Способ осаждения слоев тугоплавких металлов

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 792271

Опубликовано: 30.12.1980

Автор: Данилов

МПК: G06K 9/00

Метки: диэлектрической, контура, металлизированного, подложке, полупроводниковой, рисунка, слоя

...подложке,заключающемся в формирова. нии сигнала зондирования при сканировании рисунка и регистрации отраженного светового потока, его сканирование осуществляют пучком линейно-поляризованного света, вектор электрического ноля которого параллелен плоскости подложки, а угол падения соответствует утлу Брюстера.Сущность изобретения состоит в использова. иии явления поляризации при отражении света от полупроводниковых и диэлектрических материалов. Известно, что свет представляет собой электромагнитные волны. Векторы напряженностей Е и Й электрического и магнитных полей этих волн колеблются перпенди 30 кулярно друг к другу и вектору скорости распространения волны 7, т,е. электромагнитные волны являются поперечными.Если вектор Е в...

Номер патента: 1007764

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Белицкая, Белицкий, Лазаренко, Мервинский, Николайчук, Яхимович

МПК: B08B 3/10

Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного

...температуре.П р и м е р 1 (прототип). Фото" полимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы после печатания тиража укладывается в ванну с 1-ным раствором едкого натра, подогретым до 45 С. После выдерживания в течение 60 .мин фотополимерный слой отделяется от металлической подложки протиранием металлической щеткой в течение 5 мин. На металли 5 10 ческой подложке после промывания водой обнаружены очаги коррозии.П р и м е р 2 (известный).Фотополимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы подвергается кипячению в водопроводной воде на протяжении 80-100 мин, после чего фотополимерный слой частично отделяется от металлической подложки немедленным протиранием с усилием металлической щеткой в течение 10-15 мин.П р...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1824014

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Домбровский, Сарычев, Турцевич, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: осажденных, помощью, проводящих, профилометра, селективно, слоев, толщины

Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, диэлектрическое покрытие на подложке формируют толщиной, удовлетворяющей соотношению: 0,1 h/H 0,8,где h -...