H01L 21/26 — воздействие волновым излучением или излучением частиц

Номер патента: 155872

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/26

Метки: 155872

...без предварительной сушки подвергают ультрафиолетовому обучению. Источником ультрафиолетового излучения является ртутно-кварцевая лампа типа ПРК, процесс облучения длится 30 - 60 мин при температуре окружающей среды 100 - 200 С (в зависимости от применяемомого полупроводникового материала) и проводится в потоке подогретого воздуха или кислорода. Поверхность стабилизированных таким образом полупроводниковых структур необходимо сразу же, до соприкосновения ее с окружающей атмосферой, защитить влагостойким покрытием либо герметизировать. Дальнейшие операции осуществляютсч по обычной технологии.Применение предлагаемого способа для обработки германиевыхп переходов позволило, например, получить высокую стабильностьраметров и меньшие...

Номер патента: 381300

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, отжига, полупроводнике, радиациопных

...(рабочееченский, Г, А. Качурин, . С, Смирновибирского отделения АН СССР ЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВОДНИКЕ го) подвергалась бомбардировке протонами (Е = 10 кэв,= 0,08 мка(см 2) в течение 132 миц. Контрольный образец защищался от воздействия протонов металлическим экраном.Методом ЭПР проводилось сравнение числа 1%-цетров, связанных с дефектами, вносимыми ионным внедрением (1 в контрольном и рабочем образцах. Оказалось, что контрольный образец содержал Ю-цетров в 10 раз больше, чем образец, облучсццый протоцамп.Электроцограммы дифракции электронов на отражение подтвердили существенное улучшение структуры слоя, аморфизированного предварительной бомбардировкой ионами аргона.П р и м е р 2. Аналогичный результат по низкотемпературцому восстановлен;по...

Номер патента: 557699

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Арефьев, Воробьев

МПК: H01L 21/26

Метки: ионных, кристаллов

...способ обработки ионныхкристаллов путем облучения потокомпозитронов, в результате которогопроводится позиционный отжиг дефектов 33Этот способ не использовался дляповышения радиационной стойкостиионных кристаллов в полях, содержащихнейтронную компоненту.Цель изобретения - повышение стойкости ионных кристаллов к нейтронному облучению.Цеть достигается тем, что накристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронамис образованием радиоактивного изотопайсточника позитронов, например измеди. Толщина медного покрытия составляет от 100 до 200 мкм,Способ реализуют следующим образом.До помещения ионного кристалла вридационное поле, содержащее нейтрон 5 ную компоненту, на его поверхностьнаносится медное покрытие....

Номер патента: 447108

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Денис, Иванникова, Калюжная, Репшис, Ярмалис

МПК: H01L 21/26, H01L 21/28

Метки: контакта, создания

...камеру, 15 не прерывая нагрева подложки концентрированным световым потоком, подают дозированную смесь очищенного водорода с тетрахпоридом кремния, легированным хпо ристым фосфором. Прн этом пластину крем ния располагают таким образом, что пэ верхность, на которую осуществпяется на:ращивание слоя, нагревается до более вы. сокой температуры, чем толща подложки. Найдено, что необходимым усповием рос та зеркально гладких слоев толщиной 150-200 мкм явпяется бопее высокий на 40-70 оС) нагрев поверхности растущей пленки по сравнению с обратной стороной пластины. Рост ппенки кремния ЗО толщиной 150-200 мкм происходит в спедующем режиме: температурный градиент по топщине ппасгины составляет 250- ЗООоС/см, температура роста ппенки 1000-1200...

Номер патента: 646706

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Арефьев, Воробьев, Мамонтов, Сохорева, Чернов

МПК: H01L 21/26

Метки: детекторов, полупроводниковых

...других характеристик (в частности, энергетического разрешения детекторов).Это достигается тем, что детекторы облучают позитронным потоком (102 - 10" позитрон/см) готовых полупроводниковых детекторов, Увеличение толщины р-п-перехода достигается также при позитронном облучении детекторов, проработавших в полях ионизирующих излучений.Установлено, что заметное ухудшение энергетического разрешения диффузионнодрейфовых детекторов наблюдается при позитронном облучении потоком более 10" позитрон/см. Кстати, при облучении потоком электронов ухудшение энергетического разрешения наблюдается также при дозе 10" электрон/см.646706 Формула изобретения Составитель Б. Рахманов Техред В. Серякова Корректор В. Петрова Редактор Л. Письман Заказ...

Номер патента: 774464

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Грехов, Делимова

МПК: H01L 21/26

Метки: быстродействия, кремниевых, мощных, повышения, полупроводниковых, приборов

...бинапия .носителей заряда идут через различные радиационные центры: Е,. - 0,5 эВ и Е, - 0,17 эВ соответственко, Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие ка)рактеристкии приборов, как генерационный ток и время жизни не,равновесных носителей заряда. В 1 процессе предлагаемой термической обработки РЦ с уровнем Е, - 0,5 1 эВ отжигаются, что проводит к уменьшению генерационных токов, а рекомбинационные РЦ с уровнем Е, - 0,17 эВ сохраняются.На фиг, 1 изображены,завидимости генерационного тока (иривая 1) и времени жизни неравновесных 1 носителей заряда (кривая 2) от температуры при изохронном отжиге длительностью 3 ч; на фиг, 2 - зависимости тех же параметров от длительности отжвга при изотермичесыом отжипе при 260 С....

Номер патента: 1728900

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев

МПК: H01L 21/26

Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных

...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...

Номер патента: 1737567

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Митин

МПК: H01L 21/26

Метки: мощного, полупроводникового, прибора, сборки

...потоком электроновМэВ и дозой (2-20),10 ф 4 см ,устанавливают и закрепляют кольцо нторце основания, заливают в цилиндрдо верхнего торца кольца эпоксидныйкомпаунд и осуществляют термообработку, Использование способа позволяет изготавливать приборы без аномальных характеристик,него торца кольца эпоксидныи компаунд и осуществляют термообработку.Экспериментально установлено, цто при облучении кольца потоком электронов с энергией 4-6 МэВ и дозой (2-20)10 ф см снимается или значительно уменьшается электрострикционный эФФект.П р и м е рСпособ опробовали при сборке полупроводникового диода КД 213, представляющего собой мощную сковородку толщиной 1,0 мм и диаметром 14 мм, стенка которой имела толщину 1,8 мм и высоту 2,0 мм. В нее вставляли и...

Номер патента: 1340477

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...области базы и коллектора транзисторов радиационных дефектов, концентрацией которых управля;от выбором флюэнса облучения, отличаощийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров при увеличении быстродействия, после операции соединения элементов проводящими дорожками по всей поверхности схемы наносят защити-перехода составляет 1,80,2 мкм, толщина активной базы - "О,9-1 мкм,С помощью фотолитографии вскрьвают контактные окна над коллекторной, базовой и эмиттерной областями транзисторов и контактными площадками резисторов, напыляют металлизацию, по которой создают электропроводящие дорожки, обеспечиваощие в нужной последовательности соединенля между элементами интегральной схемы ИС. Далее наносят по асей поверхности схемы слой...

Номер патента: 1223784

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Латышев, Ломако, Прохоцкий, Соловьев, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...1,х В:.О/ай ОК И 1 СОКОГО ) 1)ОИ 1(1;,;,;. - ВХОДЦОИ 1к низкого ровня Па 1 л 0)(Оццае цаг)р 1)ке 1 Р 18 питацР 1/ сост 1 ляла - 5,2 В, 1-а 1 ластице и)з)0 ци/1 и 00 р 1 "1 ую 1 рОВ-Ок)/ ).ехцэ фн" ;ци 01 иравацие и строили Г 1 стООГрдмлы РзсгРеДеле 11 Я :ЗРамт08 Г 10 Ос) аткла" дывд/и 0 цашециа числа фу ц:;Р 01 иру 10- 1 ЗМ 80 Е 1)/ Г)аРаМетРКГОлнаму чис.)схем ца 1;лзстице, па Оси Х - 3; ач 811 я а 18 лиг ируемаГО Г 1 арз/18;ра. г 13- ,)акааКУ , ГОДЫе) 8 1 Ы 1 ЗОВОДРОи ( 11ЛСсл 1 С) У Ь й Я"О 1 /1 У, 1 ак, 111;)им 3 р, па ) эза)1 цым Т)ГОДными язля 10 тс /С с гзлР;янам)1 Й,х1,6 В, ), ,50 мкА.ИсОльзавание в техцалаРчес ам працсссе Операций )адиациацна"термической Обрабг)ткиицтегрэльцы;пагак .=- 1,0 х 10 час Ги -.; см 1 Р) /д0 Сп в 1 дР)ла...

Номер патента: 1085439

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Данцев, Комаров, Усманова, Юлдашев

МПК: H01L 21/26

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание областей p-типа в кремниевой подложке n-типа проводимости, диэлектрическую изоляцию этих областей, контроль качества полученных областей с диэлектрической изоляцией для определения областей с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости и формирование в диэлектрически изолированных областях рабочих структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, области с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости перед формированием в них рабочих структур подвергают облучению тепловыми нейтронами в течение времени t, определяемого по формуле

Номер патента: 1783930

Опубликовано: 30.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/26

Метки: легирования, полупроводников

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводника источника примеси, размещение полупроводника на одном электроде, нагревание полупроводника, приложение между электродами напряжения постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводников за счет снижения дефектности их кристаллической решетки, обеспечения возможности введения примеси на любую глубину и взрывобезопасности способа, полупроводник размещают на плоском электроде, нагревание осуществляют до 300 - 800oС, напряжение прикладывают в течение времени, необходимого для получения требуемой глубины легирования, а величину напряжения выбирают из условия обеспечения зажигания коронного заряда.

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 1517657

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Ломакина, Мохов, Семенов

МПК: H01L 21/26

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий эпитаксиальное наращивание на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости и формирование p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет увеличения концентрации центров дефектной люминесценции, формирование p-n-перехода проводят путем наращивания слоя p-типа проводимости на слой n- типа проводимости, после создания p-n-перехода проводят облучение нейтронами с дозой 1018 - 1019 см-2 и отжиг.

Номер патента: 786705

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Асеев, Ли

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, сверхрешеток

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК, включающий создание на МДП-структуре периодически меняющегося поверхностного потенциала, отличающийся тем, что, с целью улучшения выходных параметров сверхрешеток и упрощения технологии, периодически меняющийся потенциал создают путем проецирования электронного изображения системы кристаллических плоскостей вспомогательного монокристалла на поверхность МДП-структуры.

Номер патента: 1519452

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/26

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1533569

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Гусинский, Козлов, Найденов

МПК: H01L 21/26

Метки: структур, тиристорных

Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирования p+-n-p-n+ слоев, облучение ведут при интенсивности потока протонов не более 1010 прот см-2 ...

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Дроздов, Носков, Сухих, Цейтлин

МПК: H01L 21/26

Метки: двуокиси, диэлектрических, кремния, низкотемпературных, пленок

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 1294209

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Рощупкин, Якимов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий обработку поверхности кристалла теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением пленки металла из ряда Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения вольт-амперной характеристики структуры за счет снижения обратного тока, полученную структуру облучают сфокусированным пучком с энергией 25 - 30 кэВ дозой (1 - 3) 10-9 Кл/см2.

Номер патента: 1725695

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Трофимов

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночным импульсом с плотностью тока электронов в импульсе, равной или большей 182 А/см2, или последовательностью импульсов с плотностью тока в импульсе, равной или большей 6 А/см2, с суммарной поглощенной дозой, равной или большей 0,6

Номер патента: 1820784

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/26

Метки: арсенидгаллиевых, структур

Способ изготовления арсенидгаллиевых структур, включающий имплантацию кремния в подложку из арсенида галлия, импульсный отжиг и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения неуправляемого уширения профиля легирования и снижения удельного сопротивления подложки, охлаждение осуществляют со скоростью не более 250oС/с.

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Номер патента: 429604

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Болотов, Васильев, Герасименко, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффективной диффузии примеси.

Номер патента: 1618211

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Номер патента: 1595274

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Абросимова, Асина, Ковешников, Сурма, Уверская, Чернякин

МПК: H01L 21/26

Метки: быстровосстанавливающихся, диодов, силовых

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с в течение импульса засветки 170 - 190 с от 20

Номер патента: 385536

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Романов, Серяпин, Серяпина, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковой, структуры

Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефектов полупроводниковой структуры.

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.