Патенты с меткой «планарная»

Номер патента: 701323

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Гудзенко, Дерюгин, Осадчев, Тищенко

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптическая, задержки, линия, планарная, регулируемой, сигнала

...перестройкой частоты и поглотителя 2), преобразователь 9 объемных оптическихволн в поверхностные (в качестве примера на чертеже он изображен в видедифракционной решетки),Устройство работает следующимобразом.На вход возбудителя 5 подаетсявидеосигнал Я.(1), подлежащий обработке, Он возбуждает бегущую акусти.ческую поверхностную волну, котораяв виде столба с шириной, определяемой размерами возбудителя 5, распространяется вдоль тонкопленочноговолновода и поглощается в нагрузке7. От когерентного источника света(например лазера) пучок оптическихволн преобразуется в поверхностнуюоптическую волну преобразователем9 и подается на сканер 8, где происходит его отклонение на некоторый,угол, зависящий от частоты управляющего сигнала, поступающего...

Номер патента: 1635240

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Воронин

МПК: H01Q 21/00, H01Q 3/26

Метки: планарная, радиооптическая, решетка

...- координаты пп)-го элемента,Сигналы 1 возбуждают в соответствующих каналах АОМ 3 ультразвуковые волны,которые модулируют оптическую плотностьего звукопроводов 4 и тем самым коллими рованный пучок света Ео, просвечивающий АОМ 3. Благодаря специальной ориентации АОМ 3 под углами а и 3 к осям Х и У оптический сигнал, формирующийся непосред ственно эа АОМ 3, имеет специальныйформат, типа показанного на фиг, 2. Здесь п)т)-й сигнал (1) пространственно развернут в щ-м звукопроводе, который отображен в виде а-й прямоугольной полосы, располо женной в и-й группе из М полос общей ширины ОХ. Благодаря выбранным углам а и 3 полосы не наплывают друг на друга, т,е. имеет место однозначное соответствие между элементами АР 1 и укаэанными поло сами, Это...

Номер патента: 1272927

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Татьянин

МПК: H01L 29/73

Метки: планарная, структура, транзисторная

...заряда основных носителей ТЬка - электронов), расположенной в высакаомцой полупроводниковой 2 подлояскепленарной базовой аблас" тц 2 второго типа проводимости, эмгсттерцых областей 3 первого типа проводимости, йасснвирующего Обнасти с поверхности структуры, днэлектри" 25 ческога покрытия се толщиной с 1 ц с положительным знаком пастолцйага заряда коцтагстцьхх огсац 5 ц 6 соответственно к базовой и эмиттерцой Облас лм ц метахглпзцрОезаглньпс к ц 1 гм кантк" ЗО тов 7 и 8, 9 в , граница не расппгреннай эа пределами контактов базовой 7 и эмцттерцой 8 металлизацней, а 10 и, 1 - расширенные вне контактов и базовой облстц соответственно безовыс и эмиттерцые металлизированные контакты с постолццой длиной а12 и пснрцной /с 1 13 промежутка...

Номер патента: 1639364

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борзенко, Вдовин, Касумов, Кислов, Кононенко, Кудряшов, Матвеев

МПК: H01L 39/24

Метки: планарная, сверхпроводящая, структура

Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное