H01L 23/00 — Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле

Номер патента: 81794

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Назаретский, Петров, Спасский

МПК: H01L 23/00

Метки: заготовки, нанесения, селена

...1 заготовка 7 с расплавленным селеном подходит под двухшпиндельный пресс 18.Под действием рычага 14 опускается центральный штифт 15, центрирующий заготовку 7, Рычаг 1 б опускает шпиндель 17 и производит предварительную опрессовку расплавленного селена на заготовке 7. Одновременно с опрессовкой шпиндель 17 поворачивается на 45 вокруг своей оси и равномерно размазывает расплавленный селен по поверхности заготовки. Для окончательной опрессовки заготовка при дальнейшем повороте плиты 1 подходит к четырехпозиционному прессу, смонтированному в корпусе 18. Нижняя плита 19 и блок 20, четырехпозиционного пресса приводятся в прерывистое вращение электродвигателем 2 через червячную передачу 21. При вращении блока 20, шпиндели 22...

Номер патента: 82861

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Петров

МПК: H01L 23/00

Метки: автоматической, селеновых, формовки, элементов

...элемент попадает в щель 5 формовочного стенда 6, где удерживается поворотной заслонкой 7.При повороте на некоторый угол заслонки 7 щель 5 открывается отформованный селеновый элемент падает и направляется заслонкой 7 в левый или правый приемный бункер, в зависимости от того, в какую сторону повернулась заслонка.Формовочный стенд б снабжподвода к селеновому элементу фконтакта 8 укреплены на подвивключения формовочного тока ииизмов. В начале формовки селемени и реле минимального тока ф82861ОСеленовый элемент в процессе формовки увеличивает свое омическое сопротивление, что снижает величину протекающего тока.При нормальном протекании процесса формовка селенового элемента заканчивается в отрезок времени, который меньше величины уставки...

Номер патента: 100775

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Петров

МПК: H01L 23/00

Метки: автомат, выпрямительных, зачистки, раскорачивания, селеновых, стороны, тыльной, элементов

...В этом положении гребенка 30 при помощи тяги, упоров и рычагов эксцентриком 12 передвигается в левое положение, перемещая все элементы, находящиеся в,канале 29,Повторяя описанное движение, грейферная гребенка 30 производит перемещение элементов в канале 29, При каждом перемещении гребенки 30 в левое крайнее положение она своим последним зубом вводит крайний элемент в специальную гцель в транспортном диске 24 (фиг. 2). В это время пружина 39, при скольжении по кривой скобе 40, поднята так, чтобы она не мешала движению элемента. При движении диска 24 за груженный в щель элемент взаимодействует с наждачным вулканитовым вращающимся диском б, прижимаясь к нему пружиной 39. В результате этого происходит зачистка и снятие заусенцов с тыльной...

Номер патента: 133953

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/479, H01L 23/00

Метки: диодов, полупроводниковых, формовки, электрической

...снимается ссопротивления 34. Сопротивление 33 значительно больше остальныхэлементов цепи. Поэтому оно определяет ток в цепи диода при постоянной величине напряжения, снимаемого с сопротивления 34.Синхронный переключатель 16 замыкается одним из кулачков,установленных на валу 8. Реле 21 и 22, включенные через магнигныеусилители, подключаются параллельно диоду 30. Эти реле,- имеющиеразличную чувствительность, срабатывают в зависимости от величинынапряжения на диоде. Сопротивление 35 значительно больше сопротивления диода. Поэтому напряжение на диоде определяется, главным образом, его собственным сопротивлением. От реле 21 и 22 срабатывают реле 25 и 26, осуществляющие запоминание величины напряжения на диоде и коммутацию напряжения...

Номер патента: 135540

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Евтюшкин, Мартынов, Полетаев, Прохоров, Романов, Румянцев, Чернышев

МПК: H01L 23/00

Метки: выпрямительных, заготовки, листовые, нанесения, селена, селеновых, элементов

...каретки конечный пункт папаривания размыкаются контакты Г нппаР, пускатель П, отключается, и включается пускатель П, и т. д,По истечении времени напаривания замыкается контакт РВ реле времени и реле Р включившись через тумблер Ть блокируется своими контактами. При этом отключается магнитный пускатель П, форвакуумного насоса, включается электромагнит вакуумного крана для впуска атмосферы, отключается пускатель Пз нагрева испарителя, реле Р, и пускатель П а включается звуковой сигнал окончания цикла напарпвания, Одновременно включается пускатель П, через контакты пускателя Пз, реле Ръ реле Р путевые контакты Г.К. и контакты пускателя П, и каретка направляется в конечный пункт.В конечном пункте размыкаются путевые контакты Г.К.,...

Номер патента: 145665

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Заргарьянц, Попов, Таубкин

МПК: H01L 23/00

Метки: глубины, залегания, переходов, р-п

...чем обеспечивается постоянство давления. С целью ослабления динамических нагру145665зок и устранения опасности повреждения образца, применен воздушный демпфер 9,Столик б (фиг. 3) с креплением для образца может поворачиваться на небольшой угол а вокруг оси 10 относительно каретки 5.Поворот столика в вертикальной плоскости осуществляется специальным винтом 11 и пружиной 12, угол поворота указывается индикатором 1 ", горизонтальное перемещение каретки 5 со столиком б производится микрометрическим виконтом 14 (фиг. 2), а величина перемещения фиксируется индикатором 15,Оптическая система 7, предназначенная для измерения угла косого среза образца, представляет собой тубус с объективом от микроскопа и окуляром.Измерение глубины залегания р -...

Номер патента: 154612

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 23/00

Метки: 154612

...в разрезе.Прибор состоит из керамического корпуса 1, иглодержателя контактной пружиной о, полупроводникозого кристалла 4 с р-и- ходом и кристаллодержателя 5.Цилиндрическая полость А для иглодержателя 2 выполнена с внутренним центрирующим конусом Б, который заканчивается цилиндром В малого диаметра, сообщающимся с внутренней полостью для кристаллодержателя 5. Керамический корпус 1 прибора изготовлен методом горячего литья под давлением.Торцы корпуса металлизируются молибденом с последующим нанесением гальванического никеля и меди. Контактная пружина 3, скользя по конусу Б, проходит в цилиндр В меньшего диаметра и обеспечивает контакт с кристаллом 4, Корпус полупроводникового прибора описанной конструкции обеспечивает высокую...

Номер патента: 161076

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 23/00

Метки: 161076

...держатель, в котором полупронодииконый кристалл здкрсплсц в горизонталь иой плоскости, и днд питающих узла, кдждьй из которых состоит из сосуда и питателя, заполисцых распланом,2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что каядый из питдтслсй, поддержива. ющих в сосуде постояииым уровень расплава, представляет собой колбу, опрокинутую вверх дцом, заполцециую расплавом ц погружециую открытым концом в сосуд с распла. вом, прц этом уровень расплава в колбе выше уровня расплава в сосуде. 3. Устройство по и. 1, отлич дощссся тем, что н сосуд, из оторсго посту идст рдс. плдв для обрдзодиия верхнего электрола, погружен одним концом сифон н ниле трубки Г 1-образой форлы, ис погружсииьй ко. исц которой представляет собой кдпилляр, причем конец...

Номер патента: 200012

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Вавилов

МПК: H01L 23/00

Метки: групповой, кассета, ножек, полупроводниковых, приборов, фиксации

...вынимают.10 едмет изобретен 1(ассета для груп явой фиксации ножек по.лупроводниковых приооров, состояГцая нз про фнлнрованных упругих пластин, нодпружинек но соединенных между собой с образованиемскваткины для ключа, отпираютцего кассету, отличаюшаяся тем, что, с целью точного базирозания и надежного закрепления ножек пу тем запиранпя каждой ножки за боковую поверхпосзь фланца, профилированные пластины имеют Гнезда с зубьями, загнутыми внутрь гнезда. Известны кассеты для групповой фиксации ножек полупроводниковых приборов, в которых зажим осуществляется путем запирания каждой ножки за боковую поверхность фланца,Предлагаемая кассета отличается тем, что, с целью более точного базирования и надежного закрепления точек, профилированные...

Номер патента: 232387

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Вишневецкий

МПК: H01L 23/00

Метки: фотоэлектрический

...промышленной частоты. Фоторезнстор 3 нанесен на подложку, изготовленную из жесткого диэлектрического материала или запрессован между слоями прозрачного диэлектрика (стекла).В другой форме выполнения фоторезистор заполняет, например, стеклянную трубку того илн иного профиля, которая изогнута торо- образно так, что охватывает магнитопроводы 2 и 4, а ее концы соединены (склеены) один с другим.Магнитопроводы 2 и 4 выполнены многослойными в виде решетчатых наборов пластин из ферроМагнитного материала. Между пластннамн образованы зазоры, в которых их поверхностям придана направленная светорассенвающая способность, например, матовым хромнрованием илн путем окраски металлической суспензией (алюминиевым порошком в прозрачном лаке). В отверстия...

Номер патента: 269310

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гаврилин, Гирель, Додонов, Ермолаев, Карелин, Родионов, Рукин, Тулин, Чусов, Шарапов, Шмушкович

МПК: H01L 23/00

Метки: автомат, вал—втулка, полупроводниковых, приборов, сборки, типа

...подаются из вибробункера 8 в зону загрузки бус. Далее держатели 20 спутники с загруженными и строго ориентированными один относительно другого выводами и бусами проходят через туннельный радиационный электронагреватель 9, состоящий из двух нихромовых пластин.25 При прохождении держателей-спутников через автоматический съемник происходит разгрузка собранной арматуры.Держатель-спутник движется от конвейера1 с помощью оси 10, входящей в отверстие ЗО ползуна 11, который перемещается по напрац.ляющим 12 с зазором Ль В ползуне расположена вращающаяся в подшипнике от электродвигателя 13 оправка 14, в которую запрессован упругий стержень 15 с эксцентричным посадочным гнездом 1 б для вывода. На верхнем торце стержня закреплена графитовая пробка...

Номер патента: 517087

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Щукин

МПК: H01L 23/00

Метки: выдачи, кристаллов, ориентированных, полупроводниковых, приборов, производстве, укладки

...кассеты. Кристялдь 17 рвовмецены в ячейках кассет: выполнень:х по концентрическим Окружностям.Устройство работает следуошим образам,Операция укладки кристаллов.Кассету с пустыми ячейкахи, с надотОЙ И ЗафикСРОВЯННОй, НЯПРИМЕР, С ПОМОШЬЮ штифта 1;р 1 нкг" у.танявливают ня вертикальный вад с попс, ком, при этом упогы 8 заходят в б ко, ие нязы крышки и удерживают ее от дад.нейке о перемещения вниз вместе с 1 ассето, . .се.:а,няя Опускяе.ся ниже и д:.Нряется вс ;,д нгц вала, Штифт Вьходит из паза крышкиО .и П,.Зедохрянения уклядыВяе 35 мых кристаллов От Выпадения из ячеек и наоуш ния их рис .тяции зазор между крышкой и кассетой должен бьть установлен менеетод.,дины кристалла,КО 1 лстялл сор 1-нтРоеины 11 ня предмет 1"сЪСТт;НО М СТОЛИК Е...

Номер патента: 566278

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Рагозин, Шерлинг

МПК: H01L 23/00

Метки: вывод, проволочный, радиодетали

...пезогнут ю щ и й ия наия вывоутый радиоде иваемой оторого л и ч Проволочный вывод т имущественно устанавлчатную плату, конец к и снабжен упором, о т а с я тем, что, с целью повыше дежности механического крепле дов и плотности монтажа, изог вод а ретение относится к радиотехможет быть использовано прирадиодеталей на печатных плаОднако форма известных вывпозволяет получать платы с иной плотностью монтажа.Цель изобретения - повдежности механического креводов и плотности монтажа.Это достигается тем,лочном выводе радиодеталвенно устанавливаемой нату, конец которого иэогнупором, изогнутый конецобразной формы, нижний грого направлен в сторонуэлемента, а упор отогнутположную сторону.На фиг. 1 показан впаянныйрадиодетали на печатной плате;фиг.2 -...

Номер патента: 405473

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...базе 4, дополнительной области 8 Ь -типа и изолирующего покрытия 9.Геометрические размеры и электро" физические. характеристики. слоев выбирают из условий реализации необходи мых значений рабочих токов и напряжений. Глубину выемки выбирают в зависимости от требуемой величины поверхностной концентрации, соответствующей дну выемки и однозначно определяющейнапряжение пробоя-)1- ПЕРЕХОДа, ОбразованногО базой 4и областью 8.Принцип работы прибора заключается в следующем.При рабочем напряжении на электродах 2 и 6,меньшем величины напряжения пробояр--перехода, образованного базой 4 и областью 8, прибор находится в закрытом состоянии. Увеличение внешнего напряжения до значения напряжения пробоя р- й -перехода, образованного базой 4 и областью 8,...

Номер патента: 481227

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...-типа, защитное покрытие 10.Прибор работает следующим образом.Рабочее напряжение подается междуэлектродами 2 и б полупроводникового фф переключателя и при его значении,меньшем напряжения переключения, прибор находится в закрытом состоянии.При превышении величины напряженияна электродах 2 и б, большей значения напряжения пробоя р-И-перехода,образованного базой 4 и областью 9по цепи 2-1-3-9-4-7-5-6 начинаетпротекать ток, являющийся токомуправления четырехслойной структурыпо узкой р-базе, под действием кото481227 Формула изобретения Составитель О.федюкинаахтар Е,Месропова Техред Н.Бабурка Корректор 3, Се 1 краж 960рственного комиелам изобретениМосква, Ж,Заказ 5463/1 ЦНИИПИ Гноеинистр Подпкста Совета Ми открытийушская наб.,.4/ атент,...

Номер патента: 380222

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: многослойный, переключающий, полупроводниковый, прибор

...-типа, контакт 8 и изолирующее покрытие 9. Размеры и элвктрофизические характеристики слоев выбирают из условий 10 реализации и необходимых значенийрабочих токов и,напряжений.Принцип работы прибора заключается в следующем. Для получения величины напряжения включения более 12 В йо управляющему электроду величину поверхностной концентрации Р -базы выбираютлф 10 см , благодаря чему реализуется достаточная эффективность й -эмиттера 5, а наличие выемки обеспечивает снижение концентрации в области дна выемки и тем самым увеличивает пробивное напряжениеР-и- перехода, образованного Р-базой 4 н слоем 7. Из" меняя глубину выемки можно в щиро" ком диапазоне значений менять величину управляющего напряжения.Для получения значений управляющего...

Номер патента: 847405

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Волкова, Крынин

МПК: H01L 23/00

Метки: крепления, полупроводниковых, преимущест-behho, приборов, теп-лоотводами

...положение. 20Устройство для крепления преимущественно полупроводниковых приборов с теплоотводами содержит основание 1, выполняющее функции радиатора, с гнез - дом 2 для раэмещения полупроводникового прибора 3 с теплоотводами 4,например, интегральной микросхемы, В теплоотводах 4 выполнены отверстия 5, а на основании 1 установлены Фиксаторы б, выполненные в виде размещенных в отверстиях 5 штифтов, и держатель 7 осей 8 и 9. На оси 8 шарнирно установлена Фигурная защелка 10, имеющая два прижимных пружинных элемента 11, каждый иэ которых выполнен в виде Г- образного лепестка с отверстием 12 на З его горизонтальной полке 13, причем фиксаторы б размещены в отверстиях 12, а на фигурной защелке 10 выполнено окно 14 для доступа к испытываемому...

Номер патента: 1064807

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Голенков, Никотин, Сафаров

МПК: H01L 23/00

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...и низкое пробивное напряжение.25Целью изобретения является упрощение конструкции и увеличение пробивного напряжения.Цель достигается тем, что в корпусе полупроводникового .прибора, содер- З 0 жащем баллон из цоколя и керамического изолятора, в отверстия которого помещены металлические трубки, и ножка, состоящая из фланца с запрессованной медной вставкой, термокомпенсатора, прикрепленного к медной вста" вке, и токопроводящих выводов, при этом ножка снабжена керамической втулкой, коаксиально расположенной сбаллоном и образующей полость заУ 40 полненную защитным покрытием, причем втулка одним торцом соединена с фланцем, а другим с - токопроводящими выводами. 07 2На фиг.1 показан общий вид корпуса, на фиг.2 - конструкция ножки; на фиг.З...

Номер патента: 1499417

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Положенцев

МПК: H01L 23/00, H05K 7/02

Метки: аппаратуры, микросборка, радиоэлектронной

...путем спайки, например, по контуру разъема двух час" тей корпуса (основания 7 и крышки 8),Ыирина металлизированной площадки 2 выбирается исходя из необходимости надежного крепления пластин 3, в зависимости от толщины с подложки 1, равной (1-2) , но не менее минимального размера контактной площадки, установленной НТД. Толщина пластины 3 является функцией размеров подложки, высоты крепления подложки, толщины подложки и физических параметров упругости материалов подложки и пластины, и в каждом конкретном случае может быть рассчитана.1.В конструкции функцию заземляющего проводника выполняют пластины3 (шины), лепестки которых 4 и 5припаяны к металлизированным площадкам 2 с обеих сторон подложки 1,а противоположные стороны 6 пластин3...

Номер патента: 1518835

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Гончаров, Томашпольский

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральной, корпус, схемы

...2, выполненный ввиде металлического ободка, припаянного к полупроводниковому кристаллу3 и металлическому теплоотводу 1 посредством никелевой пористой прокладки 4 и припоя ПОС 2,5, Полупроводниковый кристалл 3 электрически соединен проводниками 5 с металлическимивыводами 6, лежащими на металлическом теплоотводе 1 изолированно отнего посредством диэлектрическойпленки 7,Полупроводниковый кристалл 3,проволочные проводники 5 заключены в расположенный на теплоотводеучасток герметизирующего слоя 8,отделены двумя канавками 9, перпендикулярными продольной оси корпуса,от участков 1 О и 11 этого слоя.Благодаря тому, что канавки 9 выполнены глубиной до металлических выводов 6, образованы три участка 8,1 О и 11...

Номер патента: 1626266

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Васильев, Диалектова, Лаптун

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковый, прибор, штыревой

...и.р -,логичности,а чертеже представлен полупроводни. црибор,рибор состоит из основания 1 с припа; фланцем, на котором размещен по: роводниковый элемент 2, внутреннего.оло вывода Зс расположенным внутри-ц внутренним управляющим выводом 4,.," 1 рующей втулки 5 под механизм 6 прил, которая является изолирующей де: - л о между анодом и катодом и. 1 цо;ременно центрирует внутренний вылод цо отношению к выпрямительному эле,. цту, Втулка имеет форму цилиндра со;тупо чдтым увеличением диаметра, Вседе 1 л "н полупроводникового прибора по "с .,ень 1 в герметичный керамический корцус, оканчивающийся хвостовиком,кс 1 зрый является катодом и служит для пегса я постоянного тока с прибора во внеш к;ц цепь,Прибор работает следующим образом.На...

Номер патента: 1160896

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Белицкий, Бочвар, Колешко, Лапицкий, Лысова

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, материал, межсоединений, микросхем, тонкопленочных

...определяет минимальное содержание примеси, при отарой наблюдается эффект уменьшения контактного сопротивления тонкой пленки и сохраняются необходимые требования по размеру зерен, микрарельефу поверхности (см.табл,1, в которой приведены примеры граничных и оптимального количества содержания ингредиентов), а также сохраняются высокая устойчивость к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокое качество микросварки алюминиевой и золотой проволокой. Повышение устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического токаи коррозии, а также качества ультразвуковой микросварки достигается введением в пленку примесей РЗМ. Верхняя граница Определяет та максимальное...

Номер патента: 1691911

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Неволин

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микрополосковой линии, и нижняя поверхность керамического основания вьпалнены металлизировгнными и ъ ектрически соединены между собой и с микрополосковой линией, 1 ил,Транзисторы собираются боковыми металлизированными гранями с последующим заземлением, при этом образуются входная и выходная перецающие линии, штоки оказываются заземленными, и при подключении соответствующих нагрузок образуется УРУ с уменьшенными элементами,Часто 1 ные свойства его при этом определяются величиной корпуса (шага между транзисторами) и свойствами самого кристалла, Это позволяет значигельно расширить полосу усиливаемых частот по сравнению с использованием в гибридных УРУ транзисторов с...

Номер патента: 1711273

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Гончарук, Сухоставец

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральной, сборки, схемы

...20 статическом поле и без него, а также другие,где создается аэродинамическое воздействие на коммутационные проводники, малопригодны в технологии массовогопроизводства ИС, так как необходимо мак 25 симально локализбвать область распыленияи одновременно исключить давление накоммутационные проводники.В основе способа лежит свободное рассеяние электризованных частиц порошка в30 непосредственной близости над защищаемой поверхностью, Фторопласты, обладаявысоким электрическим сопротивлением,очень хорошо электризуются при интенсивном перемешивании, Для реализации пред 35 лагаемого способа в бункер виброситазагружают тонкодисперсный порошокфторполимера и возбуждают колебания,причем частота и форма колебаний таковы,что обеспечивается...

Номер патента: 1732400

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Шеленшкевич

МПК: H01L 23/00

Метки: модуль, оптический

...8 мм, Диаметр углубления 7 в плате для установки дополнительного оптического окна 10 устанавливается 10.1 мм, Размер углубления 2 в плате для установки кристалла равен 11 х 11 мм. Размер углубления в крышке 9 составляет 12 х 12 мм. что превосходит размеры углубления 2.Соединение контактных площадок кристалла с толстопленочной серебропалладиевой металлизацией в виде проводников и контактных площадок осуществлялось с помощью алюминиевой проволоки ультразвуковой сваркой. Соединение модуля с внешними устройствами осуществлялось непосредственно припаиванием к контакт ным площадкам платы модуля соединительных проводников внешнего устройства,Крышка 9 соединяется с платой 1 низкотемпературным непроводящим клеем (ГИПК),Модуль может выполнять...

Номер патента: 1748205

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов

МПК: H01L 23/00

Метки: высоковольтный, диод, кремниевый, сильноточный

...первую заливку эпоксидногокомпаунда до эмиттерного вывода, первуюдвухстадийную термообработку, первуюстадию которой осуществляют при 80 - 85 Св течение 2 - 5 ч, а вторую стадию - при120-125 С в течение 4-8 ч, осуществляютдополнительную заливку эпоксидным компаундом до уровня верхнего торца корпусаи дополнительную двухстадийную термообработку при 80 - 85 С в течение 2 - 5 ч и при120 - 125 С в течение 4 - 5 ч, осуществляютвторую заливку эпоксидного компаунда доверхней площадкикольца и вторую дьухстадийную термообработку, первую стадию которой осуществляют при 80-85 С в течение2 ч, а вторую при 140-145 С втечение40-45 ч, при этом после второй термообработки часть кольца со стороны верхней площадки удаляют резанием,Режимы...

Номер патента: 1781733

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Жора, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, сборки, схем

...няют свои геометрические размеры, т.е. титана и никеля с.толщинамйсоответственимеетместоусад полимера. Этоприводит . но 100 - 300 А и 0,3 - 0,6 мкм с последующим к появлению внутренних напряжений в пол горячим облуживанйем, Это обеспечиваетимериыхэлементах, кихдеформациии, как ся тем, что, как показывают эксперименследствие, к смещению выводов гибких но- тальные данные, прочность паяных сителей. Смещение вызывает изменение га- микросоединений (30 - 65 г) оказывается баритно-присоединительных размеров изначительно большей прочности соединеухудшаетсовмещаемость выводов носителя 30 ний этих же выводов, полученных методом с контактными площадками при сборке и ультразвуковойсварки(5 - 25 г), Важнаотме. монтаже. В результате существенно...

Номер патента: 1790013

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гнатюк, Зак, Лепешкин, Смирнов, Юмин, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: герметичное, микроэлектронное

...в конечном счете, позволяет повысить электро- герметичность корпуса, Конкретная форма (радиусы закруглений) подбирались экспериментальноо,Необходимым условием обеспечения герметичности и высоких СВЧ параметров заявленной конструкции МЭУ с полосковыми выводами является использование в качестве диэлектрика, изнутри прилежащего к крышке и плате в области их сопряжения, а значит и к полосковым выводам, материала, некоторого близок к 1, а тцд не более 1 х 10-з обладающего также высокой адгезией как к металлу, так и к материалу платы. 20 25 30 35 40 45 50 55 Малые значения е и сдд пенопласта, высокая адгезия его к различным материалам и газонепроницаемость при толщине прослойки 1 мм обусловливает его преимущественное использование в качестве...

Номер патента: 1799488

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гришаков, Пырченков

МПК: H01L 23/00

Метки: бескорпусной, полупроводниковый, прибор

...3 с микросхемой является ь,м растекателем тепга, выделяеаботе. что улучшает условия теп 1799488лоотвода и повышает надежность охлаждения,Герметизирующий компаунд 12 в данной конструкции имеет сравнительно малую площадь соприкосновения с. внешней средой и источником влагопоглощения могут являться лишь очень узкие торцевые поверхности в местах выхода внешних выводов 14,Керамическая крышка 11 и керамическая подложка 1, закрывающие кристалл 3 с микросхемой с лицевой и обратной сторон, являясь совместимыми по термомеханическим характеристикам с кристаллом 3, делают конструкцию надежной и прочной. Герметизация прибора компаундом малого обьема создает минимальные напряжения в местах присоединения выводов,Металлическая рамка 7...

Номер патента: 1803943

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов

МПК: H01L 23/00

Метки: высоковольтный, диод, кремниевый

...компаундом при формированиикорпуса. 9 - защитный компаунд (силиконовый каучук).В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги,термоциклы и др, операции).(54) КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД(57) Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллел ьн ых нап равлен и ях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмитте рным и коллекторным выводом в том же сочетании, 1 табл. Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный...