Полупроводниковый прибор

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Номер патента: 640686

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковое

...8 Ртипа обеспечивает общий контакт всей площади и представляет собой сильно легированную бором область. Содержание примесей на поверхности приблизительно 5 К 10" см .Алюминиевый коллекторный электрод 9 формируется под поверхностью подложки 1. Алюминиевый базовый электрод 10 образуется на базавой области 8, алюминиевый эмиттерный электрод 11 - на сильно легированный эмиттерной области 5.Слой из двуокиси кремния служит для пассирования и покрывает сверху всю поверхность прибора.Слой 2 У в -типа и слой 3 Р -типа образует коллекторно-базовый переход 12. Слой 3 и слой 4 У в -типа образует эмиттерно-базовый переход 13. Слой 4 и слой 5 У+-типа образует 1. - Н-переход 14 для примесей того же типа (1. - Н определяет две граничащих области с...

Номер патента: 1034569

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Алешин, Андреев, Лаврушин, Матяш, Стрельченко, Уласюк, Шубина

МПК: H01S 5/32

Метки: лазер, накачкой, полупроводниковый, продольной, электронной

...волны возбуждаемого излуче1034569 С учетом выражения для дифракционных потерь д =0,207()(2) СоставительРедактор О,филиппова Техред М,Моргентал Корректор И,Муска Заказ 564 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина. 101 Хладопровод может быть выполнен в виде широкозонного слоя,Работа лазера с продольной накачкой электронным пучком осуществляется следующим образом,Электронный пучок падает на поверхность активного элемента со стороны узкозонного слоя и возбуждает активную область, размеры которой ограничены толщиной узкозонного слоя и диаметром электронного пучка,При...

Номер патента: 1064497

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Гладченко, Сокол

МПК: H05K 13/08

Метки: магнитных, параметров, пластине, полупроводниковых, структур, электрических

...7, и рычага 15, выполненного в виде вилки и закрепленного в центрах 16, которые делят плечи рычага 15 в отно. шении 1:1 Ограничитель 17 колебаний, выполненный в виде рычага, поджат пружиной 18 к направляющим 14 и закреплен на оси 19 на несущей плите 8.Упругая направляющая обеспечивает связь подвижной рамки,13 с несущей плитой 8, состоящей из мембран 20, укрепленных по наружному диаметру в корпусе 21 при помощи набора шайб 22 и гайки 23, связанных по внутреннему диаметру с помощью колонки 24, набора шайб 25 и гайки 26.Устройство работает следующим образом.После предварительной ориентации .проверяемой пластины относительно зондов (вручную оператором) в режиме фАвтоматф срабатывает механизм перемещения зондовой карты по осикоторый...

Номер патента: 1623502

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 105 А/м, а затем выключая его.