Мордюкович
Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Номер патента: 1552933
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10