Сверхпроводящая планарная структура

Номер патента: 1295468

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Антоненко, Ионов, Колясников

МПК: H01L 39/12

Метки: пленки, сверхпроводящей, структурой

...С жительности испарения состав сдвига-, ется к стехиометрическому в соответствии с формулой А В, и слой кристаллизуется с образованием структуры А 15. Причем кристаллизация происходчт по всему объему пленки беэ определенной направленности, поэтому не наблюдается преимущественной ориентации зерен, а размер зерна оказывается меньшим в сравнении со случаем прямой кристаллизации иэ параВ результате саморегулирования состава, близкого к стехиометрическому и однородного по объему, образующийся слой имеет высокую критическую температуру, узкий температурный диапазон перехода к сверхпроводимости ( 60,1 1 и большую плотность критического тока с меньшей зависимостью от магнитного поля из-эа более высокой концентрации центров пиннинга, Согласно...

Номер патента: 303678

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубовский, Лифл, Онегин, Салей

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, микросхем, подложкам, полупроводниковых, присоединения

...когорьх раз)сща)отс 5 и зякрсп 5)Отся в Опрс;с.П 01 Иоложснии подложки 5. Число сбо(очш(х гисзд раио числу позиций стола. Ня ;(сподиижпом Основании 6 расположспы .(сха- ПИЗМЬ ПОШТУ 11)ОЙ ИОДаИ И ИРИСОСДИПСНИ 5) К,) ИГгалс)ОВ Е ПОДЛ)ОЖКЯ, Ка)(ДЫП 3 К 1 ОРЬ(Х (; сдста 3 ляст сооой кс 1 рстк 3 7, псрс) сща)ощу 10- 51 1303 БРс 1 ТНО-ПОТУаТСЛЬНО и Рс 1 ДИЯ 1 Ы 10.,1 Пс)- ПряиЛС 13 И. Нс 3 Крои(ПТСЙПС 8 Кс 1 рСТКИ унрСПЛС- .Ы и ОПОраХ 9 Кас)СПИЯ ДВЕ рабОЧИС ГОЛОГКИ Иинструментами (1, осуцсствляющис захват ) рИСТс 3 ЛЛОВ, ПСрСИОС И.( и рябо)710 30 у И Ирнсосдипсппс к под,)ож)(ям. Псрссщспис карстки осуществлястся от привода 2. Г 1 одложки : агру)кяотся и соорочпыс гиездя из иякошпстя 1 э. Сьс)1 подложск с присос;псиными ериТаллс)1) И ОСМЩССТВЛ...

Номер патента: 778577

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Еру, Песковацкий, Поладич

МПК: H01L 39/24

Метки: качества, пленки, сверхпроводящей

...длине резистивной области в поперечном сечении Я(фиг,1), При увеличении напряжения на пленке, начиная с точки "а", размер резистивной области увеличивается пропорционально величине напряжения, что приводит в конечном итоге 5 к разрушению сверхпроводимости по всей длине пленки (точка "г" на фиг, 2), Точки "б" и "в" изображают промежуточные положения границ резистивной области, Величина плотноститока 1 в формуле (1) представляетсобой критическую плотность тока восстановления сверхпроводимости 1 впленке, Участок вольт-амперной характеристики "а"-"г" (фиг, 2) и естьнабор всех критических токов восста-,новления сверхпроводимости для соответствующих поперечных сечений плен"ки вдоль ее длины,На фиг, 3 представлен в увеличенном масштабе...

Номер патента: 1721475

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Комар, Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 21/19

Метки: визуализации, дефектов, кристаллических, объектах, структуры

...поляризованного света от лазера 1, пройдя через объектив 2, становится расходящимся, в результате дальнейшего прохождения пучка через объект 5 и отражения от его поверхностей образуется изображение фазовой структуры объекта, которое фотографируют в проходящем и отраженном свете на фотопластинки 8 и 8 соответственно. Затем между объектом и фотопластинкой в проходящем луче последовательно помещают компенсатор 6, а также четвертьволновую пластинку 3 и анализатор 7, которые образуют круговой анализатор, а между источником света и объектом помещают четвертьволновую пластинку 3, превращающую свет в циркулярно поляризованный, изменяют оптическую разность хода, вносимую компенсатором, и фотографируют совмещение изображения объекта с его фазовой...

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...