H01L 49/02 — тонкопленочные или толстопленочные приборы

Номер патента: 282486

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная

...узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера...

Номер патента: 337829

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...

Номер патента: 361474

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дмитриев, Меркулов

МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02 ...

Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными

...как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных...

Номер патента: 415734

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Бондаренко, Воробей, Лабунов, Максидонов, Минский, Соловьев, Структура

МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10 ...

Метки: 415734

...связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким...

Номер патента: 498665

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко

МПК: H01L 49/02

Метки: диэлектрических, слоев

...образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки...

Номер патента: 1816170

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Курбанова, Штурмин

МПК: H01L 49/02, H05K 3/00

Метки: микросхемы, тонкопленочной

...1,5- 2,0 мкм методом вакуумного напыления. Формируют маску 3 из фоторезиста с рисунком схемы проводников нижнего уровня коммутации (фиг. 1-3). Удаляют слой 2 (фиг, 4) через маску 3 селективными травителями: для хрома: соляная кислота: дистиллированная вода:1 при температуре55 + 50 С; для меди - хромовый ангидрид;серная кислота: дистиллированная вода 5 9:3:20 при комнатной температуре.Удаляют маску 3 (фиг. 5).Очищают поверхность подложки сосформированным нижним уровнем коммутации кипячением в изопропиловом спир"0 те в течение 10 мин. Напыляют в вакуумесплошной технологический слоИ 4 ванадиятолщиной 0,1-0,15 мкм на поверхность подложки с проводниками нижнего уровня коммутации (фиг. 6).15 Формируют окна в слое 4 ванадия научастках...

Номер патента: 854221

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Чаплик

МПК: H01L 49/02

Метки: излучения, приемник

Приемник излучения, содержащий рабочий элемент с вводом и выводом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерений, рабочий элемент выполнен в виде структуры из двух размерно-квантованных пленок толщиной , разделенных диэлектриком с коэффициентом туннельной прозрачности 10-2 - 10-4.