H01L 21/363 — с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления

Номер патента: 113403

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Пинес, Фистуль

МПК: H01L 21/363

Метки: детекторных, кристаллов, сверхвысоких, частот

...кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему 1 а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 3, Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до 1 емпературы...

Номер патента: 508973

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Васильев, Гойденко, Дайнеко, Погоцкий

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон, эталонный

...шК-З 5, уи(с:,.5( ил . л. 4,. ПО исиоеССС Сл "(ио . Т(Л(Чф 5 1 ц"дъа должца бы) ь и,"Б( р:1 з,( Выше любОГО .1;1 кровыступа, цаход 1 цсгос 51 В зо;1 е (;)або 10) ф(1 Пи(1 б;10 иа, ч Г(н)ы искл(очить исиосрсдсВси. (ли жцтк Г жду рабОЯИ 1 И зц(1 м 5 ф 01(- шаблонов ири кот(1 к гной печати. Отс(ода И 1)сдъЯВл 5110 Гс 51 1 РСООВаии 51 и иод,Ожк 51 м, с"(еклОпластииа(1, примец 51 емьм при изГОтов,101 Пи фотошаблонов. Неровности подложки задаются, как ПЗВестцО, ее ГеплосОстиость 10 (Отк(10- цеиием От идеалы 101 11 лОскости 1,В результате, например, для изготовлсшя фотошаОлоцОВ с мииимальцьми размсрами элементов 5 - 8 мк Высоту опорных прсдохраиительцых плГщадок иеобходимО Выбрать О,б - 1,0 мк и использовать для изготовления фотошаблоцов...

Номер патента: 508974

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Корнюшин, Оренман, Фандеев

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон

...спектра, в которой производят совмещение, и непрозрачного для экспонирующего излучения.На чертеже изображена схема фотошаблона с базовыми метками.На нерабочей стороне фотошаблона 1 на ния.Совмещение полупроводниковой пластины,покрытой фоторезистом, с фотошаблоном производят по базовым меткам. Возможность сов мещения обеспечивается прозрачностью защитного покрытия в видимой области спектра.Затем полупроводниковую пластину вводят в контакт с фотошаблоном и экспонируют.Участки пластины, на которых расположены 15 базовые метки, остаются неэкспонированнымиблагодаря защитному покрытию и поэтому при проявлении и травлении они остаются покрытыми фоторезистом, то есть пригодными для следующей фотолитографии.20 Таким образом, неограниченное...

Номер патента: 775761

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Кикиниши, Семак, Туряница

МПК: G03H 1/18, H01L 21/363

Метки: изображения

...сдвигается линейно с -ПФ =1,3 10Еаэ В/град в сторону длинных волн, обес 45 печивая достаточное поглощение. записывающего света. После охлаждения край поглощения сдвигается в обратную сторону, поглощение уменьшается и свет Л =0,633 мкм уже считывает в основном Фазовую запись, без аэрушения самой голограммы.Недостатком такого способа является, в первую очередь, необходимость работы с толстыми полированными пластинами объемного стекла, получить которые однородными, с достаточно большими размерами практически трудно. Во-вторых, система инерционна в связи с необходимостью нагревания большого объема. Далее, в результате записи образуется негатив, т. е. под действием света происходит потемнение стекла, что исключает эффективную работу...

Номер патента: 774476

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Аверкиева, Грехов, Костина, Прочухан, Семчинова

МПК: H01L 21/363

Метки: полупроводниковых, структур

...95 мг фосфора, Ампулу вакуумируют, запаивают и помещают в печь, позволяющую на определенном этапе отжига создавать градиент температуры, Ампулу нагревают в изотермических условиях до 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 1 ч, проводят охлаждение в режиме выключенной печи до 450 С, а затем продолжая охлаждение, создают градиент температуры 10"/см с таким расчетом, чтобы кремниевая пластинка и тигель находились в более горячей зоне, а остаточный фосфор отгоняли в более холодную зону.Установлено, что при этом на поверхности кремниевой пластинки с исходным дырочным типом проводимости (р 20 ом см) образуется слой с электронным типом проводимости, Исследования на микрорентге 10 15 0 25 30 35 40 45 новском анализаторе позволили...

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов

МПК: H01L 21/363, H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...

Номер патента: 1424634

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Белецкий, Вайсбурд, Орлов, Чмух, Шемендюк

МПК: H01L 21/363

Метки: радиационной, транзисторов

Способ радиационной обработки транзисторов, включающий облучение пластин с транзисторными структурами протонами и термообработку при температуре от 400 до 450oC, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и упрощения технологии изготовления транзисторов, пластины с транзисторными структурами облучают протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины и дозой от 7 1013 до 25 1013 см-2, а термообработку проводят в течение от 20 до 30 мин.