Глущенко

Номер патента: 1840971

Опубликовано: 20.11.2014

Авторы: Глущенко, Скорик

МПК: G01R 23/16

Метки: анализатор, спектра

Анализатор спектра, содержащий последовательно соединенные входной смеситель и дисперсионную линию задержки, последовательно соединенные входной сумматор, недисперсионную линию задержки и усилитель, выход которого связан с первым входом коммутатора, последовательно соединенные частотно-модулированный гетеродин, импульсный генератор, делитель частоты и линия задержки, выход которой связан со вторым входом коммутатора и первым входом индикатора, а также модулятор сдвига, своим выходом подключенный к третьему входу коммутатора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности анализа, он снабжен последовательно соединенными смесителем, фильтром, второй линией задержки, вторым смесителем, вторым своим входом связанным со вторым выходом...

Номер патента: 1536642

Опубликовано: 20.04.2005

Авторы: Глущенко, Замков, Коломенский, Пешков, Родионов, Рощупкин, Чучупал

МПК: B23K 20/14

Метки: диффузионной, конструкций, сваркой, сотовых

Способ изготовления диффузионной сваркой сотовых конструкций, содержащих обшивку и сотовый заполнитель, при котором заготовку сотового заполнителя перед формовкой подвергают нагреву в вакууме выше температуры полиморфного превращения, располагают ее между обшивками, сборку нагревают до температуры, не превышающей температуры полиморфного превращения материала обшивок, сдавливают и осуществляют изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества сварного соединения путем получения мелкопластинчатой структуры, нагрев заготовки сотового заполнителя осуществляют в течение 5-40 с при температуре выше температуры превращения на 20-150°С.

Номер патента: 1401749

Опубликовано: 20.04.2005

Авторы: Глущенко, Гусев, Коломенский, Родионов, Чучупал

МПК: B23K 20/26

Метки: диффузионной, конструкций, сварки, тонкостенных

Устройство для диффузионной сварки тонкостенных конструкций, содержащее корпус и крышку, выполненную в виде мембраны, соединенные фланцами, отличающееся тем, что, с целью повышения качества свариваемой конструкции путем устранения краевых непроваров и деформаций, рабочая зона крышки выполнена высотой, равной 0,4-0,6 ее толщины, а ширина фланцевa 0,025 L + 25,где L - длина рабочей зоны корпуса, мм.

Номер патента: 1457291

Опубликовано: 20.04.2005

Авторы: Глущенко, Коломенский, Коробченко, Никголов, Рощупкин

МПК: B23K 20/14

Метки: диффузионной, конструкций, сварки, слоистых

Способ диффузионной сварки слоистых конструкций, при котором свариваемые заготовки размещают в контейнере, герметизируют его по периметру, создают в нем инертную атмосферу и нагревают контейнер в неконтролируемой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения качества сварки путем уменьшения окисления свариваемых деталей, на наружную поверхность контейнера перед нагревом наносят высокотемпературное герметизирующее покрытие.

Номер патента: 1239977

Опубликовано: 10.04.2005

Авторы: Глущенко, Кузьмин, Михайлов

МПК: B64F 5/00

Метки: агрегата, аппарата, летательного, сборки

Приспособление для сборки агрегата летательного аппарата, содержащее каркас, состоящий из верхней и нижней балок и вертикальных стоек, рубильники и кронштейны крепления рубильников к каркасу, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости изготовления приспособления и занимаемой производственной площади, оно снабжено горизонтальной направляющей, жестко закрепленной на верхней балке, роликом, перемещающимся по горизонтальной направляющей, поворотным рычагом, установленным на рубильнике, тросом, соединенным одним концом с осью ролика, а другим концом с рычагом, и качалками, шарнирно установленными на рубильниках вдоль троса, при этом в рубильнике в месте крепления его к балке выполнен...

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Акимов, Бобылев, Глущенко, Иванов

МПК: H01L 21/04

Метки: кремниевого, планарного, прибора

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.

Номер патента: 1492801

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Глущенко, Гординский, Кендис, Ковтуненко, Корыстина, Пасхина, Поздеев, Рахимкулов, Тихомиров, Юсупов

МПК: E21B 33/138

Метки: изоляции, пласта, состав

Состав для изоляции пласта, включающий нефть, бутадиенстирольный латекс, маслорастворимое поверхностно-активное вещество, этиленгликоль и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения изолирующих свойств состава за счет увеличения адгезионных и прочностных характеристик коагулянта при сохранении им устойчивости к желатинизации при отрицательных температурах, он дополнительно содержит карбамид и глицерин при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:Нефть - 37,00 - 70,00Бутадиенстирольный латекс (на с.о.) - 12,50 - 27,00Маслорастворимое поверхностно-активное вещество - 0,50 - 3,00Этиленгликоль - 0,85 - 1,70Карбамид - 1,70 - 3,40Глицерин - 0,85 - 1,70

Номер патента: 1783865

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Глущенко, Голубцов, Григорьев, Заворотов, Поздеев, Рахимкулов

МПК: E21B 43/27

Метки: зоны, кислотной, пласта, призабойной, состав

Состав для кислотной обработки призабойной зоны пласта, содержащий растворы соляной 15 - 36%-ной концентрации и плавиковой 30 - 50%-ной концентрации кислот и спиртовую добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологичности состава за счет снижения скорости его реакции с карбонатами при одновременном увеличении количества соляной кислоты, а также удешевления состава, в качестве спиртовой добавки он содержит полиглицидол технический бесхлорный при следующем соотношении ингредиентов, об.%:Соляная кислота 15 - 36%-ная - 45 - 83Плавиковая кислота 30 - 50%-ная - 2 - 15Полиглицидол технический бесхлорный - 15 - 40

Номер патента: 1686880

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Глущенко, Голубцов, Григорьев, Заворотов, Пархоменко, Поздеев, Рахимкулов

МПК: E21B 43/27

Метки: зоны, кислотной, пласта, призабойной, состав

Состав для кислотной обработки призабойной зоны пласта, содержащий раствор соляной кислоты и спиртовую добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств состава за счет снижения скорости его реакции с карбонатами при одновременном увеличении количества соляной кислоты в составе, расширения диапазона вязкости и плотности, а также удешевление состава, в качестве раствора соляной кислоты он содержит раствор соляной кислоты 15 - 36%-ной концентрации, в качестве спиртовой добавки содержит полиглицидол технический бесхлорный при следующем соотношении ингредиентов, об.%:Раствор соляной кислоты 15 - 36%-ной концентрации - 50 - 85Полиглицидол технический...

Номер патента: 1586231

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Глущенко, Земскова, Першко, Хабалов

МПК: C22B 60/02

Метки: концентрирования, разбавленных, растворов, урана

1. Способ концентрирования урана из разбавленных растворов, включающий сорбцию урана на углеродный сорбент и десорбцию, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества извлекаемого урана, упрощения процесса и улучшения экологии, сорбцию урана из растворов осуществляют при наложении на сорбент потенциалов, отстоящих от точки нулевого заряда поверхности на (-0,3) - (-1,3) В, а десорбцию - при потенциалах от точки нулевого заряда поверхности до +1,3 В относительно насыщенного хлорсеребряного электрода сравнения.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сорбцию ведут с использованием в качестве сорбентов модифицированных мезопористых углеродных сорбентов.

Номер патента: 1799207

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Агапова, Андреева, Глущенко, Неганов, Часовникова

МПК: H01P 1/38

Метки: волноводный, м-плечий, циркулятор

...работает следующим образом.Волны, падающие на область сочлене ния, возбуждают резонансные колебания в ферритовом элементе. При подмагничивании наблюдается циркуляция энергии из одного плеча в соседнее с высоким уровнем затухания по другим плечам. Для улучшения 25 характеристик необходимо сформировать дополнительное резонансное колебание, которое можно сделать с помощью дополнительного металлического штыря, который30Формула изобретения1. ВОЛНОВОДНЫЙ М-ПЛЕЧИЙ ЦИРКУЛЯТОР, содержащий размещенное в постоянном магнитном поле сочленение прямоугольных волноводов, в центре которого соосно установлены ферритовый элемент, согласующий трансформатор и металлический штырь, 4, отличающийся тем, что, с целью увелииграет роль реактивного элемента,...

Номер патента: 1709746

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Глущенко, Егорова, Лактионова, Липчин, Постников, Рощупкина, Ясинский

МПК: C22C 21/02

Метки: алюминия, износостойкий, основе, сплав

ИЗНОСОСТОЙКИЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ, содержащий кремний, медь, никель, магний, титан, железо, марганец, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств, жаропрочности и твердости, он дополнительно содержит молибден и цирконий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний 12,5 - 14,5Медь 2,0 - 4,5Никель 2,0 - 3,0Магний 0,4 - 0,9Молибден 0,2 - 0,7Титан 0,15 - 0,45Железо 0,1 - 0,9Марганец 0,1 - 0,5Цирконий 0,02 - 0,15Алюминий Остальное

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: n-p-n, вч-транзисторных, кремниевых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: полупроводниковая, структура

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Номер патента: 1347794

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Душкин

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, источника, легирования

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ , включающий теpмическую обpаботку пластин нитpида боpа в окисляющей сpеде, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности источника диффузионного легиpования, на пластины нитpида боpа наносят слой двуокиси кpемния и последующую теpмическую обpаботку пpоводят до полного пеpехода слоя двуокиси кpемния в каплевидные фоpмы боpсиликатного стекла пpи 1000 - 1200oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слой двуокиси кpемния наносят толщиной 0,5 - 1,5 мкм.

Номер патента: 1609133

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Великодворская, Глущенко, Метт, Могутов, Штутман, Юрьев

МПК: C12N 1/14

Метки: escherichia, бактерий, в-3223, вкпм, глюкозидаза, продуцируемая, штаммом

-ГЛЮКОЗИДАЗА, ПРОДУЦИРУЕМАЯ ШТАММОМ БАКТЕРИЙ ESCHERICHIA COLI ВКПМ В-3223, имеющая следующие свойства:субстратная специфичность - гидролизует паранитрофенил- -D-глюкозид (ПНФГ), целлобиозу и не гидролизует арбутин. Удельная активность при гидролизе ПНФГ - 150 ед/мг белка (за единицу активности принимают количество фермента, образующего 1 мкмоль паранитрофенола за 1 мин), целлобиозы - 6 ед/мг;мол. м. - 75000 5000 дальтон (при определении методом электрофореза в SDS - ПААГ);изоэлектрическая точка - 5,5

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 535771

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воинов, Глущенко, Морохов, Фарбер

МПК: C30B 31/06

Метки: кремния, окисления, пластин, термического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.

Номер патента: 633389

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/04

Метки: p-n-переходов, стабилизации

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ, включающий операции нанесения многослойного покрытия, фотогравировки, подтравливания слоев при вскрытии контактных окон, напыление металла и формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, подтравливание слоев производят на величину, превышающую клин травления и приводящую при напылении и формировании контактных площадок к деформации нависающих под клином участков защитного покрытия.

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Номер патента: 2005151

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Глущенко, Мацкевич

МПК: E04G 11/28

Метки: опалубка, подвижная

...шток 11 гидроцилиндра 7 с поворотными пластинами 3, жесткие тяги 12 регулируемые по длинекондуктором 13, связанные шарниром 14 споворотными пластинами 3 и входящие взацепление с двуплечими рычагами 15,16,соединенными между собой шарниром 17 всредней части, шарниром 18 со щитом-па;нелью 1 и шарниром 19 со стойкой,8, Стойка8 оборудована опорным приспособлением20, а щиты-панели 1 проемообразователями21 и уплотнителем 22,Шарниры 4 представляют собой оси,женка прикрепленные к поворотным пластинам и шарнирно к ригелям 5, При необходимости оси 4 удлиняют. Таким образом.оси 4 работают в качестве валов, соединяющих поворотные пластины 3 по одной стороне щита-панели, и предназначены дляпередачи крутящего момента на все поворотные пластины 3.В...

Номер патента: 2004562

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Савчишин, Широкий, Шкиль

МПК: C09B 35/56

Метки: тетракисазокрасителей

...техническое решение обладает следующими преимуществами;при достаточно высокой растворимости повышается выбираемость красителя на 25 , (по прототипу растворимость составляет 52-61 г/л, выбираемость - 53 - 57),; по предлагаемому способу растворимость - 29-34 г/л, выбираемость - 78 - 82;);повышается устойчивость окрасок к мок рым обработкам (см.табл.1).Кроме того, повышается термоустойчивость красителя (по прототипу содержание нерастворимого остатка при сушке красителя при 100 С -3;, по предлагаемому способу - 0,13); увеличивается выход красителя на 12,5 - 7,2 (по прототипу 68,4, по предлагаемому способу - 75,6 - 80,97.); упрощается .технология, исключаются стадии выделе ния, фильтрации и суспендирования,(56) Красители для текстильной...

Номер патента: 2004561

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Лучкевич, Савчишин, Широкий, Шкиль

МПК: C09B 35/46, D06P 3/30, D06P 3/32 ...

Метки: кожи, красителя, овчины, прямого, черного, шубной

...черного 3 для кожи и шубной овчины 25 диаэотированием 4,4-диаминодифениламин-сульфокислоты и сульфаниловой кислоты, азосочетанием последовательно с 1 амино-нафтол-сульфокислотой и резорцином, процесс азосочетания диазоти рованной 4,4-диаминодифениламин 2-сульфокислоты с 1-амино-нафтол- сульфокислотой ведут при рН 3,2-4,2 и температуре 16 - 28 С, процесс получения красителя ведут при соотношении 4,4-диа минодифениламин-сульфокислота: 1-амино-нафтол-сульфокислота равном 1,:0,88 - 0 82 соответственно, Для уменьшениязакрашиваемости ворса раствор красителя обрабатывают при температуре 16 - 35 С 40 карбоксиметилцеллюлозой в количестве0,4 - 5,6 ф от массы 4,4-диаминодифениламин-сульфокислоты.Предложенный способ иллюстрируетсяследующими...

Номер патента: 1050476

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Колычев, Решетин

МПК: H01L 21/78

Метки: меза-структур

...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...

Номер патента: 522641

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Афанасьев, Глущенко, Красножон

МПК: G01F 13/00

Метки: дозирования, жидкости, паров

...устройство для дозйрования емкость 1 и снижению уровня жидкости в диффузанта, содержащее емкость с.жидким .объеме до заданного значения площади подиффузантом, расположенный в ней оград:верхности испарения. Захваченныесзаданничивающийплощадьповерхностииспаре.; 20 ной площади поверхности испарения: ния объем и соединенные с ним каналы длягазом-носителем пары диффузанта поступа-ввода газа-носителя и отвода паров диффу- ют в канал 5. При увеличении расхода газазанта. носителя давление над поверхность оНедостатком.этогоустройстваявляется испарения увеличивается, что уменьшаетнедостаточная точность и стабильность до поверхность. испарения, При уменьшении эирования при колебаниях расхода газа-но- расхода газа-носителя, наоборот,...

Номер патента: 2002775

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андриевский, Белкин, Глущенко, Жукова, Корнеева, Лапин, Попов, Самойлова

МПК: C09B 29/16, D06P 3/16

Метки: 6-динатрийсульфокислота, ацетиламинонафталин-3, галоген, качестве, красителя, нитрофенилазо)-1-окси-8, окси-2, протравного, черного, шерсти

...;/г)-.-01-1г/ЗД СОМ;1,О 1 Н- у-СЙф)Д 11 сКО К 1)БСИТСЛЬ ИГЯВВТ ВИД 11 ЕДОСТВТсСЛД:4(НОСТЬ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕ 1 ИЯ С 11.ТЕЗ КД)КДРГО ИЗ КРг ТЕГЕЙ С ПОСЛЕДУО)111ИХ СМЕГОЕНИЕМ;КР;Ч ТЕ/с), ВХОГЯЦИВ 3 СОстс 1 В ХРОМОВОГО ЧЕгНОГО Г 1)ОЧНОГО, 11 МВОТ НЕДОСТДТОЧНОхоро 1 уо со)мес)имость, что сказцеаетсяНД ГГГЦгГР паЕИЯЦВЛЬЮ ИЗОГРЕТЕНИЯ ЯБЛЯВТСЯ СИНТЕЗ Индипидуальных черных протрадньх краситеЛЕЙ Об,ЕЙ фо)М)глцС ВЫСОКИМИКОЛОРИСТ ИсЕСЕИМИ ПОКВЗДТВ/)ЯМИ. РДСИТЕ/1 И (1)О)М/ЛЫПО УСТОЙЧИВОСТИ ОКРсСКИ КСУХОМУ ТРЕПИ 0 Ггг)ЕВОСХОДЯТ ХРОМОВЫИ ЧЕРны 1 про 11 ИЙ и не ииеют нВдостаткОВ, Г 1 риС"Б)фиХ ХРОМОВОМУ с 6 РНОМУ О И ХРОМОВОМУЧВРНОМУ Г ООЧ ОМУ,СВД 13311 иЯ 001 ей г,)ОРг)У/)цполУс 1 сзОтСЛЕ/.У 0 Им О)ога;30 с: ГДЛОИДСОДЕРХ(ДГДИВ,1 с...

Номер патента: 2002713

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Альбац, Галинский, Глущенко, Красных, Мошкин, Шеин

МПК: C04B 7/38

Метки: смеси, сырьевой, цементной

...частиц различных компонентов между собой, то есть число точек соприкосновения или плотности упаковки зерен, Иэ теории плотных упаковок (Бокий Г.Б "Кристаллохимия". Наука, Москва, 1971 г, стр, 149 - 150) следует, что максимальная плотность упаковки достигается при соотношении размеров радиусов частиц 1:О, 41:0,22, что с учетом различной природной плотности карбонатного и глинистого компонентов соответствует степени однородности распределения зернового состава 0,8 - 1,2,Помимо плотной упаковки частиц для интенсификации пооцессов необходимо, чтобы размер частиц Я 02, как наименее реакционного компонента, был достаточно мал, Иными словами, доля ЯЮ 2, вносимая в сырьевую смесь крупными частицами, должна быть ограничена, Доля ЯЮ 2, вносимая в...