Патенты с меткой «литографии»

Номер патента: 543915

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Кузьмин, Сутырин, Фейгин

МПК: G03G 17/00

Метки: литографии, проекционной, электронной

...инв теле электродУстановка р атода,соединены междулючены на вход ци ся повышеронов, эмиодложку,лью изобретения являет ы тегратора 7 и разм а 9 с подложкой 4 аботает следующим точности контроля дозы эл тированных с фотокатода нЭто достигается тем, ч,рауст егра щим снабжена цифров осударственныи номитеСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ку, вследстви вания при одн жет меняться кэльких минут(45) Дата опубли На фиг, 1 энной систем 1 О взаимное рас ки и четырехного тип ие соеди кючены н нтегратор атор 7 8, прибойфровогэПод действием света ультрафиолетового источника 1 электроны эмитируют с поверхности фотокатода 2, ускоряются под действием электрического потенциала, приложенного между катодом 2 и подложкой 4 от...

Номер патента: 716018

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Румов, Рыжов, Сутырин, Фейгин

МПК: G03G 17/00

Метки: литографии, проекционной, электронной

...значения приводит к изменению резонансной частоты. поглощения датчика. Система регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерного магнитного 30716018 25 Формула изобретения ЦНИИПИТираж 52 б Заказ 9524/4Подписноерезонанса, который размещен"в-"не- посредственной близости ат экспони: руемой пбдложки, поддерживает ток вэлектромагнитных катушках таким, что" разность между резонансной частотойпоглощения датчика и опорной частотой, соответствующей заданному маг" " нитному полю, минимальна,Таким образом, заданное магнитноеполе поддерживается с высокой точностью, обеспечивая фокусировкуэлектронного изображения на подложке,На чертеже схематически иэобра"жена установка проекционной элект"- ронной...

Номер патента: 1045312

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Васичев, Корчков, Мартынова, Почтарев

МПК: H01L 21/312

Метки: литографии

...вакуумного испарения, т.е, в условияхПреимущественной понерхностной миграции. Достичь такой ситуации ранномерным нагревом невозможно, так как всеточки поверхности будут иметь одинаковое значение энергии. Поэтому наличие направленного градиента температуры улучшает условия миграции испаряющихся молекул,Вопрос о направленности преимущественного градиента температуры решается исходя из условий качествапроявляемого изображения, Если градиент температуры будет направленот центра к перифериен подложки, томиграция модекул будет направленак центру, следовательно, будет происходить дополнительное загрязнениепроявленного иэображения за счет эфФектон термической полимеризации либо кластерообраэования в газовой Фазе. В случае градиента...

Номер патента: 1127023

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Васичев, Гайдукова

МПК: H01J 37/147

Метки: литографии, лучевой, устройства, фокусирующе-отклоняющая, электронно

...фокусирующей линзы,ускоряющее напряжение=0,45-0,55При этом коэффициент пропорциональности 1 зависит от соотношениягеометрических параметров линзы, определяющих распределение индукции фокусирующего поля вдоль оси системы, а также длину и местоположение дефлектрона в канале линзы, Местоположение и длина дефлектрона выбираются так, чтобы в области отклонения электронного пучка фокусирующее поле было в достаточной степени однородно. Эксплуатационный параметр лцнзы 31- является константой для электрон- Юно-оптической системы, положение объекта и изображения которрй постоянно, Величина этой константы определяется геометрией канала фокусирующей линзы.На фиг.1 показана ФОС, общий вид, на фиг,2 - дефлектрон, поперечный разрез, на фиг,З -...

Номер патента: 1145847

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Аристов, Бабин, Ерко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: коррекции, литографии, экспозиции, электронно-лучевой

...и недоста точной точностью. Целью изобретения является увеличение точности и упрощение процесса.45 Цель достигается тем, что в известном способе коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение ревиста на подложку, экспонирование тестовой струк туры, проявление резиста,и определение доз экспонирования, экспонирование проводят с линейно нарастающей дозой до получения теса.овой структу.ры прямоугольной формы, после чего 55 экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой,Недостатком этого метода является невысокая точность. 1 ос кольку в р езисте происходит сложение формы, то для экспонирования линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой...

Номер патента: 1247821

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Анисимов, Елисеев, Сучков

МПК: G03B 27/32

Метки: литографии, оптической

...величинуЛ+ = а (ггпу - -л.) относительно участка 11,т. е. произойдет обращение волнового фронта, падающего на формирователь излучения(фиг. 2 б) .При прохождении излучения с таким волновым фронтом в обратном направлениичерез ту же оптическую неоднородность(фиг. 2 б) участок 1, имеющий опережениеЛл. = а(а - пс), получит дополнительнуюзадержку Л = гг(лн - пс) . В результате Ггосле прохождения волны через неоднородностьв обратном направлении суммарное смещение участка 1 волнового фронта относительноучастка 11 составит Л = Лл. + Л . = сг(гг -- .ис) - ,а(ггпу - гг ) = О, т. е. искажение волнового фронта, вызванное оптической неоднородностью при прямом прохождении излучения, полностью (с точностью до дифракционной расходимости) компенсируется...

Номер патента: 1473568

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Бедельбаева, Колобов, Любин, Любина, Петьков, Седых

МПК: G03F 7/26

Метки: литографии

...температуре 60-80" С В течение Вр 8 меии 1 о, определяемого из выражения60 ф/Т ;о500 3 1 Т, где- ИнтенсивностьэксгОнирующего СВета, Вт/см; Т - температура подложки, ОС; /3 - коэффициент,сф Вт го ад/РмПри Т 60 С сущесвеино уменьшаетсяскорость фоторастворения цинка в ХСП, чтоцриводит к снижению саеточуаствительноСти,я оСоказывается существенным влияние теомическои Виффузии цинка, что приВодит к снижению саеточуаствительности литографического г;роцессэ,Э г+ 1оИ 1 В ЕЧ Еи ИЕ Ррс:пЕИИ60/П - - 1 о 500/ Т обеспечивает селективность травления облученных и необлученных участков, что позволяет реализовать литографический процесс.При то 60 ф/1 Т селективность травления не обеспечивается, так как очень мала скорость растворения цинка.При 10500 ф...

Номер патента: 1556076

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Агабеков, Алексеев, Гудименко, Игнашева, Лабунов, Солдатов

МПК: C07D 265/38, G03C 1/72, H01L 21/312 ...

Метки: 9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо, дицианметилен, качестве, литографии, сухой, термонапыляемого, феноксазин-5, фоторезиста

...ФРтолщиной 1,1 мкм (пример 2) обрабатывают ионами аргона с Е = 30 кэВ, Р = 110 ион/ /см, 1 = 50-80 мкЛ/см и помещают в установку плаэмохимического травления 08-ПХ 0-100 Т, где обрабатывают плазмой "Хладон" (СР) при следующих условиях: давление в камере 1 мм рт.ст мощность 1,8 кВт, ток 0,7 А, время травления 3 мцн, В этих условиях скорость травления, рассчитанная по изменению толщины пленки за Ю время воздействия плазмы, Ч = 100 А/ /мин. Селективцость транлеция, определяемая отношением скорости травления9810/Чб = 1000 Л/миц к скорости траволения маски, Б = 10. 25П р и м е р 14. Пластину 80 на КДБ-О,З с пленкой ФРтолщиной ,1 мкм (пример 2) облучают излучением лампы ДРЦ 1-000 (доза 8-10 Дж/см ) и помещают в установку илазмохимцческого...

Номер патента: 1567030

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/312

Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной

МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.

Номер патента: 1593516

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бабин, Свинцов

МПК: H01L 21/312

Метки: близости, литографии, функции, электронной

Способ определения функции близости в электронной литографии, включающий экспонирование в слое резиста структуры в виде линий различной ширины с изменяющейся вдоль линии дозой экспонирования, проявление резиста, определение критических доз экспонирования по минимальным дозам, при которых резист проявляется до подложки, и расчет функции близости, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, ширину линий при экспонировании выбирают от 0,06 мкм до величины, равной не менее двух длин пробега электронов в резисте, а при определении критических доз экспонирования за минимальную дозу выбирают такую дозу, при которой проявляются центры линий.