Двуслойная диэлектрическая структура и способ ее получения

Номер патента: 1426352

Авторы: Горохов, Шалапаев

Описание

1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.
2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.

Заявка

4002997/25, 03.01.1986

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Горохов Е. Б, Шалапаев С. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/316

Метки: двуслойная, диэлектрическая, структура

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1426352-dvuslojjnaya-diehlektricheskaya-struktura-i-sposob-ee-polucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Двуслойная диэлектрическая структура и способ ее получения</a>

Похожие патенты