2Известный Объем, мкм/мин 2 Класс шероховатости 0,06/13 в 0,063/13 в 0,04/14 б 0,05/14 а...

Устройство для изгиба образцов монокристаллических пластин

Загрузка...

Номер патента: 900166

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Безирганян, Папоян, Семерджян

МПК: G01N 1/28, G01N 3/20

Метки: изгиба, монокристаллических, образцов, пластин

...образца определяется по шкале 12 измерением угла поворота микровинта 11,К нижней части общего основания 1 прикреплено приспособление для параллельного переноса изгибающего приспособления в горизонтальной плоскости . (шариковая салазка), включающее подвижный элемент 13, прикрепленный к основанию 1, неподвижный элемент 14, клин 15 с осью 16, жесткосвязанной с неподвижным элементом 14, и микровинты 17 и 18.Устройство работает следующим образом.Образец закрепляют между изгибающими стержнями 4. Фиксаторами 6 рычаги5 подкрепляют к вставкам 2 и начинают вращать микровинт 11. Поступательное перемещение конца микровинта 11 клинами 7 и 8, свободно движущимися вдоль осей 9и 10, передается рычагам 5, что приводит к вращению вставок 2 и,...

Способ определения однородности изгиба по высоте монокристаллических пластин

Загрузка...

Номер патента: 935758

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Безирганян, Папоян

МПК: G01N 23/20

Метки: высоте, изгиба, монокристаллических, однородности, пластин

...лф 0,966, определяют радиусы изгиба у этих точек: В11,8 м, В.и = 8,1 м, которое хорошо совпадают с результатами, полученными известным способом рф (2). Учитывая, что расстояние между исследуемыми точками на поверхности кристалла равно ЬЬ = 2 мм, для параметра К получают значение К = Ьй/ЬЬ=1,85 м/мм. 2Применение предложенного способа позволяет исключить аппаратуру для тонкого переноса и поворота образца и системы щелей вместе с характерными ошибками, связанными с ними. Все зв это существенно упрощает методику определения степени однородности из 58 6гиба по высоте образца и обеспечива" ет высокую степень точности измерений, так как МП весьма чувствитель" ны к слабым деформациям. формула изобретенияСпособ определения однородностиизгиба...

Способ получения монокристаллических пленок на аморфной подложке

Загрузка...

Номер патента: 270076

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Шефталь

МПК: C30B 23/00

Метки: аморфной, монокристаллических, пленок, подложке

...отличается от известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку. Это.позволяет получить беэдисло 10 кационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.Получение монокристаллическойпленки описываемым способом осуществляют в два этапа,1 этап. Вещество напыляется на,свежие сколы растворимых кристаллов,например Каб КВг и др., в результате получаются тонкие 400-1000 Ао монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяютсяот водорастворимой подложки и наносятся на стекло простым подхватыванием с вода. Сцейление такой пленкисо стеклом достаточно хорошее.11 этап. Стекло с механически нанесенной на него монокристаллической пленкой...

Инструмент для резки монокристаллических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1077799

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Немцов, Нестеров, Скворцов, Туманов, Холевин, Шишкин

МПК: B28D 5/00

Метки: инструмент, монокристаллических, резки

...что инструмент для резки монокристаллических материалов, включающий барабан и последовательно расположенные на его торце первое и второе кольца с обращенными навстречу одна к другой кольцевыми полостями, штуцер и уплотнитель, смонтированные на втором кольце, и алмазный круг с внутренней режущей кромкой, закрепленный между первым и вторым кольцами, снабжен закрепленным на торце второго кольца чашеобразным фланцем с центральным отверстием, а алмазный круг выполнен с отбортованной периферийной кромкой, защемленЯой между внутренней поверхностью фланца и наружной цилиндрической поверхностью первого кольца. 1Такое выполненИе инструмента ограничивает распространение и выход к периферии алмазного круга возникающих в процессе резания усталостных...

Способ определения ориентации монокристаллических пластин

Загрузка...

Номер патента: 1103127

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Золотоябко, Иолин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллических, ориентации, пластин

...и величина 1, быстГ - ширина мессбауэровскай . ро уменьшается с ростом Ялинии;. Для получения функциональной эави к- величина вектора обрат- симости между измеряемыми интенсивной решетки;, ностями дифракции и углом отклонениями5К - радиус облучаемой об-. , нужно провести усреднение допплеласти пластины. ровского Сдвига .ЬЕ по облучаемой области йластины и учесть долю рассеянВ предлагаемом, способе пластину . ных квантов, попадающих в детекторпомещают на гониометр в отражающее;, при фиксированных коллимациях пучковположение, облучают пучком мессбауэ- излучения. Для осуществления способаровского. излучения, Дифрагированный необходимо, чтоьы облучаемая областьпучок фиксируют детектором, установ- . пластины содержала участкй, не...

Способ изготовления образцов для контроля механической прочности фаски монокристаллических шайб

Загрузка...

Номер патента: 1108076

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Марин, Фаттахов

МПК: G01N 3/00

Метки: механической, монокристаллических, образцов, прочности, фаски, шайб

...варианты геометрической формы фасок монокристаллических шайб. 1 1108076 1Способ осуществляется следующимобразом.Из объемного монокристаллическогодиска, предварительно откалиброванного до заданного диаметра, вырезают шайбу. Затем обрабатывают боковую поверхность последней для получения фаски заданного профиля. Послеэтого шайбу разрезают вдоль диаметра поперек толщины и вырезают изкаждой половины шайбы образцы в виде сегментов также поперек толщинышайбы. При этом геометрические размеры сегментов выбирают иэ соотношения0,04 Ь/М 0,2,Ь - высота сегмента;К - радиус шайбыУказанные пределы определеныэкспериментально, а уменьшение соотношения Ь/К приводит к увеличениюрасхода дорогостоящего материалашайб за счет увеличения длины хордысегментов,...

Способ контроля упругих деформаций монокристаллических пластин

Загрузка...

Номер патента: 1163227

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Воронков, Максимов, Чуховский

МПК: G01N 23/20

Метки: деформаций, монокристаллических, пластин, упругих

...ориентация которой задана углами 1 имежду следами отражающейкристаллографической плоскости награнях пластины и ее ребрами, нафиг. 2 - схема измерений,На пластину действуют изгибающиеи крутящий моменты М 1, М и Н, которые создают определенное поле упругих смещений й(х,у,л) 1 4 1Исследуемую монокристаллическуюпластину облучают рентгеновским излучением от точечного фокуса Г. Коллиматор К 1 ограничивает размеры иугловую расходимость рентгеновскихлучей в одном направлении. Кристаллюстировкой на гониометрической приставке вводится в отражающее положение. Отражающие плоскости выбираются таким образом, чтобы выполнялосьусловие дифракции по Лауэ. Все отраженные рентгеновские лучи проходятчерез коллиматор К, который служитдля...

Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев

Загрузка...

Номер патента: 1226210

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...

Способ определения радиуса кривизны монокристаллических пластин

Загрузка...

Номер патента: 1245968

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Лидер

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, монокристаллических, пластин, радиуса

...края, надежно разрешались, необходимо, чтобы угловой интервал между ними был много больше полуширины кривой качания идеального образца:з 1 пФ - -э)п 2 О,ХиДля определения радиуса кривизны образца в случае дифракции на прохождение перед счетчиком устанавливаются две щели, Первая (неподвижная) пропускает дифрагированный пучок, идущий от края образца, вторая (подвижная) - от выбранной области образца, В случае дифракции на отражение на пучок, дифрагирова нный на краю образца, накладывается пучок, дифрагированный от области, прилегаюгцей к краю образца, Поэтому для экранирования этой области щель устанавливают перед образцом. Делаются две последовательные записи кривых качания образца, которыеФормула изобретения зпФ - з 1 п 20,х10 5 20 25 30...

Способ резки монокристаллических слитков

Загрузка...

Номер патента: 1314400

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Гулидов, Звероловлев, Приходько, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...изотропным направлением, для плоскостей типа (111) - преимущественно с направлением типа (110) , Резку слитка на пластины проводят инструментом, режущая кромка которого содержит абразивные зерна разного размера и/или разной твердости на разных сторонах отрезного инструмента. При этом слиток ориентируют так, что в качестве рабочей стороны используют сторону, обработанную более мелким абразивом.Размер основной фракции абразивных зерен на разных сторонах инструмента должен находиться в соотношении 1:0,4-1:0,6.,В качестве более твердого абразива выбирают алмаз, а в качестве более мягкого - сапфир или корунд в соотношении размеров основных фракций 1:1-1:08.Способ резки обеспечивает формирование асимметрично деформированных нарушенных слоев на...

Способ резки монокристаллических слитков

Загрузка...

Номер патента: 1314401

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Гулидов, Звероловлев, Приходько, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...качестве твердого абразива берут алмаз, а в качестве мягкого - сапфир. или корунд, После установки круга относительно слитка производят его резку;Глубина деформированной обпасти существенным образом зависит от кристаллографической ориентации направления абразивного воздействия. При направлении движения абразивных частиц вдоль 11121 достигается максимальная склерометрическая твердость, а минимальная соответствует противоположному направлению типа 112,Если вдоль хрупкого направления типа 11121 движутся более крупные или твердые абразивные зерна, а вдоль более пластичного направления типа 1121 - более мелкие или менее твердые абразивные зерна, глубина нарушений выравнивается и пластины не подвергаются излишнему короблению. Так как согласно...

Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев

Загрузка...

Номер патента: 1396023

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...