Способ изготовления многослойных кремниевых структур

Номер патента: 772985

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Иткин, Молодыко

МПК: C03C 27/12

Метки: изготовлении, многослойных, остекления, промежуточного, слоя

...чертеже схематически изображенпакет, общий вид,П р и м е р 1. Производят склейку триплексов - слоистых панелей,состоящих из стекол 1 и 2, и промежуточного слоя 3 при использовании уплотнительного элемента - замкнутогорезинового контура 4, изготовленного из резиновой трубки диаметром10 мм, с нанесенным на нее разделительным покрытием 5.Нанесение покрытия производятследующим образом, Трубку погружаютв ванну, заполненную жидкостью, всостав которой входит, вес.ч.: желатина 15, глицерин 15 и вода 70. Эатем трубку сушат в течение 24 ч при15-25 С, после чего погружают вванну, заполненную составом, включающим, вес.ч.; крахмал 36, глюкоза 45,глицерин 34, вода 505. После 24-часовой сушки при 15-25 ОС производятсборку пакета: между стеклами...

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Номер патента: 1759185

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Нагорный, Плащинский, Санков, Сидоренко

МПК: H01L 21/336

Метки: кмоп-структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП-СТРУКТУР, включающий формирование на пластине монокристаллического кремния I-го типа проводимости пленки защитного диэлектрика, формирование карманов II-го типа проводимости, удаление пленки защитного диэлектрика, формирование пленки подзатворного диэлектрика, формирование областей истока и стока транзисторов с II-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси II-го типа, ее активации и разгонки, формирование областей истока и стока транзисторов с I-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси I-го типа, ее активации и разгонки, формирование электродов затворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения его производительности,...

Номер патента: 1394223

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Альжанов, Капбасов, Койлыбаев, Максимов, Талжанов, Турсыпбаев

МПК: G09B 23/24

Метки: слоя, структуры, сыпучих

...критериал стру оизв т- б -мвх ср. ч ч м/ 3; 9; 1 О; 1 К м ч в х.ср ру с с ч- скоросслой;ч - скоро сЧБ - илощадсгаза,илощад ть газа цл м 2 -с. 5"ся ь сечения счоя ь рвцлерцост 1 рл и еделецццл ьх ле в слои;степеньиределецв )2 Вср1 вцомерцос рсиз сии 11 бретение отнОсится к мделироив 1 роцессл, в частности к моделирвцию сыпучих материлв в газовомиотке,ель изобретения - расширецие липзон, сисобл иреиелеция структуры слоя.И р и м е р, ля проведения опытв использовался аппарат с ирозрачцыми боковыми стенками размером 400 ххб 0 х 20 м . Днище липрата выполненовв двух вриантах: газорлсиределительця решетка с живым сечением 0,05О,5 и сплошная диафрагма с централь -иым отверстием 2 - 30 мм. В качествесыучего материал использовалсяилнестцяк...

Номер патента: 1504580

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Байдуганов, Исаев, Левтонова, Нам

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, композициях, многослойных, прочности, симметричных, слоев

...К-К механизмов фиксации навеличину не менее 2 В, где В - толщина многослойной композиции, После закрепления образца производят его изгиб сдавливапием между двумя параллельными плитами 6, Это можно осуществить на любой испытательной машине с мощностью, позволяющей произвести изгиб образца, При испытании фиксируют момент разрушения одного иэсоединений, замеряют расстояние между плитами Н, Затем фиксируют момент 20разрушения оставшегося соединения спротивоположной стороны образца изамеряют расстояние между плитамиН . Замер расстояния между плитамиможно осуществить с требуемой точностью одним из известных способовДля придания характеристикам большейпрактичности производят корреляционные исследования, связывающие качественные величины...