Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...

Номер патента: 1822560

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Мартынова, Никулина, Полянская, Семенов

МПК: C07F 3/00, H01B 12/00

Метки: бария, высокотемпературных, дикетоната, комплексы, пленок, полиэфирами, сверхпроводников, циклическими

Комплексы -дикетоната бария с циклическими полиэфирами общей формулыгде R1 R2 CF3, n 4; R1 R2 CF3, n 3;R1 (CH3)3C-, R2=CF3, n 4,для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников.

Номер патента: 122380

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Бурмистров

МПК: C25F 3/08

Метки: кварц, нанесенной, например, пленки, поверхности, подложку, стекло, стойкую, травления, хрома

...металла в вакууме на стекло, кварц, а также накие подложки и травится по рисункам, выгравированнымупорной основе, или по фотографическим изображениям наном слое коллоида или смолы раствором марганцовокис,ппоследующим осветлением или соляной кислоты с припудривками металла (например, цинка или алюминия), выделтравлении водород.В последнем случае травление можно прос металлической поверхностью, например, пили алюминия. хрома, получе- лговечнк очные изображения, не лочам и кислотам без аспылением другие стойна кислото- хромированого калия с анием опиляющего при изводить в контакте слоя ластиной из листа цинка едмет изобретен о с Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенноп на стойкую подложку, например, стекло,...

Номер патента: 1658656

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Рубан, Свиридович, Точицкий

МПК: C23C 14/28

Метки: высокотемпературных, металлооксидных, пленок, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий испарение мишени из наносимого материала в атмосфере кислорода импульсным лазерным излучением, осаждение его на нагретую подложку и охлаждение подложки в два этапа в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и повышения технологичности процесса, испарение материала осуществляют при плотности мощности лазерного излучения 107 - 108 Вт/см2, частоте следования импульсов не более 15 Гц и давлении кислорода (0,13-13)Па, температуру подложки в процессе осаждения поддерживают в диапазоне (853-1023)К, охлаждение подложки на первом этапе проводят со скоростью не более 35 К/мин до температуры...

Номер патента: 1712469

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Неко, Таран, Якименко

МПК: C25D 3/60

Метки: олово-висмут, осаждения, сплава, электролит

...с), Рассеивающая способность электролита составляет 52 О, удельная электропровод- ность - 5,5 Я м, катодная поляризация - 145 мВ, катодный выход по току - 98%, Выпадение осадка из электролита не наблюдается по истечении 365 сут при постоянной производственной загрузке ванны,образованию. менее шероховатых и менее пористых покрытий, Аммоний азотно-кислый повышает удельную электропровод- ность электролита, в результате повышается его рассеивающая способность,Применение для этих целей других солей сильных кислот, например азотно-кислых, серно-кислых или хлористых солей натрия или калия, недопустимо, так как образующийся при этом избыток ионов щелочного металла ( в случае использования их лимонно-кислых солей для образования цитратного...