Способ изготовления кремниевых многослойных структур

Номер патента: 1545845

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структуры

Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть поверхности кремниевой подложки так, чтобы имплантируемые области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором имплантируют только неиплантированную на первом этапе поверхность кремниевой подложки и проводят нагрев.

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 1597027

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.

Номер патента: 113061

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Крулевецкий, Минеев

МПК: B65G 57/03

Метки: механизмов, несимметричным, повторяющимся, приводами, работы, циклом

...4, насаженная ця ось валя-водила 3. Вял-во- ;илО 7 жестко сОединястся с Вя;10 м ) командо-аппарата 9. Сателлит 4, к;)оме того, входит в зацепление с Внутренним зубчатым венцом 2 шкива 1 тормоза 11. На валу-водиле 7 насажен рычаг 6, который пружиной 12 прижимается к упору 1.Передача от приводного электродвигателя к командо-аппарату рассчитывается так, чтобы при максимальном числе оборотов электродвигателя, необходимых для совершения операции, вал командо-аппа 11.) 06.Рс 3 с) ИОВСРНт).5 ИЕ ОС)Г/ЕС. ЧЕМ ПЛ 90".РЯООТЯ ИГ)ЯН(Т)РНОИ Мф ГЬ 1 3,)ОИСХОДИТ С:1 С де К)ИИ М ООр ЯЗО:(1. 1) И ЛЧЯГ 1(. РЯООТЫ И)КИВ ) З 3)ОРМОЖСИ. БР) ИСИ ИЕ ПРИВОДНОГО ЭЛЕК 3 РОД(В:1- ГЛТС.,15 БЬ)ЗЬ 1 ВЯ.Т СООТ)СТСТВМК)33,ИИ ИОВОрОТ КОМ)идо-.)ннс)ряТс 1. 11 р",Ж,1-...

Номер патента: 1568799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения...