Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах

Номер патента: 1774396

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аранович, Беляев, Дирочка, Киселева, Мейман, Поповян, Трошкин, Экивина

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приклеивания

...способствоватьтуннелированию электронов из обогащенной зоны проводимости, которые участвуютв переносе заряда и также способствуютцепной реакции полимеризации как на поверхности полупроводника, так и в объемеклея.П р и м е р, Для осуществления способабыли использованы пластины из полупроводниковьх материалов пЯЬ (толщиной 0,6мм), ОаАз (толщиной 0,7 мм), Я толщиной0,4 мм), ОбхН 91-хТе (толщиной 0,8 мм), склеиваемые с подложками из высокоомногогермания толщиной 0,5 мм. Для получениясравнительных данных указанные пластины из полупроводниковых материалов склеивали с подлокками из сапфира по способу,принятому за прототип.В качестве источника Уф-излученияприменяли ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРТ,В качестве...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 911249

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Коротченков

МПК: G01N 21/17

Метки: запрещенной, зоны, полупроводниковых, ширины

...в вице измерителя временных интервалов.На чертеже изображена схема устройства для измерения и разбраковки пластин полупроводниковых материалов по ширине запрещенной зоны.Устройдтво содержит источник 1 ,излучения, оптическую систему 2, сканирующий монохроматор, включающий в себя дифракционную решетку 3 и механизм 4 кругового вращения, полу прозрачное зеркало 5, кристаллодержатели с исследуемым 6 и эталонным 7 кристаллами, усилители 8 и 9 и измеритель 10. временных интервалов.Источник 1 излучения и оптическая 15 система 2 устанавливаются перед дифракционной решеткой 3, связанной с ,механизмом 4 кругового вращения.Полупрозрачное зеркало 5 устанавливается перед исследуемым б и эталонным 7 кристалламиКонтакты исследуемого кристалла...

Номер патента: 1562892

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Гранковский, Зинченко, Минаков, Падалко, Сергеев

МПК: G05D 23/19

Метки: диффузионном, многослойных, нагрева, полупроводниковых, процессом, структур, формировании

...диффузант. Блок 18 интегрирования, работающий в реальном масытабе времени, выдает на блок 19 сравнения текущеезначение глубины диффузии. При достижении заданной глубины, устанавливаемой задатчиком 20, с блока 19 сравнения подается сигнал на ключ 21, который переключает программный задатчик23 температуры на снижение температуры печи. Таким образом, возможные самопроизвольные изменения температурыв печи учитываются путем изменениявремени нагрева, корректированияпрограммы нагрева,Система позволяет обеспечить требуемую глубину диффузии примесей приполучении многослойных полупроводниковых структур и в связи с этим повысить процент выхода годных приборов,Формула из обретенияСистема управления процессом нагрева при диффузионном...

Номер патента: 1559983

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Маковийчук

МПК: H01L 21/66

Метки: ионно-легированных, операционного, слоев

СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.