Патенты с меткой «кремниевого»

Номер патента: 135226

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Демидов, Косарев

МПК: B04B 3/08, C22B 21/00, C22C 3/00 ...

Метки: алюминиево, алюминия, кремниевого, сплава, цинком, экстрагирования

...самотеком, а твердая фаза - принудительно при помощи винтовой поверхности 2.Для перемещения твердой и жидкой фаз служат вмонтированные между Витками винтовой поверхности 2 продольные полки 3, которые при вращсшш барабана непрерывно захватывают смешпваемыс фазы, подпимая их вверх и затсм сбрасывая вниз,Процесс нспрсрывпого экстрагирования внутри барабана протекает последовательно в трех зонах. По желобу 4 в зону сплавленпя и образования твердой фазы б поступает кремнсалюминисвый сплав. Навстреу ему противотоком пап)рсВляетс 51 цинк пз 30 ны промзвки твсрдс 1 фазы 6, куда он заливается прп температуре 600 - 650. Зоны б и 6 о;лажда)отся снаружи проточпой водои, так как первичный сплав пост)пает сильно перегретым. Образовавшаяся в зоне 6...

Номер патента: 151399

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/88

Метки: вывод, кремниевого, полупроводникового, прибора, электродный

...соединен с торцом отрезка проволоки из серебра путем сплавления в вакууме,В кассету 1 из графита (см. чертеж) закладывается серебряный столбик 2, а на него алюминиевый столбик 3. На столбик д накладывается кристалл 4 кремния с прокладкой 5 из золота.Точный режим сплавления следующий. Кассета 1 загружается в кварцевую трубу, При вакууме около 10 4 л 1,и рт. ст, на трубу надви гается трубчатая печь, нагретая до 900 Когда температура кассеты будет 600 - 610, печь сдвигается, После охлаждения кассета 1 вынимается из трубы и разгружается, В данном случае контактное сплавление ве,1 ется в вакууме, поэтому спай алюминий - серебро не подвержен коррозии, Основное внимание уделяется получению хорошего сплавления алюминия с кремнием,т...

Номер патента: 240111

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Носов, Цыбульников

МПК: H01L 21/383

Метки: быстродействующего, диода, кремниевого

...необходимо повышать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - а-перехода. С другой стороны, для уменьшения емкости диода и увеличения пробивного напряжения необходимо снижать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - п-перехода, так как это вызывает уменьшение градиента концентрации акцепторов в нем,Для выполнения указанных противоречивых требований предлагается проводить диф фузию в три стадии. Режим первой и второйстадии выбирают по известным соотношениям так, чтобы поверхностная концентрация не была слишком большой. Это обеспечивает малую емкость, Затем проводят третью ста дию, при которой поверхностная концентрация увеличивается до значения, соответствующего предельной растворимости (выше 5 10 с см - в), но...

Номер патента: 316135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Викин, Королев, Кравцова, Малькова

МПК: H01L 21/31

Метки: высокочастотного, кремниевого, планарного, транзистора

...производят в атмосфере сначала влажного, а затем сухого кислорода, причем время пропускапия влажного кислорода по предлагаемому способу увеличено. Пропускание сухого кислорода в конце процесса диффузии способствует уплотнению слоя стекла и уменьшению количества растворенной в нем воды, Таким образом, фосфорносиликатное стекло в предлагаемом способе не только не удаляют с поверхности окисла, но принимают ъ 1 еры для увеличе 1 гня толщины и повышения плотности его слоя, После образования слоя фосфорносиликатного стекла на поверхности окисла кремниевую пластину дважды помещают в кипящую азотную кислоту и держат ее там до полного ооесцвечивания кислоты. Затем пластину погружаот на 2 - 5 1 ин в кипящую серную кислоту. В известном спосоое...

Номер патента: 520060

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Альфред

МПК: H01L 31/18

Метки: кремниевого, электронного, эмиттера

...иной способноэффективности а предложеноводить при по С в течение ующие прогретуре,щения эмисси повышенияости эмиттеркремния прои атуре 1100 в рой и послед изкой темпер С целью павысти вследствиеочистки поверхнпервый прогреввышенной темпер3 - 30 сек, а втовы - ,при более н фотоэле- обладаюродством, ных опе- миттером Изобретение относится к электроннои нике, в частности к способам изготовл электронных эмиттеров.Известны способы изготовления электронных эмиттеров с отрицательным электронным сродством на основе монокристаллического кремния, включающие мнотократное повторение циклов нагрева и сенсибилизации при одновременной очистке его поверхности ионной боибардировкой, Однако известные способы очистки поверхности кремниевого...

Номер патента: 591084

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Дьяченко, Серегина

МПК: H01L 21/02

Метки: детектора, кремниевого, поверхностно-барьерного

...детектора. На пленку накладывают кольца из посеребренной латунной Фольги 3, соответствующие размерам колец из пленки. Получен ную сборку нагревают под небольшим давлением 0,1 кГ/см до температу- ры размягчения поливинилбутераля (160-180 РС) и затем охлаждают до комнатной температуры. В результате тепловой обработки сэндвич склеивает" ся, верхняя и нижняя пленка оплавляют боковую поверхность кристалла, а по периметру рабочей поверхности детектора выступает слой пленки 4, создающий плавный переход между ра бочей поверхностью кристалла и металлической фольгой. На сборку с обеих сторон вакуумным на 11 ылением наносят слой 5 металла, например золота. Толщина готового детек- б 5 тора составляет 0,3 мм, рабочая площадь равна 706 мм.Кольца...

Номер патента: 878191

Опубликовано: 30.10.1981

Автор: Манфред

МПК: C03C 17/30

Метки: кремниевого, нанесения, покрытия, смесь, стекло

...принятакомпенсация подцвеченности стекла при помощи сравнения подцвеченных образцов стекла, имевших покрытие и не имевших его. Подцвеченное стекло было заменено прозрачным плоским стеклом толщиной 6 мм.В табл. 2 приведены оптические свойства образцов прозрачного известково-натриевого силикатного стекла толщиной 6 мм, изготовленного на ванне расплавленного металла и имевшего покрытие, эквивалентное полученному на подцееченном стекле.Пока соотношение этилена к силану в газе не превышает 0,1, свойства покрытого стекла не изменяются в значительной степени по сравнению со свойствами образца 1, покрытие на которое было нанесено без присутствия этилена в силансодержащем газе.При повышении содержания этилена имеет место равномерное повышение...

Номер патента: 904513

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Бернард, Джозеф, Роберт, Чарльз

МПК: C03C 17/30

Метки: кремниевого, покрытия, способа

...-ней части трубопровода 23,Подаваемая таким образом, охлаж -дающая вода охлаждает детали 23, 24и 27, что обеспечивает жесткостьконструкции газораспределителя, апоток содержащего силан газа черезканал 27 поддерживается при температуре, равной примерно температуреохлаждающей воды, т.е. 40-50 оС,Камера 29 располагается в нижнейчасти гаэораспределителя, в ее центральной части, и по длине соответствует самой широкой, подлежащей покрытию ленты стекла в процессе еепродвижения вдоль ванны. Продолговатая прорезь 26 поэтому пролегаеттолько в центральной части каналаподачи газа 27 и в направлении обоихконцов этого канала, т.е. за пределами камеры 29 канал подачи газа 27и канал подачи охлаждающей воды 24имеют непрерывное основание, образованное...

Номер патента: 1647235

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Суханов

МПК: G01B 7/18

Метки: дрейфа, интегрального, компенсации, кремниевого, нуля, температурного, тензомоста

...- величину температурного дрейфа нуля, по- знаку которой выбирают тензорезисторы 1, сопротивления и температурные коэффициенты сопротивления (ТКС) которых надо изменить для компенсации этой погрешности, и осуществляют зто изменение путем полного или частичного удаления с поверхностей выбранных тензорезисторов слоя двуокиси кремния с использованием, например, методов фотолитографии. Используя соответствующий набор фотошаблонов с различным размером окна, можно снимать двуокись кремния с поверхности тензорезистора дискретными частями и тем самым достаточно плавно осуществлять требуемую регулировку.1647235 Составитель В. Мелузоваактор Г. Наджарян Техред М,Моргентал Корректор М ик Заказ 1645 Тираж 392 Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1691908

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Косогоров, Макеев, Михайлов, Шпилев

МПК: H01L 21/20

Метки: кремниевого, прибора, узла

...прочностных (усилие разрушения), эксплуатационных (количество термоциклов) и,8 60 24 оставитель Е. Пановехред М.Моргентал Корректор А.Осауленк Каленска Реда кто Заказ 3932 Тираж ПодписносВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при гК113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 СССР Производс 1 венно издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 стояние от края пластины менее 1 глм рекристаллизационного кремния может выйти на торец соединяемых деталей, что приводит к разрушению узла,Г 1 р и м е р, На пластинах из монокристаллического кремния КЭФ 4,5 ориентации (100) толщиной 300 мкм,0 60 мм с двусторонней полировкой формировали полости путем группового травления в 30; кипящем растворе едкого кали (КОН),...

Номер патента: 1794934

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Бевз, Голубева, Крылова, Сулейманова

МПК: C04B 35/58

Метки: водного, кремниевого, шликера

...мелющих тел в течение 5-30 мин, Продолжительность процесса определяется достижением однородности суспензии состабильными вязкостью и плотностью, чтоне обеспечивается при продолжительности менее 5 минут. При длительности смешения сверх 30 мин начинается процесс мокрого помола кремния, сопровождаемый нараста 101520303540 химической стабилизации должна быть неменее 100-120 ч, Более длительная стабилизация экономически нецелесообразна,Полученный шликер имеет следующие характеристики;Объемное содержание твердойфазы % 57,6-61,8Плотностьшликера, г/см 1,76-1,82зВлажность шликера, мас.% 21-24Показатель концентрации водородных ионов, рН 5,0-5,6Условная вязкость. е 2-4.5Шликер отличается высокой стабильностьюсвойств, седиментационной...

Номер патента: 2003204

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Назаров

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, монтажа, плате

...вышеуказанных материалов, в качестве лазера 10 могутиспользоваться лазер на СО (длина волны15 излучения 5 - б мкм, поглощение в монокристалле кремния - 1,610 см) или лазер наСО 2 длина волны излучения 10,4 мкм и 9,4мкм, поглощение в монокристалле кремния- 1,8 см). В обоих случаях кристалл 1 может20 считаться прозрачным для излучения 11 лазера 10, Коэффициент поглощения двуокисикремния намного больше коэффициента по-глощения монокристаллического кремниядля данных типов излучения,Излучение СО 2 - лазера с длиной волны9,4 мкм особенно эффективно поглощаетсяслоями двуокиси кремния, что может позволить производить сварку контактов с наи. меньшими энергетическими затратами.Общеизвестно свойство алюминия образовать на воздухе...

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Номер патента: 1533135

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов

МПК: B23K 1/20

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.

Номер патента: 1373084

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Игнатьев, Ильина, Насыров, Шишенин

МПК: G01B 15/02

Метки: детектора, кремниевого, области, полупроводникового, толщины, чувствительной

...то более удобным являетсяопределение суммарного числа отсчетов впике а,2:и за один отсчет монитораисточникд, что дополнительно у.прощаетизмерения и не треоует проведения специальной-градуировки нейтронного источникапо флюенсу. По полученным значениям Хи известным для каждого детектора значению% строится градуировочный график Х%) (фиг. 3), который используется вдальнейшем для всех измеряемых детекторов. Измеряемый кремниевый детектороолу.чается флюенсом нейтрон в с той жеэнергией. Регистрируется число отсчетовимпульсов а, Определяют значение хс;,15 . 5характерное реакции81(п,а.) М., и поЕаоХ =формуле определяют величину Х,Значение Б берут из паспортных данных наППД 1. По известному Х и градуировочномуграфику определяют толщину %...

Номер патента: 1827143

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию базовой примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры на глубину h, предварительную диффузию эмиттерной примеси n-типа проводимости в базовую область с формированием эмиттерной области n+-типа проводимости, совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, в результате которой получают транзисторную n+-p-n-n-структуру с шириной активной базы Wакт, глубиной базовой области Н и глубиной эмиттерной области L, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров транзистора, предварительную диффузию базовой примеси проводят в течение 1-40 ч при 1100-1250°С на глубину...

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...

Номер патента: 1828720

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Акимов, Бобылев, Глущенко, Иванов

МПК: H01L 21/04

Метки: кремниевого, планарного, прибора

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.

Номер патента: 1351018

Опубликовано: 20.08.2004

Авторы: Беланчук, Гликман, Горин

МПК: C03C 17/30

Метки: кремниевого, покрытия, стекле

Устройство для получения кремниевого покрытия на стекле, вырабатываемом на поверхности расплавленного материала, содержащее расположенную поперек ленты стекла в ванне с расплавом камеру с трубопроводами подачи и отвода газового реагента, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытия за счет обесщелачивания поверхности стекла, передняя стенка камеры по ходу движения ленты снабжена токоподводом, электроизолирована от остальной камеры, металлизирована в нижней части над лентой стекла, а в зазор между ними помещен расплав металла.

Номер патента: 1566912

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Демещук, Перожок

МПК: G01P 21/00, H01L 21/00

Метки: акселерометра, кремниевого, сборки

Способ сборки кремниевого акселерометра, заключающийся в последовательном сопряжении друг с другом элементов акселерометра и взаимной их фиксации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности сборки и снижения себестоимости производства, последовательное сопряжение друг с другом элементов акселерометра и взаимную их фиксацию проводят в деионизированной воде, а после взаимной фиксации элементов удаляют из акселерометра остатки жидкости просушиванием при повышенной температуре.

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.