Двуслойная диэлектрическая структура и способ ее получения

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 1398484

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: карбида, кремния, слоев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.

Номер патента: 510057

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Васильева, Дроздов, Репинский, Свиташев

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, получени, слоев, сособ

...слоев двуокиси кремния одинаковой толщины по всей длине изотермического кварцевого реактора.Сущность изобретения заключается в том, что процесс окисления силана ведут в избытке кислорода при мольном отношении кислорода к силану 70: 1, концентрациях силана (0,5 - 2) 10 влголь л, при скорости потока газовой смеси 19 - 20 см сек и температуре 430 - 500 С.Поскольку скорреакции окисленияцентрации кислород ость радикально-цепнои силана зависит от кона, выбираются такие условия, когда изменением этой скорости по длине реактора компенсируют наблюдаемый обычно эффект обеднения газовой смеси по силану.5Согласно предложенному способу слоидвуокиси кремния выращивают в горизонтальном изометрическом реакторе диаметром 45 лл, с зоной равномерной...

Номер патента: 1459542

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Исмайлова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, пористого, слоев, формирования

Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования ND 1014 см-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности токов от 30 до 150 мА/см2 в течение времени от 20 до 60 мин при освещенности рабочей поверхности кремния, которую устанавливают согласно соотношениюG = i/1,5 + 30,где G - освещенность,...

Номер патента: 561331

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белый, Гуманский, Соловьев, Ташлыков, Тишков

МПК: B01J 17/30

Метки: карбида, кремния, слоев

...- увеличениетолщины слоя карбида кремния и его од нородности.Поставленная цель достигаетсятем, что на поверхность монокристаллакремчия предварительно наносят слойуглерода толщиной 300 - 800 1, а бом бардировку ионами ведут импульсамидлительностью 1 - 20 мсек с частотойследования 15 - 20 импульсов в 1 сек.Способ поясняется чертежом,Ионы углерода, используемые для З 0 легирования, получают из графитовых561331 формула изобретения 1 О бородоваКорректор СПодписноенистров СССРийВ 4 Й Составитель ВезТехреп С,БецаТираж 947комитета Совета Иибретений и открытРаушская наб., ужгород, ул. Пр Л.Жаворонков Редакт 1/7 ИПИ Государстве по дел 113035 МоскваЗаказ ого изо Жт, г лиал ППП Пате оек электродов 1 и 2, разделенных изоляторами 3, ускоряются в...