Ваганов

Номер патента: 1727273

Опубликовано: 27.04.2008

Авторы: Ваганов, Косолапов, Свиридов

МПК: B08B 9/00

Метки: каналов, промывки

1. Способ промывки каналов изделий, включающий прокачивание потока моющей жидкости сквозь полость изделия и воздействие на поток в перпендикулярном ему направлении магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности промывки за счет увеличения скорости жидкости вблизи стенки канала, воздействие на поток магнитным полем осуществляют зонами вдоль потока с периодом воздействия T = (2,9-3,3)D и расстоянием между зонами l = T/2, где D - диаметр промываемого канала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в поток моющей жидкости добавляют растворимые присадки в виде солей, повышающие его электропроводность.

Номер патента: 1208641

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Ваганов, Никитушкин, Осипов, Свиридов

МПК: B08B 9/00

Метки: каналов, промывки

1. Способ промывки каналов изделий, включающий прокачивание потока моющей жидкости сквозь полость изделия и сообщение потоку знакопеременных колебаний вдоль полости, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности промывки, на поток моющей жидкости в процессе его прокачивания воздействуют перпендикулярно направлению его перемещения импульсным магнитным полем с частотой, равной частоте колебаний жидкости, и фазой, опережающей колебания жидкости на 1/8 периода.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что длительность импульса магнитного поля составляет 5% от периода колебаний жидкости.

Номер патента: 858491

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 23/00

Метки: 100, группового, защитная, маска, монокристаллических, ориентированных, пластин, плоскости, разделения, химического

Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех...

Номер патента: 1422677

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Башенко, Белоусов, Бербенцев, Ваганов, Дерюгин, Коняев, Ланская, Ломакин, Омельченко, Соловьев, Сошников, Филимонов

МПК: C21D 8/06, C21D 9/22

Метки: инструментальных, сталей, теплостойких, упрочнения

Способ упрочнения инструментальных теплостойких сталей, включающий нагрев в аустенитную область, деформацию газоэкструзией, закалку и отпуск, отличающийся тем, что, с целью повышения твердости, теплостойкости, прочности в сочетании с высоким сопротивлением хрупкому разрушению, нагрев в очаге деформации осуществляют до температуры Ac3 + 150 - Ac3 + 270oC, деформируют за один проход со степенью обжатия 50 - 95%, а отпуск проводят при температуре Ac1 - 260 - Ac1 - 350oC.

Номер патента: 1210314

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Ваганов, Лебедев

МПК: B21K 3/04

Метки: лопаток

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОПАТОК путем нагрева заготовки, ее штамповки с получением поковки, состоящей из первой части и технологической прибыли, обрезки облоя, формирования базовых отверстий в технологической прибыли, горячей и холодной вальцовки с формированием пера и обрубки технологической прибыли, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получаемых изделий и долговечности оснастки для вальцовки, перед вальцовкой на поковке между технологической прибылью и ее перовой частью выполняют прорези в плоскости, перпендикулярной оси поковки.

Номер патента: 1037483

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Ваганов, Рогожин, Филимонов

МПК: B21K 3/04

Метки: двухфазных, лопаток, сплавов, титановых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОПАТОК ИЗ ДВУХФАЗНЫХ ТИТАНОВЫХ СПЛАВОВ, заключающийся в нагреве фасонной заготовки до температуры, на 20 50oС превышающей температуру закалки сплава, горячей штамповке заготовки, охлаждении штамповки в воде и ее холодной вальцовке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества, фасонную заготовку до нагрева покрывают слоем меди, а нагрев ее перед штамповкой осуществляют в расплаве солей, причем интервал времени от выноса фасонной заготовки из расплава солей до охлаждения штамповки в воде определяют равным 8 12 с.

Номер патента: 1197491

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Ваганов, Рогожин, Филимонов

МПК: C22F 1/18

Метки: двухфазных, лопаток, сплавов, титановых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОПАТОК ИЗ ДВУХФАЗНЫХ ТИТАНОВЫХ СПЛАВОВ, включающий меднение фасонной заготовки, нагрев в расплаве солей до температуры на 20 - 50oС выше температуры закалки, горячую штамповку, охлаждение в воде и холодную вальцовку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годного, фасонную заготовку перед меднением покрывают слоем никеля.

Номер патента: 807917

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, включающий операции термического окисления кремниевой пластины, совмещение элементов преобразователей на ее противоположных сторонах, изготовление тензочувствительных компонентов и формирование упругих элементов методом локального анизотропного травления кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных преобразователей и расширения диапазона линейного преобразования, после термического окисления кремниевой пластины удаляют с одной ее стороны окисный слой и напряженный приповерхностный слой кремния, изготавливают тонкий окисный слой термическим окислением кремниевой пластины, а после операции совмещения элементов преобразователя изготавливают...

Номер патента: 1438404

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Бабичев, Брегман, Бритвин, Ваганов, Жадько, Ошкадерова, Романов, Сердега, Случак

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий выполненную за одно целое с основанием кремниевую мембрану, ориентированную в плоскости (100), зеркально-симметричную относительно каждой из двух плоскостей семейства (110), проходящих через центр мембраны и перпендикулярно ее плоскости, тензоэлемент, расположенный на мембране и выполненный в виде интегрального тензорезистора с двумя вводами для тока и двумя выводами для снятия напряжения, причем вводы для тока ориентированы в направлении < 100 >, а выводы перпендикулярны вводам, и токоведущие дорожки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности преобразования деформации в электрический сигнал, тензоэлемент расположен в центре мембраны, причем токоведущие дорожки к токовым...

Номер патента: 1473637

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий упругий элемент с тензорезистивной структурой в виде квадратной ячейки с электрическими контактами, тензорезисторы которой расположены симметрично относительно центра упругого элемента и ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений максимальной тензочувствительности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензорезистивная структура выполнена в виде регулярной ортогональной сетки с квадратными ячейками, содержащей по каждой из координат не менее двух ячеек, причем тензорезисторы, расположенные по внешнему периментру сетки, выполнены в два раза уже остальных, а электрические контакты сформированы к каждому узлу сетки.

Номер патента: 1220516

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Белов, Ваганов

МПК: H01L 21/31

Метки: защитная, маска

1. ЗАЩИТНАЯ МАСКА для группового создания на кремниевой подложке (100) прямоугольных мезаструктур малых размеров, со сторонами ориентированными вдоль направлении < 110 >, локальным анизотронным травлением, содержащая Т-образный фигуры упреждения с узким и широким лучами, стороны которых ориентированы вдоль направлений < 110 >, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, узкий луч Т-образной фигуры соединяется с маскированной областью, ограничивающей лунку травления, широкий луч Т-образной фигуры располагается вдоль стороны маски мезаструктуры, ширина промежутков, отделяющих этот луч от других элементов маски, определяется разрешением...

Номер патента: 1393265

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 29/84

Метки: интегральный, тензочувствительный

ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащее упругий элемент и расположенную на нем мостовую схему, включающую две пары комплементарных МДП-тензотранзисторов, включенные в смежные плечи мостовой схемы стоковыми выводами, и четыре тензорезистора, включенных по одному между истоком и затвором каждого из МДП-тензотранзисторов, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в мостовую схему дополнительно введены два МДП-тензотранзистора, включенных по одному между затворами МДП-тензотранзисторов составляющих противоположные плечи моста, причем затвор и сток каждого из дополнительных МДП-транзисторов соединены между собой, а знак тензочувствительности дополнительных МДП-тензотранзисторов совпадает со знаком...

Номер патента: 1389412

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, интегральный

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий кремниевую мембрану, на периферии которой установлены два p-h-p-тензотранзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, тензотранзисторы размещены так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора параллельна, а у другого - перпендикулярна кристаллографическому направлению < III >, при этом плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (110).

Номер патента: 1387812

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов, Эрглис

МПК: H01L 29/84

Метки: воздействия, механического, сигнал, электрический

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ, содержащий упругий кремниевый элемент, связанный с опорой по линии заделки и расположенный на упругом элементе полупроводниковый тензочувствительный элемент, содержащий два концевых контакта и два боковых токоотвода, расположенных по обе стороны от продольной оси тензоэлемента, которая сориентирована под углом 45o относительно ближайшей к тензочувствительному элементу линии заделки или касательной к ней для круглых упругих элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в тензочувствительный элемент введена дополнительная область противоположного к нему типа проводимости, расположенная симметрично продольной оси тензочувствительного элемента...

Номер патента: 1385951

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Ваганов, Случак

МПК: G01L 1/24, H01L 29/84

Метки: датчик, механоэлектрический, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллической пластины кремния ориентации { 100 } , жесткое основание, мембрану с двумя жесткими областями в виде островков, отделенных друг от друга и от жесткого основания, ориентированными вдоль направления < 110 > канавками, образующими тонкие гибкие участки, на которых с планарной стороны кристалла расположены тензорезисторы, ориентированные вдоль направления < 110 >, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров, повышения линейности и чувствительности преобразования, мембрана выполнена прямоугольной с двумя узкими щелевыми отверстиями, параллельными друг другу и перпендикулярными направлению канавок, причем щели с двух сторон отделяют...

Номер патента: 1482480

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий однородную полупроводниковую пленку, нанесенную на всю поверхность упругого элемента тензопреобразователя, и электрические контакты к пленке, расположенные рядами вдоль направления максимальной тензочувствительности пленки в узлах гипотетической ортогональной сетки с квадратными ячейками, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензопреобразователь содержит не менее трех рядов контактов и трех контактов в ряду.

Номер патента: 1544120

Опубликовано: 15.02.1994

Автор: Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/24

Метки: датчик, микроэлектронный

1. МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллического кремния кристалл чувствительного элемента с интегральной схемой, соединенный по периметру в периферийной области с первой поверхностью промежуточного элемента, выполненного из того же материала, с центральным отверстием и корпус, соединенный с второй поверхностью промежуточного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и уменьшения температурной погрешности, датчик дополнительно снабжен по крайней мере еще одним промежуточным элементом, при этом каждый из промежуточных элементов выполнен в виде двух кремниевых кристаллов, соединенных между собой поверхностями в центральной области, а корпус соединен с второй поверхностью последнего...

Номер патента: 788926

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий мембранный чувствительный элемент в виде профилированной монокристаллической кремневой пластины, на планарной стороне которой в площади мембраны выполнены тензорезисторы, соединенные токопроводящими областями с контактными площадками, размещенными за пределами мембраны, внешние выводы и держатель в виде пластины из того же материала, соединенный с профилированной стороной чувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет исключения контакта внешних выводов с измеряемой средой, на профилированной стороне чувствительного элемента выполнены лунки, на дне которых размещены контактные площадки, электрически соединенные с внешними выводами, жестко...

Номер патента: 1591776

Опубликовано: 15.02.1994

Автор: Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: датчик, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК, содержащий корпус, мембранный чувствительный элемент, выполненный в виде монокристаллической кремниевой пластины с контактными площадками, расположенными на планарной поверхности пластины вне площади мембраны, тензорезисторов и металлической разводки, крышку-кондуктор, соединенную с планарной поверхностью чувствительного элемента со сквозными отверстиями, расположенными в соответствии с расположением контактных площадок, и жесткие внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости за счет возможности использования групповых методов изготовления при одновременном уменьшении габаритов и температурной погрешности, повышении надежности, в датчик дополнительно введена втулка со сквозными...

Номер патента: 708891

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: H01J 27/20, H01J 41/10

Метки: интегрального, полупроводникового, преобразователя, чувствительный, элемент

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, состоящий из монокристалла кремния, в котором сформированы тензочувствительные компоненты, соединенные лежащими на одной поверхности кристалла токоведущими дорожками между собой и с контактными площадками, к которым присоединены внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения геометрических размеров, на указанной поверхности кристалла выполнены канавки, дно и боковые стенки которых покрыты слоем диэлектрика и в которых расположены контактные площадки, причем глубина канавок превышает диаметр выводов.

Номер патента: 1545877

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Афанасьев, Бритвин, Ваганов, Червяков

МПК: G01L 9/04, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...контактах 4-7 устанавливается напряжение, приблизительно равное половине напряжения питания. При отсутствии механических напряжений в области контактов возникающее при подведении питания электрическое поле обладает зеркальной симметрией относительной осей, проходящих от центрального контакта 3 к контактам 8-11. и при этом контакты 4-7 оказываются лежащими на одной эквипотенциальной линии. Следовательно, выходной сигнал преобразователяравен нулю. При приложении к упругомуэлементу 1 измеряемого воздействия в области контактов возникают механические5 напряжения, приводящие к возникновениюанизотропии проводимости кремния, Первоначальная симметрия электрического поля нарушается. В зависимости отнаправления приложения измеряемого воз 10...

Номер патента: 1463059

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Белов, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 21/28

Метки: выполнения, интегральных, межсоединений, микросхемах, элементов

СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ, включающий выполнение на кристаллах в первом слое металлизации дорожек, соединяющих элементы с контактными площадками для контроля, контроль элементов и выполнение второго слоя металлизации с помощью фотошаблонов с контактными площадками для межсоединений, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения выполняют в отдельных минимально возможных по площади участках поверхности кристалла, после контроля элементов разрушают металлизированные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами, а контактные площадки второго слоя металлизации формируют нанесением...

Номер патента: 695418

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральных, кремния, механоэлектрических, монокристаллического, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий термическое окисление пластин, двустороннюю фотолитографию, изготовление тензочувствительных компонентов, формирование мембран локальным травлением кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения диапазона линейного преобразования, после термического окисления пластин проводят формирование мембран локальным травлением, удаляют весь окисел с пластин, снимают с обеих сторон пластин тонкий слой кремния в полирующем травителе, проводят термическое окисление и двустороннюю фотолитографию, после чего изготовляют тензокомпоненты.

Номер патента: 797454

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/265

Метки: механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ на кремнии, включающий выращивание окисла на обеих сторонах исходной пластины термическим окислением, создание тензорезисторов и токопроводящих областей путем введения акцепторной примеси через предварительно сформованную маску, создание металлических контактов к токопроводящим областям и формирование упругого элемента анизотропным травлением, отличающийся тем, что, с целью улучшения рабочих характеристик преобразователя при одновременном повышении процента выхода годных приборов, после выращивания окисла удаляют его с одной стороны пластины, затем удаляют приповерхностный напряженный слой кремния и выращивают тонкий слой толщиной 0,10 - 0,15 мкм, а введение примеси выполняют ионным...

Номер патента: 795326

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 21/31

Метки: защитная, маска

ЗАЩИТНАЯ МАСКА для получения на полупроводниковых монокристаллических пластинах (100) меза-структур с прямыми углами, стороны которых ориентированы по направлениям (110), содержащая на вершинах прямых углов фигуры, предотвращающие их растравливание, отличающаяся тем, что, с целью экономии материала пластин при анизотропном травлении, фигуры на вершинах прямых углов выполнены в виде Т-образных фигур, стороны полосок которых ориентированы по кристаллографическим направлениям (110).

Номер патента: 1827532

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...элементасвязано с увеличением чувствительности.По сравнению с чувствительностью мостоьой схемы, состоящей из тенэорезисторов,расположенных на прототипе,чувствительность мостовой схемы, состоящей из тенэорезисторов, расположенных напредлагаемом тензопреобразовэтеле, увеличением в 10,89 раза. Результаты проведенного сравнения относятся к случаюодинаковых геометрических размеров мембраны прототипа и предлагаемого тенэопреобрээователя.Другим важным обстоятельством, которое связано с увеличением чувствительности, является возможность при сохранении первоначальной чувствительности уменьшить внешние размеры преобразователя, Так кэк вашего случая возможность увеличить чувствительность прототипа в 10,89 раза позволяет не изменяя значения...

Номер патента: 1827531

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...По сравнению с чувствительностью мостовой схемы, состоящей изтензорезисторов, расположенных на дрототипе, чувствительность мостовой схемы, состоящей из тензорезисторов, расположенных напредлагаемом тензопреобразователе, увеличивается в 10,89 раза. Результаты проведенного сравнения относятся к случаю 40. одинаковых геометрических размеров мембраны прототипа и предлагаемого тенэопреобразователя,Другим важным обстоятельством, которое связано с увеличением чувствительности. является возможность при сохраненийпервоначальной чувствительности уменьшить внешние размеры преобразователя.Так для нашего случая возможность увеличить чувствительность прототипа в 10,89 раза позволяет, не изменяя значениячувствительности уменьшить ширину мембраны в 3,3...

Номер патента: 1819549

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Ваганов, Эбель

МПК: A01K 29/00, B66C 1/44

Метки: грузов, перемещения, фиксации

...для паза рычага. Устройство снабжено упором для свободной части рычага, а стопорный палец - роликом, установленным на нем с возможностью взаимодействия со стенками паза. 1 з.п. флы. 3 ил. снабжена консольно дством шарнира заеет паэ 8. На второй зможностью вэаимопаза 8 стопорный патойке 10 подвесного 11 с возможностью нтакта со свободной ного механизма. ет следующим обраматериала 6, Дуга 5установленным посрепорным рычагом 7 и имдуге 4 установлен с водействия со стенкамилец с роликом 9. На спути установлен упорнепосредственного кочастью рычага 7 захватУстройство работа Дугами 4 и 5 охва вотного и эапорный так, чтобы он своим и 9 - захватный механи пункте транспортиро выводится упором 11 тывают туловище жирычаг 7 поворачивают аэом 8...

Номер патента: 1815305

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Ваганов, Мельник, Чепижный

МПК: E02D 5/54

Метки: фундамент

...внутри сердечник 7 выполнен в 10виде клина прямоугольного поперечного сечения с вершиной в основании башмака,причем наклон боковых граней сердечникасоответствует наклону обращенных к немувнутренних граней фундаментного башма.ка. Длина сердечника соответствует высотебашмака.При транспортировке и возведениипродольные секции фундамента и продольные элементы башмаа, включая сердечник, 20соединены между собой крепежными стержнями 2; с согнутыми концами, пропущенные через отверстия (не показаны),Фундамент возводится следующим образом. 25В подготовленный котлован опускают всобранном виде фундаментный башмак 4 и" при помощи инвентарной трубы (не показана) погружают сердечник 7 до уровня нижнего выреза 9. При этом голова сердечника З...

Номер патента: 1794998

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Ваганов, Ильин, Мельник, Новиков, Чепижный

МПК: E02D 27/12

Метки: возведения, свайного, фундамента

...сыпучим сжимаемым материалом предварительно устроив по его подошве глинисто-щебенистый замок. При этом высота по сыпучего сжимаемого материала определяется по формуле где Ку - коэффициент уплотнения сжимаемого материала, равный отношению плотностей р 1 и ро соответственно после и до уплотнения под нагрузкой; 3 - . величина стабилизированной осадки, необходимая для последующего включения в работу свай совместно с подошвой ростверка, определяемая расчетом.Поперечные размеры железобетонной оболочки и величину осадки устанавливают следующим образом.При известной нагрузке, допускаемой на сваю, определяют их количество в кусте или на единицу длину ленточного фунда.мента. Исходяиз оптимального решения, уменьшают количество свай и на...