Нисельсон
Способ осаждения слоев тугоплавких металлов
Номер патента: 1607640
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Бальвинский, Копецкий, Маликов, Нисельсон, Шаповал
МПК: H01L 21/00
Метки: металлов, осаждения, слоев, тугоплавких
1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.
Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия
Номер патента: 1380293
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Аллазов, Дарвойд, Дмитриев, Дубовицкая, Копецкий, Лисицкий, Мовсум, Мустафаев, Нисельсон, Райков, Смирнов, Третьякова
МПК: C30B 11/00, C30B 29/12
Метки: галогенидов, основе, растворов, таллия, твердых
Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов используют металлический таллий и по крайней мере один галогенид аммония, таллий берут в избытке 100 - 300 мол.% по отношению к галогенидам, помещают его сверху галогенидов и нагревают до температуры на 10 - 30oС выше температуры плавления твердого раствора, а кристаллизацию ведут перемещением...
Способ определения кремния в металлах
Номер патента: 919991
Опубликовано: 15.04.1982
Авторы: Беляев, Карпов, Кузнецов, Морозов, Нисельсон, Орлов
МПК: C01B 33/00, G01N 31/00
...контрольногом опыта резко возрастает из-за высокои активности фторирующего агента и образующихся летучих Фторидных соединений, которые взаимодействуют со стенками аппаратуры. Это приводит к сни жению чувствительности анализа до 10 -10 ф мас.3. В связи с этим после анализа каждой пробы необходимо промывать внутренние стенки аппаратуры, что снижает количество анализируемых образцов до 1-2 в сиену.Целью изобретения является повышение чувствительности анализа.Поставленная цель достигается тем что согласно способу определе35 ния кремния в металлах, включающему растворение пробы в ванне, являющейся галогенирующим агентом, при нагревании и последующую количествен" ную регистрацию образовавшегося га 40 зообразного галогенида кремния, в качестве...
Теплоноситель
Номер патента: 732356
Опубликовано: 05.05.1980
Авторы: Нисельсон, Соколова
МПК: C09K 5/12
Метки: теплоноситель
...кипения как чистых веществ, так и их смесей;ределяют в кварцевом приборе, корый заполняют теплоносителем в кочестве 40 г и помещают в термостат после, расплавления теплоносителя лючают нагреватель. Теплоноситель закипал в течение 2-3 мин. Мощность на нагревателе составляла 190 Вт. Температуру измеряют хромель-алюмелевой термопарой. Испытание проводят по циклической методике. В:цикл входят следующие операции: расплавле732356 Т ЕСЕ,00 (чистый) 0 (чистый) 0 (чистый) О М Вг. МН, Оа СГ ИН 434+11437-439) + 427 т 1Сэ НН 3+1 Вг ЛЕСЕ ИН +МВ ИСЕ ВН +Мвг 251 Н 2 изобретениямои оамми ак ат овбромидов алюмих смесей в ка Формул Применение хлоридов или тр или галлия или теплоносителя.риияств рмации, при эксперти КремнийорганГосхимизда Источники...
Способ очистки тетрахлорида ванадия
Номер патента: 606298
Опубликовано: 25.07.1979
Авторы: Борисова, Козлов, Нисельсон, Тимофеев, Третьякова
МПК: C01G 31/00
Метки: ванадия, тетрахлорида
...выделить из технического тетрахлорида ванадия в отдельную фракцию хлориды кремния, углерода, При этом выход готового продукта довольно низок и составляет примерно 67%.Цель изобретения -и выхода продукта.Это достигается тем, что процесс осуществляют сначала при температуре 45 - 60 С и достаточном давлении 300 в 4 мм рт. ст. до отделения легколетучих примесей, а затем при температуре 80 - 85 С и давлении 20 - 30 мм рт. ст. Такое двухступенчатое ведение процесса ректификации обеспечивает сначала глубокую очистку тетрахлорида ванадия от хлора, фосгена и других легко- летучих ппимесей, а затем - от трудно- летучих (тетрахлорида титана, оксихлорида ванадия). При этом выход тетрахлорида 20 ванадия в готовый продукт повышается до85/( 0,03;...
Способ получения галлидов ниобия
Номер патента: 591409
Опубликовано: 05.02.1978
Авторы: Абрамов, Нисельсон, Оршанская, Петрусевич
МПК: C01G 33/00
...высших хлоридов ниобия и галлия с концентрацией хлорида галлия в исходной смеси от 45 до 75 мол.Ъ, при мольном отношении водорода к исходной смеси хлоридов, равным 20-501.Укаэанные концентрации трихлорида галлия в исходной смеси позволяют получить соединение Мсаба с содержанием галлия 25 атВ и 100 Фазы со структурой А 15.Ниже 45 мол.нбаОО,О образуются соединения, не отвечающие строго стехиометрическому составу Кбабй вследствие недостатка хлорида галлия. Выше 75 мол.Ъ появляется возможность проскока непрореагированного трихлорида галлия.591409 Формула изобретения 3. Патент США 9 3425825,7 5-6 2, 1969. Составитель В. НечипоренкоТехред Н.Андрейчук Корректор М.Демчик Редактор Л. Курасова Заказ 519/17 тираж 655 ПодпнснОе цниипи...
Способ получения пятиокиси ванадия
Номер патента: 566770
Опубликовано: 30.07.1977
Авторы: Нисельсон, Селедцов, Тихий, Ткаченко, Третьякова, Чепрасов
МПК: C01G 31/00
...под слой воды,Ванадийсодержащие соединения и аммиак подают под слой воды в разных точках, чтобы исключить возможность взаимодействия непрогидролизованного ванадийсодержащего соединения с аммиаком.Реализация предложенного способа позволяет повысить производительность процесса за счет увеличения скорости подачи реагентов и увеличить степень извлечения ванадия в пятиокись практически до 100%,П р и м е р. В колбу емкостью 2 л заливают 1 л воды. На горловине колбы устанавливают обратный холодильник, Через боковые па. трубки под слой воды одновременно подают окситрихлорид ванадия со скоростью 20 г/мин, 25%-ный раствор аммиака и гипохлорид нат. рия. Кислотность раствора в процессе гидро лиза поддерживают регулированием расхода аммиака в...
Способ автоматического управления ректификационной колонной
Номер патента: 541483
Опубликовано: 05.01.1977
Авторы: Авдашков, Мальцев, Нисельсон, Синчук, Сорокина, Третьякова, Ятко
МПК: B01D 3/42
Метки: колонной, ректификационной
...смеии посгоян еля в и) пр а созобретение относится к разделению и эгенидэв и может быть испольдкометаллическэй промышленнос елевого продукта и расхода внеш н отношения взаимодеиствующих потоков в обеих секциях колонны 121.Данный способ не обеспечивает необходимый тепловой баланс ректификационной колонны,что приводит к снижению выхода годного продукта заданного качества.1 ель изобретения - увеличение выхода готового продукта заданного качества,Это достигается тем, что расход теплоносителя регулируют в зависимости от нарушения теплового баланса колонны.На чертеже представлена схема реализации способа.Сигналы, прэпэрциэнальные расходам и температуре соответствующих потоков (питающей смеси, дистиллята, кубового продукта, флегмы) поступают...
Способ очистки тетрахлорида кремния
Номер патента: 327782
Опубликовано: 25.04.1976
Авторы: Козодеров, Морозов, Нисельсон, Павлов, Симаков, Спевак, Титов
МПК: C01B 33/08
Метки: кремния, тетрахлорида
...Исходный продукт содержит следующие основные примеси, которые должны быль отделены согласно требованиям кремнеорганической промышленности: соединения железа, марганца, маг- рф ния, алюминия, меди, титана, цирконня, бора и других металлов, а также хлорсодержащне орга. твтческие вещества,Для глубокой очистки тетрахлорнда кремжлученного иэ продуктов хлорирования цирконадлагается способ, по которому о птстку осущест ют путем сочетания процесса выпариванияхстадийной ректнфикацней,предварительном выпаривании при 100 - 120 С в аппарате с вращанацимся ротором происходит очистка исходного продукта от ооо.растворимых примесей. Образущиеся пары посту.пают на первую стадию ректяфнкацни, которую проводят при температуре в головке и кубе колонны...
Устройство для автоматического управления процессом очистки хлорида мышьяка
Номер патента: 441942
Опубликовано: 05.09.1974
Авторы: Агеев, Гончаров, Манжетов, Микляев, Нисельсон, Синчук, Третьякова, Ятко
МПК: B01D 3/42
Метки: мышьяка, процессом, хлорида
...- стабилизация работы 10 колонны.Для этого предлагаемое устройство содержит дополнительный модулятор, который подключен через преобразователь к распределителю потока. Это позволяет осуществить пи тание колонны исходным сырьем в момент увеличения уровня, обеспечивая при этом заданное значение уровня в кубе колонны.На чертеже представлена схема устройства.Устройство состоит из измерителя 1, моду лятора 2, электронного преобразователя 3, электромагнита 4, распределителя 5 потока, второго модулятора 6.Устройство работает следующим обПри уменьшении уровня в кубе 25 сигналы с измерителя уровня и моду. с последовательно включенными чувствительными элементами и сигнал модулятора 6 с параллельно включенным им чувстптельным элементом...
Всесоюзная
Номер патента: 369655
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вители, Жаботинский, Кравченко, Малашко, Нисельсон, Рудницкий, Треть
МПК: H01S 3/207
Метки: всесоюзная
...в количестве от 0,5 до 5 вес. Присутствие в составе жидкости названн соединения обеспечивает удаление из нее следов воды и низших хлоридов металла, которые отрицательным образом влияют на люминесцентные свойства материала, В свою очередь, хлориды металлов хорошо растворяют хлориды редкоземельных элементов и по своей структуре образуют благоприятное окружение для редкоземельных ионов, обеспечивая малую безызлучательную диссипацию энергии возбуждения этих ионов и слабое концентрационное тушение люминесценции. 1 редмет пзобретенп 1, Активное вещество для жидкостных оптических квантовых генераторов, в том числе при наличии сенсибилизаторов, активированное ионами редкоземельных элементов, отличающееся тем, что, с целью уменьшения...
Устройство для автол1атического управления процессом очистки хлорида мышьяка
Номер патента: 338232
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Ахмадеев, Бочкарев, Бронштейн, Гончаров, Доломанов, Манжетов, Микл, Нисельсон, Осударственныи, Проектный, Синчук, Тйотг, Ятко
МПК: B01D 3/42
Метки: автол1атического, мышьяка, процессом, хлорида
...потока, Это обеспечивает непрерывное литание колонны, увеличение ее производительности и получение высококачественного продукта.На чертеже представлена схеъга устройства.Устройство состоит из измерителя 1, модуляторов 2, 8 и 4, электронных,преобразователей 5, 6 и 7, электромагнитов 8, 9 и 10, распределителей 11, 12 и 18 потока.Система работает следующим образом. При уменьшении уровня в кубе колонны, что обусловлено непрерывным отбором, продукта, сигналы с измерителя 1 уровня и модулятора 2, с .последовательно включенными чувствительными элементами поступают на электронный преобразователь 5. При одновременном освещении чувствительных элементов,т. е, когда уровень в кубе колонны уменьшается, включается электромагнит 8,...
Способ получения эпитаксиальной пленки
Номер патента: 330811
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Государственный, Зотов, Конов, Маслов, Нисельсон, Проектный, Тель, Черномордин
МПК: H01L 21/205
Метки: пленки, эпитаксиальной
...металлов третьей группы периодической системы элементов дают широкий круг комплексов с триметильными производными элементов пятой группы в соотношении 1:1. Достоинством этих соединений является то, что в них исходные компоненты, образующие полупроводниковое соединение, находятсяРедактор Т. Орлова Корректор О, Тюрина Заказ 44234 Ивд. Хе 646 Тираж 406 ПодписноеЦИПИПИ Комитета по делам ивоорстеипй и откр.батин ири Совете Министров СССР Моски, Ж, Раупскап иаб., д 4/5 Тииографи, пр. Саик;ова, 2 В СТРОТ, С СХЦОМСтг Ц Ч СКОМ,.ОС Ге В ЬЛ 51 Ола ря цизкой температуре цлавлецця и кцпсция их легко можцо подвергать предварцтельцой очистке методам ректификацци и зоццой перекристаллизаццц. Кроме того, оци обладаот 5 мецьшей токовостьо цо сравнению с...
Способ рафинирования висмута
Номер патента: 274918
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Борисова, Государственный, Доломанов, Микл, Нижарадзе, Нисельсон, Проектный, Сажин, Юдин
МПК: C22B 30/06, C22B 9/04
Метки: висмута, рафинирования
...висмута проводится при атмосферном давлении в две последовательные ступени. Первая ступень осуществляется,в колоннах с 5 - 10 теоретическими ступенями разделения. На этой стадии достигается удаление основной массы примесей, существенно отличающихся по летучести от трихлорида,висмута, Ректификация проводится с флегмовым числом порядка 4 - 6. Второй стадией ректификации достигается глубокая очистка трихлорида висмута. Ректификацияосуществляется в колоннах с 20 - 30 теоретическими ступенями разделения с флегмовымчислом порядка 15 - 25. Прямое извлечениевисмута в чистовые фракции на каждой изректификаций составляет около 85 - 90%, а сучетом оборота промежуточных фракций 96 -97%. Наиболее цслссообразным является применение колонны с...
Способ очистки йода
Номер патента: 250885
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Балло, Звонцова, Лепилина, Нисельсон, Опихалов, Родин
МПК: C01B 7/14
Метки: йода
...(8000 г) от исходной загрузки. Первую часть этой чистовой фракции отбирают со скоростью 600 - 800 г/мс (флегмовое число 30 - 25). После отбора половины этой фракции скорость отбора постепенно уменьшают, доводя к концу процесса до 200 - 300 г/час, На всю ректификацию затрачивают около 20 час, включая время на разогрев установки, расплавление йода и установление равновесия. Вторую часть головной фракции ипорцию исходного технического йода зают в куб к кубовому остатку от предьректификации. Кубовый остаток удаляюпостыл после проведения 5 - 8 последовных ректификаций. Таким образом, выхщенного продукта в установившемсяводстве составляет не менее 95%. С целью пнения йоданого эластириала с малропласта,В таблицео содержанветствии с п30...
Способ изготовления анодов танталовых
Номер патента: 236654
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Бал, Бухаров, Доломанов, Колчии, Нижарадзе, Нисельсон, Петрусевич, Юдин, Ялалтдинова
МПК: H01G 9/052
Метки: анодов, танталовых
...мат что, с целью ум тццы мелкодцсп етялла, наприме т а и т я. тг, я 3 а те х скаццс,Способ цзтяллоксрахпсторов, осннцц порошк20 иийс,ч тем,тантала, часисходного мвают слоемсование ц сп ов танталовых меитцческцх конденссованци и спекаерцала, ог.гичаюеньшения расхода ерсцого порошка р нцобця, покрыи р о из Вод 5 тГ п ресИзвестен спосоо изготовления анодов тнталовых металлокерамических электролцтичсских конденсаторов, основанный на прессовяпии и спеканиц порошка исходного материала, например тантала. При этом способе, вследствие дефицитности танталового порошка, стоимость конденсаторов увеличивается,В описываемом способе изготовления анодов уменьшение расхода дефицитного тантала достигается тем, что тантал расходуется только на...
Способ переработки шеелитовых концентратов
Номер патента: 170690
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Зеликман, Нисельсон
МПК: C22B 34/30, C22B 34/34, C22B 34/36 ...
Метки: концентратов, переработки, шеелитовых
...токлаве растворами соды с получением растворов, содержащих вольфрамат и молибдат натрия, и последующим осаждением из растворов молибдена в виде Мо 82 и вольфрама в виде вольфрамата кальция.Предложенный способ отличается от известного тем, что исходный концентрат сначала восстанавливают углеродом при 1200 - 1300 С, а после отделения окиси кальция в гидроциклонах и промывки слабой соляной кислотой производят хлорирование технического порошка при 600 - 800 С; затем смесь хлоридов вольфрама и молибдена, разделяют ректификацией, Этим достигают более полного разделения вольфрама и молибдена.Исходный шеелитовый концентрат смешивают с углем, добавляемым с небольшим избытком против необходимого для восстановления по реакциям:Са%04+ЗС - -...
Способ очистки от примесей и разделения тантала и ниобия
Номер патента: 108487
Опубликовано: 01.01.1957
Автор: Нисельсон
МПК: C22B 34/24
Метки: ниобия, примесей, разделения, тантала
...51 хло;)1 дов тантала и н 110- би с хлорокисыо фосора происхо;(и г легко с н)леле 1 ем тепла.) случае прил)енени 5 сп 51 я В 51 ени ы х х 51 О р и: О ва и та л я и и и О О и 51 Хаоооксе Т. пп. и ) олутв Разцость температур кипени дл хлорокисных пролуктов боль- и 1 е, че 5 ля простых хлорцлов (23 и от.в 10 ), что Облегчает их разделение.НО в основном разделению спо:обствует значительная разность . ехклу температурамн кипения и плавления хлорокисных поодуктов и простых хлор;:,ов, я именно 140 дл Зх 1 ЬС 1; 2 РОС 1 а и 22 ЛлЯ ТаС 1,требуетс лишь незначцтельцый отогрев лля ловелецп реакции ;О 1 ОЦЦЯ.К;к пои;з(15 хцмц ескци Гп);)Гцз, состав зтцх соелпценпй близок к сгедуОц(ей змц и рцес кой форм уле:ЗМС 1,-, 2 РОС 1 а. 1.1 ЕС 15 ЦРЦРОЛЯ ЭТИХ...