H01L 21/31 — с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии

Номер патента: 316135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Викин, Королев, Кравцова, Малькова

МПК: H01L 21/31

Метки: высокочастотного, кремниевого, планарного, транзистора

...производят в атмосфере сначала влажного, а затем сухого кислорода, причем время пропускапия влажного кислорода по предлагаемому способу увеличено. Пропускание сухого кислорода в конце процесса диффузии способствует уплотнению слоя стекла и уменьшению количества растворенной в нем воды, Таким образом, фосфорносиликатное стекло в предлагаемом способе не только не удаляют с поверхности окисла, но принимают ъ 1 еры для увеличе 1 гня толщины и повышения плотности его слоя, После образования слоя фосфорносиликатного стекла на поверхности окисла кремниевую пластину дважды помещают в кипящую азотную кислоту и держат ее там до полного ооесцвечивания кислоты. Затем пластину погружаот на 2 - 5 1 ин в кипящую серную кислоту. В известном спосоое...

Номер патента: 329501

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Багратишвили, Ков, Крикун, Кулагин, Шиошвили

МПК: H01L 21/31

Метки: 329501

...двуокиси кремния (и=1,4 б 2) и оптического стекла (п=1,5153), обычно используемого в качестве стеклянной основы фотошаблона, не достигается увеличение разрешающей способности фотошаблона. жим нанесения пленок нитрн акуумной давление азота вО 10 з лтлт рт. ст.;аподный ток /и =1 -напряжение распыл)рпсп -тишенп 90 -95 ма; итрида си сремнпя в процессе оса нки нитрпд крсх Испы попов, з се конт 5 лона с залп ув ного та НПЮ С 1 раз, а р 0 два разляется повышение ающей способности тания металл ащищенпых п актирования полупроводпп елпченнс нзно спм образом ф езащнщенным азрешающей с зовапием в качсстенки нитрида кремющейся микротвери коэффициентом Целью изобретения зносостойкости и разрфотошаблона. Достигается это исполь е защитного покрытия...

Номер патента: 824345

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Дубинин, Маневич, Никитина

МПК: H01L 21/31

Метки: литографиии, рентгеновской, шаблон

...использование другого материала, имеющего коэффициент термического расширения, равный коэффициенту терми" ческого расширения пластины, на которой проводится литография сиспользованием шаблона), закреплена по периметру шаблона к металлической 60 решетке 4. В ячейках решетки 4 расположена полимерная мембрана 2, расчлененная решеткой 4 на отдельные зоны, по сути самостоятельные мембраны. В тело мембраны заподли-цо утоплен маскирующий рисунок 3 шаблона.Пример реализации способа изготовления шаблона для рентгеновской литографии.На полированную стеклянную подложку методом вакуумного напыления наносят слой алюминия толщиной 0,2- 0,3 мкм.Поток слоя алюминия типовой Фотолитографией формируют маску из фоторезиста .и электролитическим...

Номер патента: 1326119

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Шкляев

МПК: H01L 21/31

Метки: кремния, оксида, пленок

...с давлением остаточных газов - 10 Па. В качестве источника Б).О используют пластины кремфния с,ориентацией поверхности (100),удельным сопротивлением .1 Омсм иразмерами 20 50,6 мм. Пластины устанавливают в танталовые зажимыи нагревают пропусканием тока. Напротивпластин на расстоянии 120 мм на одномиэ электродов устанавливают подложку.Осаждение пленок прОводят при температуре подложки 300-350 К, Кислороднапускают в реакционную камеру с помощью, вентиля-натекателя, содержаниепримесей в нем менее 13, ПроводятОсаждение пленки в следующем режиме:мощность высокочастотного разряда И=2= 4 Па. Пленка растет со скоростью:86 А/мин.П р и м е р 2. Осаждают пленкив режиме Ч = О,З,Вт/смф Т = 1550 Кк Р = 1 15 Па, Скорость ростапленки .40 А/мин.П р.и...

Номер патента: 1618158

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Генцелев

МПК: G03F 7/20, H01L 21/31

Метки: маске, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...критическому углу, соответствующему явлению полного внутреннего отражения электромагнитного излученияот границы рабочая поверхность маски -вакуум зазора.Для получения максимальной интенсивности излучения на выходе каждого светопровода угол 3 между ограничивающимиплоскостями призм 8 определен из законаСнелла/3 = дГС 1 П (П 1/П 2 З 1 ПГХ)где п 1 и п 2 - соответственно показателипреломления материала маски 1 и подложки2.Нормальчое по отношению к входнымграням призм 7 направление хода электромагнитного излучения от источника 5 задают оптическим блоком 9, расположенным напути хода лучей от источника 5 к призмам 7.Устройство для совмещения рисунка намаске с рисунком подложки работает следующим образом,Излучение от источника 5 падает...

Номер патента: 1734135

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Гуринович, Жукович, Самаль

МПК: H01L 21/31

Метки: вакуумного, столика

...нанесением на рабочую поверхность износостойкого покрытия,На фиг. 1 приведено основание с маской; на фиг.2 - устройство, выполненное предлагаемым способом, сечение; на фиг, 3 - опорный элемент с маскирующим покрытием; на фиг. 4 - устройство, общий вид,Суть способа заключается в следующем.Поверхность основания 1 (фиг. 1) из ситалла методами механической шлифовки и полировки доводят до требуемой неплоскостности, далее через маску в виде замкнутого контура 2 и круглых площадок 3 (фиг. 1) удаляют материал основания, причем на не- подвергающихся удалению участках формируют опорные элементы 4 в виде усеченных конусов и замкнутый ободок 5 (фиг. 2),В процессе удаления материала основания одновременно формируют замкнутый ободок, вакуумную камеру...

Номер патента: 2004037

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Аверин, Андреев, Кмита

МПК: H01L 21/31

Метки: микрорельефа, формирования

...соответствующих 5 полоскам изготавливаемой решетки, составляет 1,2 мкм, расстояние между этими участками составляет также 1,2 мкм. После экспозиции вскрывают в фоторезисте окна путем его обработки в 0,5 КОН и вытравли вают открытые участки первого рабочегоспал металлизации. Сначала травят слой золота раствором, содержащим 400 г йодистого калия и 100 г йода на 400 мл воды.Травление ведут в течение 30 с. Затем уда ляют подслой хрома путем травления еговодным раствором соляной кислоты (концентрации 1:1) в течение 5 с. При указанном. режиме травления происходит "подтрав"участков первого рабочего слоя 2 металли зации под участками слоя 3 фоторезиста,При этом, образуются "козырьки" фоторезиста (см. фиг, 2) ндд свободной от метаплизации...

Номер патента: 795326

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 21/31

Метки: защитная, маска

ЗАЩИТНАЯ МАСКА для получения на полупроводниковых монокристаллических пластинах (100) меза-структур с прямыми углами, стороны которых ориентированы по направлениям (110), содержащая на вершинах прямых углов фигуры, предотвращающие их растравливание, отличающаяся тем, что, с целью экономии материала пластин при анизотропном травлении, фигуры на вершинах прямых углов выполнены в виде Т-образных фигур, стороны полосок которых ориентированы по кристаллографическим направлениям (110).

Номер патента: 1220516

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Белов, Ваганов

МПК: H01L 21/31

Метки: защитная, маска

1. ЗАЩИТНАЯ МАСКА для группового создания на кремниевой подложке (100) прямоугольных мезаструктур малых размеров, со сторонами ориентированными вдоль направлении < 110 >, локальным анизотронным травлением, содержащая Т-образный фигуры упреждения с узким и широким лучами, стороны которых ориентированы вдоль направлений < 110 >, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, узкий луч Т-образной фигуры соединяется с маскированной областью, ограничивающей лунку травления, широкий луч Т-образной фигуры располагается вдоль стороны маски мезаструктуры, ширина промежутков, отделяющих этот луч от других элементов маски, определяется разрешением...

Номер патента: 615787

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин

МПК: H01L 21/31

Метки: пленок, твердых

Способ получения пленок твердых материалов путем распыления материала мишени ионами инертного газа с последующим осаждением на подложку в высоком вакууме триодной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества наносимых пленок, на подложку подают потенциал термокатода, к мишени прикладывают напряжение 500 - 1000 В относительно подложки, а плазму формируют в области под подложкой, при расстоянии между подложкой и мишенью 0,5 - 1 см.

Номер патента: 1840192

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Алехин, Варламов, Дрозд, Емельянов

МПК: H01L 21/31

Метки: диэлектрик-полупроводник, кадмий-ртуть-теллурид, создания, структуры

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышениях стабильности характеристик структуры, слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст и выдержке не менее 0,1 с.