Патенты с меткой «планарного»

Номер патента: 316135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Викин, Королев, Кравцова, Малькова

МПК: H01L 21/31

Метки: высокочастотного, кремниевого, планарного, транзистора

...производят в атмосфере сначала влажного, а затем сухого кислорода, причем время пропускапия влажного кислорода по предлагаемому способу увеличено. Пропускание сухого кислорода в конце процесса диффузии способствует уплотнению слоя стекла и уменьшению количества растворенной в нем воды, Таким образом, фосфорносиликатное стекло в предлагаемом способе не только не удаляют с поверхности окисла, но принимают ъ 1 еры для увеличе 1 гня толщины и повышения плотности его слоя, После образования слоя фосфорносиликатного стекла на поверхности окисла кремниевую пластину дважды помещают в кипящую азотную кислоту и держат ее там до полного ооесцвечивания кислоты. Затем пластину погружаот на 2 - 5 1 ин в кипящую серную кислоту. В известном спосоое...

Номер патента: 881625

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Вайдялис, Кайрис

МПК: G01R 27/06

Метки: мод, планарного, показателя, преломления, световода

...планарного световода 3 следует, что если точки, в которых М = и и М =.Визирная линия окуляРра 15 совмещается с точкой, где М = пр, при этом фотодатчик 12 преобразователя 5 импульсы не генерирует. На реверсивный счетчик б с блока 7 подается число импульсов, соответствующее значению показателя преломления возбуждающей полусферической призмы 2, что соответствует началу шкалы измерений. После того как произведена калибровка, на входную поверхность возбуждающей полусфери 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 ческой призмы 2 направляется лучвозбуждения и с помощью поворотногостолика 1 устанавливается такойугол его падения, при котором в исследуемом планарном световоде 3 возбуждается .мода. Момент возбуждениямоды в волноводе устанавливается...

Номер патента: 998894

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Липовский, Стригалев, Удоев, Хоменко

МПК: G01M 11/02

Метки: волновода, исследования, оптического, планарного

...схемы по световому потоку, Длина коге"рентности источников излучения недолжна быть значительно меньше оптической разности хода интерферирующихлучей. Оптический контакт рабочейграни призмы и волноводного слоя может быть осуществлен, например, с помощью тонкого слоя 8 иммерсионнойжидкости, показатель преломления п,)которой удовлетворяет неравенстВоп (О)пп,где и - показатель преломленияпризмыи (о) в . показатель преломленияволноводного слоя у егоповерхности (для тонкопленочного волноводап(0) =п,р) .В качестве устройства 7 может бытьиспользована оптическая схема,- включающая, например, поляризатор, объек"тив и фотоприемник, расположенный вфокальной плоскости объектива и имеющий приемную площадку в виде узкойщели, параллельной направлению...

Номер патента: 1190331

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Голубков, Евтихиев, Иванов, Папуловский

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, неоднородностей, оптического, планарного

...лазер 1, коллиматор 2, разделитель 3 лазерного излучения, трехгранную призму 4, прозрачную пластину 5. Позицией 6 обозначен контролируемый планарный оптический волновод. 15Коллиматор 2 выполнен, например, из цилиндрических линз. Разделитель 3 выполнен, например, в виде ряда точечных диафрагм или в виде голографической пластины. В последнем 20 случае на голографическую пластину записывается толстослойная голограмма точечных источников, расположенных регулярно ь один ряд. Тогда при падении на нее излучения лазера ви димого диапазона и в случае применения электрооптического преобразователя и невидимого диапазона будет восстанавливаться вторичное излучение в виде ряда источников коллимированного излучения.Призма 4 имеет коэффициент...

Номер патента: 1224766

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Говорун, Клименко, Коротков, Фелинский

МПК: G01M 11/02, G02B 6/12

Метки: волновода, оптического, планарного, толщины, эффективной

...полностью (993) опреде ляется рассеянием в приповерхностном слое О, 1 Л ( Л - длина волны падающего излучения), поэтому интенсивность А-колебаний в регистрируемом спектре КР служит мерой интенсивности вводи 50 мого в волновод излучения и используется в способе как нормирующая величина, Скользящее падение позволяет Также устранить влияние КР подложки благодаря практическому устранению 55 преломлений волны.На фиг. 1 изображены спектры КР для Т-диффузных волноводов на подлож 766 2ке из кристалла ниобата литтия; на фиг. 2 - калибровочная зависимость для таких же волноводов, где К - отношение интенсивности К-колебаний к интенсивности А-колебаний в регистрируемом спектре КР. Калибровочную зависимость получают, например, путем...

Номер патента: 1531047

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Колбин, Никитин, Тищенко, Черняй

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, вывода, излучения, оптического, планарного

...и над показателем пре 3ломления волноводного слоя и,. Устройство выполнено в виде призмы с и ( п . На основание призмы нанесена тонкая металлическая гленка, уменьшающаяся по толщине в направлении распространения волноводных мод, а зазор между металлической пленкой и волноводным слоем заполнен средой с показателем преломления и 1 ( из, 1 ил,пространения волноводных иод 4 полупрозрачная металлическая пленка 5толщиной И. Разор 6 толщиной Ь ю дмежду призмой 3 и волноводным слоем2 заполнен веществом с показателемпреломления пменьшим, но блиэкиипо величине к показателю преломления1531017 Формула изобретения Состэ витель Р .Пма ькоРедактор 11.Тупица Техред М.ХодилиКорректор Н,Король Заказ 7953/18 Тиран 513 Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1539712

Опубликовано: 30.01.1990

Автор: Адамсон

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, одномодового, оптического, планарного, показателя, преломления, толщины

...Т ном резоцато щая предпагУстройств Рапи чцик 1 у 2, по тор 4 с света, волн ризатор 3 с фотоприемии ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Борисов В,И.Определение парамеволцоводов посредспоказателя прелом 1ды ИТФ. 1981, т. 51670.(54) СПОСОБ 011 РЕДЕ 1 П,"НИЯ ПОКАЗАТЕЛЯПРЕЛОМЛЕПИ И ТОЛЩ 1 НЫ ОДНОМОДОВОГО1 П 1 АНАРНОГО ОПТИЧЕСКОГО ВОЛНОВОДА ние Относится к изме оптических вопноводо ИОКЗТРПЯ ПРРПОМЛР цномодовых ппаиарных ОВОДОН,бр е те н ия - поньп 11 Р ние Р 11 еция парамРЦЫХ ОИГИЧЕСК е препствпецаОпределения спе1.- и Т 11-мод в вре Фбри-Перо,Рмый способ.О ОО 11 ержит истово;и 1 ую структурРТ И .Ч ИОХРОМ,ОМ. также спектра ортогональных ре Фабри-Перо нове данного...

Номер патента: 1728833

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Катин, Столетов

МПК: G02B 6/12

Метки: волновода, исследования, оптического, планарного

...Корректор М, Максимишинец Заказ 1407 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ность прошедшего через волновод излучения невелика по сравнению с мощностью излучения, падающей на область оптического контакта, в силу чего яркость высвечивающихся мод (наблюдаемые на экране характерные в-линии) обычно ниже фоновой засветки, в силу чего настройка на моду и измерение ее угла ввода является трудоемкой задачей, Кроме того, из-за большой фоновой засветки данный способ характеризуется низким соотношением сигнал/шум,Цель изобретения - снижение трудоемкости процесса измерений и повышения...

Номер патента: 1732314

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Ахмеджанов, Катин, Корж, Столетов

МПК: G02B 6/12

Метки: волновода, оптического, параметров, планарного

...распределения осуществляют приемником, перемещаемым относительно центра, соответствующего точке пересечения нормали, проходящей через выходную грань призмы и точку ввода лазерного излучения в волновод, и плоскости, отстоящей от выходной грани призмы на расстояние а, удовлетворяющее условию стояние от центра области оптинтакта до выходной грани призп 8 - показатель преломления воздуха; пп - показатель преломления призмы;0 - угол поворота приемника излучения, отсчитываемый от перпендикуляра к выходной грани призмы.Если в оптическом волноводе возбуждена какая-либо мода, то ее энергия пере- распределяется по всем модам волновода за счет рассеяния на неоднородностях волновода и взаимодействия мод. Через призменный элемент связи...

Номер патента: 1738104

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Марица, Петер

МПК: H01L 39/24

Метки: планарного, сверхпроводящего, типа, устройства

...известным способом, например посредством нанесения на слой кремния слоя фоторезистивного покрытия,облучения укаэанного фоторезистора светом через маску с последующим его проявлением, вслед за чем проводят местное удаление слоя кремния посредством травления,Затем наносят слой окисного материала (композиция УВа 2 Сцз 06,7), например посредством напыления в вакууме; выдерживая подложку при 850 С. В области вырезов нанесенный слой является, сверхпроводящим при температуре примерно 90 К, а в области нахождения слоя кремния нанесенный слой не обладает свойством сверхпроводимости при указанной температуреПри необходимости окисный сверхпроводящий слой в дальнейшем может быть покрыт защитным слоем для сведения к минимуму воздействия...

Номер патента: 1742766

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Берозашвили, Гватуа, Чантурия

МПК: G02B 6/12, G02B 6/28

Метки: волноводного, оптического, планарного, функционального, элемента

...стравливается в течение 1 ч 30 мин до диаметра б = 12 - 13 мкм.4. К подложке из стекла марки Кс размерами 40 х 10 х 5 мм приклеиваются ОВС оптическим клеем ОКФ.10 5, Производится операция по и. 1 с применением оптического клея ОКФ,6. На подложку и. 5 со свеженанесенной пленкой оптического клея ОКФ накладывается подложка и. 2 подслоем к клею.7. Производится операция по п. 5 с выдержкой 1 сут,8. Производится операция скалывания приблизительно половины подложки из йаС для осуществления возможности доступа воды к поверхности йаС.9. Производится растворение подложки погружением сандвича в воду.10, После тщательной промывки в обычной и дистиллированной водах и сушки наращивают функциональный слой поэтапно погружением сандвича в раствор...

Номер патента: 1830172

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бунько, Газеев

МПК: H02K 15/02

Метки: двигателя, индуктора, планарного, шагового

...решению, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию "существеннце отличия" и значи тельном положительном эффекте,В качестве технологии изготовления рабочего элемента предлагается избрать химическое фрезерование, которое основано на удалении слоя материалов с участков по верхности заготовки рабочего элемента, непокрытых защитным слоем-составом,. за счет химического взаимодействия материала с травильным раствором, Преимуществами этого способа является: практически полное отсутствие механических и тепловых эффектов в зоне съема материала, высокая точность и качество обрабатываемой поверхности, возможность обработки материалов вне зависимости от параметров технологи 30 35 40 45 50 55 ческого процесса, от твердости...

Номер патента: 1826458

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Евстропьев, Захватова, Никоноров, Харченко

МПК: C03C 21/00

Метки: волноводного, планарного, поляризатора, света

...натриевотитаногерманатное стекло с высокими значениями ОКН (В=4,7 Бр). Полированные образцы с размерами 40 х 15 х 2 мм обрабатывались в расплаве КЙОз при Т=400 С в течение 0,5-4 ч. В результате обмена йа ст с - Красп ПП в ионообменном++слое увеличивался и этот слой обладал волноводными свойствами. Параметры волновода измерялись с помощью традиционной методики резонансного возбуждения волноводных мод для ТМ и ТЕ поляризаций прити1018ТЕ 45 50 55 использовании призменной системы ввода излучения. Измерение эффективных ПП производилось на длине волны НЕ-Ие лазе ра Л= 0,63 мкм), На фиг. 2 показана зависимость прироста ПП для ТЕ и ТМ поляризаций от времени ионного обмена. Обнаружено, что для времени диффузии 0,6-0,8 ч по волноводу...

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Акимов, Бобылев, Глущенко, Иванов

МПК: H01L 21/04

Метки: кремниевого, планарного, прибора

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.