H01L 21/316 — из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Номер патента: 137893

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Дубровский, Мельник, Одинец

МПК: C30B 7/12, H01L 21/316

Метки: защиты, кремния, кристаллов

...окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимуо чистоту и достаточнуо толщину оксидного покрытия,Практическое осуществление способа заключается в следуощем. Надне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 - 10лл в специальной ячейке закрепляют кремниевый анод, подлежащийпокрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 - 1,5 лгол. сл,После того как электрохимическая ячейка собрна электроды подаот ток напряжением 20 - 30 в. В137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в...

Номер патента: 316372

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Борюшкин, Думиш, Федорович

МПК: H01L 21/316

Метки: защитной, пленки, создания

...структур формируют двуслойную пленку, состоящую из двуокиси кремния и слоя свинцовосиликатного стекла.На транзисторные структуры, накоторых находится слой двуоки316372 25 Предмет изооретения Составитель М. Сорокина Техред Е. БорисоваКоррскгор В. Жолудева Редактор Б, федотов Заказ 2029/3 Изд.883 Тираж 400 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4,5 Типографии, нр. Сапунова, 2 ния, вакуумным распылением наносят слой свинца определенной толщины, затем окисляют свинец в атмосфере сухого кислорода, После окисления окись свинца сплавляют двуокисью кремния также в атмосфере сухого кислорода, причем толщину напыленного свинца, температуру и продолжительность...

Номер патента: 427426

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Гордин, Изобретени, Маршаков, Миттова, Угай

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления

...до 800 С и выше не ускоряет процесса роста окисной пленки.Предлагаемый способ отличается тем, что в окислительную среду водят пары соединений элементов 111 а группы, например хлоридов галлия и индия. Это ускоряет процесс.Окисление проводят в реакторе, аналогичном тому, который применяется при известном способе. В качестве окислительной среды используют смесь сухого и влажного кислорода.П р и м е р. Кремниевые пластины помешают в кварцевую трубу с двумя газовыми вводами. Один служит для подачи увлажненного кислорода непосредственно в зону окисления кремния, другой - для ввода сухого кислорода, транспортирующего пары хлоридов галлия и индия к окисляемой поверхности.Трубу помещают в двухзонную печь так, чтоб бы лодочка с хлоридом,...

Номер патента: 553699

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Козлов, Петрова, Сорокин

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, индийсодержащих, окисления, полупроводниковых, соединений, электролит

...не лектролита каждая из ой кислоты концентра. 17,6 44 25,2 52 290 35 до 10 до 10 до 10 А 70 10,2 2200 19,8 2800 30,0 3000 о 100 о 100 до 1000 70 60 3смеси, Каждую смесь готовят отдельно при 20 Снепосредственно перед проведением анодированияиз препаратов марки "чда",При концентрац. ях ортофосфорноме ньших 1,0 об. %, процесс анхарактеризуется невысокой скоросотсутствии ее полупроводники вокисляются.П р и м е р 2. Для полученияготовят три смеси компонентов,которых содержит 4 об, % ортофосфорЙ= 1,69 г/смэ) и отличается от други При увеличении концентрации изопропилового спирта выше 70 об, % резко возрастает сопротивление раствора, в результате чего образуется неравномерный по толщине окснд.При уменьшении концентрации резко снижается...

Номер патента: 658626

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Голомако, Курмашев, Лабунов, Петрович

МПК: H01L 21/316

Метки: анодирования, электролитического

...Ферми, тем выше скорость окисления, и йаоборот, Есди разность в иопожении уровня Ферми в п и р- обпастях не 45велика, то и разность в скоростях окисления этих областей также будет невепика. Вследствие этого контрастностьиопучаемого иэображения может оказаться50недостаточной дпя надежного фиксирования границы р-и переходаКроме того,изготовленный шпиф имеет мехеническинарушенный спой, который даже ири комнатной температуре является эффективнымЯисточником электронов и дырок. Указанная причина может привести к тому, чтоскорости окисления р и и областей могутстать очень бпизкими ипи даже сравнятьПосле проведения процесса анодирования попученный окисеп полностью удаляется погружением шпифа в ипавиковую кислоту, и процесс анодирования...

Номер патента: 1545860

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Абдуллин, Аубакиров

МПК: H01L 21/316

Метки: покрытий, электроизоляционных

...параиетры пото ка плазмн 1 и сарактеристик 11 покрытий иэ Л 101 и 81.0 ца плоскопара 11 лельиых топе Ркц О ст Ях из ситалла е к Ремциц и 15 стали марки 20 Х 13 и профилегроваииой гговерхе;ости Свогегутая с радиусом кривцзцы 150 мм) иэ стали марки 20 Х 13, получеццых предлагаемым и иэпестиым способами. Пеобяодгемые режимы для по лучецнл положительцого эфФекта выбраны эксперимецтальцо.Покрытия с помощью известного спо", соба гтолучецы беэ добавки в аргоцовую плазму кислорода при давлеци 11 в каме" 25 ре 90-100 Па, Нацесец 1 ге покрытий предлагаемым способог 1 осущЕствляют при вводе в цецтральцую часть аргоцопогоразряда 3,5-5 мас,Х кислорода, давце вци в камере 200-250 Па, скорости плазмеццого потока 8-10 ифс"1 и коицецтрации злектроцов у...

Номер патента: 1634054

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Зайдлин, Зайцев, Кононов, Красников, Нестеров

МПК: H01L 21/316

Метки: кремниевых, окисления, подложек

...для ввода окислителя, щелью 4, отверстиями 5 и 6 для ввода и вывода парогазовых смесей, подвижной заслонки 7, подложкодержателя (кварц) 8, кремниевых подложек 9, заглушки 10 реактора (кварц).Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии подвижная заслонка 7 входит в щель 4 в реакторе и разделяет его на,две части, Щель в реакторе выполнена шириной 12 мм на 3/4 его диаметра. Реактор свободен от заглушки 10. Кремниевые подложки 9, помещенные на подложкодержатель 8, загружают в переднюю часть реактора 2 перед заслонкой 7 и крышку реактора закрывают, Затем в отверстие 5 вводят парогазовую смесь (например, смесь паров соляной кислоты с азотом), которая, очищая кремниевые подложки, выходит через отверстие 6 и зазор между...

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1795827

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Баранов, Грачев, Гройсман, Загрядский

МПК: H01L 21/316

Метки: окисления, пирогенного, пластин, полупроводниковых

...движения продуктов сгорания водорода в кислороде вдоль реакто ра.Сущность изобретения заключается втом, что реактор разделен на камеру окисления, расположенную в рабочей зоне нагревателя, и камеру сгорания, в которой З 0 происходит взаимодействие Н 2 с 02, Камерасгорания расположена относительно нагревателя таким образом, что та ее часть, которая снабжена трубками для подачи водорода и кислорода находится внутри наЭ 5 гревателя с температурой не менее температуры самовоспламенения водорода, а остальная - за пределами нагревателя и снабжена воздушной рубашкой охлаждения, Обе камеры, окисления и сгорания, соф 0 единены переходной трубкой, ось которойнаправлена под углом к продольной оси реактора, Наличие воздушной рубашки охлаждения...

Номер патента: 1795829

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Корешков, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, плазмохимического, пленок, стекла, фосфоросиликатного

...более 2 ат. о, возрастает в 5 и более раз, что обуславливает улучшение пассивирующей способности пленки за счет повышения ее влагостойкости и повышение стойкости стекла к диффузии ионов металлов.Выбор отношения ингредиентов закись азота-аммиак при осаждении пленки ФСС сделан на основе экспериментальных результатов.При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак менее 5 ухудшаются условия для введения фосфора в пленку, что обуславливает ухудшение качества ФСС из-за увеличения дефектности,При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак более 25 ухудшается пассивирующая способность пленки из-за уменьшения количества азота в ней, что наряду с увеличением привносимой дефектности обуславливает ухудшение качества пленок ФСС.Возможность...

Номер патента: 1797411

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Квасов, Сологуб

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрик, структуры, формирования, —полупроводник

...Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па для структуры и-типа кремний - 3102. На фиг.2 кривые 7-9 показывают зависимость плотностиповерхностного заряда на границе р-типакремний - Яза при акустическом давленииР = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па соответственно, кривые 10-12 - зависимость плотности поверхностного заряда на границеи-типа кремний - 31 зй 4 при акустическомдавлении Р = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2Па соответственно,Перечисленные существенные отличияприводят к переходу системы дефектов вравновесное состояние, вызывает десорбцию загрязняющих ионов с поверхности, чтосопровождается уменьшением величины отрицательного заряда на границе разделакремний - диэлектрик или изменением знака заряда и соответственно приводят кповышению качества...

Номер патента: 1426352

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Горохов, Шалапаев

МПК: H01L 21/316

Метки: двуслойная, диэлектрическая, структура

1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.

Номер патента: 1403907

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Коркман, Ненашева, Нестерова

МПК: H01L 21/316

Метки: диоксида, кремния, слоев

Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH4 кислородом O2 в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения качества слоев путем уменьшения их пористости, процесс ведут в присутствии добавок газообразного аммиака NH3 при соотношении NH3/SiH4 = 0,05 - 1, давлении в реакторе 0,3 - 3 мм рт.ст. в температурном диапазоне 70 - 300oC и...

Номер патента: 1424643

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Балин, Гузев, Шкляев

МПК: H01L 21/316

Метки: антимонида, диэлектрик-полупроводник, индия, основе, структур

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293...

Номер патента: 1085442

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахтман, Бротиковский, Павлынев

МПК: H01L 21/316

Метки: меза-структур, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого представляет собой n дорожек (при n > 1) шириной h и расстоянием между центрами дорожек, равным +2b, где h/2...

Номер патента: 1316501

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, низкотемпературных, поверхности, покрытий, полупроводниковых, приборов, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, двуокись кремния вводят в водный раствор азотнокислых солей в виде водного раствора кремниевой кислоты.

Номер патента: 1384112

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: низкотемпературных, покрытий, стекловидных

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водных растворов азотнокислых солей стеклообразующих компонентов кремниевой кислоты, аммиака, сливание растворов, просушивание и растирание образующегося осадка в порошок, нанесение и оплавление слоя порошка на поверхности полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, растворы сливают в следующей последовательности: раствор кремниевой кислоты, раствор аммиака, раствор азотнокислых солей - стеклообразующих компонентов.

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1056815

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитных, кремния, пленок, поверхности, свинцово-силикатных

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния, включающий нанесение на поверхность кремния слоя порошка окиси свинца, оплавление порошка и последующий отжиг пленки при 500oC, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности свойств пленок путем управления их составом, порошок окиси свинца наносят слоем толщиной 0,06 - 0,5 мм, а оплавление проводят при 750 - 900oC в течение не менее одного часа.

Номер патента: 1410776

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, покрытий, полупроводниковых, приборов, свинцово-силикатных, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления свинцово-силикатных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора солей стеклообразующих компонент, основным из которых является свинец, и кремниевой кислоты, осаждение водным раствором аммиака гидрооксидов, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности процесса стеклообразования, свинец вводят в раствор солей стеклообразующих компонент в виде его ацетата.

Номер патента: 376029

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ободников, Серяпин, Серяпина

МПК: H01L 21/316

Метки: p-n-переходом, кремния, окисления

Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, раствор, стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Номер патента: 1246818

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина, Мешковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитного, кремния, поверхности, покрытия, состав

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении компонентов (мас.%):Тетраэтоксисилан (Si(OC2H5)4) - 57-59Пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония (Zr(NO3)4) - 21-23Концентрированная соляная кислота (HCl) - 1,2-1,4Соль металла из группы лантанидов - 3-5Вода -...

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Номер патента: 1840203

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, галогенсодержащих, окисления, пластин, полупроводниковых, электролитах

1. Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах путем подачи положительного напряжениян на окисляемую пластину, отли-чающийся тем, что, с целью повышения качества окисления, перед подачей положительного напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый электрод.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 1840206

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiii, анодного, окисления, полупроводников, типа

1. Способ анодного окисления полупроводников типа АIII ВV путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров границы раздела полупроводник-анодный окисел, полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин из электролита,2. Способ анодного окисления по п.1, отличающийся тем, что полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 0,75-3,0 мА/см2 в течение 10-30 минут, затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при том же токе.3. Способ...

Номер патента: 1549411

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Воронов, Ковалевский, Красницкий, Турцевич, Цыбульский

МПК: H01L 21/316

Метки: борофосфоросиликатного, диэлектрических, пленок, стекла

Номер патента: 1563516

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Ковалевский, Коваленко, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме...

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...