Бобылев

Номер патента: 1598776

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, изолирующей, носителей, подвижности, подложке, слоях, эпитаксиальных

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка, к структуре дополнительно прикладывают низкочастотное модулирующее напряжение и измеряют зависимость сигнала производной емкости по напряжению от напряжения смещения, находят отношение сигнала в максимуме измеренной зависимости к сигналу при нулевом смещении, после чего по величине этого отношения по...

Номер патента: 1023973

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Коржов, Косцов, Кравченко

МПК: H01L 27/04, H01L 31/16

Метки: или-не, логический, элемент

Логический элемент "ИЛИ-НЕ", состоящий из прозрачной непроводящей подложки, на которой размещены модулятор света и фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочего напряжения, увеличения быстродействия и упрощения конструкции, модулятор света и фотоприемник выполнены в виде однотипных мезаструктур, представляющих собой поверхностно-барьерные контакты Шоттковского типа на эпитаксиальной полупроводниковой пленке, в которой созданы глубокие центры, причем модулятор света и фотоприемник электрически включены последовательно.

Номер патента: 1577627

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Овсюк, Севастьянов, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

1. Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках, заключающийся в том, что к образцу прикладывают постоянное напряжение смещения различной величины, формирующее область обеднения, пропускают через образец высокочастотный ток с заданной амплитудой, прикладывают к образцу низкочастотное напряжение с частотой , вызывающее амплитудную модуляцию глубины области обеднения, регистрируют высокочастотное напряжение на образце, по которому определяют глубину области обеднения, выделяют огибающую этого сигнала, определяют ее квадратурную составляющую посредством синхронного детектирования на частоте

Номер патента: 1326094

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Альперович, Бобылев, Морозов, Чикичев

МПК: H01J 31/04

Метки: излучения, инфракрасного, поток, электронов

Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов, содержащий расположенный на прозрачной подложке легированный полупроводниковый слой р-типа проводимости с активированной цезией и кислородом свободной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона и увеличения помехозащищенности, между легированным полупроводниковым слоем р-типа проводимости и подложкой последовательно размещены полупроводниковый слой с глубокими уровнями и барьерный контактный слой, смещаемый в запорном направлении, а перед прозрачной подложкой расположен источник света, длина волны которого лежит в области электропоглощения полупроводникового слоя с глубокими уровнями.

Номер патента: 1618224

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...

Номер патента: 683482

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Дохитян, Каринский, Котов

МПК: G02F 1/33

Метки: модулятор, памятью, пространственный, света

Пространственный модулятор света с памятью, состоящий из пластины полупроводника на прозрачной проводящей подложке, слоя диэлектрика на поверхности полупроводника, отличающийся тем, что, с целью модуляции с последовательным вводом информации и электрическим управлением, увеличения быстродействия, снижения рабочего напряжения, пластина полупроводника выполнена из прямозонного полупроводника, а на диэлектрик нанесена система электродов с зарядовой связью.

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Акимов, Бобылев, Глущенко, Иванов

МПК: H01L 21/04

Метки: кремниевого, планарного, прибора

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.

Номер патента: 1767860

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Бобылев, Бузин, Дьякова, Кубасов, Серебряков, Тверской, Федотов, Шевлякова

МПК: B01D 71/82, C08G 69/32, C08G 69/46 ...

Метки: газоразделительной, композиция, мембраны, полимерная

Полимерная композиция для газоразделительной мембраны, включающая полимер, содержащий группы сульфоната диамина, отличающаяся тем, что, с целью повышения газопроницаемости по двуокиси углерода, в качестве полимера, содержащего группы сульфоната диамина, она содержит поли-п-(2,21-сульфонат пиперазина)дифениленизофталамид с молекулярной массой 34000 (полиамид 1) формулыгде и поли-м-фениленизофталамид (полиамид II) при следующих соотношениях компонентов, мас.%:Полиамид I - 70 - 96Полиамид II - 4 - 30

Номер патента: 930801

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Бобылев, Красоткина, Мельник, Ошин, Федотова, Шаховцева

МПК: B01J 23/28, B01J 31/02, B01J 37/00 ...

Метки: аллила, катализатора, приготовления, хлористого, эпоксидирования

Способ приготовления катализатора для эпоксидирования хлористого аллила путем взаимодействия молибдена с органическими гидроперекисями в присутствии алифатических спиртов С1-С4 при 20 - 100oC, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенной активностью, взаимодействие ведут в присутствии 0,4 - 2,2 мас.% воды.

Номер патента: 1816116

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Небрат, Овсюк, Попов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых...

Номер патента: 1646390

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...

Номер патента: 1119553

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Калухов, Чикичев

МПК: H01L 29/40

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-8 10 см-3.

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Орлов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Номер патента: 1669152

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Бобылев, Емельянова, Манаев, Пастушков, Пуцыкин, Рукасов, Тащи, Эпштейн

МПК: C07D 249/08

Метки: 3-диметил-1-(1, 3-диметил-2-оксо-1-(4-хлорфенокси)-бут-1-ил-1, 4-амино-1-3, 4-триазол-1-ил)-1-(4-хлорфенокси, 4-триазолий, бутан-2-она, качестве, продукта, промежуточного, синтезе, хлорид

4-Амино-1-[3,3-диметил-2-оксо-1-(4-хлорфенокси)-бут-1-ил] -1,2,4-триазолийхлорид в качестве промежуточного продукта в синтезе 3,3-диметил-1-(1,2,4-триазол-1-ил)-1-(4-хлорфенокси)бутан-2-она.

Номер патента: 1587867

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Андреева, Ахматова, Бобылев, Бондарев, Велесевич, Еремина, Минкина, Молчанов, Поляков, Пронченко, Пуцыкин, Тащи, Уланова, Цветков, Чехлов, Шестакова

МПК: A01N 43/653, C07D 249/08

Метки: 1-(4-хлорфенокси)-1-(1, 4-тр, 4-триазол-1-ил)-2-изоциано-3, cocl2, cucl, cucl2, cuso4, mncl2, nicl2, zncl2, активностью, диметилбутан, комплексы, обладающие, фунгицидной

1. 1-(4-Хлорфенокси)-1-(1,2,4-триазол-1-ил)-2-изоциано-3,3-диметилбутан формулыили его комплексы с CuCl, CuCl2, ZnCl2, MnCl2, NiCl2, CuSO4 и CoCl2, обладающие фунгицидной активностью.2. 1-(4-Хлорфенокси)-1-(1,2,4-триазол-1-ил)-2-формамидо-3,3-диметилбутан в качестве промежуточного продукта для синтеза 1-(4-хлорфенокси)-1-(1,2,4-триазол-1-ил)-2-изоциано-3,3-диметилбутана, обладающего фунгицидной активностью.

Номер патента: 711768

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Андреева, Бобылев, Мильштейн, Петрова, Пронченко, Санин, Усманов, Швецова-Шиловская

МПК: A01N 37/30, C07C 271/02

Метки: n-метилолтрихлорацетамида, активностью, карбаматы, обладающие, фунгицидной

Карбаматы N-метилолтрихлорацетамида общей формулыCCl3C(O)NH CH2OC(O)NHRгде R - фенил, метил, хлор, трифторметил или нитрозамещенный фенил, 1= нафтил, обладающие фунгицидной активностью.

Номер патента: 707174

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Андреева, Бобылев, Гольшин, Закиров, Кондратьев, Мильштейн, Пронченко, Санин, Смирнова, Усманов, Швецова-Шиловская

МПК: A01N 37/30, C07C 271/02

Метки: активностью, бактерицидной, карбаматы, обладающие, фунгицидной, хлоралькетонов

Карбаматы хлоралькетонов общей формулыгде R1 - метил-, фенил, незамещенный или замещенный группой NO2, или CH3O, или бромом или хлором, -нафтил;R2 - C1 - C2-алкил, алкил, фенил, незамещенный или замещенный метилом, или группой CF3, или NO2, одним или двумя атомами хлора, -нафтил, обладающие фунгицидной и бактерицидной активностью.

Номер патента: 1086720

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Андреева, Бобылев, Велесевич, Заикин, Пономарева, Пуцыкин, Санин

МПК: A01N 35/04, C07C 205/44

Метки: 1-трихлор-2-окси-4-(4-нитрофенил)бутанон-4, 1-трихлор-4-(4, 1-трихлор-4-(4-нитрофенил, бутен-2-он-4, качестве, нитрофенил)бутен-2-она-4, продукта, промежуточного, синтезе, фунгицида

1. 1,1,1-Трихлор-2-окси-4-/4-нитрофенил/-бутанон-4 структурной формулыв качестве промежуточного продукта в синтезе 1,1,1-трихлор-4-/4-нитрофенил/-бутен-2-она-4.2. 1,1,1-Трихлор-4-/4-нитрофенил/ бутен-2-он-4 структурной формулыв качестве фунгицида.

Номер патента: 610370

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Бобылев, Мильштейн, Санин, Швецова-Шиловская

МПК: C07C 233/01

Метки: 2-трихлор-1-оксиэтил)-формамид, n-метил-n-(2, активностью, обладающий, фунгицидной

1. N-Метил-N-(2,2,2-трихлор-1-оксиэтил)-формамид формулыобладающий фунгицидной активностью.2. Способ получения вещества по п.1, отличающийся тем, что N-метилформамид нагревают с хлоральгидратом до кипения и выдерживают реакционную смесь в течение 140 - 160 ч при комнатной температуре с последующим выделением целевого продукта.

Номер патента: 1741504

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Бобылев, Богуславский, Шариков

МПК: F16D 65/54

Метки: износа, компенсатором, привод, тормоза

1. Привод тормоза с компенсатором износа, содержащий корпус, установленный в последнем поршень с полостью, подпружиненный посредством пружины растормаживания, установленные в упомянутой полости подвижную в осевом направлении втулку с по меньшей мере одной внутренней наклонной поверхностью, обращенной к поршню, и фланцем, шток с цилиндрической поверхностью, тела качения, расположенные равномерно по окружности между упомянутыми по меньшей мере одной наклонной и цилиндрической поверхностями и подпружиненные в осевом направлении к упомянутой наклонной поверхности относительно втулки, а также жестко связанный с поршнем фиксирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения точности компенсации и снижения...

Номер патента: 1538590

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Андреев, Балашканд, Бобылев, Замахаев, Казнин

МПК: E21B 43/00

Метки: воздействия, зону, импульсного, призабойную, скважины

Устройство для импульсного воздействия на призабойную зону скважины, включающее связанный с колонной насосно-компрессорных труб полый корпус с дном и радиальными окнами и подвижно размещенный в нем золотник с радиальными отверстиями, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности работы устройства за счет сохранения амплитуды импульсов при их низкой частоте следования, оно снабжено перегородкой с осевым отверстием и размещенным между ней и дном упругим элементом, а в дне выполнено осевое окно, причем перегородка установлена на золотнике в его нижней части, а золотник размещен в корпусе с возможностью осевого перемещения и взаимодействия с гибким элементом.

Номер патента: 1692195

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Андреев, Балашканд, Бобылев, Казнин

МПК: E21B 43/25

Метки: зоны, импульсной, призабойной, скважины

1. Устройство для импульсной обработки призабойной зоны скважины по авт. св. N 1496366, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности обработки за счет поддержания стабильности частоты повторения импульсов и регулирования энергии выхлопа, в буферной полости дополнительно размещены винтовая цилиндрическая пружина с возможностью воздействия на хвостовик и узел регулировки усилия пружины, состоящей из ввернутой в заглушку резьбовой втулки и опорной шайбы.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы за счет исключения проворачивания уплотняемых поверхностей, винтовая цилиндрическая пружина состоит из имеющих разные направления навивки двух частей.

Номер патента: 1816065

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бобылев, Гладких

МПК: F16H 9/24

Метки: вариатор, гладких

...работает. следующим образом.В исходном состоянии, т,е. до начала вращения ведущего вала 2 и при фиксированном положении штанги 25, соответствующем определенному передаточному отношению, нижний, рабочий участок цепи 4 расположен в рабочем зазоре 10 по некоторому радиусу 82. Верхний же участок цепи 4, расположенный за пределами зазора 10, находится в подвешенном и натянутом состоянии с помощью ролика 23 и пружины 22 и свободен от контакта с другими элементами вариатора,. Крутящиймомент прикладывается к ведущему валу 2, Звездочка 6 за счет взаимодействия с цепью 4 начинает вытягивать ее звенья из рабочего зазора 10, Одновременно звенья свободного верхнего участка цепи 4, опираясь на ролик 23, проходят в направлениях к рабочему зазору...

Номер патента: 1823487

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Белоус, Бобылев, Журба, Кремер, Никитенко, Попович, Ушаков, Хабер, Чернов, Чернышев, Ярмолюк

МПК: C10M 159/16

Метки: беззольной, детергентно-диспергирующей, маслам, моторным, присадки

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗЗОЛЬНОЙ ДЕТЕРГЕНТНО-ДИСПЕРГИРУЮЩЕЙ ПРИСАДКИ К МОТОРНЫМ МАСЛАМ путем взаимодействия при повышенной температуре высокомолекулярного алкилфенола с формальдегидом и полиамином, отличающийся тем, что, с целью повышения диспергирующих свойств и термоокислительной стабильности, в качестве полиамина используют соединение общей формулыгде алкилен этилен и/или пропилен;R1, R2 водород и/или CH2CH2CN;n 1 5.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что взаимодействие проводят в присутствии алифатической карбоновой и/или борной кислоты.

Номер патента: 795279

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Бобылев, Ледовский

МПК: G21G 4/02

Метки: генератора, излучения, импульсного, ионизирующего, питания, потока

СИСТЕМА ПИТАНИЯ ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСНОГО ПОТОКА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ, содержащая импульсный высоковольтный трансформатор, накопительный конденсатор в цепи первичной обмоткой трансформатора, конденсатор питания ионного источника, высоковольтный дроссель, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода нейтронов в импульсе без увеличения энергопотребления и габаритных размеров, высоковольтный дроссель содержит дополнительную секцию, включенную параллельно поджигающему промежутку ионного источника трубки, а между основной и дополнительной секциями включен конденсатор питания ионного источника.

Номер патента: 1734343

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Бобылев, Велесевич, Воробьев, Лещенко, Лобашевский, Миронов, Пуцыкин, Силин

МПК: A61K 31/12, C07C 49/697, C07C 49/747 ...

Метки: 1-трихлор-2-(2, 1-трихлор-4-(2, 2-производ, 2-производные, 4-дихлорфенил)-бутан-4-он, 4-дихлорфенил)-бутан-4-она, активность, качестве, окси-4-(2, полупродукта, противомикробную, проявляющие

2-ПРОИЗВОДНЫЕ 1,1,1-ТРИХЛОР-4-(2,4-ДИХЛОРФЕНИЛ)-БУТАН-4-ОНА, ПРОЯВЛЯЮЩИЕ ПРОТИВОМИКРОБНУЮ АКТИВНОСТЬ, И 1,1,1-ТРИХЛОР-2-ОКСИ-4-(2,4-ДИХЛОРФЕНИЛ)-БУТАН-4-ОН В КАЧЕСТВЕ ПОЛУПРОДУКТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ 2-ПРОИЗВОДНЫХ 1,1,1-ТРИХЛОР-2-ОКСИ-4-(2,4-ДИХЛОРФЕНИЛ)-БУТАН-4-ОНА1. 2 - Пpоизводные 1,1,1-тpихлоp-4-(2,4-дихлоpфенил)-бутан-4-она фоpмулы 1CCl3- -CH2- Clгде X - OC(O)CH3, Cl,пpоявляющие пpотивомикpобную активность.2. 1,1,1-Тpихлоp-2-окси-4-(2,4-дихлоpфенил)-бутан-4-он фоpмулы

Номер патента: 2005150

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексанянц, Бобылев, Зенкин, Костин, Крылов

МПК: E04G 9/10

Метки: несъемная, опалубка

...поверхностей вертикальных вставок.При возведении ответственных конструкций производится вертикальное армирование в колодцах между вертикальными вставками путем установки арматурных каркасов,Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг.1 в аксонометрии показан фрагмент смонтированной опалубки; на фиг,2 - то же, в трех проекциях и разрезах; на фиг.3 - фрагмент образования оконного или дверного проема при сборке опалубки; на фиг,4,а,б - стяжое устройство с элементами регулирования величины усилия натяжения,Несьемная опалубка включает вертикальные вставки из газо- или пенобетона 1, вертикальныв 2 и горизонтальные 8 вставки с четвертями для образования проемов, к которым с помощью анкерных петель 5 и стяжных устройств 4 плотно...

Номер патента: 1839135

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Бобылев, Бродягин, Бродягина, Гладков, Емцев, Киселев, Панчев, Пономарев, Солдатов, Феофилактов, Фурса

МПК: B23K 26/00

Метки: лазерной, процессом, сварки, труб

...тз возникает отклонение луча от стыка, связанное, например, с разьюстировкой резонатора лазера 1, При этом возникает отличный от нуля разносгный сигнал правой и левой половин квадра турного фотоприемника 11, привод 17вращения зеркала начинает его перемещать до тех пор, пока разностный сигнал не станет вновь равным нулю, На интервале тз.тд коррекции луча сигнал с первого дат чика скорости также отключает электронный ключ 28 и система стабилизации глубины проплавления отключается от сигнала обратной связи. Таким образом синхн гл кл и эл чи ге ка кр ел де СО мо ст на 30 Элементы 19 - 25 образуют первый конуправления, назначение которого состово вращении трубной заготовки на 4 босварочном стыке до тех пор, пока плость стыка не совпадает с...

Номер патента: 2002667

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бобылев, Васильев, Волков, Кирбай, Сороковиков, Устинов, Яницкий

МПК: B63H 25/46

Метки: судна, торможения, экстренного

...и перекрытые крышками, снабжено расположенными в отдельном отсеке газогенератором твердого топлива и сообщенной с ним посредством газохода азовой турбиной с выпускным трактом, причем в стенке по крайней мере одного продольна-поперечного канала выполнено сквозное отверстие, в котором по-. средством герметичной муфты установлен вал, на обращенном в канал конце которого закреплен гребной винт, при этом передние по направлению вращения вала кромки лопастей гребного винта обращены к кормовой части судна, а противоположный конец вала соединен с газовой турбиной, В зависимости от конкретного исполнения устройства гребной винт может устанавливаться в одном или нескольких продольно-поперечнь 1 х каналах.На фиг.1 представлен продольный...

Номер патента: 2001211

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Бобылев

МПК: E03B 3/06

Метки: водоносного, воды, возведения, грунта, добывания, колодца, слоя

...его в стенки скважины и в водоносный слой грунта повторяют до образования ядра из фильтрационного материала, диаметр которого превышает диаметр уплотненной зоны грунта, образованной при проходке скважины.На фиг.1 изображена схема проходки скважины с радиальным уплотнением с помощью раскатчика грунта; на фиг.2 - эасыпФ о рмула изобретен ияСПОСОЪ ВОЗВЕДЕНИЯ КОЛОДЦА ДЛЯ ДОБЫВАНИЯ ВОДЫ ИЗ ВОДОНОСНОГО СЛОЯ ГРУНТА, включающий проходку скважины до проектной глубины, обустройство грунтового фильтра засыпкой в скважину фильтраци. онного материала и установку в скважину 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ка скважины фильтрационным материалом; на фиг.3 - обустройство грунтового фильтрэ путем вдавливания фильтрационного материала в стенки...