Полупроводниковый преобразователь

Номер патента: 987499

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Голубев, Гуцол, Пантелеев, Пурин, Соболев, Хомчик

МПК: G01N 27/30

Метки: активности, ионов, ионоселективного, мембраны, состав, стронция, электрода

...составляет 1-2 мВ в сутки). Электрод с предлагаемой 45 мембраной работает в области концентраций ионов стронция 1,0-210-смол/л при 15-50 С в интервале рН 1,0-7,0. Крутизна калибровочного графика сос-) тавляет 28,0+1,0 мВ/р 5 Р .50На Фиг. 1 приведен калибровочный график предлагаемого электрода.Электрод с жидкой мембраной такого состава позволяет проводить опре." деление концентрации ионов стронцияв сложных по составу водных растворах, что подтверждается следующимипримерами.П р и м е р 1. Определение стронция в чистых растворах,Отбирают пипеткой 5 ил анализируемой пробы и помещают в стакан ем-.костью 25 мл. Ионоселективный электрод с жидкой мембраной на основестронциевой соли моноизооктиловогоэфира метилфосфоновой кислоты с концентрацией...

Номер патента: 1116321

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Гусев, Ярмоленко, Ястребцев, Ястребцов

МПК: G01F 23/24

Метки: датчик, жидкости, уровня, электропроводящей

...охваченной слоем ди-. электрика, электрод подложки, затвор, образованный электропроводящей жидкостью, первый источник питания, . включенный между электродом подложки и затвором, и второй источник питания, подключенный к стоку и истоку и последовательно соединенный с регистрирующим прибором 131 .Недостатками известного датчика являются нелинейность выходной статической характеристики, связанной с неравномерностью тока в канале между электродами и влиянием сопротивления резистивных областей стока и истока, и непостоянство чувствительности. Цель изобретения - повышение линейности выхоцной характеристики и обеспеченн постоянства чувствительности во всем диапазоне измене.ний уровня жидкости,Поставленная цель достигаетсятем, что в...

Номер патента: 1125533

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Бычков, Власов, Легин, Розенков

МПК: G01N 27/30

Метки: железа, ионов, мембраны, состав, стеклянного, халькогенидного, электрода

...слой серебра, к которомупроводящим серебряным клеем (контактолом) приклеивают медный проводник. Место склейки заливают эпоксидным компаундсм и высушивают. Приготовленную мембрану с твердым внутренним токоотводом вклеивают н поливинилхлоридный корпус электрода эпоксидным компаундом. 50Для измерения электродных характеристик применяют следующую электрохимическую ячейку:Ар, АдС 1 1 М КИО М Аянасы дуещенный мыйраст- вор где М - мембрана из халькогенидногостекла.Калибровочные растворы н концен" трационной области от О до 1 О ион железа (Ш) дек, готовят из нитратажелеза (11 Г) в О,1, 1 или 3 М азотной кислоте, Растворы с концентрацией ионов трехвалентного железа-6 -4от 10 до 10 г-ион/л готовят непосредственно перед измерениями в...

Номер патента: 1361628

Опубликовано: 23.12.1987

Автор: Аваев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройства

...соответствует логическому нулю, а высокий Р - логической единице. Двухзатворный транзистор 16 закрыт при сквозном 5 Ообеднении носителями слоя.При считывании на шины 18 записи подают нулевое напряжение, на шинах 19 считывания предварительно устанавливают напряжение У , которое по окончании импульса установки поддер,живается емкостью шины, После этого подают отрицательный импульс ампли" тудой Пя,на шину 17 выборки, .Тран 8 2зистор. 16 отпирается в случае храйения логического нуля, и напряжениена шине 19 понижается. В случае хранения логической единицы транзистор16 остается закрытым, а напряжениена шине 19 не изменяется,В накопителе считывание является неразрушающим, так как при считываниизапоминающий конденсатор не связан сшиной столбца...

Номер патента: 1647478

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Августимов, Биднык, Ильюк, Казинов, Матюшин, Остапчук, Пенцак, Саваневский

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, испытания, стабильности, схем

...типичные зависимости пробивного напряжения сток-истоковых областей в первоначальный момент (а) и в конце выдержки (б),Режим задания стабильного тока с устанавливается больше ко, где ко - канальный ток при температуре выдержки между стоком и истоком (фиг,З), В случае, если задаваемый стабильный ток будет менее Ьо, МДП-структура будет выдерживаться при низкой напряженности поля, связанной с приложением к сток-истоковым электродам напряжения менее О (фиг,З), что затруднит активацию зарядовых состояний,Учитывая, что в процессе выдержки канальный ток может возрастать, уровень стабильного задаваемого тока устанавливают больше канального тока при температуре выдержки, но меньше тока начала тепло 5 10 15 20 9 25 ЗО 35 40 45 50 вого...