H01L 29/80 — с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n перехода или другого выпрямляющего перехода

Номер патента: 650132

Опубликовано: 28.02.1979

Автор: Тагер

МПК: H01L 29/80

Метки: полевой, транзистор

...из известных методов эпитаксиального выращивания гетероструктур (газофазным, жидкостным или молекулярным) формируется трехслойная структура. Основным критичным параметром в этой структуре является толщина внутреннего полупроводникового слоя 3, определяющая длину канала затвора транзистора, Исходными материалами для этой структуры могут служить полупроводниковые соединения с близкими постоянными решетки, например высокоомные арсенид галлия и твердый раствор арсенид галлия - арсснид алюминия.Многослойную полупроводниковую пластину разрезают на отдельные кристаллы; одну из поверхностей каждого кристалла, нормальную к границам эпитаксиальных слоев, подвергают чистовой обработке (шлифовке, полировке), обеспечивающей обычное для...

Номер патента: 1221690

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Кремлев, Мурашев

МПК: H01L 29/80

Метки: полевой, транзистор

...1, от подложки до области затвора и расстояние от области затвора до приповерхност ной высоколегированной области: отко Условия (1) и (2) означают, чтов предлагаемом устройстве при низком 25 уровне напряжения на области 6, непревышающем /Оо/ ОПЗ 3, и д в слоесмыкаются, а ОПЗ 4, и / в областизатвора 5 не смыкаются, так что полевой транзистор закрыт и между об 3 р ластями стока и истока отсутствуетканал в слое 2 для протекания тока.Когда напряжение на области б, равноили превышает величину 10 отх, то ОПЗ3, и 0 не смыкаются, а ОПЗ Зо исмыкаются. При этом в слое 2существует канал и полевой транзистор открыт.При указанных параметрах слоев ви областей полевого транзистора на" 40пряжение 0 составляет величину 0,1 т0,5 В, напряжение Ц" 1-3 В, а...

Номер патента: 1698919

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Кузнецов, Новиков, Пахомов, Стрижевский

МПК: H01L 29/80

Метки: полевой, полупроводниковый, прибор

...стока и затвора. 1 ил,реход 7,Второй управлякя-,яй Р-г-перехоц 7 располсжеч на расстся чи ст областп истока 4, превышающем ширину области пространственногс заряда управляющего р-л-перехода, во избежание ее короткого замыкания с областью истока и невозможности получения р жима лавинного пробоя.Пслупровоцниксвый полевой прибор работает следующим образом.Обласги 4 и 5 и затвор б подключаются к электронной схизме (не показа на) в соответствии с функциональным назначением прибора, а к дополнительному р-и-переходу 7 псдключают источник пробивного напряжения, с помощью которогс управляют током лавинного пробоя. Изменением ток лариного1 б 98919 Составитель В.Кремленсина Техред д,Олийнык Кор Редактор С Н.Ревская Заказ 4398 ПИ Госу Тираж...

Номер патента: 1649973

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Полторацкий, Родионов, Свешников, Шмелев

МПК: H01L 29/80

Метки: инвертор

Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости...

Номер патента: 1549419

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий, Савченко

МПК: H01L 29/80

Метки: интерференционный, квантовый, полевой, транзистор

Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).

Номер патента: 1577633

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 29/80

Метки: баллистический, транзистор

Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенной от эмиттера на расстоянии 0,1 - 5 мкм.