Сандвич-структура

Номер патента: 142754

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Васильев

МПК: B27N 3/02

Метки: высокочастотного, длины, древесно-стружечных, использованием, контактного, нагрева, неограниченной, плит, прессования, совмещенного

...незначительную величину, но постепенновозрастает к концу зоны В, где это необходимо для форсирования процесса полимеризации клея в последнем такте прессования.Сочетание неравномерного контактного и неравномерного высокочастотного нагрева подбирается с таким расчетом, чтобы полимеризация клея во внешних слоях прессуемой плиты заканчивалась уже втретьей фазе прессования, а во внутренних - в четвертой, последней фазе.Вышеописанный режим нагрева обеспечивает равномерное распределение механических напряжений по всей длине прессуемого участкадревесно-стружечной плиты. Силы упругих деформаций, действующие в142754моменты периодического снятия давления, не приведут к нарушению однородности структуры древесно-стружечной плиты, что и позволяе...

Номер патента: 1718069

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Блехер, Заславский, Кораблев

МПК: G01N 23/227

Метки: длин, пробега, свободного, средних, электронов

...спекмакстров 70% (макс, мин) - максимальное и соседнее с ним минимальное значение наугловой зависимости соответственно). Ки- ризует часть тока первичных электронов, нетическая энергия 2 рЗ/2- и Зр-рентгена- прошедших пленку, не испытав неупругих вских фотоэлектронов составляет 551 зВ взаимодействий.4 ср. иср средниезначеи 1408 эВ при возбуждении включением 5 ния интенсивности на угловых зависимоКа А. стях интенсивности рентгеновскихПроцессы взаимодействия электронов фотоэлектронов, полученных от чистого моизучают в пленке бария, наносимой на мо- нокристалла и монокристалла с нанесенной нокристалл Сц 001) путем термического ис- на него пленкой соответственно.парения из специального источника, Для 10 Подсреднимзначениеминтенсивности...

Номер патента: 1334924

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Алешко-Ожевский, Головинов, Коряшкин, Шишков

МПК: G01N 23/207

Метки: дифрактометрического, излучения, использованием, исследования, кристаллов, реальной, синхротронного, структуры

...(фиг.6)и высшие гармоники через такую систеВ данной установке регулировкавторой пластины 18 первого кристалла"монохроматора 1 используется также вцелях уменьшения потерь интенсивности в результате разогрева первичным пучком места попадания. Функцию исполняющего элемента несет миниатюрный электромагнит 1, который перемещает конец второй пластины на расстояние 0-20 мкм, притягивая через пружинящую прокладку 20 приклеенный к монохроматору ферритовый диск 21. При этом отклонение Ь 8 имеет значеУстановка работает следующим образом.Полихроматический (первичный) йучок синхротронного излучения, пройдя входную диафрагму Ор и коснувшись краем входного мониторного детектора 5, попадает на первый канально-прорезанный кристалл 1. После двух (или...

Номер патента: 1147925

Опубликовано: 30.03.1985

Автор: Иванов

МПК: G01B 7/04

Метки: длины, ленты, металлической

...больший, чем радиус нейтрального слоя, растягиваются. Таким образом, измерительный диск по , ворачивается на угол,пропорциональ ный длине укороченной поверхности листа (поверхности сжатого слоя).Целью изобретения является повышение точности измерения. 45Указанная цель достигается тем, что устройство для измерения длины металлической ленты, содержащее измерительный диск, преобразователь его угла поворота, регистрирующий 50 прибор и два опорных диска, измерительный диск расположен между опорными дисками со смещением, обеспечи-, вающим в процессе измерения ненулевой угол охвата, снабжено вторым из мерительным диском, расположенным напротив первого в области угла охвата, преобразователем угла поворота второго измерительного Лиска,...

Номер патента: 1226209

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры

...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...